GB/T 24580-2009重?fù)絥型硅襯底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜檢測(cè)方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜２４５８０—２００９

重?fù)綘钚凸枰r底中硼沾污的

二次離子質(zhì)譜檢測(cè)方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵犅?tīng)餇驙餇顮銧餇顮魻釥頎闋顮釥魻闋餇顮闋顮锠鍫釥鰻闋鞝鶢錉餇馉鍫錉顮魻鶢馉?/p>

狊犻犾犻犮狅狀狊狌犫狊狋狉犪狋犲狊犫狔狊犲犮狅狀犱犪狉狔犻狅狀犿犪狊狊狊狆犲犮狋狉狅犿犲狋狉狔

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜２４５８０—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４《用二次離子質(zhì)譜法測(cè)量重?cái)v雜Ｎ型硅襯底中的硼污染的方

法》。本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４格式進(jìn)行了相應(yīng)調(diào)整。為了方便比較，在資料性附錄Ｂ中列出了

本標(biāo)準(zhǔn)章條和ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４章條對(duì)照一覽表。并對(duì)ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４條款的修改處用垂直

單線標(biāo)識(shí)在它們所涉及的條款的頁(yè)邊空白處。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＳＥＭＩＭＦ１５２８１１０４相比，主要技術(shù)差異如下：

———去掉了“目的”、“關(guān)鍵詞”；

———將實(shí)際測(cè)試得到的單一試驗(yàn)室的精密度結(jié)果代替原標(biāo)準(zhǔn)中的精度和偏差部分，并將原標(biāo)準(zhǔn)中

的精度和偏差部分作為資料性附錄Ａ。

本標(biāo)準(zhǔn)附錄Ａ和附錄Ｂ為資料性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研

究所。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：馬農(nóng)農(nóng)、何友琴、丁麗。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４５８０—２００９

重?fù)綘钚凸枰r底中硼沾污的

二次離子質(zhì)譜檢測(cè)方法

１范圍

１．１本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了重?fù)剑钚凸枰r底中硼沾污的二次離子質(zhì)譜測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于二次離子質(zhì)譜

法（ＳＩＭＳ）對(duì)重?fù)剑钚凸枰r底單晶體材料中痕量硼沾污（總量）的測(cè)試。

１．２本標(biāo)準(zhǔn)適用于對(duì)銻、砷、磷的摻雜濃度＜０．２％（１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）的硅材料中硼濃度的檢測(cè)。

特別適用于硼為非故意摻雜的ｐ型雜質(zhì)，且其濃度為痕量水平（＜５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）的硅材料的

測(cè)試。

１．３本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測(cè)硼沾污濃度大于ＳＩＭＳ儀器檢測(cè)限（根據(jù)儀器的型號(hào)不同，檢測(cè)限大約在

５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３～５×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）兩倍的硅材料。

１．４原則上，本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于不同表面情況的樣品都適用，但是本標(biāo)準(zhǔn)中的精度估算值是從表面拋光樣品

的測(cè)試數(shù)據(jù)中得到的。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＡＳＴＭＥ１２２評(píng)價(jià)一批產(chǎn)品或一個(gè)工藝過(guò)程質(zhì)量的樣品大小的選擇規(guī)范

３術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

３．１

離子質(zhì)譜犻狅狀犿犪狊狊

根據(jù)質(zhì)荷比的不同將離子分開并計(jì)數(shù)。

３．２

一次離子狆狉犻犿犪狉狔犻狅狀

由離子槍產(chǎn)生的離子，聚焦到樣品表面，濺射并離化樣品表面原子。

３．３

二次離子質(zhì)譜狊犲犮狅狀犱犪狉狔犻狅狀犿犪狊狊狊狆犲犮狋狉狅犿犲狋狉狔

對(duì)樣品表面濺射出來(lái)的二次離子進(jìn)行質(zhì)譜分析。

３．４

二次離子狊犲犮狅狀犱犪狉狔犻狅狀

在一次離子束的濺射下，樣品表面原子離化