材料化學(xué)22 - 晶體材料的結(jié)構(gòu)

12.3.1金屬晶體2.3.2離子晶體2.3.3硅酸鹽結(jié)構(gòu)2.3.4共價晶體2.3晶體材料的結(jié)構(gòu)Chapter2StructureofMaterials2金屬材料合金多晶體、固溶體、金屬間化合物、中間相等金屬單質(zhì)金屬晶體2.3.1金屬晶體Chapter2StructureofMaterials3A1型最密堆積（面心立方）和A3型最密堆積（六方）A2型密堆積（體心立方）金屬晶體的堆積模型：具有較高配位數(shù)的緊密型堆積Chapter2StructureofMaterials4bccfcchcp演示Chapter2StructureofMaterials5配位數(shù)CoordinationNumber(CN)5金屬晶體的結(jié)構(gòu)Chapter2StructureofMaterials密堆系數(shù)AtomicPackingFactor

晶體結(jié)構(gòu)中，與任一原子最近鄰且等距離的原子數(shù)晶胞原子個數(shù)單個晶胞所含的原子數(shù)n6(1)bcc（1）bccbody-centeredcubicstructure堿金屬、α-Fe

、難熔金屬（V，Nb，Ta，Cr，Mo，W）等Chapter2StructureofMaterials7a：晶格單位長度R：原子半徑單位晶胞原子數(shù)n

=2Chapter2StructureofMaterials配位數(shù)CN=88(2)fcc（2）fccface-centeredcubicstructureAl，Ni，Pb，Pd，Pt，貴金屬以及奧氏體不銹鋼等

Chapter2StructureofMaterials9fccn=4Chapter2StructureofMaterialsCN=1210(3)hcp（3）hcphexagonalclose-packedstructureα-Ti，α-Co，α-Zr，Zn，Mg等

Chapter2StructureofMaterials11hcpn=6Chapter2StructureofMaterialsCN=1212Geometryparameters表2-7.常見晶體結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)StructureCNnξbcc820.68fcc1240.74hcp1260.74Chapter2StructureofMaterials132.3.2.2Inorganicnonmetalliccrystalmaterials2.3.2離子晶體離子鍵：無方向性，也無飽和性離子晶體：緊密堆積結(jié)構(gòu)限制：（1）正負(fù)離子半徑不等；（2）同號之間排斥Chapter2StructureofMaterials2.3.2.1離子晶體結(jié)構(gòu)與鮑林規(guī)則

（Pauling’sRules）鮑林第一規(guī)則──在離子晶體中,往往負(fù)離子作緊密堆積，正離子充填于負(fù)離子形成的配位多面體空隙中。正負(fù)離子半徑之和等于平衡距離。正離子的配位數(shù)取決于離子半徑比。（a）穩(wěn)定結(jié)構(gòu)（b）穩(wěn)定結(jié)構(gòu)（c）不穩(wěn)定結(jié)構(gòu)14Chapter2StructureofMaterials正負(fù)離子半徑比配位數(shù)堆積結(jié)構(gòu)<0.15520.155～0.22530.225～0.41440.414～0.73260.732～1.0008~1.0001215正負(fù)離子半徑比與配位數(shù)及負(fù)離子堆積結(jié)構(gòu)的關(guān)系Chapter2StructureofMaterials16負(fù)離子八面體空隙容納正離子時的半徑比計算Chapter2StructureofMaterials例：已知K+和Cl-的半徑分別為0.133nm和0.181nm，試分析KCl的晶體結(jié)構(gòu)，并計算堆積系數(shù)。解：晶體結(jié)構(gòu)：因為r+/r-=0.133/0.181=0.735，其值處于0.732和1.000之間，所以正離子配位數(shù)應(yīng)為8，處于負(fù)離子立方體的中心（見表2-6）。也就是屬于下面提到的CsCl型結(jié)構(gòu)。堆積系數(shù)計算：每個晶胞含有一個正離子和一個負(fù)離子Cl-，晶格參數(shù)a0可通過如下計算得到：a0=2r++2r-=2(0.133)+2(0.181)=0.628nma0=0.363nm2r++2r-17Chapter2StructureofMaterials靜電鍵強(qiáng)（bondstrength）：正離子的形式電荷與其配位數(shù)的比值。為保持電中性，負(fù)離子所獲得的總鍵強(qiáng)應(yīng)與負(fù)離子的電荷數(shù)相等。例：在CaTiO3結(jié)構(gòu)中，Ca2+、Ti4+、O2-離子的配位數(shù)分別為12、6、6。O2-離子的配位多面體是[OCa4Ti2]，則O2-離子的電荷數(shù)為4個2/12與2個4/6之和即等于2，與O2-離子的電價相等，故晶體結(jié)構(gòu)是穩(wěn)定的。18鮑林第二規(guī)則——在離子的堆積結(jié)構(gòu)中必須保持局域的電中性。

