標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 30866-2014 碳化硅單晶片直徑測試方法》是一項國家標(biāo)準(zhǔn)，專門針對碳化硅單晶片直徑的測量提供了規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用接觸式和非接觸式兩種方式來測定碳化硅單晶片直徑的方法。

對于接觸式測量法，標(biāo)準(zhǔn)推薦采用卡尺或?qū)Ｓ脺y徑儀等工具直接與樣品表面接觸進(jìn)行測量。這種方法要求測量時保持一定的壓力以確保讀數(shù)準(zhǔn)確，并且需要在多個位置重復(fù)測量取平均值以提高數(shù)據(jù)可靠性。

而非接觸式測量法則利用光學(xué)原理或其他非物理接觸手段完成對樣品尺寸的評估。比如激光掃描、圖像處理技術(shù)等都屬于此類方法的應(yīng)用范圍。非接觸式測量可以避免因直接觸碰而可能給樣品帶來的損傷，適合于高精度及對表面質(zhì)量有嚴(yán)格要求的情況。


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  • 2014-07-24 頒布
  • 2015-02-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

H83.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30866—2014

碳化硅單晶片直徑測試方法

Testmethodformeasuringdiameterofmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-07-24發(fā)布2015-02-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T30866—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會及材料分技術(shù)委員會

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人丁麗周智慧藺嫻郝建民何秀坤劉筠馮亞彬裴會川

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30866—2014

碳化硅單晶片直徑測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用千分尺測量碳化硅單晶片直徑的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于碳化硅單晶片直徑的測量

。

2方法提要

避開碳化硅單晶片主副參考面選取三個測量位置如圖所示沿直徑方向用外徑千分尺測量碳

,(1),

化硅單晶片的三條直徑計算直徑平均值和直徑偏差

,。

圖1直徑測量位置示意圖

3儀器設(shè)備

分度值為的外徑千分尺或精度相當(dāng)?shù)钠渌麅x器

0.02mm。

4試樣準(zhǔn)備

碳化硅單晶片應(yīng)清潔干燥邊緣應(yīng)光滑平整

、,、。

5測試環(huán)境

51溫度

.:18℃~28℃。

52相對濕度應(yīng)不大于

.75%。

6測試程序

61校正外徑千分尺零點

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