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山西省呂梁市興縣城鎮(zhèn)中學(xué)2021年高二物理月考試卷含解析一、選擇題:本題共5小題,每小題3分,共計15分.每小題只有一個選項符合題意1.用光子能量為E的單色光照射容器中處于基態(tài)的一群氫原子。停止照射后,發(fā)現(xiàn)該容器內(nèi)的氫能夠釋放出三種不同頻率的光子,它們的頻率由低到高依次為ν1、ν2、ν3,由此可知,開始用來照射容器的單色光的光子能量可以表示為:①hν1;②hν3;③h(ν1+ν2);④h(ν1+ν2+ν3)以上表示式中(
)A.只有①③正確
B.只有②③正確C.只有②正確
D.只有④正確參考答案:B2.如圖,a、b、c、d是勻強電場中的四個點,它們正好是一個梯形的四個頂點.電場線與梯形所在的平面平行.a(chǎn)b平行cd,且ab邊長為cd邊長的一半,已知a點的電勢是3V,b點的電勢是5V,c點的電勢是7V.由此可知,d點的電勢為()
A.1V
B.2V
C.3V
D.4V參考答案:C3.下列關(guān)于近代物理知識說法,你認(rèn)為正確的是(
)A.湯姆生發(fā)現(xiàn)了電子,表明原子具有核式結(jié)構(gòu)B.太陽輻射的能量主要來自太陽內(nèi)部的核裂變反應(yīng)C.一束光照射到某種金屬上不能發(fā)生光電效應(yīng),是因為該束光的波長太長D.按照波爾理論,氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷到半徑較大的軌道時,電子的動能減小,原子總能量增加參考答案:CD4.一矩形線圈,繞垂直于勻強磁場并位于線圈平面內(nèi)的固定軸轉(zhuǎn)動,線圈中的感應(yīng)電動勢e隨時間t的變化如圖9所示.下列說法中正確的是(
)
A.t1時刻通過線圈的磁通量為零B.t2時刻通過線圈的磁通量的絕對值最大C.t3時刻通過線圈的磁通量變化率的絕對值最?。?t4時刻線圈位于中性面
參考答案:C5.如圖示,質(zhì)點從N點沿半徑為R的兩個半圓形軌道運動到P點,質(zhì)點的路程和位移大小分別為()A.4R、0 B.2πR、4R C.2πR、0 D.2πR、2R參考答案:B【考點】位移與路程.【分析】位移是指從初位置到末位置的有向線段,位移是矢量,有大小也由方向;路程是指物體所經(jīng)過的路徑的長度,路程是標(biāo)量,只有大小,沒有方向.【解答】解:質(zhì)點從N點沿半徑均為R的兩個半圓形軌道運動到P點,路程l=2πR,位移s=4R,故選:B.二、填空題:本題共8小題,每小題2分,共計16分6.右圖為“用DIS研究在溫度不變時,一定質(zhì)量的氣體壓強與體積的關(guān)系”實驗裝置圖。(1)圖中,實驗器材A是。(2)一同學(xué)在兩次實驗中測得不同的(、)數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)和的乘積明顯不同。若此同學(xué)的實驗操作均正確,則造成此結(jié)果的可能原因是:;。(3)為了保持注射器內(nèi)氣體的溫度不變,實驗中采取的主要措施有:避免用手握住注射器封閉有氣體的部分;。(4)大氣壓強為,注射器內(nèi)氣體的初始體積為。實驗過程中,注射器內(nèi)氣體體積在至的范圍內(nèi)變化,注射器內(nèi)部與外界壓強差的最大值為。參考答案:7.有一個未知電阻Rx,用圖10中(a)和(b)兩種電路分別對它進行測量,用(a)圖電路測量時,兩表讀數(shù)分別為6V,6mA,用(b)圖電路測量時,兩表讀數(shù)分別為5.9V,10mA,則用______圖所示電路測該電阻的阻值誤差較小,測量值Rx=______Ω,測量值比真實值偏______(填:“大”或“小”)。參考答案:a,1000,大8.用三個完全相同的金屬環(huán),將其相互垂直放置,并把相交點焊接起來成為如圖所示的球形骨架,如整個圓環(huán)的電阻阻值為4Ω,則A、C間的總電阻阻值RAC=________.(A、B、C、D、E、F為六個相交焊接點,圖中B點在外,D點在內(nèi))參考答案:0.5Ω9.用表示直接測量量的字母寫出下列所示物理量的表達式:①滑塊通過光電門1和光電門2時瞬時速度分別為__________和________。②當(dāng)滑塊通過光電門1和光電門2時,系統(tǒng)(包括滑塊、擋光條、托盤和砝碼)的總動能分別為_________和________。③在滑塊從光電門1運動到光電門2的過程中,系統(tǒng)勢能的減少__________(重力加速度為)。參考答案:
10.一定質(zhì)量的某種氣體的體積為20L時,壓強為1.0×105Pa.當(dāng)氣體發(fā)生等溫變化,體積減小到16L時,壓強為 ?參考答案:1.25×105Pa11.如圖所示,一個邊長為L的正方形金屬框,質(zhì)量為m、電阻為R,用細線把它懸掛于一個有界磁場邊緣,金屬框上半部分處于磁場內(nèi),磁場隨時間均勻變化,滿足B=kt關(guān)系。已知細線能承受最大拉力T=2mg,從t=0開始計時,經(jīng)t=________細線會被拉斷.參考答案:t=2mgR/k2L312.電荷守恒定律:電荷既不能被
