標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測(cè)量方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了使用直流四探針技術(shù)測(cè)定鍺單晶材料電阻率的具體方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于圓形或方形截面的鍺單晶棒、片材等樣品，在室溫條件下對(duì)其電阻率進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)量過(guò)程需遵循以下步驟：

  1. 準(zhǔn)備工作：首先確保實(shí)驗(yàn)環(huán)境穩(wěn)定，溫度控制在（23±2）℃范圍內(nèi)；選擇合適的探針間距，并保證四個(gè)探針排列成一條直線且接觸良好。
  2. 儀器校準(zhǔn)：使用已知電阻率的標(biāo)準(zhǔn)樣品對(duì)測(cè)量系統(tǒng)進(jìn)行校正，以消除設(shè)備本身可能帶來(lái)的誤差。
  3. 樣品準(zhǔn)備：選取待測(cè)鍺單晶樣本，其表面應(yīng)平整光滑無(wú)明顯缺陷。對(duì)于非圓柱形樣品，需要加工成特定尺寸以便于測(cè)量。
  4. 放置探針：將四根探針按照預(yù)定間距依次緊密貼合地放置于樣品表面上，其中兩根用于施加電流I，另外兩根用來(lái)檢測(cè)電壓V。
  5. 數(shù)據(jù)采集與處理：開啟電源使電流通過(guò)外側(cè)兩個(gè)探針流入樣品中，同時(shí)利用內(nèi)側(cè)兩根探針讀取相應(yīng)位置上的電位差。依據(jù)所獲得的數(shù)據(jù)計(jì)算出電阻值R，再結(jié)合樣品幾何參數(shù)求得體積電阻率ρv。
  6. 重復(fù)性檢查：為提高結(jié)果可靠性，應(yīng)在不同位置多次重復(fù)上述操作并記錄數(shù)據(jù)，最終取平均值作為最終結(jié)果。


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  • 2011-10-01 實(shí)施
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ICS77.040.99H17中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T26074-2010錯(cuò)單晶電阻率直流四探針測(cè)量方法Germaniummonocrystal-Measurementofresistivity-DClinearfour-pointtprobe2011-01-10發(fā)布2011-10-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化餐理委員會(huì)

GB/T26074-2010前本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)（SAC/TC203/SC2)歸口本標(biāo)準(zhǔn)由南京中錯(cuò)科技股份有限公司負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)參加起草單位：北京國(guó)品輝紅外光學(xué)科技有限公司、云南臨滄鑫圓錯(cuò)業(yè)股份有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：張莉萍、焦欣文、王學(xué)武、普世坤。

GB/T26074—2010錯(cuò)單晶電阻率直流四探針測(cè)量方法范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直流四探針?lè)y(cè)量錯(cuò)單品電阻率的方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點(diǎn)的最近距離二者均大于探針間距的4倍緒單品的電阻率以及測(cè)量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍錯(cuò)單品圓片(簡(jiǎn)稱圓片)的電阻率。測(cè)量范圍為1×10-·cm～1×10°·cm.2方法原理測(cè)量原理見圖1。排列成一直線的四探針垂直壓在半無(wú)窮大的試樣平坦表面上。外探針1、4間通電流（A）·內(nèi)探針2.3間電壓U（V)。在滿足一定條件下.四探針附近試樣電阻率.可用公式(1)及公式（2)計(jì)算：：··························（1）-（+去-元--)·（2）式中一探針系數(shù)：探針1、2間的距離，單位為厘米(cmn)；探針2、3間的距離，單位為厘米（cm）探針3

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