BGA焊接品質(zhì)分析改善課件

PCEGDMD(I)ENGINEERINGDEPARTMENTBGA焊接品質(zhì)研究及改善20025/28AMF發(fā)生2PCSNICFAILURE,國外對此分析,未找到不良原因.5/30AMF送回3PCS不良板作分析.DMD重新測試ICT結(jié)果OK;重測FVS發(fā)現(xiàn)時而OK.時而NG起因是否有規(guī)律呢?我們收集不良數(shù)據(jù)以便層別.廠內(nèi)國外均有發(fā)現(xiàn)此類不良,為何我們不能完全測出?不良情形到底如何呢?我們決定去實驗室作CROSSSECTION分析數(shù)據(jù)匯整匯整國外資料,5月份共交貨215,353,此種不良共37PCS,約176PPM廠內(nèi)NICFAILURE共64PCS,304PPM為何ICTFVS不能完全測出BGAPADCOPPER我們在測試時會對BGA施加壓力,導(dǎo)致其斷裂面接觸,從而引起時好時壞的現(xiàn)象.無法100%測試出來不良的ROOTCAUSE是什麼呢?第一種不良分析錫肩外形規(guī)則,且出現(xiàn)在分層面,初步判定為BGA封裝時不良焊錫角>90O

說明BGA本體

PAD吃錫不良小結(jié):原材不良,需進(jìn)一步確認(rèn)BGA原材料確認(rèn)加熱,將BGA錫球取下,發(fā)現(xiàn)BGA本體PAD焊錫性不良,出現(xiàn)

DEWETTING現(xiàn)象發(fā)現(xiàn)BGA來料錫球壓傷,多球,

少球,露銅,氧化等多種不良小結(jié):BGA的確來料不良.(INTEL無此類標(biāo)準(zhǔn))INTEL標(biāo)準(zhǔn):錫球共面性要求:高低差<8milBGA來料不良改善:PASS此不良信息及不良樣品給INTEL要求其改善效果確認(rèn):D/C0242后BGA品質(zhì)有明顯改善小結(jié):改善后不良率<200PPMBGACRACK要因分析為何BGA會斷裂人機(jī)料法訓(xùn)練不足未依SOP作業(yè)紀(jì)律性問題ICT測試治具不良FVS測試治具不良插件維修治具不良PCBHANDLING方法不當(dāng)流板方法不當(dāng)迴流焊溫度不當(dāng)波峰焊接溫度不當(dāng)印刷錫膏不良貼裝不良來料不良物料儲存不當(dāng)物料使用不當(dāng)PROCESSCHECK錫膏印刷錫膏厚度0.148~0.160MM

良好鋼板刮印干淨(jìng)張力40N/CM刮刀無變形錫膏開封后使用時間控制在3小時內(nèi)零件貼裝NOZZLE選用正確#4真空吸力正常:<-80貼裝品質(zhì)OKPROCESSCHECKICTFVSSTRAINGAGE測試結(jié)果<450u業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)<500uOKCALL供應(yīng)商INTEL工程人員來廠處理,無結(jié)果!!!BGACRACK分析之一斷裂界面發(fā)生在IMC層斷裂界面樹枝狀晶粒突出表面BGACRACK分析BGACRACK分析之二CuSolderIMCNIIMC晶粒粗大BGACRACK分析BGACRACK分析之四晶粒粗大的原因是IMC層晶粒成長時間過長(冶金學(xué))AFTERREFLOWAFTERWAVESOLDER晶粒細(xì)密,規(guī)則,錫球完全與

BGA焊墊結(jié)合,良好IMC層晶粒粗大成樹枝狀,IMC層成型惡化.錫球不完全與BGA銲墊結(jié)合結(jié)論:波峰焊制程影響IMC層晶粒大小及品質(zhì)VS焊接外形BGACRACK分析BGACRACK分析之四迴流焊后IMC層晶粒波峰焊后IMC層晶粒結(jié)論:波峰焊制程影響IMC層晶粒大小及品質(zhì)BGACRACK分析BGACRACK分析之五160oC170oC180oC190oCDe-Wet[BGAOJ]PCBPAD易裂PCBPAD有凹陷BGAPAD有凹陷IMC層強(qiáng)度較弱BGAPAD焊錫性減弱並IMC強(qiáng)度減弱BGAPADDE-WETTINGBGA焊接品質(zhì)良好IMC層強(qiáng)度開始變?nèi)踉囼灲Y(jié)果表明:在波峰焊制程中,BGA錫球溫度峰值在160OC以下時不影響錫球焊接品質(zhì)!!!!BGACRACK分析波峰焊如何影響B(tài)GA焊接??客戶設(shè)計不良,BGA區(qū)域有大量VIA通孔,熱空氣直接從此通過對錫球加熱如何改善此現(xiàn)象呢??對策及實施改善CARRIER,阻擋熱空氣對BGA直接加熱如何改善?對策及實施知難行易!!對策及實施對策實施ITEM

PEAK(oC)OLDCARRIER178.2oCNEWCARRIER103.5oC改善前:PEAK>178OC改善后:PEAK<110OC效果確認(rèn)BGA焊接不良率從2500PPM下降到200PPM以下.內(nèi)部BGA不良改善標(biāo)準(zhǔn)化轉(zhuǎn)換為LESSONLEARNWAVESOLDER載具標(biāo)準(zhǔn)化,寫入載具制作辦法中INTEL治具同樣改善完畢,全面實施.知其然,知其所以然方為知識!!INTEL對此給予肯定並用此經(jīng)驗協(xié)助ASUS處理此異常真空包埋成份比例:環(huán)氧樹脂VS固化劑5:1H2NO3MONTH一二三四五六七八九十十一十二Plan402,386285,680266,748500,217217,914346,122627,243305,069407,139427,834340,889494434Actual398,745275,382253,807334,956215,353342,602636,432306,482405,023427,657338,8694915372002年度各月生產(chǎn)計劃與實際達(dá)成狀況比較Q4TOTALOUTPUT:1,258,063PCS北橋:16.5$南僑:16$LANCHIP:10$原不良率以2000PPM計算:1258063*0.002*(10$+16$+16.5$)=106935$DOERecommendedProfileKeyDataPoints

Liquidusdwell<60s(preferably~30s)Pre-spikedwell~90sHeatingramp~2-4C/secCoolingramp~3-5C/secBandwidth<10C(Deltabetweenpro)O2Environment<20ppmDOERecommendedProfileRoomTemp=25CFluxActivationTemp=150CSolderReflowTemp=183CSpikeTemp~220C4.5Min=/-0.5min~30-60sec~90-120secTempRamp=2-4C/secCoolRamp=3-5C/secDOERecommendedProfileProBeltSpeed: Slowto~55cm/minIncreaseInitialrampFlattensoakrampLowerzone6(boardshouldbebelow183C)Increasespiketemp.Increasecoolingtemp.speedPrimarySideTemp.Preheat03