GB/T 24579-2009酸浸取原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜２４５７９—２００９

酸浸取原子吸收光譜法測定

多晶硅表面金屬污染物

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜２４５７９—２００９

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭＦ１７２４１１０４《采用酸萃取原子吸收光譜法測量多晶硅表面金屬沾污》。

本標準對ＳＥＭＩＭＦ１７２４１１０４格式進行了相應(yīng)調(diào)整。為了方便比較，在資料性附錄Ｃ中列出了本標準

章條和ＳＥＭＩＭＦ１７２４１１０４章條對照一覽表。并對ＳＥＭＩＭＦ１７２４１１０４條款的修改處用垂直單線標

識在它們所涉及的條款的頁邊空白處。

本標準與ＳＥＭＩＭＦ１７２４１１０４相比，主要技術(shù)差異如下：

———去掉了“目的”、“關(guān)鍵詞”。

———將實際測試得到的單一試驗室的精密度結(jié)果代替原標準中的精度和偏差部分，并將原標準中

的精度和偏差部分作為資料性附錄Ｂ。

本標準的附錄Ａ、附錄Ｂ和附錄Ｃ為資料性附錄。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會提出。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標準起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心、中國電子科技集團公司第四十六研

究所。

本標準主要起草人：褚連青、王奕、魏利潔。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４５７９—２００９

酸浸取原子吸收光譜法測定

多晶硅表面金屬污染物

１范圍

１．１本標準規(guī)定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質(zhì)，并用石墨爐原子吸收定量檢測多晶硅塊表面上

的痕量金屬雜質(zhì)分析方法。

１．２本標準適用于堿金屬、堿土金屬和第一系列過渡元素如鈉、鋁、鐵、鉻、鎳、鋅的檢測。

１．３本標準適用于各種棒、塊、粒、片形多晶或單晶硅表面金屬污染物的檢測。由于塊、片或粒形狀不

規(guī)則，面積很難準確測定，根據(jù)樣品重量計算結(jié)果。使用的樣品重量為５０ｇ～３００ｇ，檢測限為０．０１ｎｇ／ｇ。

１．４酸的強度、組成、溫度和浸取時間決定著表面腐蝕深度和表面污染物的浸取效率。在這個試驗方

法中腐蝕掉的樣品重量小于樣品重量的１％。

１．５該試驗方法提出了一種特定的樣品尺寸、酸組成、腐蝕周期、試驗環(huán)境和儀器方案，這些參數(shù)可以

調(diào)整，但可能影響金屬的回收效率及滯留量。該方法適用于重量為２５ｇ～５０００ｇ的樣品的測定，為達

到仲裁的目的，該試驗方法規(guī)定樣品重量為３００ｇ。該試驗方法在干擾和結(jié)果的偏差方面做了詳細

說明。

１．６該試驗方法詳細說明了用于分析酸提取痕量金屬含量的石墨爐原子吸收光譜法的使用。也可使

用靈敏度相當?shù)钠渌麅x器如電感耦合等離子體／質(zhì)譜儀。

１．７方法的檢測限和偏差取決于酸提取過程的效率、樣品尺寸、方法干擾、每個元素的吸收譜及儀器靈

敏度、背景和空白值。

１．８該方法是用熱酸來腐蝕掉硅表面，腐蝕劑是有害的，操作必須在通風櫥中進行，整個過程中必須非

常小心。氫氟酸溶液非常危險，不熟悉專門防護措施的人不能使用。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１１４４６．１電子級水（ＧＢ／Ｔ１１４４６．１—１９９７，ｎｅｑＡＳＴＭＤ５１２７：１９９０）

ＩＳＯ１４６４４１潔凈室和相關(guān)受控環(huán)境第１部分：空氣潔凈度等級劃分

３術(shù)語、定義和縮略語

３．１術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本標準。

３．１．１

酸空白犪犮犻犱犫犾犪狀