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1、什么是平衡PN無外加電場的情況下,當(dāng)PN結(jié)形成后,N區(qū)電子填充能帶水平高,將逐漸流向PP區(qū)電子填充能帶的水平逐漸升高,同時,NN和P的費米能級(EF)n(EFpPN結(jié)。2、介紹平衡PNPN區(qū)交界面附近形成了一個電荷區(qū),它就是3PNPNPNPN4PNPN當(dāng)施加正向電壓(P區(qū)接正極強度,多子的擴散使得形成電流,此為正向偏置,此時,PN結(jié)電阻很小,為導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)(N區(qū)接正極多子擴散被抑制,此為反向偏置,此時,PN結(jié)顯高電阻。勢壘電容:當(dāng)外加電壓變化時,PN結(jié)空間電荷寬度跟著發(fā)生變化,因而是雷區(qū)的電荷量也擴散電容:PN結(jié)擴散電容來源于擴散區(qū)積累的過剩載流子電荷隨外加電壓的變化,同時,7、PNPNPN結(jié)處于正偏的時候,為導(dǎo)通狀態(tài),處于反偏時,為關(guān)斷的狀PN結(jié)的開關(guān)特性。1P型MIS當(dāng)
VGVT。3mosMOS管的偏置電壓如下圖,VGS>0,DSDS之間添加大于零的電當(dāng)VDSO或較小時,溝道分布如圖一,此時VDS基本均勻降落在溝道中,沿溝道方向IDS隨VDS線性增加,此為線性區(qū)。飽和區(qū)后,VDS繼續(xù)增大到一定程度時,晶體管將進入擊穿區(qū),I
4mos管的直流特性曲線5mosMOS管:當(dāng)柵電壓為零時不存在導(dǎo)電溝道,必須在柵上施加電壓才能形成反型層溝MOS管:零偏壓下也存在導(dǎo)電溝道,必須在柵上施加偏壓才能使溝道內(nèi)載流子耗盡NP6MOS交流高頻的情況下,MOS器件對這些本征電容和非本征電容充放電存在一定延時,此外,載流子渡越溝道需要一定時間,這些延時決定MOS管存在使用頻率的限制。MOS7MOS柵的變化:新型柵材料(高K柵介質(zhì)、金屬柵(雙柵器件,圍柵器件溝道的變化:新材料(GeSi溝道
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