(Localelectricalneutralityismaintained)Chapter2StructureofMaterials19鮑林第三規(guī)則——穩(wěn)定結(jié)構(gòu)傾向于共頂連接

(Corners,ratherthanfacesoredges,tendtobesharedinstablestructures)在一個配位結(jié)構(gòu)中，共用棱，特別是共用面的存在會降低這個結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。其中高電價，低配位的正離子的這種效應(yīng)更為明顯。當(dāng)采取共棱和共面聯(lián)連接，正離子的距離縮短，增大了正離子之間的排斥，從而導(dǎo)致不穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。例如兩個四面體，當(dāng)共棱、共面連接時其中心距離分別為共頂連接的58%和33%Chapter2StructureofMaterials例：在鎂橄欖石結(jié)構(gòu)中，有[SiO4]四面體和[MgO6]八面體兩種配位多面體，但Si4+電價高、配位數(shù)低，所以[SiO4]四面體之間彼此無連接，它們之間由[MgO6]八面體所隔開。20鮑林第四規(guī)則──若晶體結(jié)構(gòu)中含有一種以上的正離子，則高電價、低配位的多面體之間有盡可能彼此互不連接的趨勢Chapter2StructureofMaterials例如，在硅酸鹽晶體中，不會同時出現(xiàn)[SiO4]四面體和[Si2O7]雙四面體結(jié)構(gòu)基元，盡管它們之間符合鮑林其它規(guī)則。如果組成不同的結(jié)構(gòu)基元較多，每一種基元要形成各自的周期性、規(guī)則性，則它們之間會相互干擾，不利于形成晶體結(jié)構(gòu)。21鮑林第五規(guī)則──同一結(jié)構(gòu)中傾向于較少的組分差異，也就是說，晶體中配位多面體類型傾向于最少。Chapter2StructureofMaterials2.3.2.2二元離子晶體結(jié)構(gòu)

很多無機(jī)化合物晶體都是基于負(fù)離子（X）的準(zhǔn)緊密堆積，而金屬正離子（M）置于負(fù)離子晶格的四面體或八面體間隙。CsCl型結(jié)構(gòu)巖鹽型結(jié)構(gòu)閃鋅礦型結(jié)構(gòu)螢石和反螢石型結(jié)構(gòu)金紅石型結(jié)構(gòu)22Chapter2StructureofMaterialsCsCl型結(jié)構(gòu)rCs/rCl=0.170nm/0.181nm=0.94 （0.732～1.000）負(fù)離子按簡單立方排列；正離子處于立方體的中心，同樣形成正離子的簡單立方陣列；正負(fù)離子的配位數(shù)都是8；每個晶胞中有1個負(fù)離子和1個正離子。實例：CsCl,CsBr,CsI23Chapter2StructureofMaterials巖鹽型結(jié)構(gòu)（RocksaltStructure）rNa/rCl=0.102/0.181=0.56 （0.414~0.732）負(fù)離子按面心立方排列；正離子處于八面體間隙位，同樣形成正離子的面心立方陣列；正負(fù)離子的配位數(shù)都是6。

也稱為NaCl型結(jié)構(gòu)實例：NaCl,KCl,LiF,KBr,MgO,CaO,SrO,BaO,CdO,VO,MnO,FeO,CoO,NiO24Chapter2StructureofMaterials25間隙Chapter2StructureofMaterials閃鋅礦型結(jié)構(gòu)（ZincBlendeStructure）也稱為ZnS型結(jié)構(gòu)。正負(fù)離子配位數(shù)均為4，負(fù)離子按面心立方排列，正離子填入半數(shù)的四面體間隙位（面心立方晶格有8個四面體空隙，其中4個填入正離子），同樣形成正離子的面心立方陣列，正負(fù)離子的面心立方互相穿插。其結(jié)果是每個離子與相鄰的4個異號離子構(gòu)成正四面體實例：ZnS,BeO,SiCr+/r-=0.3326Chapter2StructureofMaterials螢石和反螢石型結(jié)構(gòu)

