表面工程-09氣相沉積課件

第五章：表面工程技術5.1電鍍，化學鍍5.2熱噴涂5.3堆焊5.4高能束表面改性 5.5氣相沉積

第七章氣相沉積技術5.5.1氣相沉積概述氣相沉積技術是近30年來迅速發(fā)展的表面技術，它利用氣相在各種材料或制品的表面進行沉積，制備單層或多層薄膜，使材料或制品獲得所需的各種優(yōu)異性能。這項技術早期也被稱為“干鍍”，主要分PVD和CVD：物理氣相沉積（PhysicalVaporDeposition）化學氣相沉積（ChemicalVaporDeposition）負偏壓靶基片plasma物理氣相沉積

反應性氣體基片CH4化學氣相沉積

5.5.1氣相沉積概述

19世紀末，德國的Erlwein等利用CVD，在氫氣的參與下，用揮發(fā)性的金屬化合物與碳氫化合物反應，在白熾燈絲上形成TiC。 后來Arkel和Moers等又分別報道了在燈絲上用CVD制取高熔點碳化物工藝試驗的研究結果，直到1945年，CVD方法制備TiC的研究仍限于實驗室，因為當時人們認為該工藝反應溫度高，鍍層脆性大，易于開裂。

1952年聯(lián)邦德國金屬公司冶金實驗室發(fā)現在1000℃下，在鑄鐵表面也能得到粘結很好的TiC鍍層，從1954年起，他們又在模具表面也得到了致密、光滑、粘結力良好的TiC鍍層，井隨之取得了聯(lián)邦德國、美國、法國、瑞典及日本等國的專利。 1966年聯(lián)邦德國的克魯伯公司申請得到鍍硬質合金層的專利，約在同時，瑞典的山特維克公司也開始了TiC鍍層硬質合金的研究，并于1967年獲得成功。從1968-1969年，聯(lián)邦德國和瑞典的TiC鍍層刀片已先后投放世界市場。 到1970年，美國、日本、英國等硬質合金制造商也相繼開始了鍍層刀片的研究與生產，美國TFS公司與聯(lián)邦德國研制的TiN鍍層刀片也相繼問世。

5.5.1氣相沉積概述

到60年代末，CVD制備TiC及TiN硬膜技術已逐漸走向成熟大規(guī)模用于鍍層硬質合金刀片以及Cr12系列模具鋼。目前在發(fā)達國家中，刀片的70％一80％是帶鍍層使用的。

CVD的主要缺點是沉積溫度高（900-1200℃），超過了許多工模具的常規(guī)熱處理溫度，因此鍍覆之后還需進行二次熱處理，不僅引起基材的變形與開裂，也使鍍層的性能下降。 大多數精密刀具都是高速鋼制造的，這些刀具制造復雜，價格昂貴，消耗貴金屬，迫切需要延長使用壽命，因此推動了物理氣相沉積（PVD）硬膜技術的誕生與發(fā)展。5.5.1氣相沉積概述

在1963年D．M．Mattox提出了離子鍍技術，并于1967年取得了美國專利。 時隔兩年，美國的IBM公司研制出射頻濺射法，這兩種技術與蒸鍍構成了PVD的三大系列。 在這之后，又推出了磁控濺射離子鍍、活性反應離子鍍、集團束離子鍍等，與此同時，濺射技術也得到了迅速的發(fā)展，先后出現了二極、三極、磁控和射頻濺射等技術。

1972年美國加州大學Bunshan發(fā)明了活性反應蒸鍍技術，1973年前蘇聯(lián)又推出了多弧離子鍍；與此同時，日本的村山洋一發(fā)明了射頻離子鍍。一年之后。日本的小宮澤治將空心陰極放電技術用于離子鍍形成了目前廣泛應用的空心陰極離子鍍。

