GB/T 24582-2009酸浸取-電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜２４５８２—２００９

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定

多晶硅表面金屬雜質(zhì)

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定

多晶硅表面金屬雜質(zhì)

ＧＢ／Ｔ２４５８２—２００９

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

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２００９年１２月第一版２００９年１２月第一次印刷

書號(hào)：１５５０６６·１３９５８３

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書

犌犅／犜２４５８２—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出并歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位：新光硅業(yè)科技責(zé)任有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王波、過惠芬、吳道榮、梁洪、敖細(xì)平。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４５８２—２００９

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定

多晶硅表面金屬雜質(zhì)

１范圍

１．１本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質(zhì)，并用電感耦合等離子質(zhì)譜儀定量檢測多晶硅表

面上的金屬雜質(zhì)痕量分析方法。

１．２本標(biāo)準(zhǔn)適用于堿金屬、堿土金屬和第一系列過渡元素如鈉、鉀、鈣、鐵、鎳、銅、鋅以及其他元素如鋁

的檢測。

１．３本標(biāo)準(zhǔn)適用于各種棒、塊、粒、片狀多晶表面金屬污染物的檢測。由于塊、片或粒形狀不規(guī)則，面積

很難準(zhǔn)確測定，故根據(jù)樣品重量計(jì)算結(jié)果，使用的樣品重量為５０ｇ～３００ｇ，檢測限為０．０１ｎｇ／ｍＬ。

１．４酸的濃度、組成、溫度和浸取時(shí)間決定著表面腐蝕深度和表面污染物的浸取效率。在這個(gè)實(shí)驗(yàn)方

法中腐蝕掉的樣品重量小于樣品重量的１％。

１．５本標(biāo)準(zhǔn)適用于重量為２５ｇ～５０００ｇ的樣品的測定，為了達(dá)到仲裁的目的，該實(shí)驗(yàn)方法規(guī)定樣品的

重量為約３００ｇ。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

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３術(shù)語、定義和縮略語

３．１術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

３．１．１

酸空白犪犮犻犱犫犾犪狀犽

用