（FluoriteandAntifluoriteStructures）反螢石型結(jié)構(gòu)：負(fù)離子按面心立方排列，正離子填入全部的四面體間隙位中，即每個面心立方晶格填入8個正離子。正負(fù)離子的配位數(shù)分別為4和8，正負(fù)離子的比例為2:1實例：Li2O,Na2O,K2O,Rb2O,硫化物；27Chapter2StructureofMaterials螢石型結(jié)構(gòu)：反螢石型結(jié)構(gòu)中的正負(fù)離子位置互換。正負(fù)離子的配位數(shù)分別為8和4，正負(fù)離子比例為1:2。實例：螢石：ThO2,CeO2,PrO2,UO2,ZrO2,HfO2,NpO2,PuO2,AmO2,CaF2,BaF2,PbF2半徑較大的4價正離子氧化物和半徑較大的2價正離子氟化物的晶體傾向于形成這種結(jié)構(gòu)。28Chapter2StructureofMaterials29FluorsparChapter2StructureofMaterials金紅石型結(jié)構(gòu)（RutileStructure）在金紅石晶體中，O2-離子為變形的六方密堆，Ti4+離子在晶胞頂點(diǎn)及體心位置，O2-離子在晶胞上下底面的面對角線方向各有2個，在晶胞半高的另一個面對角線方向也有2個。Ti4+離子的配位數(shù)是6，形成[TiO6]八面體。O2-離子的配位數(shù)是3，形成[OTi3]平面三角單元。晶胞中正負(fù)離子比為1:2。實例：TiO2,GeO2,SnO2,PbO2,VO2,NbO2,TeO2,MnO2,RuO2,OsO2,IrO2

r+/r-=0.4830Chapter2StructureofMaterials2.3.2.3多元離子晶體結(jié)構(gòu)負(fù)離子通過緊密堆積形成多面體，多面體的空隙中填入超過一種正離子31Chapter2StructureofMaterials結(jié)構(gòu)名稱負(fù)離子堆積結(jié)構(gòu)正負(fù)離子配位數(shù)比正離子位置關(guān)系化學(xué)式實例鈣鈦礦立方密堆12:6:61/4八面體（B）ABX3CaTiO3,SrTiO3,SrSnO3,SrZrO3,SrHfO3,BaTiO3尖晶石立方密堆4:6:41/8四面體（A）1/2八面體（B）AB2X4FeAl2O4,ZnAl2O4,MgAl2O4反尖晶石立方密堆4:6:41/8四面體（B）1/2八面體（A,B）B(AB)X4FeMgFeO4,MgTiMgO4鈦鐵礦六方密堆6:6:42/3八面體（A,B）ABX3FeTiO3,NiTiO3,CoTiO3橄欖石六方密堆6:4:41/2八面體（A）1/8四面體（B）A2BX4Mg2SiO4,Fe2SiO4常見的多離子晶體結(jié)構(gòu)鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)（PerovskiteStructure）化學(xué)通式為ABX3，