5.5.1氣相沉積概述80年代后期發(fā)展的新趨勢是滲、鍍結合的復合處理。常規(guī)鍍層雖然硬，但由于基體軟，重載下易變形，使鍍層破碎。復合處理則在基體中滲入碳、氮等可達數百微米厚，對表面薄膜（鍍層）有足夠的支持強度。滲入處理溫度較高，為降低溫度曾采用離子注入的方法。注入可在100℃以下進行，但缺點是層淺，時間長，設備價格高且為直線性，欲多方位注入則生產率很低，因此離子注入長期未能得到生產應用。80年代以來發(fā)展的離子束輔助鍍膜（IAC）或離子束輔助沉積（IBAD）就是在離子注入上發(fā)展起來的注鍍結合、少注多鍍的工藝。注入層只有幾十到幾百納米厚，是為了提高結合力，沉積時則可形成幾微米厚的膜層，但仍存在直線性和生產率低的缺點。5.5.1氣相沉積概述材料方面，早期發(fā)展的材料為TiC和TN類型，例如AlN，CrN等,為提高硬度后來選擇的是立方氮化硼（CBN）和金剛石、類金剛石（DLC）膜,CBN所用的原料硼烷有毒，因而研究更集中于金剛石方面。

金剛石類型的膜摩擦系數低、硬度高、耐磨性好，具有許多獨特的優(yōu)點，目前的工藝技術已可容易地制備出金剛石及類金剛石膜，但研究時均沉積在硅片一類材料上，機械工業(yè)上的應用尚受到結合力差、易脫落的限制。金剛石的共價鍵與鋼鐵材料的金屬鍵相差懸殊，即使采取過渡層也不易獲得理想的結合強度。5.5.1氣相沉積概述5.5.2氣相沉積的過程氣相沉積基體過程包括三個走驟：（1）提供氣相鍍料；

蒸發(fā)鍍膜:

使鍍料加熱蒸發(fā)；

濺射鍍膜:

用具有一定能量的離子轟擊，從靶材上擊出鍍料原子。（2）鍍料向所鍍制的工件（或基片）輸送（在真空中進行，這主要是為了避免過多氣體碰撞）

高真空度時（真空度為10-2Pa）：鍍料原子很少與殘余氣體分子碰撞，基本上是從鍍源直線前進至基片；

低真空度時（如真空度為10Pa）：則鍍料原子會與殘余氣體分子發(fā)生碰撞而繞射，但只要不過于降低鍍膜速率，還是允許的。

真空度過低，鍍料原子頻繁碰撞會相互凝聚為微粒，則鍍膜過程無法進行。反應鍍鍍料原子在沉積時，可與其它活性氣體分子發(fā)生化學反應而形成化合物膜，稱為反應鍍。反應鍍在工藝和設備上變化不大，可以認為是蒸鍍和濺射的一種應用；離子鍍在鍍料原子凝聚成膜的過程中，還可以同時用具有一定能量的離子轟擊膜層，目的是改變膜層的結構和性能，這種鍍膜技術稱為離子鍍。離子鍍在技術上變化較大，所以通常將其與蒸鍍和濺射并列為另一類鍍膜技術。5.5.2氣相沉積的過程5.5.3.1蒸發(fā)鍍膜(Evaporation)5.5.3.2濺射鍍膜(Sputtering)5.5.3.3離子鍍膜(Ion)5.5.3物理氣相沉積5.5.3.1蒸發(fā)鍍膜

