標(biāo)準(zhǔn)解讀

《YS/T 15-2015 硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定磨角染色法》是一項(xiàng)專門(mén)針對(duì)半導(dǎo)體材料中硅外延層及擴(kuò)散層厚度測(cè)量的方法標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)規(guī)定了一種基于物理磨角與化學(xué)染色相結(jié)合的技術(shù)路徑來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)特定層狀結(jié)構(gòu)厚度的精確評(píng)估。

在實(shí)際操作過(guò)程中，首先需要將待測(cè)樣品進(jìn)行適當(dāng)?shù)谋砻嫣幚恚ǖ幌抻谇逑?、去油等步驟，確保其表面清潔無(wú)污染。接著，在嚴(yán)格控制條件下使用砂紙或拋光布等工具沿樣品邊緣以一定角度進(jìn)行打磨，形成一個(gè)平滑且連續(xù)變化的角度斜面。此過(guò)程需謹(jǐn)慎操作，避免因力度不當(dāng)導(dǎo)致材料損傷或引入額外應(yīng)力影響后續(xù)觀察結(jié)果準(zhǔn)確性。

完成磨角后，利用特定化學(xué)試劑對(duì)待測(cè)區(qū)域進(jìn)行染色處理。不同性質(zhì)的硅層（如外延層、擴(kuò)散層）對(duì)于同一種染料可能表現(xiàn)出不同程度的顏色反應(yīng)差異，依據(jù)這些視覺(jué)上可辨別的顏色分界線即可大致判斷出各層邊界位置。進(jìn)一步地，借助顯微鏡或其他高精度光學(xué)儀器測(cè)量從樣品表面到該顏色變化點(diǎn)之間的距離，即為所求之層厚值。

整個(gè)實(shí)驗(yàn)流程要求操作者具備良好的專業(yè)知識(shí)背景以及豐富實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，并且實(shí)驗(yàn)環(huán)境應(yīng)符合相關(guān)安全規(guī)范，比如通風(fēng)良好、佩戴防護(hù)裝備等。此外，為了保證數(shù)據(jù)可靠性和重復(fù)性，還建議定期校準(zhǔn)所用設(shè)備并嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)要求執(zhí)行每一步驟。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2015-04-30 頒布
  • 2015-10-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
YS/T 15-2015硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定磨角染色法_第1頁(yè)
YS/T 15-2015硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定磨角染色法_第2頁(yè)
YS/T 15-2015硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定磨角染色法_第3頁(yè)
YS/T 15-2015硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定磨角染色法_第4頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T15—2015

代替

YS/T15—1991

硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定

磨角染色法

Testmethodforthicknessofepitaxiallayersanddiffusedlayers

byanglelapstain

2015-04-30發(fā)布2015-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

中華人民共和國(guó)有色金屬

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定

磨角染色法

YS/T15—2015

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

201512

*

書(shū)號(hào)

:155066·2-29195

版權(quán)專有侵權(quán)必究

YS/T15—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定磨角染色法

YS/T15—1991《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定磨角染色法相比主要有如下變動(dòng)

YS/T15—1991《》,:

測(cè)量范圍由原改為

———“1μm~25μm”“1μm~100μm”;

規(guī)范性引用文件中增加

———GB/T6617、GB/T14146、GB/T14264、GB/T14847;

增加了術(shù)語(yǔ)和定義干擾因素

———、;

方法提要中用顯微鏡圖像處理技術(shù)代替干涉條紋法計(jì)算薄層厚度

———;

試劑和材料刪除了與干涉條紋法有關(guān)的試劑和材料

———“”;

刪除了原圖增加了斜面示意圖

———2,;

修改了測(cè)量步驟及測(cè)量結(jié)果的計(jì)算

———;

重新確定了精密度

———。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位南京國(guó)盛電子有限公司有研新材料股份有限公司上海晶盟硅材料有限公司

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人馬林寶楊帆葛華孫燕徐新華

:、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———YS/T15—1991。

Ⅰ

YS/T15—2015

硅外延層和擴(kuò)散層厚度測(cè)定

磨角染色法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了測(cè)定硅外延層和擴(kuò)散層厚度的磨角染色法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于外延層和擴(kuò)散層與襯底導(dǎo)電類型不同或兩層電阻率相差至少一個(gè)數(shù)量級(jí)的任意電阻

率的硅外延層和擴(kuò)散層厚度的測(cè)量測(cè)量范圍為

,1μm~100μm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅片電阻率測(cè)定擴(kuò)展電阻探針?lè)?/p>

GB/T6617—2009

硅外延層載流子濃度測(cè)定汞探針電容電壓法

GB/T14146-

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法

GB/T14847

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

試樣經(jīng)研磨獲得一個(gè)與原始表面有很小傾角的斜面通過(guò)化學(xué)染色在斜面上顯露出各層間的界面

,。

采用顯微鏡圖像處理技術(shù)讀取薄層斜面長(zhǎng)度根據(jù)薄層斜面的長(zhǎng)度計(jì)算薄層厚度

,,。

5干擾因素

51染色后各層間的分界線模糊會(huì)影響測(cè)量結(jié)果的精度

.。

52中在電腦圖像界面取值時(shí)的操作會(huì)給測(cè)量結(jié)果帶來(lái)差異

.9.3。

53測(cè)量時(shí)圖中AB線應(yīng)與染色后各層間的分界線垂直否則會(huì)加大測(cè)量誤差

.3,。

6試劑和材料

61氫氟酸ρ分析純

.:(=1.15g/mL)。

62過(guò)氧化氫分析純

.(3+7),。

63高純水電阻率大于

.

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