變頻器基礎(chǔ)知識課件

R為電樞繞組內(nèi)阻，e為旋轉(zhuǎn)電動勢Km:系數(shù)；：磁通；：電樞電流f:旋轉(zhuǎn)速度；N：線圈匝數(shù)；：磁通

晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理常用晶閘管的結(jié)構(gòu)螺栓型晶閘管晶閘管模塊平板型晶閘管外形及結(jié)構(gòu)（C）1.4典型全控型器件·引言常用的典型全控型器件（B）GTR、電力MOSFET和IGBT等器件的常用封裝形式。絕緣柵雙極晶體管1)IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理三端器件：柵極G

、集電極C

和發(fā)射極E。IGBT比VDMOSFET多一層P+

注入?yún)^(qū)，具有很強的通流能力。圖1-22IGBT的結(jié)構(gòu)、簡化等效電路和電氣圖形符號a)內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖b)等效電路c)簡化等效電路d)電氣圖形符號（B）功率模塊與功率集成電路例：部分功率模塊、IPM、電力半導(dǎo)體器件及驅(qū)動電路（A）逆變電路最基本的工作原理

——改變兩組開關(guān)切換頻率，可改變輸出交流電頻率。圖5-1逆變電路及其波形舉例a)b)tuoiot1t2電阻負(fù)載時，負(fù)載電流io

和uo

的波形相同，相位也相同。阻感負(fù)載時，io

相位滯后于uo

，波形也不同。單相橋式逆變電路

S1~

S4是橋式電路的4

個臂，由電力電子器件及輔助電路組成。（B）7PWM控制的基本思想若要改變等效輸出正弦波幅值，按同一比例改變各脈沖寬度即可。Ou>如何用一系列等幅不等寬的脈沖來代替一個正弦半波SPWM波Ou>（C）ωtωtOu>ωt9V1和V2、V3和V4的通斷彼此互補。在ur和uc

的交點時刻控制IGBT的通斷。6.2.1計算法和調(diào)制法ur

正半周，V1保持通，V2保持?jǐn)唷．?dāng)

ur

>uc

時使V4通，V3斷，uo

=Ud

。當(dāng)

ur

<uc

時使V4斷，V3通，uo

=0

。ur

負(fù)半周，請同學(xué)們自己分析。圖6-5單極性PWM控制方式波形urucuOwtOwtuouofuoUd-Ud表示uo的基波分量（B）單極性

PWM控制方式（單相橋逆變）

在ur

和uc

的交點時刻控制IGBT的通斷。在

ur

的半個周期內(nèi)，三角波載波有正有負(fù)，所得PWM波也有正有負(fù)，其幅值只有±Ud

兩種電平。同樣在調(diào)制信號ur

和載波信號uc

的交點時刻控制器件的通斷。

ur

正負(fù)半周，對各開關(guān)器件的控制規(guī)律相同。圖6-6雙極性PWM控制方式波形urucuOwtOwtuouofuoUd-Ud（B）雙極性PWM控制方式（單相橋逆變）變頻器輸入電流波形2.4.1電容濾波的單相不可控整流電路

感容濾波的二極管整流電路圖2-29感容濾波的單相橋式不可控整流電路及其工作波形a）電路圖b）波形a)b)u2udi20dqpwti2,u2,ud（C）實際應(yīng)用為此情況，但分析復(fù)雜。

Ud

波形更平直，電流

i2的上升段平緩了許多，這對于電路的工作是有利的。2.4.2電容濾波的三相不可控整流電路1)基本原理圖2-30

電容濾波的三相橋式不可控整流電路及其波形a)b)Oiaudiduduabuac0dqwtpp3wt（C）某一對二極管導(dǎo)通時，輸出電壓等于交流側(cè)線電壓中最大的一個，該線電壓既向電容供電，也向負(fù)載供電。當(dāng)沒有二極管導(dǎo)通時，由電容向負(fù)載放電，ud