在高真空中用加熱蒸發(fā)的方法使鍍料轉化為氣相，然后凝聚在基體表面的方法稱蒸發(fā)鍍膜（簡稱蒸鍍）。原理：和液體一樣，固體在任何溫度下也或多或少地氣化（升華），形成該物質的蒸氣。在高真空中，將鍍料加熱到高溫，相應溫度下的飽和蒸氣向上散發(fā)，蒸發(fā)原子在各個方向的通量并不相等。基片設在蒸氣源的上方阻擋蒸氣流，蒸氣則在其上形成凝固膜。為了彌補凝固的蒸氣，蒸發(fā)源要以一定的比例供給蒸氣。蒸發(fā)粒子具有的動能是0.1-1.0eV，膜對基體的結合力較弱，一般要對基板進行加熱。 如果要沉積合金，則在整個基片表面和膜層厚度范圍內都必須得到均勻的組分。有兩種基本方式：單電子束蒸發(fā)源沉積和多電子束蒸發(fā)源沉積5.5.3.1蒸發(fā)鍍膜蒸鍍方法：多電子束蒸發(fā)源是由隔開的幾個坩堝組成，坩堝數量按合金元素的多少來確定，蒸發(fā)后幾種組元同時凝聚成膜。單電子束蒸發(fā)源沉積合金時會遇到分餾問題:

以Ni．Cr二元合金為例，它經常用于制造電阻薄膜和抗蝕層。 蒸鍍的合金膜，其組成為80/20。蒸發(fā)溫度約2000K，而鉻在2000K時的蒸氣壓強比鎳要高100倍。如果鍍料是一次加熱，則因鉻原子消耗較快，而使鍍層逐漸貧鉻。 解決分餾問題的辦法是連續(xù)加料，熔池的溫度和體積保持恒定是工藝成功的關鍵。如果合金組元蒸氣壓差別過大，沉積合金的工藝便受到限制。5.5.3.1蒸發(fā)鍍膜大多數的化合物在熱蒸發(fā)時會全部或部分分解。所以用簡單的蒸鍍技術無法由化合物鍍料鍍制出組成符合化學比的膜層。但有一些化合物，如氯化物、硫化物、硒化物和硫化物，甚至少數氧化物如B2O3，SnO可以采用蒸鍍，因為它們很少分解或者當其凝聚時各種組元又重新化合。然而蒸鍍不僅有熱分解問題，也有與坩堝材料反應從而改變膜層成分的問題，這些都是化合物蒸鍍的限制因素。5.5.3.1蒸發(fā)鍍膜蒸鍍只用于鍍制對結合強度要求不高的某些功能膜;例如用作電極的導電膜，光學鏡頭用的增透膜等。蒸鍍用于鍍制合金膜時，在保證合金成分這點上，要比濺射困難得多，但在鍍制純金屬時，蒸鍍可以表現出鍍膜速率快的優(yōu)勢。蒸鍍純金屬膜中，90％是鋁膜，被廣泛用于：在制鏡工業(yè)中已經廣泛采用蒸鍍，以鋁代銀，節(jié)約貴重金屬。集成電路是鍍鋁進行金屬化，然后再刻蝕出導線。在聚酯薄膜上鍍鋁具有多種用途：制造小體積的電容器；制作防止紫外線照射的食品軟包裝袋；經陽極氧化和著色后即得色彩鮮艷的裝飾膜。雙面蒸鍍鋁的薄鋼板可代替鍍錫的馬口鐵制造罐頭盒。5.5.3.1蒸發(fā)鍍膜5.5.3.2濺射鍍膜

濺射鍍膜是指在真空室中，利用荷能粒子轟擊鍍料表面，使被轟擊出的粒子在基片上沉積的技術。濺射下來的材料原子具有10-35eV的動能，遠大于蒸鍍時的原子動能，所以濺射膜的結合強度高于蒸鍍膜。AluminiumTargetPedestalWaferPlasmaArgonSputterProcess

Argongasisfedintothechamberwhichisundervacuum.

