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文檔簡介
5場效應(yīng)管放大電路5.1金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管5.3結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)*5.4砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管5.5各種放大器件電路性能比較5.2MOSFET放大電路5.1金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)場效應(yīng)管5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET5.1.5MOSFET的主要參數(shù)5.1.2N溝道耗盡型MOSFET5.1.3P溝道MOSFET5.1.4溝道長度調(diào)制效應(yīng)P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強(qiáng)型N溝道N溝道(耗盡型)FET場效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET(IGFET)絕緣柵型耗盡型:場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時(shí),就有導(dǎo)電溝道存在增強(qiáng)型:場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時(shí),沒有導(dǎo)電溝道場效應(yīng)管的分類:5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET1.結(jié)構(gòu)(N溝道)L:溝道長度W:溝道寬度tox
:絕緣層厚度通常W>L5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET剖面圖1.結(jié)構(gòu)(N溝道)符號5.1.1N溝道增強(qiáng)型MOSFET2.工作原理(1)vGS對的控制作用①vGS≤0時(shí)d、s間PN結(jié)相背,無導(dǎo)電溝道②vGS>0時(shí)感應(yīng)出負(fù)電荷,形成反型層(N型)——把d、s間連接起來,形成導(dǎo)電溝道。形成反型層的最小柵壓——稱為開啟電壓。③
vGS>VT時(shí)溝道加寬,電阻變小,。外加?xùn)艍汉蟛判纬蓪?dǎo)電溝道的——稱為增強(qiáng)型2.工作原理(2)vDS對溝道的控制作用整個(gè)溝道呈楔形分布當(dāng)
一定(
)時(shí),
溝道電位梯度靠近漏極d處的電位升高電場強(qiáng)度減小溝道變薄在預(yù)夾斷處:當(dāng)
增加到使
時(shí),在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。(2)vDS對溝道的控制作用預(yù)夾斷后,夾斷區(qū)延長溝道電阻基本不變。(3)vDS和vGS同時(shí)作用時(shí)給定一個(gè)vGS
,就有一條不同的iD
–vDS
曲線。一定,
變化時(shí),隨而變3.
V-I特性曲線及大信號特性方程(1)輸出特性及大信號特性方程①截止區(qū)當(dāng)vGS<VT(2V)時(shí),導(dǎo)電溝道尚未形成,iD=0,為截止工作狀態(tài)。分為三個(gè)區(qū)(1)輸出特性及大信號特性方程②可變電阻區(qū)
vDS≤(vGS-VT)近似為較小時(shí)隨迅速增大由于
較小,可近似為是一個(gè)受
控制的可變電阻②可變電阻區(qū)
n:反型層中電子遷移率Cox:柵極(與襯底間)氧化層單位面積電容其中本征電導(dǎo)因子Kn為電導(dǎo)常數(shù),單位:mA/V2③飽和區(qū)(又稱恒流區(qū)、放大區(qū))vGS
>VT
,且vDS≥(vGS-VT)預(yù)夾斷臨界點(diǎn)是vGS=2VT時(shí)的iD
V-I特性:不隨變化,將預(yù)夾斷臨界條件代入得:(2)轉(zhuǎn)移特性s5.1.2N溝道耗盡型MOSFET1.結(jié)構(gòu)和工作原理簡述(N溝道)二氧化硅絕緣層中摻有大量的正離子可以在正或負(fù)的柵源電壓下工作,而且基本上無柵流2.V-I特性曲線及大信號特性方程
