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1、什么是平衡PN無外加電場的情況下，當(dāng)PN結(jié)形成后，N區(qū)電子填充能帶水平高，將逐漸流向PP區(qū)電子填充能帶的水平逐漸升高，同時，NN和P的費米能級(EF)n(EFpPN結(jié)。2、介紹平衡PNPN區(qū)交界面附近形成了一個電荷區(qū)，它就是3PNPNPNPN4PNPN當(dāng)施加正向電壓（P區(qū)接正極強度，多子的擴散使得形成電流，此為正向偏置，此時，PN結(jié)電阻很小，為導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)（N區(qū)接正極多子擴散被抑制，此為反向偏置，此時，PN結(jié)顯高電阻。勢壘電容：當(dāng)外加電壓變化時，PN結(jié)空間電荷寬度跟著發(fā)生變化，因而是雷區(qū)的電荷量也擴散電容：PN結(jié)擴散電容來源于擴散區(qū)積累的過剩載流子電荷隨外加電壓的變化，同時，7、PNPNPN結(jié)處于正偏的時候，為導(dǎo)通狀態(tài)，處于反偏時，為關(guān)斷的狀PN結(jié)的開關(guān)特性。1P型MIS當(dāng)
VGVT。3mosMOS管的偏置電壓如下圖，VGS>0,DSDS之間添加大于零的電當(dāng)VDSO或較小時，溝道分布如圖一，此時VDS基本均勻降落在溝道中，沿溝道方向IDS隨VDS線性增加，此為線性區(qū)。飽和區(qū)后，VDS繼續(xù)增大到一定程度時，晶體管將進入擊穿區(qū)，I
4mos管的直流特性曲線5mosMOS管：當(dāng)柵電壓為零時不存在導(dǎo)電溝道，必須在柵上施加電壓才能形成反型層溝MOS管：零偏壓下也存在導(dǎo)電溝道，必須在柵上施加偏壓才能使溝道內(nèi)載流子耗盡NP6MOS交流高頻的情況下，MOS器件對這些本征電容和非本征電容充放電存在一定延時，此外，載流子渡越溝道需要一定時間，這些延時決定MOS管存在使用頻率的限制。MOS7MOS柵的變化：新型柵材料（高K柵介質(zhì)、金屬柵（雙柵器件，圍柵器件溝道的變化：新材料（GeSi溝道
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