Alargevoltageisappliedcausingsomeelectronsontheargonmoleculestobreakfree,leavingpositivelychargedargonions.Ar+Ar+Ar+Ar+ArArArGasInArArArArAr-+e-e-e-e-Theargonionswillbeattractedtothenegativepotential,sothat’swherethetargetmaterialisplaced.Thewaferisplacedonthepositive/neutralelectrode.Theargonbombardsthetargetcausingchunksofmaterialtofallonthewafer.Thefreeelectronscollidewiththeargonatomsproducingmoreionsandsosustainingtheplasmaandthesputteringprocess三極和四極濺射

三極濺射是在二極濺射的裝置上附加一個電極，使放出熱電子強化放電，它既能使濺射速率有所提高，又能使濺射工況的控制更為方便。四極濺射如圖所示，這種濺射方法還是不能抑制由靶產生的高速電子對基片的轟擊，還存在因燈絲具有不純物而使膜層沾污等問題。5.5.3.2濺射鍍膜

磁控濺射：磁控濺射是70年代迅速發(fā)展起來的新型濺射技術，目前已在工業(yè)生產中實際應用。磁控濺射的鍍膜速率與二極濺射相比提高了一個數量級，它具有高速、低溫、低損傷等優(yōu)點：高速是指沉積速率快；低溫和低損傷是指基片的溫升低、對膜層的損傷小。5.5.3.2濺射鍍膜

在陰極靶面上建立一個平行的磁場，使靶放出的高速電子轉向，從而減小了電子沖擊基板發(fā)熱的影響，在133Pa的低壓下，基本溫度在100℃就可成膜。能量較低的二次電子在靠近靶的封閉等離子體中作循環(huán)運動，路程足夠長，每個電子使原子電離的機會增加，而且只有在電子的能量耗盡以后才能脫離靶表面落在陽極（基片）上，這是基片溫升低、損傷小的主要原因。高密度等離子體被電磁場束縛在靶面附近，不與基片接觸。這樣電離產生的正離子能十分有效地轟擊靶面，基片又免受等離子體的轟擊。電子與氣體原子的碰撞幾率高，因此氣體離化率大大增加。

5.5.3.2濺射鍍膜

磁控濺射原理：前述各種方法都是把靶置于等離子體中，因此膜面都要受到氣體和帶電粒子的沖擊、膜的性能受等離子體狀態(tài)的影響很大，濺射條件也不易嚴格控制，例如氣體壓力、靶電壓、放電電流等參數都不能獨立控制。離子束濺射是采用單獨的離子源產生用于轟擊靶材的離子，獨立控制轟擊離子的能量和束流密度，基片不接觸等離子體，這些都有利于控制膜層質量。此外，離子束濺射是在真空度比磁控濺射更高的條件下進行的，這有利于降低膜層中的雜質氣體的含量但是離子束濺射鍍膜速度太低，也不適合鍍大面積工件。5.5.3.2濺射鍍膜

離子束濺射：在物理氣相沉積的各類技術中，濺射最容易控制合金膜的成分：

鍍制合金膜可以采用多靶共濺射，這時控制各個磁控靶的濺射參數，可以得到一定成分的合金膜。如果直接采用合金靶（單靶）進行濺射，則不必采用任何控制措施，就可以得到與靶材成分（相對一致）的合金膜。

化合物膜的鍍制可選用化合物靶濺射和反應濺射。許多化合物是導電材料，其電導率有的甚至與金屬材料相當，這時可以采用化合物靶進行直流濺射。對于絕緣材料化合物，則只能采用射頻濺射。5.5.3.2濺射鍍膜

濺射薄膜按其不同的功能和應用可大致分為機械功能膜和物理功能膜兩大類：前者包括耐磨、減摩、耐熱、抗蝕等表面強化薄膜材料、固體潤滑薄膜材料；后者包括電、磁、聲、光等功能薄膜材料等。Cr－CrN等合金靶或鑲嵌靶，在N2，CH4等氣氛中進行反應濺射鍍膜，可以在各種工件上鍍Cr，CrC，CrN等鍍層，取代鍍硬鉻。用TiN，TiC等超硬鍍層涂覆刀具、模具等表面，摩擦系數小，化學穩(wěn)定性好，具有優(yōu)良的耐熱、耐磨、抗氧化、耐沖擊等性能，既可以提高刀具、模具等的工作特性，又可以提高使用壽命，一般可使刀具壽命提高3-10倍。在高溫、低溫、超高真空、射線輻照等特殊條件下工作的機械部件不能用潤滑油，只有用軟金屬或層狀物質等固體潤滑劑，其中濺射法制取MoS2膜及聚四氟乙烯膜十分有效。

