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文檔簡介
第三章
半導(dǎo)體中
載流子的統(tǒng)計分布教學(xué)目標(biāo)、教學(xué)重點與難點教學(xué)目標(biāo)教學(xué)重點難點熱平衡載流子的統(tǒng)計分布熱平衡載流子;熱平衡載流子的濃度;熱平衡載流子的濃度隨溫度變化情況。
第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布1狀態(tài)密度
2費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
3本征半導(dǎo)體中的載流子濃度
4雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度
5簡并半導(dǎo)體狀態(tài)密度狀態(tài)密度:狀態(tài)密度就是在能帶中每單位能量間隔內(nèi)的量子態(tài)數(shù)。在半導(dǎo)體的導(dǎo)帶和價帶中,有很多能級存在。但相鄰能級間隔很小,約為10E-22eV數(shù)量級,可以近似認(rèn)為能級是連續(xù)的。因而可以把能帶分為一個個很小的能量間隔來處理。
狀態(tài)密度
為得到g(E),可以分為以下幾步:?先計算出k空間中量子態(tài)密度;?然后計算出k空間能量為E的等能面在k空間圍成的體積,并和k空間量子態(tài)密度相乘得到Z(E);?再按定義dZ/dE=g(E)求出g(E)。狀態(tài)密度*在K空間中,體積為的一個
立方體中有一個代表點。則K空間代表點
的密度為
*每一個代表點實際上代表自旋方向相反
的兩個量子態(tài),(每個量子態(tài)最多只能容
納一個電子),則K空間允許的量子態(tài)密
度為:狀態(tài)密度狀態(tài)密度狀態(tài)密度第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布1狀態(tài)密度
2費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
3本征半導(dǎo)體中的載流子濃度
4雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度
5簡并半導(dǎo)體費米能級和載流子的統(tǒng)計分布費米能級和載流子的統(tǒng)計分布費米能級EF的意義
費米能級和載流子的統(tǒng)計分布費米能級和載流子的統(tǒng)計分布22、玻耳茲曼分布函數(shù)費米能級和載流子的統(tǒng)計分布費米能級和載流子的統(tǒng)計分布費米能級和載流子的統(tǒng)計分布半導(dǎo)體中載流子的濃度分布必須先知道導(dǎo)帶中能量間隔內(nèi)有多少量子態(tài)量子態(tài)不是完全被電子占據(jù),需要知道量子態(tài)被電子占據(jù)幾率將兩者相乘再除于體積就得出區(qū)間的電子密度,然后再由導(dǎo)帶底至導(dǎo)帶頂積分就得到導(dǎo)帶的電子密度目標(biāo)費米能級和載流子的統(tǒng)計分布費米能級和載流子的統(tǒng)計分布3、導(dǎo)帶中的電子濃度和
價帶中的空穴濃度費米能級和載流子的統(tǒng)計分布3、導(dǎo)帶中的電子濃度和
價帶中的空穴濃度費米能級和載流子的統(tǒng)計分布3、導(dǎo)帶中的電子濃度和
價帶中的空穴濃度費米能級和載流子的統(tǒng)計分布費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
費米能級和載流子的統(tǒng)計分布費米能級和載流子的統(tǒng)計分布費米能級和載流子的統(tǒng)計分布費米能級和載流子的統(tǒng)計分布第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布1狀態(tài)密度
2費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
3本征半導(dǎo)體中的載流子濃度
4雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度
5簡并半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體的載流子濃度本征半導(dǎo)體的載流子濃度本征半導(dǎo)體的載流子濃度本征半導(dǎo)體的載流子濃度本征半導(dǎo)體的載流子濃度
第三章
半導(dǎo)體中
載流子的統(tǒng)計分布回顧:狀態(tài)密度狀態(tài)密度:狀態(tài)密度就是在能帶中每單位能量間隔內(nèi)的量子態(tài)數(shù)?;仡櫍嘿M米分布函數(shù)和玻耳茲曼分布函數(shù)回顧:費米能級EF的意義其中:——導(dǎo)帶有效狀態(tài)密度
1.電子濃度no回顧:導(dǎo)帶電子濃度2.空穴濃度po價帶中的空穴濃度為:其中——價帶的有效狀態(tài)密度回顧:價帶空穴濃度3、載流子濃度積濃度積nopo及影響因素回顧:導(dǎo)帶電子濃度和價帶空穴濃度回顧:本征半導(dǎo)體的電中性條件回顧:本征半導(dǎo)體的電中性條件回顧:本征半導(dǎo)體的電中性條件1狀態(tài)密度
2費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
3本征半導(dǎo)體中的載流子濃度
4雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度
