半導(dǎo)體材料應(yīng)用技術(shù)及發(fā)展前景 (2)課件_第1頁(yè)
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原題目:半導(dǎo)體材料應(yīng)用技術(shù)及發(fā)展前景

半導(dǎo)體材料對(duì)集成電路圓片成品率的影響2007年5月18日HangzhouSilanIntegratedCircuitCo.,Ltd。308,No.10Road,EastHETZ,Hangzhou,Zhejiang,China310018杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)東區(qū)10號(hào)路308號(hào)報(bào)告內(nèi)容

一、半導(dǎo)體材料應(yīng)用技術(shù)二、集成電路圓片成品率的重要性三、影響成品率的因素四、總結(jié)芯片設(shè)計(jì)芯片制造測(cè)試封裝(一)半導(dǎo)體材料在集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中的應(yīng)用硅片掩模光刻膠及附屬品化學(xué)試劑氣體濺射靶CMP磨料引線框架塑料成形襯底鍵合絲可彎曲襯底陶瓷封裝模塑樹(shù)脂管芯鍵合材料在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)中,管芯制造材料通常占總額的60%以上,其中大部分來(lái)自硅片。如果將硅片及掩模這兩大類(lèi)加在一起,又要占到管芯制造材料的60%。

管芯制造材料封裝材料一、半導(dǎo)體材料應(yīng)用技術(shù)芯片與集成電路

P+SubstrateN+BuriedLayerN+BuriedLayerN-WellN-WellP-WellPolyPolyN+N+N+N-N-P+P+P+M-1AlAlM-1M-1AlAlAlAlEBCNMOSPMOSBipolarTransistorN+PSGDSGDFieldOxideFieldOxideGateOxideGateOxideM-2M-2M-2M-3M-3M-3PassivationWW集成電路剖面結(jié)構(gòu)示意圖二、集成電路芯片成品率的重要性(一)客戶(hù)需求

1、客戶(hù)成本:成品率低意味著圓片上有較多的壞芯片,有效芯片減少,但是圓片的測(cè)試、減薄、劃片等后續(xù)工序的工作量并沒(méi)有減少,而且增加挑粒工序的工作量,所以成品率低,客戶(hù)的有效產(chǎn)出低,成本增加;2、芯片的可靠性問(wèn)題:成品率低意味著圓片在加工過(guò)程中有較多的缺陷,壞芯片周?chē)乃^“好”芯片,可能存在同樣的缺陷,只是缺陷比較輕微,沒(méi)有測(cè)試出來(lái),但是存在可靠性的問(wèn)題。所以,客戶(hù)通常提出要“無(wú)缺陷圓片”,或者拒絕接受成品率低于60或70%的圓片。

(二)工藝技術(shù)需求1、單項(xiàng)工藝:工藝復(fù)雜,技術(shù)含量高,為保證產(chǎn)品的成品率,必須每道工序精確控制;2、工藝流程長(zhǎng):從投片到產(chǎn)出經(jīng)過(guò)幾百道工序,經(jīng)歷幾個(gè)月的時(shí)間,只要有一道工序有問(wèn)題,則前功盡棄,除光刻工序外,其它幾乎無(wú)返工的機(jī)會(huì),可見(jiàn),成品率就顯得尤為重要。(三)成本需求1、投資大:設(shè)備基本是進(jìn)口;2、運(yùn)行成本高:動(dòng)力運(yùn)行成本,保證車(chē)間恒溫恒濕和高潔凈度的維護(hù)成本;3、材料成本:尤其是硅片成本。從以上客戶(hù)、工藝技術(shù)和成本需求分析可以看出,提高集成電路圓片成品率的意義特別重大,是集成電路制造企業(yè)最重要的質(zhì)量指標(biāo)。成品率除了與工藝技術(shù)和生產(chǎn)控制有關(guān)外,制造過(guò)程中使用的各種材料的質(zhì)量情況對(duì)成品率的提升有重要影響。(一)硅片的內(nèi)在質(zhì)量類(lèi)別技術(shù)指標(biāo)類(lèi)型影響因素晶體結(jié)構(gòu)(1)晶向利用晶體結(jié)構(gòu)和器件特性,不同工藝采用不同的晶向(2)晶向偏差影響器件特性(3)位錯(cuò)影響芯片的漏電、耐壓等可靠性指標(biāo)(4)層錯(cuò)化學(xué)成分(1)摻雜(P/N)不同工藝采用不同摻雜類(lèi)型(2)電阻率摻雜濃度決定,但是均勻性特別重要(3)氧含量在制造過(guò)程中易引起晶體缺陷,從而影響器件的電流、電壓等特性,芯片的可靠性降低.(4)碳含量三、影響成品率的因素PelliclesLensLensReticleUVLight光刻曝光技術(shù)(3)硅片