5.5.3.2濺射鍍膜

離子鍍就是在鍍膜的同時，采用帶能離子轟擊基片表面和膜層的鍍膜技術。離子轟擊的目的在于改善膜層的性能，離子鍍是鍍膜與離子轟擊改性同時進行的鍍膜過程。離子鍍可以看作是高級的真空蒸鍍技術無論是蒸鍍還是濺射都可以發(fā)展成為離子鍍。在磁控濺射時，將基片與真空室絕緣，再加上數百伏的負偏壓，即有能量為100eV量級的離子向基片轟擊，從而實現離子鍍。離子鍍也可以在蒸鍍的基礎上實現，例如在真空室內通入1Pa量級的氬氣后，在基片上加上1000V以上的負偏壓，即可產生輝光放電，并有能量為數百電子伏的離子轟擊基片，這就是離子鍍。5.5.3.3離子鍍膜對于真空蒸鍍、濺射、離子鍍三種不同的鍍膜技術，入射到基片上的每個沉積粒子所帶的能量是不同的： 熱蒸鍍原子大約0.2eV，濺射原子大約1-50eV，而離子鍍中轟擊離子大概有幾百到幾千eV。離子轟擊對基片表面有清洗作用，另外還能促進形成共混的過渡層。如果離子轟擊的熱效應足以使界面處產生擴散層，形成冶金結合，則更有利于提高結合強度。蒸鍍的膜層其殘余應力為拉應力，而離子轟擊產生壓應力，可以抵消一部分拉應力。離子轟擊可以提高鍍料原子在膜層表面的遷移率，這有利于獲得致密的膜層。如果離子能量過高會使基片溫度升高，使鍍料原子向基片內部擴散，這時獲得的就不再是膜層而是滲層，離子鍍就轉化為離子滲鍍了。離子滲鍍的離子能量為1000eV左右。5.5.3.3離子鍍膜空心陰極離子鍍（HCD）

HCD法是利用空心熱陰極放電產生等離子體。空心鉭管作為陰極，輔助陽極距陰極較近，二者作為引燃弧光放電的兩極。陽極是鍍料?；」夥烹娭饕诠芸诓课划a生。該部位在離子轟擊下溫度高達2500K左右，于是放射電子使弧光放電得以維持。HCD槍引出的電子束初步聚焦后，在偏轉磁場作用下，束直徑收縮而聚焦在坩堝上。HCD槍既是鍍料的氣化源也是蒸發(fā)粒子的離化源。由于帶電粒子密度大，而且具有大量的高速中性粒子，所以離化率較高，實際測量的金屬離化率是20％～40％5.5.3.3離子鍍膜多弧離子鍍多弧離子鍍是采用電弧放電的方法，在固體的陰極靶材上直接蒸發(fā)金屬，電流可達105-107A/cm2，使金屬蒸發(fā)并由于電弧放電中電子的沖擊使蒸發(fā)到弧柱的金屬電離成等離子狀態(tài)，并在負壓的基體上沉積。這種裝置不需要熔池，陰極靶可根據工件形狀在任意方向布置。入射粒子能量高，膜的致密度高，強度好，膜基界面產生原子擴散，結合強度高，離化率高，一般可達60％～80％。突出優(yōu)點是蒸鍍速率快，TiN膜可達10-1000nm/s。以噴射蒸發(fā)的方式成膜，可以保證膜層成分與靶材一致，這是其它蒸鍍技術所做不到的。5.5.3.3離子鍍膜5.5.3.3離子鍍膜5.5.3.3離子鍍膜5.5.4化學氣相沉積（CVD）