其中A是二價（或一價）金屬離子，B是四價（或五價）金屬離子，X通常為O，組成一種復(fù)合氧化物結(jié)構(gòu)。典型代表CaTiO3。負(fù)離子（O2-）按簡單立方緊密堆積排列，較大的正離子A（這里為Ca2+）在8個八面體形成的空隙中，被12個O2-包圍，而較小的正離子B（這里為Ti4+）在O2-的八面體中心，被6個O2-包圍。32Chapter2StructureofMaterialsChapter2StructureofMaterials33鈣鈦礦結(jié)構(gòu)在高溫時寶石立方晶系結(jié)構(gòu)，溫度降低時會引起結(jié)構(gòu)畸變，對稱性下降。例如c軸伸長或縮短而畸變成四方晶系，如果兩個軸發(fā)生畸變，則成為正交晶系?；儠?dǎo)致鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)中正、負(fù)電荷中心不重合，晶胞中產(chǎn)生偶極矩，此現(xiàn)象稱為自發(fā)極化。沒有外加影響時，自發(fā)極化的方向是隨機(jī)的，各個方向相互抵消，因而宏觀上不呈現(xiàn)極化。當(dāng)對晶體施加直流電場時，所有的自發(fā)極化都順著電場方向排列，宏觀上呈現(xiàn)很強(qiáng)的極性，也就是鐵電性。尖晶石型結(jié)構(gòu)（SpinelStructure）化學(xué)通式為AB2O4型，屬于復(fù)合氧化物，其中A是二價金屬離子如Mg2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Zn2+、Cd2+等，B是三價金屬離子如Al3+、Cr3+、Ga3+、Fe3+、Co3+等。典型代表鎂鋁尖晶石MgAl2O4

負(fù)離子O2-為立方緊密堆積排列，A離子填充在四面體空隙中，配位數(shù)為4，B離子在八面體空隙中，配位數(shù)為6。34Chapter2StructureofMaterials一個尖晶石結(jié)構(gòu)的晶胞中，共有32個O2-，8個A正離子，16個B正離子。Al-O、Mg-O均形成較強(qiáng)離子鍵，結(jié)構(gòu)牢固，硬度大，熔點(diǎn)高，相對密度大，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，無解理，是重要的耐火材料。Chapter2StructureofMaterials352.3.3硅酸鹽結(jié)構(gòu)

Silicate

Structure基本結(jié)構(gòu)單元：硅氧四面體[SiO4]四面體連接方式：共頂連接非橋氧nonbridgingoxygen橋氧bridgingoxygen36Chapter2StructureofMaterials37Silicatestructure硅酸鹽結(jié)構(gòu)類型島狀

鏈狀層狀網(wǎng)架狀37Chapter2StructureofMaterials3838硅酸鹽結(jié)構(gòu)示意圖Chapter2StructureofMaterials39島狀結(jié)構(gòu)島狀硅酸鹽（IslandSilicates）[SiO4]4-四面體以孤島狀存在，無橋氧，結(jié)構(gòu)中O/Si比值為4。每個O2-一側(cè)與1個Si4+連接，另一側(cè)與其它金屬離子相配位使電價平衡。鋯石英Zr[SiO4]鎂橄欖石Mg2[SiO4]藍(lán)晶石Al2O3·SiO2水泥熟料中的-C2S、-C2S和C3S39Chapter2StructureofMaterials40鎂橄欖石Mg2SiO4的理想結(jié)構(gòu)40鎂橄欖石Chapter2StructureofMaterials41斜方晶系晶胞參數(shù)a=0.476nm，b=1.021nm，c=0.599nm晶胞分子數(shù)Z=4O2-離子近似于六方最緊密堆積排列Si4+離子填于1/8的四面體空隙Mg2+離子填于1/2的八面體空隙每個[SiO4]四面體被[MgO6]八面體所隔開呈孤島狀分布鎂橄欖石結(jié)構(gòu)鎂橄欖石Mg2[SiO4]結(jié)構(gòu)41Chapter2StructureofMaterials42(100)面上的投影圖(001)面上的投影圖立體側(cè)視圖鎂橄欖石結(jié)構(gòu)42Chapter2StructureofMaterials43結(jié)構(gòu)中的同晶取代鈣橄欖石CaMgSiO4結(jié)構(gòu)中的同晶取代鎂橄欖石中的Mg2+可以被Fe2+以任意比例取代，形成橄欖石（FexMg1-x）SiO4固溶體。43Chapter2StructureofMaterials44結(jié)構(gòu)中每個O2-離子同時和1個[SiO4]和3個[MgO6]相連接，O2-的電價飽和，晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。結(jié)構(gòu)中各個方向上鍵力分布比較均勻，橄欖石結(jié)構(gòu)沒有明顯的解理，破碎后呈現(xiàn)粒狀。Mg-O鍵和Si-O鍵都比較強(qiáng)，鎂橄欖石表現(xiàn)出較高的硬度，熔點(diǎn)達(dá)到1890oC，是鎂質(zhì)耐火材料的主要礦物。44結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系Chapter2StructureofMaterials45每個[SiO4]四面體含有兩個橋氧時，可形成環(huán)狀和單鏈狀結(jié)構(gòu)的硅酸鹽，此時O/Si比值為3。也可以形成雙鏈結(jié)構(gòu)，此時橋氧的數(shù)目為2和3相互交錯，O/Si比值為2.75。

