南通大學(xué)半導(dǎo)體器件物理試卷

本文格式為Word版，下載可任意編輯——南通大學(xué)半導(dǎo)體器件物理試卷···············：··號(hào)：··學(xué)）名線(xiàn)簽··（··名··姓··生··學(xué)··：··級(jí)。·效·班弊··無(wú)作··不·題·絕·，··答試訂內(nèi)考·信·線(xiàn)·誠(chéng)··封，··則·密·規(guī)··場(chǎng)··：考··業(yè)守··專(zhuān)遵··覺(jué)··自裝，中··試··考··次··本··在··：··諾··：承··院人·學(xué)本南通大學(xué)2023—2023學(xué)年第一學(xué)期半導(dǎo)體器件(閉卷)試卷（A）第1頁(yè)共3頁(yè)

試題一二三四五六得分總分得分評(píng)卷人—————————得分評(píng)卷人一、填空題（每空1分，共20分）二、簡(jiǎn)答題（每題6分，共36分）1、為什么理想PN結(jié)電流是少子擴(kuò)散電流？1、一硅單邊突變結(jié)，將1/Cj2對(duì)V作圖，可以得到一直線(xiàn)，由其斜率可求出；2、解釋PN結(jié)的雪崩擊穿機(jī)制，并寫(xiě)出雪崩擊穿的條件。而由交點(diǎn)（1/Cj2=0）可求出。3、什么是阱結(jié)構(gòu)CMOS電路的閂鎖效應(yīng)？密2、根據(jù)反型層的形式，MOSFET有四種基本形式：————————————4、比較MOSFET和雙極型晶體管兩種器件。n溝加強(qiáng)型、、p溝加強(qiáng)型和。5、什么是短溝道MOSFET的漏極導(dǎo)致勢(shì)壘下降效應(yīng)（DIBL）？3、一硅單邊突變結(jié)，其中ND>>NA，該結(jié)的內(nèi)建電勢(shì)Vbi為；6、解釋雙極型晶體管的基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)。該結(jié)的耗盡層寬度W為；該結(jié)的最大電場(chǎng)Em為。4、當(dāng)PN結(jié)處于正偏時(shí)，中性區(qū)儲(chǔ)存電荷的重新排列，對(duì)結(jié)電容會(huì)產(chǎn)生顯著的附加電容，這附加電容稱(chēng)為。5、MOSFET的亞閾值電流是指；封——————————亞閾值擺幅其定義是。6、假使MOSFET被制作在絕緣層上而非半導(dǎo)體襯底上，溝道層為非晶或多晶硅時(shí)，尋常稱(chēng)這些器件為。7、當(dāng)理想MOS二極管所加偏壓為正或負(fù)時(shí)，半導(dǎo)體表面可能會(huì)出現(xiàn)、和等三種狀況。線(xiàn)8、金屬-半導(dǎo)體接觸分為肖特基勢(shì)壘接觸和歐姆接觸，前者的主要傳導(dǎo)機(jī)制是，————————后者的主要傳導(dǎo)機(jī)制是。9、在一p-n-p理想晶體管中，各電流成分：IEp=3mA,IEn=0.01mA,Icp=2.99mA,Icn=0.001mA，那么共基電流增益α0為、共射電流增益β0為。10、一MESFET柵長(zhǎng)為L(zhǎng)、柵寬為Z、外延層厚度為a、外延層濃度為ND，夾斷電壓VP為，若內(nèi)建電勢(shì)為Vbi、柵極電壓為VG，漏極飽和電壓為。使用班級(jí)電子091（杏林）

出卷日期2023年10月18日

··············：··號(hào)··學(xué)··—————————····密線(xiàn)····：··級(jí)··班···············：————————————··級(jí)訂年封··················：··業(yè)·專(zhuān)——————————··裝線(xiàn)·················————————···：··院·學(xué)南通大學(xué)2023—2023學(xué)年第一學(xué)期半導(dǎo)體器件(閉卷)試卷（A）第2頁(yè)共3頁(yè)

得分評(píng)卷人三、畫(huà)圖（10分）1、畫(huà)出雙極型晶體管高頻小信號(hào)等效電路。（5分）2、畫(huà)出P阱技術(shù)制作CMOS反相器的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；（5分）

南通大學(xué)2023—2023學(xué)年其次學(xué)期半導(dǎo)體器件(閉卷)試卷（A）第3頁(yè)共3頁(yè)

得分評(píng)卷人四、計(jì)算題（共34分）3、一n溝道的n+多晶硅—SiO2—SiMOSFET，其N(xiāo)A為1017cm-3，d為5nm，φms=—0.98V，假設(shè)Qt與Qm在氧化層可被忽略，且Qf/q為5×1011cm-2。(SiO2相對(duì)介電常數(shù)為3.9,Si相對(duì)介電常數(shù)為11.9，真空介電常數(shù)為8.85×10—14F/cm)，計(jì)算出該MOSFET的閾值電壓VT。（共10分）1、（10分）（1）計(jì)算硅P+N單邊突變結(jié)的擊穿電壓，其N(xiāo)D=5×1016cm-3，臨界電場(chǎng)約為5.7×105V/cm。（Si相對(duì)介電常數(shù)為11.9，真空介電常數(shù)為8.85×10—14F/cm）（5分）（2）計(jì)算硅P-N結(jié)二極管的理想反向飽和電流密度，二極管的參數(shù)是：NA=5×1016cm-3，ND=10cm，ni=9.65×10cm，Dn=21cm/s，Dp=10cm/s，τ16-39-322p0=τn0=5×10-7s。（5分）2、一理想硅PN結(jié)太陽(yáng)能電池，短路光電流IL為100mA，輸出電壓為0.35V，計(jì)算其