氣相沉積過程的基本步驟與物理氣相沉積不同的是，沉積粒子來源于化合物的氣相分解反應。 其過程為在相當高的溫度下，混合氣體與基體的表面相互作用，使混合氣體中的某些成分分解，并在基體上形成一種金屬或化合物的固態(tài)薄膜或鍍層。TheCVDProcessStep1:Gasesareintroducedintothesystemwhichmaybeatatmosphericorlowpressure.Step2:Theprecursorsdiffusethroughthesystemtothestagnantgasflowabovethewafersurfacewheretheyareadsorbed.Step3:Theseprecursorsmigrateonthesurfacesothatchemicalreactionscanbeginandproducesolidby-products.Step4:Thesesolidby-productsformnucleiwhichgrownintoislandswhilethewasteby-productsarepumpedawayStep5:Theseislandsofmaterialeventuallymergetogethersothatacontinuousfilmisproduced.5.5.4化學氣相沉積（CVD）

氣相沉積過程的基本步驟與物理氣相沉積不同的是，沉積粒子來源于化合物的氣相分解反應。

PrecursorReactorEnergyThinfilmsGasbyproducthydrides:（氫化物）MHx-

SiH4,GeH4,AlH3(NMe3)2,NH3,PH3...

halides:（鹵化物）MXy-

TiCl4,TaCl5,MoF6,WF6,...

metal-organics

（金屬有機物）-

metalalkyls（烷基）

metalalkoxides

（醇鹽）

metaldialkylamides

（乙二醇胺）:

metaldiketonates

（二酮）:

metalcarbonyls（羰基）:

others:complexeswithalkene,allyl, cyclopentadienyl,etc.

Precursor5.5.4.1化學氣相沉積（CVD）的過程Reactor5.5.4.1化學氣相沉積（CVD）的過程CVD的過程： 混合氣體與基體的表面相互作用，使混合氣體中的某些成分分解，并在基體上形成一種金屬或化合物的固態(tài)薄膜或鍍層。 通常CVD的反應溫度范圍大約900-2000℃。 中溫CVD（MTCVD）的典型反應溫度大約500-800℃，它通常是通過金屬有機化合物在較低溫度的分解來實現的，所以又稱金屬有機化合物CVD（MOCVD）。 等離子體增強CVD（PCVD）以及激光CVD（LCVD）中氣相化學反應由于等離子體的產生或激光的輻照也可以把反應溫度降低。

5.5.4化學氣相沉積（CVD）的過程

CVD法沉積金剛石薄膜的示意圖CH4(g)→C(s)+2H2(g)SiH4(g)→Si(s)+2H2(g)熱分解反應：Ni(CO)4(g)→Ni(s)+4CO(g)還原反應：WF6(g)+3H2(g)→W(s)+6HF(g)氧化反應：SiH4(g)+O2(g)→SiO2(s)+2H2(g)水解反應：2AlCl3(g)+3CO2(g)+3H2(g)→Al2O3(s)+6HCl(g)+3CO(g)5.5.4化學氣相沉積（CVD）的過程

5.5.4.2CVD的特點（1）在中溫或高溫下，通過氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學反應而沉積固體。（2）可以在大氣壓（常壓）或者低于大氣壓下（低壓）進行沉積。一般來說低壓效果要好些。（3）采用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。（4）鍍層的化學成分可以改變，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。（5）可以控制鍍層的密度和純度。（6）繞鍍性好，可在復雜形狀的基體上以及顆料材料上鍍制。（7）氣流條件通常是層流的，在基體表面形成厚的邊界層。（8）沉積層通常具有柱狀晶結構，不耐彎曲。但通過各種技術對化學反應進行氣相擾動，可以得到細晶粒的等軸沉積層。（9）可以形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物鍍層。5.5.4.2CVD的特點由于傳統(tǒng)的CVD沉積溫度大約在800℃以上，所以必須選擇合適的基體材料。