45環(huán)狀和鏈狀硅酸鹽（RingandChainSilicates）Chapter2StructureofMaterials46綠寶石結(jié)構(gòu)綠寶石Be3Al2[Si6O18]結(jié)構(gòu)（環(huán)狀）六方晶系晶胞參數(shù)a=0.921nm，c=0.917nm晶胞分子數(shù)Z=2綠寶石的基本結(jié)構(gòu)單元是由6個[SiO4]4-四面體組成的六節(jié)環(huán)，六節(jié)環(huán)中的1個Si4+和2個O2-處在同一高度，環(huán)與環(huán)相疊起來。圖中粗黑線的六節(jié)環(huán)在上面，標(biāo)高為100，細(xì)黑線的六節(jié)環(huán)在下面，標(biāo)高為50。上下兩層環(huán)錯開30o，投影方向并不重疊。環(huán)與環(huán)之間通過Be2+和Al3+離子連接。46Chapter2StructureofMaterials47綠寶石晶胞在（0001）面上的投影（上半個晶胞）47Chapter2StructureofMaterials48綠寶石結(jié)構(gòu)的六節(jié)環(huán)內(nèi)沒有其它離子存在，使晶體結(jié)構(gòu)中存在大的環(huán)形空腔。當(dāng)有電價低、半徑小的離子（如Na+）存在時，在直流電場中，晶體會表現(xiàn)出顯著的離子電導(dǎo)，在交流電場中會有較大的介電損耗；當(dāng)晶體受熱時，質(zhì)點(diǎn)熱振動的振幅增大，大的空腔使晶體不會有明顯的膨脹，因而表現(xiàn)出較小的膨脹系數(shù)。48結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系Chapter2StructureofMaterials49單斜晶系晶胞參數(shù)a=0.971nm，b=0.889nm，c=0.524nm=105o37’，晶胞分子數(shù)Z=4硅氧單鏈[Si2O6]平行于c軸方向伸展，圖中兩個重疊的硅氧鏈分別以粗黑線和細(xì)黑線表示。單鏈之間依靠Ca2+、Mg2+連接，Ca2+的配位數(shù)為8，Mg2+為6。Ca2+負(fù)責(zé)[SiO4]底面間的連接，Mg2+負(fù)責(zé)頂點(diǎn)間的連接。49透輝石CaMg[Si2O6]結(jié)構(gòu)（鏈狀）Chapter2StructureofMaterials50（010）面上的投影（001）面上的投影50透輝石結(jié)構(gòu)Chapter2StructureofMaterials51層狀結(jié)構(gòu)層狀結(jié)構(gòu)（SheetSilicates）當(dāng)每個[SiO4]含有3個橋氧時，可形成層狀硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)，O/Si比值為2.5。[SiO4]通過3個橋氧在二維平面內(nèi)延伸形成硅氧四面體層，在層內(nèi)[SiO4]之間形成六元環(huán)狀，另外一個頂角共同朝一個方向51Chapter2StructureofMaterials52滑石和葉臘石滑石葉蠟石52Chapter2StructureofMaterials層內(nèi)的三個橋氧的價鍵已經(jīng)飽和，層外的非橋氧則需要與其他正離子連接，構(gòu)成金屬氧化物[MO6]八面體層。

八面體層中有一些O2-不能與Si4+配位，因而剩余電價就要由H+來平衡，所以層狀結(jié)構(gòu)中都有OH-出現(xiàn)。層狀硅酸鹽結(jié)構(gòu)中各層排列方式有兩種，一種是一層[SiO4]和一層[MO6]組合作為層單元，然后重復(fù)堆疊，這種結(jié)構(gòu)成為兩層型；另一種有兩層[SiO4]層間夾一層[MO6]作為層單元，然后重復(fù)堆疊，稱為三層型。Chapter2StructureofMaterials5354高嶺石的結(jié)構(gòu)高嶺石Al2O3·2SiO2·2H2O的結(jié)構(gòu)

