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文檔簡(jiǎn)介
靜態(tài)場(chǎng)的應(yīng)用
一、電偏轉(zhuǎn)和磁偏轉(zhuǎn)的應(yīng)用
(一)陰極射線示波管
圖1陰極射線示波管
圖1說(shuō)明了陰極射線示波管(cathod-rayoscilloscope)的基本特征。管體由玻璃制成,并被抽成高度真空,陰極被燈絲加熱后發(fā)射電子,陽(yáng)極與陰極間有幾百伏的電位差,電子朝向陽(yáng)極加速。陽(yáng)極上有一個(gè)小孔允許極細(xì)的一束電子通過(guò),這些被加速的電子將進(jìn)入偏轉(zhuǎn)區(qū),在那里它們發(fā)生水平和垂直兩個(gè)方向上的偏轉(zhuǎn)。最后,這些電子轟擊一個(gè)由能發(fā)射可見(jiàn)光的物質(zhì)(碘)所覆蓋的熒光屏的內(nèi)表面,發(fā)出可見(jiàn)光而生成圖像。
設(shè)電子從陰極表面上發(fā)射出來(lái)的初速度為零,V1為陽(yáng)極和陰極之間的電位差,電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí)的速度可由其動(dòng)能的增益而求得為
L是上、下垂直偏轉(zhuǎn)板間的距離。設(shè)電子的電量為-e,質(zhì)量為m,作用在電子上的電場(chǎng)力為:
方向向上。忽略電子的重力,沿z方向的加速度為:
電子沿z方向的速度為:(5)
設(shè)t=0時(shí)uz=0,z=0,所以電子在z方向的位移為:
而電子t時(shí)刻在x方向的位移是:
電子離開(kāi)垂直偏轉(zhuǎn)區(qū)所需要的時(shí)間為:
由(4)式、(6)式和(7)式可以求得電子在垂直偏轉(zhuǎn)區(qū)軌跡:
x=d對(duì)應(yīng)的z方向上的速度是
而x方向速度保持不變。當(dāng)電子離開(kāi)垂直偏轉(zhuǎn)區(qū)時(shí),它沿直線運(yùn)動(dòng),因x方向與z方向的速率都保持恒定。速度u與x軸的夾角為θ,而
電子經(jīng)過(guò)距離D到達(dá)熒光屏所需時(shí)間為,因此
將ux代入上式,得到電子撞擊熒光屏?xí)r垂直方向總位移為
顯而易見(jiàn),如果陽(yáng)極和陰極間電位差保持恒定,電子的偏轉(zhuǎn)量與垂直偏轉(zhuǎn)板間的電位差成正比。同理,水平偏轉(zhuǎn)板間的電位差,可以使電子在y方向上運(yùn)動(dòng)。因此,電子束撞擊熒光屏的點(diǎn)的位置依賴于水平和垂直偏轉(zhuǎn)電壓。
(b)電子在z方向上的加速度和速度可分別由(4)式和(5)
式求得
(c)電子將在時(shí)刻t=T時(shí)離開(kāi)偏轉(zhuǎn)板,而
因此,z方向上的速度為
電子的總位移可由式(13)求得
(二)噴墨打印機(jī)
圖3
噴墨打印機(jī)(ink-jetprinter)是一種基于靜電場(chǎng)偏轉(zhuǎn)原理,可以提高打印速度,改善打印質(zhì)量的打印機(jī)。在噴墨打印機(jī)內(nèi),以超聲頻率振動(dòng)的噴嘴按一定間距噴出非常細(xì)微且大小一致的墨滴,如圖3所示。這些墨滴在經(jīng)過(guò)帶電板間時(shí),按照與要打印的字符成正比的方式獲得電荷,由于兩垂直偏轉(zhuǎn)板間電位差一定,墨滴垂直方向位移與所帶電荷量成正比。若不使墨滴帶電荷,則得到字符間的空白(此時(shí)墨滴由儲(chǔ)墨器收回)。在陰極射線示波器中,電子的水平位移是通過(guò)均勻改變水平偏轉(zhuǎn)板間的電位差實(shí)現(xiàn)的。而在噴墨打印機(jī)中,打印頭以恒速水平移動(dòng),達(dá)到每秒形成100個(gè)字符的速率。
