GB/T 32495-2016表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜硅中砷的深度剖析方法

ICS7104040

G04..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32495—2016/ISO124062010

:

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜

硅中砷的深度剖析方法

Surfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—

Methodfordepthprofilingofarsenicinsilicon

(ISO12406:2010,IDT)

2016-02-24發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32495—2016/ISO124062010

:

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

符號(hào)和縮略語(yǔ)

4……………1

原理

5………………………2

參考物質(zhì)

6…………………2

用于校準(zhǔn)相對(duì)靈敏度因子的參考物質(zhì)

6.1……………2

用于校準(zhǔn)深度的參考物質(zhì)

6.2…………2

儀器

7………………………2

二次離子質(zhì)譜儀

7.1……………………2

觸針式輪廓儀

7.2………………………2

光學(xué)干涉儀

7.3…………………………2

樣品

8………………………2

步驟

9………………………2

二次離子質(zhì)譜儀的調(diào)整

9.1……………2

優(yōu)化二次離子質(zhì)譜儀的設(shè)定

9.2………………………3

進(jìn)樣

9.3…………………3

被測(cè)離子

9.4……………3

樣品檢測(cè)

9.5……………4

校準(zhǔn)

9.6…………………4

結(jié)果表述

10…………………5

測(cè)試報(bào)告

11…………………5

附錄資料性附錄硅中砷深度剖析巡回測(cè)試報(bào)告

A()…………………6

附錄資料性附錄深度剖析步驟

B()NISTSRM2134…………………9

參考文獻(xiàn)

……………………10

GB/T32495—2016/ISO124062010

:

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法等同采用表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜硅中砷的深度剖析

ISO12406:2010《

方法

》。

與本標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)范性引用的國(guó)際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國(guó)文件如下

:

表面化學(xué)分析詞匯

———GB/T22461—2008(ISO18115:2001,IDT)

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微束標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人馬農(nóng)農(nóng)陳瀟何友琴王東雪

:、、、。

Ⅰ

GB/T32495—2016/ISO124062010

:

引言

本標(biāo)準(zhǔn)為使用二次離子質(zhì)譜對(duì)硅中砷的定量深度剖析

(secondary-ionmassspectrometry,SIMS)

而制定

。

對(duì)于定量深度剖析濃度和深度定標(biāo)都是必不可少的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了硅中硼濃

,。GB/T20176

度的測(cè)定方法國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)[1]中規(guī)定了硅中硼深度剖析方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定

。ISO17560。GB/T25186

了離子注入?yún)⒖嘉镔|(zhì)的相對(duì)靈敏度因子的測(cè)定方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中建立了表面化學(xué)

(RSF)。GB/T22461

分析領(lǐng)域常規(guī)術(shù)語(yǔ)和譜學(xué)術(shù)語(yǔ)的詞匯表本標(biāo)準(zhǔn)中硅中砷定量深度剖析方法將會(huì)引用這些國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

。。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用二次離子質(zhì)譜法對(duì)單晶硅多晶硅非晶硅中砷元素進(jìn)行深度剖析及用觸針式

、、,

表面輪廓儀或光學(xué)干涉儀深度定標(biāo)的方法

。

Ⅱ

GB/T32495—2016/ISO124062010

:

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜

硅中砷的深度剖析方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了用扇形磁場(chǎng)或四極桿式二次離子質(zhì)譜儀對(duì)硅中砷進(jìn)行深度剖析的方法以及用

,

觸針式輪廓儀或光學(xué)干涉儀深度定標(biāo)的方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于砷原子濃度范圍從163

。1×10atoms/cm~

213的單晶硅多晶硅非晶硅樣品坑深在及以上

2.5×10atoms/cm、、,50nm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用均勻摻雜物測(cè)定硅中硼的原子濃度

GB/T20176—2006

(ISO14237:2010,IDT)

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜由離子注入?yún)⒖嘉镔|(zhì)確定相對(duì)靈敏度因子

GB/T25186—2010

(ISO18114:2003,IDT)

表面化學(xué)分析詞匯第部分通用術(shù)語(yǔ)和譜學(xué)用術(shù)語(yǔ)

ISO18115-11:(Surfacechemicalanaly-

sis—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy)

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

ISO18115-1。

4符號(hào)和縮略語(yǔ)

Ci深度剖析第i個(gè)周期時(shí)砷原子濃度用單位體積原子個(gè)數(shù)3表示

,,(atoms/cm)

d深度剖析中求相對(duì)靈敏度因子用的深度用厘米表示

,(cm)

di在測(cè)試第i個(gè)周期時(shí)的深度用厘米表示

,(cm)

d坑深用厘米表示

t,(cm)

Ii測(cè)試第i個(gè)周期時(shí)砷離子強(qiáng)度用每秒計(jì)數(shù)