(N溝道增強(qiáng)型)飽和漏極電流()時(shí)的夾斷電壓()時(shí)溝道夾斷。5.1.3P溝道MOSFET各種類型MOS管的特性曲線絕緣柵場效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型P溝道增強(qiáng)型各種類型MOS管的特性曲線絕緣柵場效應(yīng)管
N溝道耗盡型P
溝道耗盡型5.1.4溝道長度調(diào)制效應(yīng)實(shí)際上飽和區(qū)的曲線并不是平坦的當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時(shí),=0,曲線是平坦的。
L的單位為m修正后溝道長度調(diào)制參數(shù)V-I特性曲線輸出特性(1)可變電阻區(qū)
vDS≤(vGS-VT)近似為:(2)飽和區(qū)(放大區(qū))vGS
>VT
,vDS≥(vGS-VT)預(yù)夾斷臨界點(diǎn)修正轉(zhuǎn)移特性5.1.5MOSFET的主要參數(shù)一、直流參數(shù)1.開啟電壓VT
(增強(qiáng)型參數(shù))4.直流輸入電阻RGS
(柵源間電阻)(109Ω~1015Ω)漏源極短路時(shí),柵源極在一定條件下的等效電阻,RGS可達(dá)幾千兆歐。在飽和區(qū)增強(qiáng)型MOS管的漏極電流
(通常規(guī)定
)時(shí),所對應(yīng)的柵源間的電壓值。3.飽和漏極電流IDSS
(耗盡型參數(shù))在情況下(通常),時(shí)的漏極電流。2.夾斷電壓VP
(耗盡型參數(shù))在
為某一固定數(shù)值時(shí)(例如10V),使等于一微小電流(如)時(shí)的
值。二、交流參數(shù)1.輸出電阻rds
NMOS增強(qiáng)型當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時(shí),=0,rds→∞
二、交流參數(shù)考慮到則其中2.低頻互導(dǎo)gm——表示
對
的控制作用在轉(zhuǎn)移特性曲線上,是曲線在某點(diǎn)上的斜率,也可由
的表達(dá)式求導(dǎo)得出,單位為S或mS。三、極限參數(shù)1.最大漏極電流IDM
管子正常工作時(shí)漏極電流允許的上限值。2.最大耗散功率PDM
3.最大漏源電壓V(BR)DS
發(fā)生雪崩擊穿時(shí)的4.最大柵源電壓V(BR)GS
是柵源間反向電流開始急劇增加時(shí)的。幾種常用的場效應(yīng)三極管的主要參數(shù)見表5.2MOSFET放大電路5.2.1MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算2.圖解分析3.小信號模型分析*5.2.2帶PMOS負(fù)載的NMOS放大電路5.2.1MOSFET放大電路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算(1)簡單的共源極放大電路(N溝道)共源極放大電路直流通路1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算(1)簡單的共源極放大電路(N溝道)假設(shè)工作在飽和區(qū),即驗(yàn)證是否滿足如果不滿足,則說明假設(shè)錯(cuò)誤(須滿足VGS>VT
,否則工作在截止區(qū))再假設(shè)工作在可變電阻區(qū)即工作于飽和區(qū)工作于可變電阻區(qū)假設(shè)工作在飽和區(qū)滿足假設(shè)成立,結(jié)果即為所求。解:例:設(shè)Rg1=60k,Rg2=40k,Rd=15k,試計(jì)算電路的靜態(tài)漏極電流IDQ和漏源電壓VDSQ。VDD=5V,VT=1V,1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算(2)帶源極電阻的NMOS共源極放大電路需要驗(yàn)證是否滿足飽和區(qū)1.直流偏置及靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算靜態(tài)時(shí),vI=0,VG=0,ID=I電流源偏置VS=VG-VGS(飽和區(qū))(3)電流源偏置(例5.2.3)設(shè)管子工作于飽和區(qū)管子工作于飽和區(qū)假設(shè)正確2.