按指數(shù)規(guī)律下降。5.4.2多電平逆變電路a)串聯(lián)連接三相高壓變頻器原理圖例:“完美無諧波”高壓變頻器

為減少輸入電流中的諧波、提高功率因數(shù)，工頻變壓器采用相位彼此差開相等電角度的多副邊結(jié)構(gòu)，每一組副邊接一個圖b)所示的基本功率單元。高壓變頻器每一相由若干個基本功率單元串聯(lián)組成(圖a)為3個單元串聯(lián))，實現(xiàn)高壓輸出。 串聯(lián)的單元數(shù)越多，輸出的電壓越高，而輸入電流越接近正弦。 此類變頻器已成功地用于高壓電機變頻調(diào)速的場合。（A）b)基本功率單元EXB841的工作原理

然而由于IGBT約lus后已導(dǎo)通，Uce下降至3V，從而將EXB841腳

6電位箝制在

8V左右，因此

B點和C點電位不會充到13V，而是充到8V左右，這個過程時間為1．24us；又穩(wěn)壓管VZ1的穩(wěn)壓值為

13V，

IGBT正常開通時不會被擊穿，

V3不通，

E點電位仍為20V左右，二極管VD6截止，不影響V4和V5的正常工作。

2）正常關(guān)斷過程控制電路使

EXB841輸入端腳14和腳15無電流流過，光耦合器IS01不通，

A點電位上升使V1和

V2導(dǎo)通；V

2導(dǎo)通使

V

4截止，

V

5導(dǎo)通，

IGBT柵極電荷通過

V

5迅速放電，使EXB841的腳3電位迅速下降至0V（相對于的EXB841腳1低5V），使

IGBT可靠關(guān)斷，

Uce迅速上升，使

EXB841的腳

6“懸空”。與此同時

V1導(dǎo)通，

C2通過

V1更快放電，將

B點和

C點電位箝在

0V，使

VZI仍不通，后繼電路不會動作,

IGBT正常關(guān)斷。

3）保護動作設(shè)IGBT已正常導(dǎo)通，則V1和V2截止，V4導(dǎo)通，V

5截止，B點和C點電位穩(wěn)定在

8V左右，VZ1不被擊穿，V3不導(dǎo)通，E點電位保持為20V，二極管VD6截止。若此時發(fā)生短路，IGBT承受大電流而退飽和，Uce上升很多，二極管VD7截止，則EXB841的腳