5簡并半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度一、雜質(zhì)能級上的電子和空穴二、n型半導(dǎo)體的載流子濃度雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度一、雜質(zhì)能級上的電子和空穴雜質(zhì)能級最多只能容納某個自旋方向的電子。雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度一、雜質(zhì)能級上的電子和空穴雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度對于Ge、Si和GaAs:gA=4gD=2簡并度:施主濃度:ND
受主濃度:
NA:
(1)雜質(zhì)能級上未離化的載流子濃度nD和pA:(2)電離雜質(zhì)的濃度雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度一、雜質(zhì)能級上的電子和空穴二、n型半導(dǎo)體的載流子濃度
——討論隨溫度升高載流子的濃度變化雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度特征:1、本征激發(fā)可以忽略,p0≌0。
2、導(dǎo)帶電子主要由電離雜質(zhì)提供。
3、nD+《ND
弱電離電中性條件n0=p0+nD+(1)低溫弱電離區(qū):電中性條件n0=p0+nD+
可近似為n0=nD+雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度(1)低溫弱電離區(qū):雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度思路:首先寫出電中性方程,求解出Ef,則n0和p0也隨之確定.(1)低溫弱電離區(qū):雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度(2)中間弱電離區(qū):特征:
1、本征激發(fā)可以忽略,p0≌0。
2、導(dǎo)帶電子主要由電離雜質(zhì)提供。
3、隨著溫度T的增加,nD+已足夠大電中性條件n0=p0+nD+電中性條件n0=p0+nD+
可近似為n0=nD+雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度(2)中間弱電離區(qū):雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度特征:
1、本征激發(fā)可以忽略,p0≌0。
2、導(dǎo)帶電子主要由電離雜質(zhì)提供。
3、雜質(zhì)基本全電離
nD+≌ND電中性條件n0=p0+nD+電中性條件n0=p0+nD+
可簡化為n0=ND(3)強電離區(qū):
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度這時,(3)強電離區(qū):
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度注:強電離與弱電離的區(qū)分:決定雜質(zhì)電離因素:
1、雜質(zhì)電離能;
2、雜質(zhì)濃度。3、溫度雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度特征:1、雜質(zhì)完全電離nD+=ND
2、本征激發(fā)不以忽略。
3、導(dǎo)帶電子主要由電離雜質(zhì)和本征激發(fā)共同提供。電中性條件n0=p0+nD+電中性條件n0=p0+nD+
可簡化為(4)、過渡區(qū):
n0=ND+p0雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度代入(4)、過渡區(qū):
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度討論:(4)、過渡區(qū):
顯然:,過渡區(qū)接近于強電離區(qū)。雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度(4)、過渡區(qū):
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度特征:1、雜質(zhì)完全電離
nD+=ND
2、本征激發(fā)提供的載流子遠(yuǎn)大于
3、雜質(zhì)電離的載流子ni>>ND
電中性條件n0=p0+nD+電中性條件n0=p0+nD+
可簡化為(5)、高溫本征激發(fā)區(qū):N0=p0雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度1.低溫弱電離區(qū)n型Si中Ef與溫度T的關(guān)系總結(jié):4.本征激發(fā)區(qū)
3.過渡區(qū)2.飽和電離區(qū)雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度一般情況下的載流子統(tǒng)計分布(自學(xué))雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子濃度n型Si中電子濃度n與溫度T的關(guān)系總結(jié):雜質(zhì)離化區(qū)過渡區(qū)本征激發(fā)區(qū)n型Si中Ef與摻雜濃度的關(guān)系總結(jié):EF-EC<-2kT,非簡并-2kT≤EF-EC<0,弱簡并
EF-EC≥0,簡并N型半導(dǎo)體的簡并條件:EF-EC≥0P型半導(dǎo)體的簡并條件:Ev-EF≥0簡并半導(dǎo)體簡并半導(dǎo)體簡并半導(dǎo)體簡并半導(dǎo)體簡并半導(dǎo)體GaAs、Si以及Ge發(fā)生簡并時所需的雜質(zhì)濃度:NA(cm-3)ND(cm-3)Ge>1018>1018Si
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