平整度/局部平整度/彎曲度/翹曲度:影響曝光均勻性.(4)光刻板:線條精度2、蝕刻線條的影響(1)濕法蝕刻化學(xué)品的純度配比的精度:如BOE/PAE/PAD表面張力(2)干法蝕刻氣體的純度氣體成分的穩(wěn)定性濕法蝕刻示意圖(三)顆粒的影響顆粒來(lái)源:(1)硅片(2)化學(xué)品(3)氣體(4)潔凈材料:如:無(wú)塵衣、口罩、手套等(5)用具:如:片舟、片盒、導(dǎo)片機(jī)、夾具等(6)車(chē)間環(huán)境:高效過(guò)濾器(7)人為因素:如:車(chē)間外帶入、人員的走動(dòng)、操作動(dòng)作等顆粒影響示意圖酸液或等離子如何進(jìn)入?勻膠前產(chǎn)生的顆粒顯影后產(chǎn)生的顆粒薄膜生長(zhǎng)前或生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的顆粒(五)靜電的影響半導(dǎo)體制造中靜電的危害可分為兩類(lèi):1、由靜電引力引起的浮游塵埃的吸附(塵埃顆粒危害性前面已述)2、由靜電放電引起的介質(zhì)擊穿集成電路芯片的集成度越來(lái)越高,導(dǎo)線間距越來(lái)越小,絕緣膜越來(lái)越薄,致使耐擊穿電壓也愈來(lái)愈低。

在生產(chǎn)流程中,生產(chǎn)過(guò)程、硅片運(yùn)輸、儲(chǔ)存和轉(zhuǎn)運(yùn)等過(guò)程中所產(chǎn)生的靜電電壓卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)其擊穿電壓閾值,這就可能造成器件的擊穿或失效,降低電路的可靠性和圓片成品率。靜電的來(lái)源:摩擦主要產(chǎn)生于:(1)人員的動(dòng)作:鞋與地板、衣服間的摩擦、操作動(dòng)作產(chǎn)生的摩擦等;(2)硅片與夾具、硅片與片舟、片舟與片盒,器具與工作臺(tái)、設(shè)備手臂移動(dòng)硅片等。車(chē)間的摩擦無(wú)所不在,無(wú)時(shí)不有,如果產(chǎn)生的靜電積累于硅片,對(duì)產(chǎn)品有致命的影響。所以,車(chē)間使用的材料和器具必須可以防靜電產(chǎn)生或者可以有效釋放靜電。四、結(jié)論

(一)集成電路芯片制造具有投資大、技術(shù)復(fù)雜、工藝流程長(zhǎng)等特點(diǎn),從客戶(hù)、工藝技術(shù)和成本的角度分析,提高產(chǎn)品的成品率尤其重要。(二)產(chǎn)品的可靠性和圓片成品率受硅片的缺陷、化學(xué)品材料的物理化學(xué)特性、特氣的純度、顆粒、金屬離子、靜電等方面因素的影響。(三)材料的供應(yīng)必要在以下幾方面質(zhì)量保證:

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