GB/T 39842-2021集成電路(IC)卡封裝框架

ICS31200

L56.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T39842—2021

集成電路IC卡封裝框架

()

IteratedcircuitICcardackainframework

g()pgg

2021-03-09發(fā)布2021-07-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T39842—2021

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位山東新恒匯電子科技有限公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人朱林邵漢文王廣南陳鐸

:、、、。

Ⅰ

GB/T39842—2021

集成電路IC卡封裝框架

()

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了集成電路卡封裝框架以下簡稱卡封裝框架的技術(shù)要求檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)

(IC)(IC)、、

則包裝貯存和運(yùn)輸

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于卡封裝框架包括接觸式卡封裝框架和非接觸式卡封裝框架

IC,ICIC。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有修改單適用于本文件

。,()。

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)高溫

GB/T2423.22:B:

電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)鹽霧

GB/T2423.172:Ka:

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)

GB/T2423.502:Cy:

環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn)

GB/T2423.51—20202:Ke:

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

紡織品色牢度試驗(yàn)?zāi)秃節(jié)n色牢度

GB/T3922

印制電路用撓性覆銅箔材料試驗(yàn)方法

GB/T13557

金屬和合金的腐蝕腐蝕試樣上腐蝕產(chǎn)物的清除

GB/T16545—2015

識(shí)別卡帶觸點(diǎn)的集成電路卡第部分觸點(diǎn)的尺寸和位置

GB/T16649.22:

金屬覆蓋層覆蓋層厚度測量射線光譜法

GB/T16921—2005X

識(shí)別卡測試方法第部分一般特性測試

GB/T17554.11:

高純金

GB/T25933—2010

所有部分高純金化學(xué)分析方法

GB/T25934—2010()

平板顯示器基板玻璃表面粗糙度的測量方法

GB/T32642—2016

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

IC卡封裝框架ICcardpackagingframework

由絕緣材料與帶圖形的導(dǎo)電材料疊壓而成是保護(hù)芯片的載體也是芯片與外部設(shè)備進(jìn)行信息交換

,,

的接口

。

注從數(shù)據(jù)傳輸方式上可分為單界面接觸式卡封裝框架雙界面接觸式卡封裝框架和非接觸式卡封裝

:IC、ICIC

框架

。

32

.

單界面接觸式IC卡封裝框架singlesideICcardpackagingframework