GB/T 24578-2024半導體晶片表面金屬沾污的測定全反射X射線熒光光譜法

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T24578—2024

代替GB/T24578—2015GB/T34504—2017

,

半導體晶片表面金屬沾污的測定

全反射X射線熒光光譜法

Testmethodformeasuringsurfacemetalcontaminationonsemiconductor

wafers—TotalreflectionX-Rayfluorescencespectroscopy

2024-07-24發(fā)布2025-02-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T24578—2024

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅片表面金屬沾污的全反射光熒光光譜測試方法和

GB/T24578—2015《X》

藍寶石拋光襯底片表面殘留金屬元素測量方法與和

GB/T34504—2017《》。GB/T24578—2015

相比除結構調(diào)整和編輯性改動外主要技術變化如下

GB/T34504—2017,,:

更改了范圍見第章和的第章

a)(1,GB/T24578—2015GB/T34504—20171);

增加了全反射的定義見

b)“”(3.1);

刪除了縮略語見的第章的

c)(GB/T24578—20154,GB/T34504—20173.2);

更改了方法原理見第章的第章和的第章

d)(4,GB/T24578—20155GB/T34504—20174);

更改了干擾因素中掠射角校準的影響樣品表面粗糙度和波紋帶來的影響見

e)、[5.2.3、5.3.2,

的和的增加了掠射角選

GB/T24578—20156.2.1、6.3.2GB/T34504—20176.2b)、6.2g)];

擇測試鈉鎂鋁元素時的檢出限靶材工作方式的影響靶材腔室真空度的影響主腔室氮氣

,、、,,,

純度的影響校準樣片與測試樣片角掃描不同的影響見

,(5.1.1、5.1.6、5.2.6、5.2.7、5.2.8、5.3.1);

更改了干擾因素中沾污元素的影響沾污不均勻的影響見的

f)、[5.3.4、5.3.5,GB/T34504—2017

6.3e)、6.3f)];

刪除了干擾因素中設備主機高架地板振動的影響設備所在環(huán)境樣品載具操作人員的手套

g)、、、

潔凈度不良等情況的影響見的

[GB/T34504—20176.3a)、6.3c)];

更改了試驗條件見第章的第章和的第章

h)(6,GB/T24578—20159GB/T34504—20177);

增加了校準中全反射臨界角的近似計算公式見

i)(9.2.3);

更改了設備的校準見第章第章第章和的第章

j)(9,GB/T24578—201510、11GB/T34504—20178);

更改了試驗步驟見第章的第章和的第章

k)(10,GB/T24578—201512GB/T34504—20179);

更改了精密度見第章的第章和的第章

l)(11,GB/T24578—201513GB/T34504—201711);

刪除了測試結果的計算見的第章

m)(GB/T34504—201710)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位有研半導體硅材料股份公司天通銀廈新材料有限公司浙江海納半導體股份有

:、、

限公司北京通美晶體技術股份有限公司深圳牧野微電子技術有限公司浙江金瑞泓科技股份有限公

、、、

司有色金屬技術經(jīng)濟研究院有限責任公司廣東天域半導體股份有限公司江蘇華興激光科技有限公

、、、

司江蘇芯夢半導體設備有限公司哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術研究院有限公司深圳市深鴻盛

、、、

電子有限公司深圳市晶導電子有限公司湖南德智新材料有限公司

、、。

本文件主要起草人寧永鐸孫燕賀東江李素青朱曉彤康森靳慧潔孫韞哲潘金平任殿勝

:、、、、、、、、、、

張海英何凌丁雄杰劉薇沈演鳳廖周芳趙麗麗張西剛賴輝朋廖家豪

、、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為

:

年首次發(fā)布為

———2009GB/T24578—2009;

本次為第二次修訂并入了藍寶石拋光襯底片表面殘留金屬元素測量

———,GB/T34504—2017《

方法

》。

Ⅰ

GB/T24578—2024

半導體晶片表面金屬沾污的測定

全反射X射線熒光光譜法

1范圍

本文件描述了半導體鏡面晶片表面深度為以內(nèi)金屬元素的全反射射線熒光光譜

5nmX(TXRF)

測試方法

。

本文件適用于硅絕緣襯底上的硅鍺碳化硅藍寶石砷化鎵磷化銦銻化鎵等單晶拋光

、(SOI)、、、、、、

片或外延片表面金屬沾污的測定尤其適用于晶片清洗后自然氧化層或經(jīng)化學方法生長的氧化層中沾

,

污元素面密度的測定測定范圍22

,:109atoms/cm~1015atoms/cm。

本文件規(guī)定的方法能夠檢測周期表中原子序數(shù)的元素尤其適用于鉀鈣鈦釩

16(S)~92(U),、、、、

鉻錳鐵鈷鎳銅鋅砷鉬鈀銀錫鉭鎢鉑金汞和鉛等金屬元素

、、、、、、、、、、、、、、、、。

注測試范圍在一定條件下能擴展到原子序數(shù)的元素取決于測試設備提供的射線源

:11(Na)~92(U),X。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

純氮高純氮和超純氮

GB/T8979—2008、

半導體材料術語

GB/T14264

潔凈室及相關受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20211:

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

全反射totalreflection

光從光密介質(zhì)射向光疏介質(zhì)當入射角超過臨界角時折射光完全消失僅剩反射光線的現(xiàn)象

,,