6“懸空”，B點和C點電位開始由8V上升；當(dāng)上升至13V時，VZ1被擊穿，V

3導(dǎo)通，

C4通過R7和

V

3放電，E點電位逐步下降，二極管VD

6導(dǎo)通時,D點電位也逐步下降，從而使EXB841的腳

3電位也逐步下降，緩慢關(guān)斷IGBT。

此時慢關(guān)斷過程結(jié)束，

IGBT柵極上所受偏壓為0oV（設(shè)V3管壓降為0．3V,V6和V5的壓降為

O．7V）。

這種狀態(tài)一直持續(xù)到控制信號使光電耦合器

IS0l截止，此時V1和

V

2導(dǎo)通，

V

2導(dǎo)通使

D點下降到

0V，從而

V

4完全截止，V

5完全導(dǎo)通，IGBT柵極所受偏壓由慢關(guān)斷時的0V迅速下降到一5V，IGBT完全關(guān)斷。V1導(dǎo)通使

C2迅速放電、V

3截止，20V電源通過R8對C4充電，RC充電時間常數(shù)為

T3＝C4R8＝48·

4uS

（2·25）

則

E點由

3．6V充至

19V的時間可用下式求得：19=20（l一e^(－t/r3)＋3.6e^(t/r3)(

2－26）

t

＝

135

uS

（

2

--

2

7）

則E點恢復(fù)到正常狀態(tài)需135us，至此EXB841完全恢復(fù)到正常狀態(tài)，可以進行正常的驅(qū)動。

與前述的IGBT驅(qū)動條件和保護策略相對照，以上所述說明EXB841確實充分考慮到

IGBT的特點，電路簡單實用，有如下特點：

1）模塊僅需單電源十20V供電，它通過內(nèi)部

5

V穩(wěn)壓管為IGBT提供了十

15V和一

5V的電平，既滿足了

IGBT的驅(qū)動條件，又簡化了電路，為整個系統(tǒng)設(shè)計提供了很大方便。

2）輸入采用高速光耦隔離電路，既滿足了隔離和快速的要求，又在很大程度上使電路結(jié)構(gòu)簡化。

M57962的應(yīng)用電路8腳應(yīng)該接光耦的發(fā)射端，為控制電路提供過流信號。圖6－34電容器放電a）放電電路b）從接線端放電圖6－43單進三出變頻器

圖6－44單進三出時存在的問題圖6－45單進三出的升壓電路交流調(diào)速控制策略見書矢量控制于電機的參數(shù)有關(guān)異步電機的坐標(biāo)變換結(jié)構(gòu)圖圖6-52異步電動機的坐標(biāo)變換結(jié)構(gòu)圖3/2——三相/兩相變換;VR——同步旋轉(zhuǎn)變換;——M軸與軸（A軸）的夾角

3/2VR等效直流電動機模型ABC

iAiBiCitimii異步電動機矢量控制系統(tǒng)原理結(jié)構(gòu)圖控制器VR-12/3電流控制變頻器3/2VR等效直流電動機模型+i*mi*t

1i*i*i*Ai*Bi*CiAiBiCiiβimit~反饋信號異步電動機給定信號

圖6-53異步電機矢量控制系統(tǒng)原理結(jié)構(gòu)圖b)tuCEiCOdidt抑制電路時無didt抑制電路時有有緩沖電路時無緩沖電路時uCEiC緩沖電路作用分析無緩沖電路有緩沖電路圖1-38di/dt抑制電路和充放電型RCD緩沖電路及波形a)電路b)波形ADCB無緩沖電路有緩沖電路uCEiCO

圖1-39關(guān)斷時的負(fù)載線（C）

晶閘管的串聯(lián)問題：理想串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。靜態(tài)不均壓：串聯(lián)的器件流過的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等。動態(tài)不均壓：由于器件動態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓。目的：當(dāng)晶閘管額定電壓小于要求時，可以串聯(lián)。

晶閘管的串聯(lián)靜態(tài)均壓措施：選用參數(shù)和特性盡量一致的器件。采用電阻均壓，Rp的阻值應(yīng)比器件阻斷時的正、反向電阻小得多。b)a)RCRCVT1VT2RPRPIOUUT1IRUT2VT1VT2圖1-41晶閘管的串聯(lián)a)伏安特性差異b)串聯(lián)均壓措施動態(tài)均壓措施：選擇動態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件。用RC并聯(lián)支路作動態(tài)均壓。采用門極強脈沖觸發(fā)可以顯著減小器件開通時間的差異。

晶閘管的并聯(lián)問題：會分別因靜態(tài)和動態(tài)特性參數(shù)的差異而電流分配不均勻。

均流措施：挑選特性參數(shù)盡量一致的器件。采用均流電抗器。用門極強脈沖觸發(fā)也有助于動態(tài)均流。當(dāng)需要同時串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時，通常采用先串后并的方法聯(lián)接。目的：多個器件并聯(lián)來承擔(dān)較大的電流5.2.2三相電壓型逆變電路負(fù)載中點和電源中點間電壓