由于運(yùn)動(dòng)部分很少,噴墨打印機(jī)與撞擊式打印機(jī)相比,顯得更安靜,更可靠。同時(shí),撞擊式打印機(jī)僅能打印在打(三)礦物的分選
1、利用電場(chǎng)分選
靜電偏轉(zhuǎn)原理也被應(yīng)用于礦業(yè)來(lái)分選帶異種電荷的礦物。例如,在一臺(tái)礦砂分選器中,磷酸鹽礦砂含有磷酸鹽巖石和石英。將其送入振動(dòng)的進(jìn)料器中,如圖4所示。振動(dòng)使得磷酸鹽巖石微粒與石英顆粒發(fā)生摩擦。在摩擦過(guò)程中,石英顆粒得到正電荷,而膦酸鹽顆粒得到負(fù)電荷。帶異種電荷的微粒的分選由平行板電容器中的電場(chǎng)來(lái)完成。
圖4圖5
為了導(dǎo)出帶電粒子在平行板電容器運(yùn)動(dòng)軌跡的表達(dá)式,設(shè)石英的質(zhì)量和電量分別為m和q。令其在進(jìn)入兩平行極板間帶電區(qū)域時(shí)的初始速為零,如所示:于是在t=0時(shí),ux=0且uz=0。重力產(chǎn)生的加速度在x方向。在任意時(shí)刻t,x方向的速度和位移分別為
帶電微粒在z方向的運(yùn)動(dòng)可以描述如下:
由式(2)和(5)可以得到每一帶電微粒運(yùn)動(dòng)軌跡為
這個(gè)方程揭示出一個(gè)帶電粒子在平行板區(qū)域的軌跡為一條直線。帶電粒子在x=d處離開(kāi)平行板區(qū)域所需用的時(shí)間為
例:進(jìn)入振動(dòng)進(jìn)料器后,一個(gè)2g重的石英微粒獲得了100
nC的電荷,該微粒由兩平行極板上沿中心處開(kāi)始自由
下落。兩極板長(zhǎng)2m,相距50cm,電位差為10kv,試
求該粒子到達(dá)板下沿時(shí)的位置和速度。
解:由式(7),該粒子離開(kāi)板所需用的時(shí)間為
由式(3),石英微粒在平行板間的加速度為
在t=T時(shí)刻,z方向的位移為:
粒子離開(kāi)時(shí)在x和z方向的速度分別為
因此,石英微粒離開(kāi)時(shí)的速度為
2、利用磁場(chǎng)分選
磁分離器(magneticseparator),如圖6,是靜磁場(chǎng)一個(gè)重要的應(yīng)用,它是為分離磁性物質(zhì)和非磁性物質(zhì)而設(shè)計(jì)的。磁性物質(zhì)和非磁性物質(zhì)的混合物在傳輸帶上勻速傳輸。傳輸帶繞過(guò)磁性滑輪,后者有鐵殼和激勵(lì)線圈組成,該激勵(lì)線圈可產(chǎn)生磁場(chǎng)。非磁性物質(zhì)立刻落入一個(gè)倉(cāng)室內(nèi),而磁性物質(zhì)被滑輪吸住直到傳輸帶離開(kāi)滑輪才落下來(lái)。因此,磁性物質(zhì)繞著滑輪往前傳送然后落入第二個(gè)倉(cāng)室。
圖6
B越近,場(chǎng)強(qiáng)越大。B附近的空氣分子被強(qiáng)電場(chǎng)電離,成為電子和正離子。正離子被吸到B上,得到電子,又成為分子。電子在向著正極A運(yùn)動(dòng)的過(guò)程中,遇到煙氣中的煤粉,使煤粉帶負(fù)電,吸附到正極A上,最后在重力的作用下落入下面的漏斗中。靜電除塵用于粉塵較多的各種場(chǎng)所,除去有害的微粒,或者回收物資,如回收水泥粉塵。(動(dòng)畫(huà)jdcc)
