YS/T 1053-2015電子薄膜用高純鈷靶材

ICS7715070

H62..

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T1053—2015

電子薄膜用高純鈷靶材

High-puritycobaltsputteringtargetusedinelectronicfilm

2015-04-30發(fā)布2015-10-01實(shí)施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T1053—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位寧波江豐電子材料股份有限公司有研億金新材料有限公司

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人王學(xué)澤李勇軍鄭文翔羅俊鋒袁海軍熊曉東陳勇軍劉丹陸彤袁潔

:、、、、、、、、、、

張濤

。

Ⅰ

YS/T1053—2015

電子薄膜用高純鈷靶材

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子薄膜用高純鈷靶材以下簡稱高純鈷靶的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志包

()、、、

裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書及訂貨單或合同內(nèi)容

、、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子薄膜制造用的各類高純鈷靶

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

一般公差未注公差的線性和角度尺寸的公差

GB/T1804

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

金屬平均晶粒度測定方法

GB/T6394

金屬板材超聲板波探傷方法

GB/T8651

金屬材料中氫氧氮碳和硫分析方法通則

GB/T14265、、、

濺射靶材背板結(jié)合質(zhì)量超聲波檢驗(yàn)方法

YS/T837-

高純鈷化學(xué)分析方法雜質(zhì)元素含量的測定輝光放電質(zhì)譜法

YS/T1011

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

靶材target

濺射沉積技術(shù)中的陰極部分該陰極材料在帶正電荷的陽離子撞擊下以分子原子或離子的形式

。、

脫離陰極而在陽極表面沉積

。

4要求

41產(chǎn)品分類

.

411高純鈷靶按純度分為兩個(gè)級別

..4N5(99.995%)、5N(99.999%)。

412高純鈷靶按焊接方式分為釬焊和非釬焊

..。

42化學(xué)成分

.

高純鈷靶化學(xué)成分及雜質(zhì)元素要求應(yīng)符合表的規(guī)定

1。

43晶粒尺寸

.

高純鈷靶的晶粒尺寸應(yīng)符合表的規(guī)定需方如有特殊要求時(shí)由供需雙方商定并在訂貨單或

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