GB/T 26068-2018硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測試非接觸微波反射光電導衰減法

ICS77040

H21.

中華人民共和國國家標準

GB/T26068—2018

代替

GB/T26068—2010

硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測試

非接觸微波反射光電導衰減法

Testmethodforcarrierrecombinationlifetimeinsiliconwafersand

siliconingots—Non-contactmeasurementofphotoconductivitydecay

bymicrowavereflectancemethod

2018-12-28發(fā)布2019-11-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T26068—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

方法原理

4…………………2

干擾因素

5…………………2

儀器設(shè)備

6…………………4

試劑

7………………………6

樣品

8………………………6

測試步驟

9…………………7

精密度

10……………………9

試驗報告

11…………………9

附錄資料性附錄注入水平的修正

A()…………………10

附錄資料性附錄注入水平的相關(guān)探討

B()……………11

附錄資料性附錄載流子復(fù)合壽命與溫度的關(guān)系

C()…………………14

附錄資料性附錄少數(shù)載流子復(fù)合壽命

D()……………17

附錄資料性附錄測試體復(fù)合壽命少數(shù)載流子壽命和鐵含量的進一步說明

E()、…19

附錄資料性附錄中的測試方法目的和精密度

F()SEMIMF1535-1015……………23

參考文獻

……………………24

Ⅰ

GB/T26068—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法

GB/T26068—2010《》。

本標準與相比除編輯性修改外主要技術(shù)變化如下

GB/T26068—2010,,:

將標準名稱硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法改為硅片和硅錠

———《》《

載流子復(fù)合壽命的測試非接觸微波反射光電導衰減法

》;

增加了使用微波反射光電導衰減法測試單晶硅錠和鑄造多晶硅片硅錠載流子復(fù)合壽命的內(nèi)

———、

容見第章

(1、9.2);

將范圍中測試樣品的室溫電阻率下限由改為

———“0.05Ω·cm~1Ω·cm”“0.05Ω·cm~10Ω·

載流子復(fù)合壽命的測試范圍由到改為刪除了年版的

cm”,“0.25μs>1ms”“>0.1μs”,2010

見第章年版的

1.3(1,20101.2、1.3);

規(guī)范性引用文件中增加了刪除了刪

———GB/T1551,GB/T1552、SEMIMF1388、SEMIMF1530,

除了中的年代號增加了的年代號

GB/T1553—2009、YS/T679—2008,GB/T11446.12013

見第章年版的第章

(2,20102);

修改了術(shù)語注入水平復(fù)合壽命表面復(fù)合速率體復(fù)合壽命和壽命的定義見第章

———、、、1/e(3,

年版的第章

20103);

將年版壽命定義的部分內(nèi)容調(diào)整到干擾因素壽命定義的注調(diào)整為干擾因

———20101/e5.16,1/e

素見年版的

5.13(5.10、5.17,20103.6);

增加了載流子的擴散長度小于硅片厚度的倍時可以考慮不處理樣品表面直接檢測

———“0.1,,”,

表面處理方法增加了表面持續(xù)電暈充電見

“”(5.1);

增加了推薦的測試溫度以及濕度小信號條件載流子陷阱或耗盡區(qū)測試點距邊緣距離對測

———、、、

試結(jié)果的影響見

(5.5、5.6、5.9、5.18、5.20);

將年版的部分調(diào)整到見年版的

———20107.15.19(5.19,20107.1);

增加了薄膜薄層薄硅片或者其他材料的波長段的使用需經(jīng)相關(guān)部門或組織測試認定見

———“、、”(

6.2);

增加了如果硅片厚度小于宜使用非金屬硅片支架托見

———“150μm,”(6.5);

修改水的要求為滿足中級或更優(yōu)級別要求見年版的

———“GB/T11446.1—2013EW-Ⅲ(7.1,2010

7.2);

明確了碘無水乙醇氫氟酸硝酸的純度級別見

———、、、(7.2、7.3、7.4、7.5);

刪除了關(guān)于取樣的內(nèi)容見年版的

———(20108.1);

樣品制備增加了需要通過機械研磨和化學機械拋光或只通過化學拋光去除樣品表面的殘留

———“

損傷后見

”(8.2);

明確了硅片氧化處理的具體操作方式見年版

———[8.2a),20108.4.1];

樣品制備中增加了硅片表面持續(xù)電暈充電的表面處理方法見

———“”[8.2c)];

刪除了關(guān)于鈍化之前用氫氟酸腐蝕掉樣品表面氧化物的腐蝕時間的內(nèi)容見年版的

———(2010

8.4.2.1);

硅片測試步驟中增加了如果需要記錄并使用中正背面的狀態(tài)和使用合適的波長

———“,9.1.1、”“,

記錄所使用的激光波長和脈沖光斑大小見

”(9.1.3,9.1.5);

根據(jù)試驗情況修訂了精密度見第章年版第章

———(10,201011);

Ⅲ

GB/T26068—2018

增加了資料性附錄并將年版部分調(diào)整為附錄的見附錄年版的

———E,20108.3EE.3(E,20108.3)。

本標準由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導體設(shè)備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標準起草單位有研半導體材料有限公司瑟米萊伯貿(mào)易上海有限公司中國計量科學研究院

:、()、、

浙江省硅材料質(zhì)量檢驗中心廣州市昆德科技有限公司江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司天津市環(huán)

、、、

歐半導體材料技術(shù)有限公司北京合能陽光新能源技術(shù)有限公司

、。

本標準主要起草人曹孜孫燕黃黎趙而敬徐紅騫高英石宇樓春蘭王昕張雪囡林清香

:、、、、、、、、、、、

劉卓肖宗杰

、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T26068—2010。

Ⅳ

GB/T26068—2018

硅片和硅錠載流子復(fù)合壽命的測試

非接觸微波反射光電導衰減法

1范圍

本標準規(guī)定了單晶和鑄造多晶的硅片及硅錠的載流子復(fù)合壽命的非接觸微波反射光電導衰減測試

方法

。

本標準適用于硅錠和經(jīng)過拋光處理的型或型硅片當硅片厚度大于時通常稱為硅塊

np(1mm,)

載流子復(fù)合壽命的測試在電導率檢測系統(tǒng)靈敏度足夠的條件下本標準也可用于測試切割或經(jīng)過研

。,

磨腐蝕的硅片的載流子復(fù)合壽命通常被測樣品的室溫電阻率下限在之

、。,0.05Ω·cm~10Ω·cm

間由檢測系統(tǒng)靈敏度的極限確定載流子復(fù)合壽命的測試范圍為大于可測的最短壽命值取決

,。0.1μs,

于光源的關(guān)斷特性及衰減信號測定器的采樣頻率最長可測值取決于樣品的幾何條件及其表面的鈍化

,

程度

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550