2、靜電復(fù)印
靜電復(fù)印機(jī)的中心部件是一個(gè)可以旋轉(zhuǎn)的接地的鋁質(zhì)圓柱體,表面鍍一層半導(dǎo)體硒,叫做硒鼓。半導(dǎo)體硒有特殊的光電性質(zhì):沒(méi)有光照射時(shí)是很好的絕緣體,能保持電荷;受到光的照射立即變成導(dǎo)體,將所帶的電荷導(dǎo)走。
圖8曝光
圖9顯影
復(fù)印每一頁(yè)材料都要經(jīng)過(guò)充電、曝光、顯影、轉(zhuǎn)印等幾個(gè)步驟,這幾個(gè)步驟是在硒鼓轉(zhuǎn)動(dòng)一周的過(guò)程中依次完成的。充電:由電源使硒鼓表面帶正電荷。曝光:利用光學(xué)系統(tǒng)將原稿上的字跡的像成在硒鼓上(圖8)。硒鼓上字跡的像,是沒(méi)有光照射的地方,保持著正電荷;其他地方受到了光線的照射,正電荷被導(dǎo)走,這樣在硒鼓上留下了字跡的“靜電潛像”。這個(gè)像我們看不到,所以稱為潛像。顯影:帶負(fù)電的墨粉被帶正電的“靜電潛像”吸引,并吸附在“靜電潛像”上,顯出墨粉組成的字跡(圖9)。轉(zhuǎn)印:帶正電的轉(zhuǎn)印電極使輸紙機(jī)構(gòu)送來(lái)的白紙帶正電,帶正電的白紙與硒鼓表面墨粉組成的字跡接觸,將帶負(fù)電的墨粉吸到白紙上(圖10)。此后,吸附了墨粉的紙送入定影區(qū),墨粉在高溫下熔化,浸入紙中,形成牢固的字跡。硒鼓則經(jīng)過(guò)清除表面殘留的墨粉和電荷,準(zhǔn)備復(fù)印下一頁(yè)材料。圖11表示復(fù)印的全過(guò)程。
圖11復(fù)印的全過(guò)程
3、靜電的其它應(yīng)用
例如:靜電噴漆,靜電植絨,靜電離子水除垢等。
4、靜電的危害
在造紙、制革、化纖、塑料、橡膠、印刷及粉體材料(例如炸藥、面粉……等)的生產(chǎn)、加工、輸運(yùn)等工藝過(guò)程中,由于摩擦、分離會(huì)產(chǎn)生靜電的積累,在液體(例如汽油、石油……等)、氣體的灌注、噴射等過(guò)程中也會(huì)產(chǎn)生靜電的積累。靜電的電位一般是較高的,例如人在穿、脫衣服時(shí),可產(chǎn)生一萬(wàn)多伏的電壓(不過(guò)其總的能量是較小的)。
靜電的危害:①、使人體受電擊,②、影響產(chǎn)品質(zhì)量,③、引燃易燃易爆物質(zhì),引起爆炸和火災(zāi),導(dǎo)致人員傷亡和財(cái)產(chǎn)損失。過(guò)去在國(guó)內(nèi)外都發(fā)生過(guò)此類事故,主要是由于靜電放電時(shí)發(fā)生火花將可燃物引燃所造成的。因此,在有汽油、苯、氫氣等易燃物質(zhì)的場(chǎng)所,要特別注意防止靜電的危害。
例如:民兵導(dǎo)彈(美國(guó)研制的一種地對(duì)地洲際彈道導(dǎo)彈)1962年進(jìn)行戰(zhàn)斗彈狀態(tài)的飛行試驗(yàn)時(shí),前兩發(fā)彈均遭到失敗。這兩發(fā)彈的故障現(xiàn)象相似,都是在Ⅰ級(jí)發(fā)動(dòng)機(jī)關(guān)機(jī)前炸毀的,一個(gè)高度為7.6km,另一個(gè)為21.8km。在炸毀前,兩發(fā)彈的制導(dǎo)計(jì)算機(jī)均受到脈沖干擾。經(jīng)過(guò)分析,故障是由于導(dǎo)彈飛行到一定高度時(shí),在相互絕緣的彈頭結(jié)構(gòu)與彈體結(jié)構(gòu)之間出現(xiàn)了靜電放電,它產(chǎn)生的干擾脈沖破壞了計(jì)算機(jī)的正常工作而造成事故。