例如，大部分鋼就不合適：應力，相變等常用的基體包括： 各種難熔金屬（鉬常被采用）、石英、陶瓷、硬質合金等。 當沉積溫度低于700℃時，也可以鋼為基體，但對鋼的表面必須進行保護，一般用電鍍或化學鍍的方法在表面沉積一薄層鎳。5.5.4.2CVD的特點CVD

鍍層可用于要求耐磨、抗氧化、抗腐蝕以及有某些電學、光學和摩擦學性能的部件。

對于耐磨硬鍍層一般采用難熔的硼化物、碳化物、氮化物和氧化物。

在耐磨鍍層中，用于金屬切削刀具占主要地位。滿足這些要求的鍍層包括TiC，TiN，Al2O3，TaC，HfN和TiB2以及它們的組合。 除刀具外，CVD鍍層還可用于其它承受摩擦磨損的設備，如泥漿傳輸設備、煤的氣化設備和礦井設備等。

5.5.4.2CVD的特點5.5.4.3金屬有機化合物化學氣相沉積（MOCVD）

MOCVD是常規(guī)CVD技術的發(fā)展。它用在相當低的溫度下能分解的金屬有機化合物作初始反應物。 MOCVD的優(yōu)點是可以在熱敏感的基體上進行沉積； 其缺點是沉積速率低、晶體缺陷密度高、膜中雜質多。

在這種技術中把欲鍍膜層的一種或幾種組分以金屬烷基化合物的形式輸送到反應區(qū)，而其它的組分可以氫化物的形式輸送。其它的初始反應物，如氯置換的金屬烷基化合物或配位化合物也可采用。

已經用金屬有機化合物沉積了氧化物、氮化物、碳化物和硅化物鍍層。許多金屬有機化合物在中溫分解，可以沉積在如鋼這樣一類的基體上。所以這項技術也被稱為中溫CVD（MTCVD）。5.5.4.4等離子作輔助化學氣相沉積（PCVD）PCVD法的工作原理：工件置于陰極上，利用輝光放電或外熱源使工件升到一定溫度后，與CVD法相似，通入適量的反應氣，經過化學和等離子體反應生成沉積薄膜。由于存在輝光放電過程，氣體劇烈電離而受到活化，這和CVD法的氣體單純受熱激活不同，所以反應溫度可以大大下降。PCVD法與CVD法比較

在硬質合金表面作鍍層時由于溫度低，基體不易脫碳，鍍層下仍能保持基體中WC的含量，鍍層后整體的橫斷強度下降不多，在切削過程中不易發(fā)生硬質合金刀頭的折斷。PCVD法要求的真空度比PVD低，設備成本也比PVD法和CVD法的低。PCVD法的結合強度比PVD法好，鍍后刀具的色澤可以和PVD的金黃色相似，因此在一定程度上取代了PVD法和CVD法，有著良好的發(fā)展前景。5.5.4.4等離子作輔助化學氣相沉積（PCVD） 激光化學氣相沉積是新出現的技術，通過激光激活而使常規(guī)CVD技術得到強化，工作溫度大大降低，在這個意義上LCVD類似于PCVD技術，然而這兩種技術之間有一些重要差別。5.5.4.5激光輔助化學氣相沉積（LCVD）LCVD的應用包括激光光刻、大規(guī)模集成電路掩膜的修正、激光蒸發(fā)一沉積以及金屬化。5.5.4.5激光輔助化學氣相沉積（LCVD）5.5.5兩種工藝的對比（1）工藝溫度高低是CVD和PVD之間的主要區(qū)別： 溫度對于高速鋼鍍膜具有重大意義。CVD法的工藝溫度超過了高速鋼的回火溫度，用CVD法鍍制的高速鋼工件，必須進行鍍膜后的真空熱處理，以恢復硬度。鍍后熱處理會產生不容許的變形。（2）CVD工藝對進入反應器