(5-6)負(fù)載三相對稱時有uUN+uVN+uWN=0，于是

(5-7)負(fù)載已知時，可由uUN波形求出iU波形。一相上下兩橋臂間的換流過程和半橋電路相似。橋臂1、3、5的電流相加可得直流側(cè)電流id的波形，id每60°脈動一次，直流電壓基本無脈動，因此逆變器從交流側(cè)向直流側(cè)傳送的功率是脈動的，電壓型逆變電路的一個特點。防止同一相上下兩橋臂的開關(guān)器件同時導(dǎo)通而引起直流側(cè)電源短路，應(yīng)采取“先斷后通”數(shù)量分析見教材。7.1.1硬開關(guān)和軟開關(guān)硬開關(guān)開關(guān)過程中電壓和電流均不為零，出現(xiàn)了重疊。電壓、電流變化很快，波形出現(xiàn)明顯的過沖，導(dǎo)致開關(guān)噪聲。a）硬開關(guān)的開通過程b）硬開關(guān)的關(guān)斷過程圖7-1硬開關(guān)的開關(guān)過程（C）t0uiP0uituuiiP00tt44PI調(diào)節(jié)圖1-24

帶轉(zhuǎn)速負(fù)反饋的閉環(huán)直流調(diào)速系統(tǒng)原理框圖+-AMTG+-+-+-UtgUdIdn+--+Un?UnU*nUcUPE+-MTGIdUnUdUctg～++-+-MTG+-RP2nRP1U*nR0R0RbalUcVBTVSUiTAIdR1C1UnUd圖1-48無靜差直流調(diào)速系統(tǒng)示例

-+MTG+++-UPE～·工作原理圖1-48所示是一個無靜差直流調(diào)速系統(tǒng)的實例，采用比例積分調(diào)節(jié)器以實現(xiàn)無靜差，采用電流截止負(fù)反饋來限制動態(tài)過程的沖擊電流。TA為檢測電流的交流互感器，經(jīng)整流后得到電流反饋信號。當(dāng)電流超過截止電流時，高于穩(wěn)壓管VS的擊穿電壓，使晶體三極管VBT導(dǎo)通，則PI調(diào)節(jié)器的輸出電壓接近于零，電力電子變換器UPE的輸出電壓急劇下降，達到限制電流的目的。數(shù)字PI調(diào)節(jié)器模擬PI調(diào)節(jié)器的數(shù)字化改進的數(shù)字PI算法智能型PI調(diào)節(jié)器模擬PI調(diào)節(jié)器的數(shù)字化PI調(diào)節(jié)器是電力拖動自動控制系統(tǒng)中最常用的一種控制器，在微機數(shù)字控制系統(tǒng)中，當(dāng)采樣頻率足夠高時，可以先按模擬系統(tǒng)的設(shè)計方法設(shè)計調(diào)節(jié)器，然后再離散化，就可以得到數(shù)字控制器的算法，這就是模擬調(diào)節(jié)器的數(shù)字化。

PI調(diào)節(jié)器時域表達式：其中：KP=Kpi

為比例系數(shù)

KI

=1/為積分系數(shù)PI調(diào)節(jié)器的傳遞函數(shù)：增量式PI調(diào)節(jié)器算法：PI調(diào)節(jié)器的輸出可由下式求得：須在程序內(nèi)設(shè)置限幅值um，當(dāng)u(k)>um時，便以限幅值um作為輸出。TMS320F28335F28335:256Kx16Flash,34Kx16SARAM;128-BitSecurityKey/Lock;Upto18PWMOutputs;

SCI,SPI,CAN,I2C,;12-BitADC,16Channels,80-nsConversionRate基于TMS320F28335的電機控制系統(tǒng)TMS320F28335芯片簡介美國TI公司的TMS320C28x系列DSP中的TMS320F28335芯片，這是一款32位定點DSP芯片，具有數(shù)字信號處理能力以及強大的事件管理能力和嵌入式控制功能，非常適用于電機、馬達伺服控制系統(tǒng)等。C28x系列芯片主要性能有：最高150MHz的系統(tǒng)主頻，CPU核心電壓1.8V/1.9V，I/O口電壓3.3VCPU是哈佛總線結(jié)構(gòu)，支持16*16位與32*32位的乘且累加操作，16*16位的兩個乘且累加操作。片內(nèi)具有256K*16位的線性FLASH存儲器，1K*16位的OTP型只讀存儲器。一共具有34K*16位的單口隨機存儲器。芯片內(nèi)部有出廠固化好了的8K*16位的BootRom，其內(nèi)部