(Al4[Si4O10](OH)8)兩層型硅酸鹽，三斜晶系，晶胞參數(shù)a=0.514nm，b=0.893nm，c=0.737nm，=91o36’，=104o48’，=89o54’,晶胞分子數(shù)Z=154Chapter2StructureofMaterials55基本結(jié)構(gòu)單元是由硅氧層和水鋁石層構(gòu)成的層單元平行疊放。Al3+配位數(shù)為6，2個是O2-，4個是OH-，形成[AlO2(OH)4]八面體，正是這兩個O2-把水鋁石層和硅氧層連接起來。水鋁石層中，Al3+占據(jù)八面體空隙的2/3。55Chapter2StructureofMaterials56高嶺石的結(jié)構(gòu)56Chapter2StructureofMaterials57根據(jù)電價規(guī)則計算出單網(wǎng)層中O2-的電價是平衡的，即理論上層內(nèi)是電中性的，所以，高嶺石的層間只能靠物理鍵來結(jié)合，這就決定了高嶺石也容易解理成片狀的小晶體。但單網(wǎng)層在平行疊放時水鋁石層OH-與硅氧層的O2-相接觸，故層間靠氫鍵來結(jié)合。由于氫鍵結(jié)合比分子間力（三層結(jié)構(gòu)硅酸鹽）強(qiáng)，所以，水分子不易進(jìn)入單網(wǎng)層之間，晶體不會因為水含量增加而膨脹。57結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系Chapter2StructureofMaterials58TheKaoliniteGroup高嶺石族TheKaoliniteGroup四面體片與八面體片通過共用氧原子結(jié)合成一個晶片，晶片間以氫鍵相連，水化時基本不膨脹。Chapter2StructureofMaterials59三層型結(jié)構(gòu)，單斜晶系晶胞參數(shù)a=0.525nm，b=0.910nm，c=1.881nm=100o59滑石Mg3[Si4O10](OH)2的結(jié)構(gòu)Chapter2StructureofMaterials60（001）面上的投影縱剖面圖60滑石結(jié)構(gòu)示意圖Chapter2StructureofMaterials61復(fù)網(wǎng)層中每個活性氧同時與3個Mg2+相連接，從Mg2+處獲得的靜電鍵強(qiáng)度為3×2/6=1，從Si4+處也獲得1價，故活性氧的電價飽和。同理，OH－中的氧的電價也是飽和的，所以，復(fù)網(wǎng)層內(nèi)是電中性的。層與層之間只能依靠較弱的分子間力來結(jié)合，致使層間易相對滑動，滑石晶體有良好的片狀解理特性和滑膩感。61結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系Chapter2StructureofMaterials62用2個Al3+取代滑石中的3個Mg2+，則形成二八面體型結(jié)構(gòu)（Al3+占據(jù)2/3的八面體空隙）的葉蠟石Al2[Si4O10]（OH）2結(jié)構(gòu)。同樣，葉蠟石也具有良好的片狀解理和滑膩感。62離子取代現(xiàn)象Chapter2StructureofMaterials63滑石和葉蠟石中都含有OH－，加熱時會產(chǎn)生脫水效應(yīng)。滑石脫水后變成斜頑火輝石-Mg2[Si2O6]，葉蠟石脫水后變成莫來石3Al2O3·2SiO2。都是玻璃和陶瓷工業(yè)的重要原料，滑石可以用于生成絕緣、介電性能良好的滑石瓷，葉蠟石常用作硼硅質(zhì)玻璃中引入Al2O3的原料。63晶體加熱時結(jié)構(gòu)的變化Chapter2StructureofMaterials64網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)石英結(jié)構(gòu)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)(架狀)64Chapter2StructureofMaterials6565Chapter2StructureofMaterials66石英的結(jié)構(gòu)硅氧四面體在（0001）面上的投影66Chapter2StructureofMaterials67SiO2結(jié)構(gòu)中Si-O鍵的強(qiáng)度很高，鍵力分別在三維空間比較均勻，因此SiO2晶體的熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)穩(wěn)定性好，無明顯解理。67結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系Chapter2StructureofMaterials68當(dāng)[SiO4]四面體中的4