⑵、A所帶的電荷變化時(shí)(變化緩
慢的交變電場(chǎng)),接地線中出
現(xiàn)電流,這時(shí):
①、B外表出現(xiàn)電荷分布,
②、接地電阻不可能完全為0,B的
電位也不為零,
∴B外仍有殘留的電場(chǎng),屏蔽是不
完全的。
4、被動(dòng)屏蔽:屏蔽敏感設(shè)備,原
理上導(dǎo)體殼可以不接地,實(shí)際圖13被動(dòng)屏蔽
上一般也接地,圖13。
原理:導(dǎo)體殼內(nèi)是等位體,場(chǎng)強(qiáng)為0,……,
不接地,導(dǎo)體上的縫隙,孔洞都
可能引起電力線的泄漏,降低屏
蔽效果。
接地,導(dǎo)體殼內(nèi)、外靜電位都為
0,可防止電力線的泄漏,提高
屏蔽效果。
5、屏蔽效果
利用等效電路分析:干擾源
A和被干擾設(shè)備B之間加入屏蔽體
S,如圖14,UA……,C3很小,
可以忽略……,圖14
屏蔽體上的感應(yīng)電壓:
設(shè)備上的干擾電壓:
可以看出,要使UB減小,必須使C1、C2、ZS減小,只有使ZS=0,才能使US=0,UB=0,即屏蔽體必須良好接地,才能提高屏蔽效果。
四、磁場(chǎng)屏蔽
1、屏蔽恒定磁場(chǎng)或變化緩慢的交變磁場(chǎng)。
屏蔽體:高磁導(dǎo)率材料[例如:鋼、鐵板(網(wǎng))、坡莫合金(含鎳45~80%,少量鉬、銅、鉻、釩、錳……)、…]
3、屏蔽原理:圖15,屏蔽
殼壁與空氣并聯(lián)……,
磁
阻,
空氣μr=1,屏蔽殼μ
>103,圖15磁場(chǎng)屏蔽
∴Rm殼<<Rm空氣,B線集中在屏蔽殼的壁內(nèi)(聚磁作用),殼
內(nèi)B≈0――磁場(chǎng)屏蔽。
4、屏蔽效果
①、定義:
②、磁場(chǎng)的屏蔽效果,
t:屏蔽體的厚度
R:與屏蔽體體積相等的球體的半徑,
設(shè)屏蔽體的體積為V,則:
屏蔽效果常用分類表示:
磁屏蔽不可能把磁力線完全集中在屏蔽體內(nèi)(圖6-5),總有一些泄漏,采用雙層屏蔽,可以提高屏蔽效果。
五、電子束的電場(chǎng)聚焦
象光束通過(guò)凸透鏡(或透鏡組)時(shí),因玻璃的折射作用,使光束聚焦成一個(gè)又小又亮的點(diǎn)一樣,也能使電子束通過(guò)一個(gè)聚焦電場(chǎng),在電場(chǎng)力的作用下,電子運(yùn)動(dòng)軌道改變而會(huì)合于一點(diǎn),結(jié)果在熒光屏上得到一個(gè)又小又亮的光點(diǎn),產(chǎn)生這個(gè)聚焦的靜電場(chǎng)裝置,在電子光學(xué)里稱為靜電電子透鏡,如圖16所示。
電子槍內(nèi)的聚焦電
極A1與第二加速電
極A2組成一個(gè)靜電
透鏡,它的作用原
理如下:中間是A1
與A2之間的電場(chǎng)分
布的截面圖(V2>
V1),虛線為等位
線,實(shí)線為電力線。
電場(chǎng)對(duì)Z軸是對(duì)稱
分布的,電子束中
某個(gè)散離軸線的電
子沿軌道S進(jìn)入聚
圖16
焦點(diǎn)場(chǎng),在電場(chǎng)的前半?yún)^(qū)(左邊)這個(gè)電子受到與電力線相切方向的作用力f。f可分解為垂直指向軸線的分力fr與平行于軸線的分力fz(圖中A區(qū))。fr作用使電子運(yùn)動(dòng)向軸線靠攏,起聚焦作用;fz作用使電子沿軸線方向得到加速度。電子到達(dá)電場(chǎng)的后半?yún)^(qū)時(shí),受
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