標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光譜法測(cè)定 多晶硅表面金屬污染物》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),旨在通過酸浸取與原子吸收光譜法相結(jié)合的技術(shù)手段來檢測(cè)多晶硅材料表面存在的微量金屬雜質(zhì)。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體工業(yè)中對(duì)高純度多晶硅材料質(zhì)量控制的需求。
按照此標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的方法,首先需要使用特定濃度的酸溶液(如硝酸和氫氟酸混合液)處理樣品表面,以溶解并提取出附著在多晶硅表面上的金屬污染物。這一過程被稱為“酸浸取”。選擇合適的酸種類及其配比對(duì)于有效去除目標(biāo)污染物至關(guān)重要。
接下來,在完成酸浸取步驟后,將得到的液體樣本送入原子吸收光譜儀進(jìn)行分析。原子吸收光譜法基于不同元素在特定波長(zhǎng)下吸收特征光線的能力差異來進(jìn)行定量分析。通過測(cè)量待測(cè)元素所對(duì)應(yīng)的特征吸收線強(qiáng)度,并與已知濃度的標(biāo)準(zhǔn)溶液相比較,可以準(zhǔn)確地計(jì)算出樣品中各種金屬污染物的具體含量。
整個(gè)測(cè)試流程包括了樣品準(zhǔn)備、酸浸取條件設(shè)定、原子吸收光譜分析以及數(shù)據(jù)處理等多個(gè)環(huán)節(jié)。每個(gè)步驟都需要嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)要求執(zhí)行,確保結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。此外,還應(yīng)注意實(shí)驗(yàn)過程中可能涉及到的安全防護(hù)措施,比如正確佩戴個(gè)人防護(hù)裝備、妥善處理化學(xué)品等,以保障操作人員健康及實(shí)驗(yàn)室環(huán)境安全。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2009-10-30 頒布
- 2010-06-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
犐犆犛29.045
犎80
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
犌犅/犜24579—2009
酸浸取原子吸收光譜法測(cè)定
多晶硅表面金屬污染物
犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵狊狌狉犳犪犮犲犿犲狋犪犾犮狅狀狋犪犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳狆狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲
狊犻犾犻犮狅狀犫狔犪犮犻犱犲狓狋狉犪犮狋犻狅狀犪狋狅犿犻犮犪犫狊狅狉狆狋犻狅狀狊狆犲犮狋狉狅狊犮狅狆狔
20091030發(fā)布20100601實(shí)施
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局
發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
書
犌犅/犜24579—2009
前言
本標(biāo)準(zhǔn)修改采用SEMIMF17241104《采用酸萃取原子吸收光譜法測(cè)量多晶硅表面金屬沾污》。
本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)SEMIMF17241104格式進(jìn)行了相應(yīng)調(diào)整。為了方便比較,在資料性附錄C中列出了本標(biāo)準(zhǔn)
章條和SEMIMF17241104章條對(duì)照一覽表。并對(duì)SEMIMF17241104條款的修改處用垂直單線標(biāo)
識(shí)在它們所涉及的條款的頁邊空白處。
本標(biāo)準(zhǔn)與SEMIMF17241104相比,主要技術(shù)差異如下:
———去掉了“目的”、“關(guān)鍵詞”。
———將實(shí)際測(cè)試得到的單一試驗(yàn)室的精密度結(jié)果代替原標(biāo)準(zhǔn)中的精度和偏差部分,并將原標(biāo)準(zhǔn)中
的精度和偏差部分作為資料性附錄B。
本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B和附錄C為資料性附錄。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研
究所。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:褚連青、王奕、魏利潔。
Ⅰ
書
犌犅/犜24579—2009
酸浸取原子吸收光譜法測(cè)定
多晶硅表面金屬污染物
1范圍
1.1本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質(zhì),并用石墨爐原子吸收定量檢測(cè)多晶硅塊表面上
的痕量金屬雜質(zhì)分析方法。
1.2本標(biāo)準(zhǔn)適用于堿金屬、堿土金屬和第一系列過渡元素如鈉、鋁、鐵、鉻、鎳、鋅的檢測(cè)。
1.3本標(biāo)準(zhǔn)適用于各種棒、塊、粒、片形多晶或單晶硅表面金屬污染物的檢測(cè)。由于塊、片或粒形狀不
規(guī)則,面積很難準(zhǔn)確測(cè)定,根據(jù)樣品重量計(jì)算結(jié)果。使用的樣品重量為50g~300g,檢測(cè)限為0.01ng/g。
1.4酸的強(qiáng)度、組成、溫度和浸取時(shí)間決定著表面腐蝕深度和表面污染物的浸取效率。在這個(gè)試驗(yàn)方
法中腐蝕掉的樣品重量小于樣品重量的1%。
1.5該試驗(yàn)方法提出了一種特定的樣品尺寸、酸組成、腐蝕周期、試驗(yàn)環(huán)境和儀器方案,這些參數(shù)可以
調(diào)整,但可能影響金屬的回收效率及滯留量。該方法適用于重量為25g~5000g的樣品的測(cè)定,為達(dá)
到仲裁的目的,該試驗(yàn)方法規(guī)定樣品重量為300g。該試驗(yàn)方法在干擾和結(jié)果的偏差方面做了詳細(xì)
說明。
1.6該試驗(yàn)方法詳細(xì)說明了用于分析酸提取痕量金屬含量的石墨爐原子吸收光譜法的使用。也可使
用靈敏度相當(dāng)?shù)钠渌麅x器如電感耦合等離子體/質(zhì)譜儀。
1.7方法的檢測(cè)限和偏差取決于酸提取過程的效率、樣品尺寸、方法干擾、每個(gè)元素的吸收譜及儀器靈
敏度、背景和空白值。
1.8該方法是用熱酸來腐蝕掉硅表面,腐蝕劑是有害的,操作必須在通風(fēng)櫥中進(jìn)行,整個(gè)過程中必須非
常小心。氫氟酸溶液非常危險(xiǎn),不熟悉專門防護(hù)措施的人不能使用。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有
的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究
是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB/T11446.1電子級(jí)水(GB/T11446.1—1997,neqASTMD5127:1990)
ISO146441潔凈室和相關(guān)受控環(huán)境第1部分:空氣潔凈度等級(jí)劃分
3術(shù)語、定義和縮略語
3.1術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
3.1.1
酸空白犪犮犻犱犫犾犪狀
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