GB/T 32816-2016硅基MEMS制造技術(shù)以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成規(guī)范

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32816—2016

硅基MEMS制造技術(shù)

以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成規(guī)范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Specificationforcriterionofthecombination

ofthedeepetchingandbondingprocess

2016-08-29發(fā)布2017-03-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T32816—2016

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

工藝流程

4…………………1

概述

4.1…………………1

硅片選擇

4.2……………1

鍵合區(qū)制備

4.3…………………………1

玻璃片金屬電極制備

4.4………………5

硅玻璃陽極鍵合

4.5-……………………8

深刻蝕結(jié)構(gòu)釋放

4.6……………………9

劃片

4.7…………………11

工藝保障條件要求

5………………………11

人員要求

5.1……………11

環(huán)境要求

5.2……………11

設(shè)備要求

5.3……………12

原材料要求

6………………12

安全與環(huán)境操作要求

7……………………13

安全

7.1…………………13

化學(xué)試劑

7.2……………13

排放

7.3…………………13

檢驗

8………………………13

總則

8.1…………………13

硅片干法刻蝕結(jié)構(gòu)釋放關(guān)鍵工序檢驗

8.2……………13

最終檢驗

8.3……………14

GB/T32816—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微機電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位北京大學(xué)中機生產(chǎn)力促進(jìn)中心大連理工大學(xué)北京青鳥元芯微系統(tǒng)科技有

:、、、

限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張大成楊芳李海斌王瑋何軍黃賢劉沖劉偉鄒赫麟田大宇姜博巖

:、、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32816—2016

硅基MEMS制造技術(shù)

以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成進(jìn)行器件加工時應(yīng)遵循的工藝要求

MEMS

和質(zhì)量檢驗要求

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于基于以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成的加工和質(zhì)量檢驗

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測量管理體系測量過程和測量設(shè)備的要求

GB/T19022

微機電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語

GB/T26111(MEMS)

潔凈廠房設(shè)計規(guī)范

GB50073

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T26111。

4工藝流程

41概述

.

以深刻蝕和鍵合為核心的工藝集成包括硅片鍵合區(qū)制備玻璃片金屬電極制備硅玻璃陽極鍵合

、、-、

深刻蝕結(jié)構(gòu)釋放劃片等部分其中關(guān)鍵工藝用表示

、,(G)。

42硅片選擇

.

421硅片材料的選擇如型或型輕摻雜或重?fù)诫s電阻率等應(yīng)結(jié)合所制造的器件的性能要求

..,np、、,

和后續(xù)工藝需求確定

。

422硅片晶面的選擇應(yīng)以后續(xù)的工藝選擇為依據(jù)當(dāng)后續(xù)工藝步驟中使用了氫氧化鉀或四

.