圖解分析由于負(fù)載開路,交流負(fù)載線與直流負(fù)載線相同負(fù)載線與的交點(diǎn)就是Q點(diǎn)已知場效應(yīng)管輸出特性表達(dá)式:求全微分:漏極與源極間等效電導(dǎo)變化量其中:低頻跨導(dǎo),可從輸出曲線上求出(1)場效應(yīng)管微變等效電路3.小信號模型分析0時(shí)高頻小信號模型場效應(yīng)管微變等效電路解:例5.2.2的直流分析已求得:(2)放大電路分析s①共源極放大電路(例5.2.5)s①共源極放大電路(例5.2.5)(2)放大電路分析②共漏極放大電路(源極輸出器、源極跟隨器)例5.2.6共漏共漏(2)放大電路分析*5.2.2帶PMOS負(fù)載的NMOS放大電路本小節(jié)不作教學(xué)要求,有興趣者自學(xué)5.3結(jié)型場效應(yīng)管
5.3.1JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)
5.3.3JFET放大電路的小信號模型分析法5.3.1JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理1.結(jié)構(gòu)2.工作原理(1)柵源電壓vGS對溝道的控制作用柵源間加反向偏電壓(以N溝道JFET為例)對于N溝道的JFET,VP<0。PN結(jié)反偏耗盡層加寬溝道變窄。當(dāng)溝道夾斷時(shí),對應(yīng)的柵源電壓vGS稱為夾斷電壓VP
(或VGS(off))。①②結(jié)型場效應(yīng)管就是通過改變加在PN結(jié)上的反向偏壓(柵源電壓)的大小來改變耗盡層的寬度,進(jìn)而改變溝道的寬度和溝道電阻的大小以達(dá)到控制溝道電流(漏極電流)的目的。即時(shí),溝道夾斷2.工作原理(2)vDS對溝道的控制作用一定(|
|<||)時(shí),
①隨著
靠近漏極處的耗盡層加寬,溝道變窄,呈楔形分布②當(dāng)vDS增加到使
時(shí),導(dǎo)電溝道在A點(diǎn)相遇,溝道被夾斷——稱為預(yù)夾斷③繼續(xù)加大夾斷延長溝道電阻
的增量降落在溝道夾斷處iD基本不變綜上分析可知溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,
所以場效應(yīng)管也稱為單極型三極管。
JFET柵極與溝道間的PN結(jié)是反向偏置的,因此,
輸入電阻很高。預(yù)夾斷前
與呈近似線性關(guān)系;預(yù)夾斷后,趨于飽和。JFET是電壓控制電流器件,
受
控制。5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)2.轉(zhuǎn)移特性1.輸出特性(VP≤vGS≤0)3.主要參數(shù)(與MOSFET類似)④輸出電阻rd:或③
低頻跨導(dǎo)gm:低頻跨導(dǎo)反映了
對
的控制作用。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求得,單位是mS(毫西門子)。①夾斷電壓VP(或VGS(off)):漏極電流約為零時(shí)的
值。②飽和漏極電流IDSS:
時(shí)的漏極電流稱為飽和漏極電流IDSS。3.主要參數(shù)⑤直流輸入電阻RGS:對于結(jié)型場效應(yīng)管,反偏時(shí)RGS約大于107Ω。⑧最大漏極功耗PDM⑥
最大漏源電壓V(BR)DS⑦最大柵源電壓V(BR)GS5.3.3JFET放大電路的小信號模型分析法(場效應(yīng)管放大電路)直流偏置電路靜態(tài)工作點(diǎn)
FET小信號模型動態(tài)指標(biāo)分析三種基本放大電路的性能比較
4.4.2FET放大電路的小信號模型分析法
4.4.1
FET的直流偏置及靜態(tài)分析vGSvGS(1)自偏壓電路5.3.3JFET放大電路的小信號模型分析法(場效應(yīng)管放大電路)1.直流偏置及靜態(tài)分析vGSvGS靜態(tài)工作點(diǎn):
、
、已知VP,由可解出Q點(diǎn)的
、
、(2)分壓式自偏壓電路5.3.3JFET放大電路的小信號模型分析法2.JFET小信號模型(1)低頻模型(2)高頻模型3.動態(tài)指標(biāo)分析中頻小信號模型(共源極放大電路)3.動態(tài)指標(biāo)分析(1)中頻電壓增益忽略rds
,由輸入輸出回路得則(2)輸入電阻(3)輸出電阻例5.3.15.5
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