,也不能被
,只能從一個物體轉(zhuǎn)移到另一個物體;或從物體的一部分轉(zhuǎn)移到另一部分,在轉(zhuǎn)移的過程中,電荷的總量
。參考答案:創(chuàng)造
消滅
不變
13.動量定理的內(nèi)容是
,表達式是__________。參考答案:物體所受合外力的沖量等于物體動量的變化量,三、實驗題:本題共2小題,每小題11分,共計22分14.按要求完成下列問題:(1)用圖甲所示的實驗器材探究感應(yīng)電流產(chǎn)生的條件.①在圖甲中以筆畫線代替導(dǎo)線完成未連接的部分電路.②當(dāng)閉合開關(guān)時,發(fā)現(xiàn)電流計指針向右偏,保持開關(guān)閉合,將滑動變阻器的滑片向右滑動時,指針將向
偏(選填“右”或“左”).(2)用圖乙所示的多用電表測量阻值約為1500Ω的電阻.①先旋轉(zhuǎn)B到合適的檔位,再將兩表筆短接,調(diào)整
(填寫乙圖中部件的標(biāo)號),使指針指到
位置(選填“0”或“∞”);②若選×100檔,測量時指針?biāo)傅奈恢萌鐖D丙所示,則電阻值為
Ω.參考答案:(1)①如圖
②右
(2)①
A
0
②
1400(1)①電路圖如圖所示;②閉合電鍵時,穿過線圈的磁通量增加,電流表指針向右偏,說明穿過線圈的磁通量增加時電流表指針向右偏轉(zhuǎn);由電路圖可知,在閉合電鍵情況下向右移動滑動變阻器的滑片,通過線圈B的電流變大,穿過線圈A的磁通量變大,則電流表的指針會向右偏轉(zhuǎn);(2)①先旋轉(zhuǎn)B到合適的檔位,再將兩表筆短接,調(diào)整歐姆調(diào)零旋鈕A,使指針指到0位置;②若選×100檔,測量時指針?biāo)傅奈恢萌鐖D丙所示,則電阻值為14×100=1400Ω。15.(2分)如圖所示,用精確程度為0.05mm的游標(biāo)卡尺測量一根金屬圓管的外徑時,卡尺上的游標(biāo)位置分別如圖所示,則這根圓管的外徑讀數(shù)是_________
_mm。參考答案:9.45四、計算題:本題共3小題,共計47分16.如圖所示,M為一線圈電阻r=0.4Ω的電動機,R=24Ω,電源電動勢E=40V.當(dāng)S斷開時,電流表的示數(shù)I1=1.6A,當(dāng)開關(guān)S閉合時,電流表的示數(shù)為I2=4.0A求:(1)電源內(nèi)阻;(2)開關(guān)S閉合時電動機發(fā)熱消耗的功率和轉(zhuǎn)化為機械能的功率.(3)開關(guān)S閉合時電源的輸出功率和電動機的機械效率參考答案:(1(2)(3)17.有人設(shè)計了一種測量裝置,其結(jié)構(gòu)如圖所示,玻璃泡A內(nèi)封有一定量氣體,與A相連的B管插在水銀槽中,管內(nèi)水銀的高度x即可反應(yīng)泡內(nèi)氣體的溫度,即環(huán)境溫度,并可由管B管上的刻度直接讀出。設(shè)B管的體積與A泡的體積相比可忽略不計。(1)在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下對B管進行溫度刻度(標(biāo)準(zhǔn)大氣壓相當(dāng)于76mmHg)。已知當(dāng)溫度t1=47℃時,管內(nèi)水銀面高度x1=15cm,此高度即為47℃的刻度線。問當(dāng)溫度t=0℃的刻度線在x為多少厘米處?(2)若大氣壓已變?yōu)橄喈?dāng)于75mmHg的壓強,利用該測溫裝置測量溫度時所得讀數(shù)仍為47℃,問此時實際溫度為多少?參考答案:18.某儀器用電場和磁場來控制電子在材料表面上方的運動,如圖所示,材料表面上方矩形區(qū)域PP′N′N充滿豎直向下的勻強電場,寬為d;矩形區(qū)域NN′M′M充滿垂直紙面向里的勻強磁場,磁感應(yīng)強度為B,長為3s,寬為s;NN′為磁場與電場之間的薄隔離層.一個電荷量為e、質(zhì)量為m、初速為零的電子,從P點開始被電場加速經(jīng)隔離層垂直進入磁場,電子每次穿越隔離層,運動方向不變,其動能損失是每次穿越前動能的10%,最后電子僅能從磁場邊界M′N′飛出,不計電子所受重力.(1)求電子第二次與第一次圓周運動半徑之比;(2)求電場強度的取值范圍;(3)A是M′N′的中點,若要使電子在A、M′間垂直于AM′飛出,求電子在磁場區(qū)域中運動的時間.參考答案:(1)設(shè)圓周運動的半徑分別為R1、R2、…、Rn、Rn+1…,第一和第二次圓周運動速率分別為v1和v2,動能分別為Ek1和Ek2.由Ek2=0.81Ek1,R1=,R2=,Ek1=mv,Ek2=mv
得R2:R1=0.9.(2)設(shè)電場強度為E,第一次到達隔離層前的速率為v′.由eEd=mv′2,
0.9×mv′2=mv,R1=,R1≤s得E≤又由R
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