標準解讀
GB/T 36401-2018《表面化學分析 X射線光電子能譜 薄膜分析結(jié)果的報告》是一項國家標準,主要針對使用X射線光電子能譜(XPS)技術進行薄膜材料表面成分及結(jié)構(gòu)分析時如何規(guī)范地報告分析結(jié)果進行了規(guī)定。該標準適用于各種類型薄膜材料的XPS分析,包括但不限于金屬、半導體、聚合物以及復合材料等。
根據(jù)標準內(nèi)容,報告中應包含實驗條件、樣品信息、儀器參數(shù)設置等基本信息。其中,實驗條件部分需詳細說明樣品處理方法(如清洗、切割)、環(huán)境因素(溫度、濕度)以及任何可能影響測試結(jié)果的操作步驟;樣品信息則涵蓋了樣品來源、物理狀態(tài)、幾何形狀等方面;儀器參數(shù)設置涉及使用的X射線源種類及其能量、分析室真空度、探測器工作模式等內(nèi)容。
對于XPS數(shù)據(jù)處理與解析,標準建議采用適當軟件進行背景扣除,并對峰位、強度比值等關鍵特征進行準確測量。此外,還應對所測得的數(shù)據(jù)進行合理解釋,比如通過比較不同元素或化合物之間的結(jié)合能差異來判斷其化學狀態(tài);利用定量分析確定各組分相對含量;基于特定區(qū)域掃描結(jié)果推測微觀結(jié)構(gòu)特性等。
在撰寫報告時,除了上述技術性內(nèi)容外,還需注意語言表述清晰準確、邏輯結(jié)構(gòu)嚴謹有序。同時,鼓勵附上原始數(shù)據(jù)文件及處理過程中的中間結(jié)果作為補充材料,以便于他人復現(xiàn)研究或進一步深入探討。
本標準旨在提高XPS薄膜分析領域的標準化水平,促進科研成果的有效交流與應用。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標準文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-06-07 頒布
- 2019-05-01 實施





文檔簡介
ICS7104040
G04..
中華人民共和國國家標準
GB/T36401—2018/ISO134242013
:
表面化學分析X射線光電子能譜
薄膜分析結(jié)果的報告
Surfacechemicalanalysis—X-rayphotoelectronspectroscopy—
Reportingofresultsofthin-filmanalysis
(ISO13424:2013,IDT)
2018-06-07發(fā)布2019-05-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T36401—2018/ISO134242013
:
目次
前言
…………………………Ⅰ
引言
…………………………Ⅱ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術語和定義
3………………1
縮略語
4……………………1
薄膜分析綜述
5XPS………………………1
引言
5.1…………………1
常規(guī)
5.2XPS……………2
變角
5.3XPS……………3
峰形分析
5.4……………3
可變光子能量
5.5XPS…………………3
濺射深度剖析
5.6XPS…………………3
樣品處理
6…………………3
儀器和操作條件
7…………………………3
儀器校準
7.1……………3
操作條件
7.2……………4
方法實驗條件分析參數(shù)和分析結(jié)果的報告
8XPS、、……………………4
薄膜分析方法
8.1XPS…………………4
實驗條件
8.2……………4
分析參數(shù)
8.3……………5
匯總表示例
8.4…………………………6
分析結(jié)果
8.5……………8
附錄資料性附錄常規(guī)
A()XPS…………9
附錄資料性附錄變角
B()XPS………………………15
附錄資料性附錄峰形分析
C()…………20
附錄資料性附錄濺射深度剖析
D()XPS……………30
參考文獻
……………………32
GB/T36401—2018/ISO134242013
:
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準使用翻譯法等同采用表面化學分析射線光電子能譜薄膜分析結(jié)果
ISO13424:2013《X
的報告
》。
本標準由全國微束分析標準化技術委員會提出并歸口
(SAC/TC38)。
本標準主要起草單位廈門荷清教育咨詢有限公司清華大學化學系
:、。
本標準主要起草人湯丁亮李展平岑丹霞姚文清劉芬王水菊
:、、、、、。
Ⅰ
GB/T36401—2018/ISO134242013
:
引言
射線光電子能譜廣泛運用于材料表面的表征特別是基材上的覆蓋層薄膜可以使用
X(XPS),。
測定薄膜近表面區(qū)的化學組成如果薄膜具有均勻的厚度并且該厚度小于所測量光電子平均逃
XPS。,
逸深度的大約倍通過變角或者峰形分析可以測定薄膜的膜厚度以及膜中元素或者元
(MED)3,XPS,
素化學狀態(tài)的深度剖析對于較厚的膜采用濺射深度剖析可以獲得膜中元素的深度剖析如果
。,。XPS
系統(tǒng)具有足夠的橫向分辨率則可以測定膜厚度或者深度剖面中可能的橫向不均勻性這些應用
,。XPS
對于薄膜納米結(jié)構(gòu)的表征特別有價值因為對于許多物質(zhì)材料和常規(guī)測量條件而言通常小
,XPS,MED
于
5nm。
本標準的第章和第章為儀器的操作者在測定基材上覆蓋層薄膜的有意義的化學組成和
67XPS
膜厚度時所進行的有效測量提供了指導本標準的第章指出了數(shù)據(jù)的測量和分析報告中應包
。8XPS
括的信息附錄附錄附錄和附錄對于薄膜樣品的不同類型測量的數(shù)據(jù)分析方法提供
。A、B、CDXPS
了補充信息
。
Ⅱ
GB/T36401—2018/ISO134242013
:
表面化學分析X射線光電子能譜
薄膜分析結(jié)果的報告
1范圍
本標準給出了采用對基材上薄膜的分析報告所需的最少信息量要求的說明這些分析涉及
XPS。
化學組成和均勻薄膜厚度的測量以及采用變角濺射深度剖析峰形分析和可變光子能量
,XPS、XPS、
的方式對非均勻薄膜作為深度函數(shù)的化學組成的測量
XPS。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
表面化學分析詞匯第部分通用術語及譜學術語
ISO18115-1:20101:(Surfacechemicalanaly-
sis—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy)
3術語和定義
中界定的術語和定義適用于本文件
ISO18115-1:2010。
4縮略語
俄歇電子能譜
AES:(Augerelectronspectroscopy)
變角射線光電子能譜
ARXPS:X(Angle-resolvedX-rayphotoelectronspectroscopy)
非彈性平均自由程
IMFP:(Inelasticmeanfreepath)
平均逃逸深度
MED:(Meanescapedepth)
相對靈敏度因子
RSF:(Relativesensitivityfactor)
遷移平均自由程
TRMFP:(Transportmeanfreepath)
射線光電子能譜
XPS:X(X-rayphotoelectronspectroscopy)
5XPS薄膜分析綜述
51引言
.
基材上薄膜的分析可以提供化學組成隨深度變化以及薄膜厚度的信息如果總膜厚小于所
XPS。
檢測的光電子的
溫馨提示
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