- 被代替
- 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 24578-2015
- 2009-10-30 頒布
- 2010-06-01 實施
下載本文檔
文檔簡介
犐犆犛29.045
犎80
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
犌犅/犜24578—2009
硅片表面金屬沾污的
全反射犡光熒光光譜測試方法
犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵狊狌狉犳犪犮犲犿犲狋犪犾犮狅狀狋犪犿犻狀犪狋犻狅狀狅狀狊犻犾犻犮狅狀狑犪犳犲狉狊犫狔
狋狅狋犪犾狉犲犳犾犲犮狋犻狅狀犡狉犪狔犳犾狌狅狉犲狊犮犲狀犮犲狊狆犲犮狋狉狅狊犮狅狆狔
20091030發(fā)布20100601實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局
發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
書
犌犅/犜24578—2009
前言
本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A為規(guī)范性附錄,附錄B為資料性附錄。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司、萬向硅峰電子有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:孫燕、李俊峰、樓春蘭、盧立延、張靜、翟富義。
Ⅰ
書
犌犅/犜24578—2009
硅片表面金屬沾污的
全反射犡光熒光光譜測試方法
1范圍
1.1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法,本方法使用單色X光源全反
射X光熒光光譜的方法定量測定硅單晶拋光襯底表面層的元素面密度。
1.2本標(biāo)準(zhǔn)適用于N型和P型硅單晶拋光片、外延片等鏡面拋光的硅片,尤其適用于清洗后硅片自然
氧化層,或經(jīng)化學(xué)方法生長的氧化層中沾污元素的面密度測定。
1.3對良好的鏡面拋光片表面,可探測深度約5nm,分析深度隨表面粗糙度的改善而增加。
1.4本方法可檢測原子周期表中16(S)92(U)的元素,尤其對確定如下元素有效:鉀、鈣、鈦、釩、鉻、
錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、砷、鉬、鈀、銀、錫、鉭、鎢、鉑、金、汞和鉛。
1.5本方法適用于測量面密度在(109~1015)atoms/cm2的范圍的元素。檢測極限依賴于原子數(shù)、激勵
能、激勵X射線的光通量,設(shè)備的本底積分時間以及空白值。對恒定的設(shè)備參數(shù),無干擾探測極限是元
素原子序數(shù)的函數(shù),其變化超過兩個數(shù)量級,見附錄A.1中重復(fù)性和檢測極限的相關(guān)性討論。
1.6本方法是非破壞性的。
本方法是對其他測試方法的補充(見附錄B)。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有
的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達成協(xié)議的各方研究
是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB/T2828.1計數(shù)抽樣檢驗程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃
(GB/T2828.1—2003,ISO28591:1999,IDT)
GB/T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語
SEMIMF1526用全反射X射線熒光光譜法測量硅片表面的金屬沾污
3術(shù)語和定義
GB/T14264確立的以及下列術(shù)語、定義和縮略語適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
3.1
角掃描犪狀犵犾犲狊犮犪狀
作為掠射角函數(shù),對發(fā)射的熒光信號的測量。
3.2
臨界角犮狉犻狋犻犮犪犾犪狀犵犾犲
當(dāng)掠射角低于某一角度時,被測表面發(fā)生對入射X射線的全反射,這一角度稱為臨界角,即能產(chǎn)生
全反射的最大角度。
3.3
掠射角犵犾犪狀犮犻狀犵犪狀犵犾
溫馨提示
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