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文檔簡介
一、判斷題(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。()(2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。()(3)PN結(jié)在無光照、無外加電壓時,結(jié)電流為零。()(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運動形成的。()(5)結(jié)型場效應管外加的柵-源電壓應使柵-源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其RGS大的特點。()(6)若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零,則其輸入電阻會明顯變小。()(7)只有電路既放大電流又放大電壓,才稱其有放大作用;()(8)可以說任何放大電路都有功率放大作用;()(9)放大電路中輸出的電流和電壓都是由有源元件提供的;()(10)電路中各電量的交流成份是交流信號源提供的;()(11)放大電路必須加上合適的直流電源才能正常工作;()(12)由于放大的對象是變化量,所以當輸入信號為直流信號時,任何放大電路的輸出都毫無變化;()(13)只要是共射放大電路,輸出電壓的底部失真都是飽和失真。()解:(14)現(xiàn)測得兩個共射放大電路空載時的電壓放大倍數(shù)均為-100,將它們連成兩級放大電路,其電壓放大倍數(shù)應為10000。()(15)阻容耦合多級放大電路各級的Q點相互獨立,它只能放大交流信號。()(16)直接耦合多級放大電路各級的Q點相互影響,它只能放大直流信號。()(17)只有直接耦合放大電路中晶體管的參數(shù)才隨溫度而變化。()(18)互補輸出級應采用共集或共漏接法。()(19)若放大電路的放大倍數(shù)為負,則引入的反饋一定是負反饋。()(20)負反饋放大電路的放大倍數(shù)與組成它的基本放大電路的放大倍數(shù)量綱相同。()(21)若放大電路引入負反饋,則負載電阻變化時,輸出電壓基本不變。()(22)阻容耦合放大電路的耦合電容、旁路電容越多,引入負反饋后,越容易產(chǎn)生低頻振蕩。()(23)運算電路中一般均引入負反饋。()(24)在運算電路中,集成運放的反相輸入端均為虛地。()(25)凡是運算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運算關(guān)系。()(26)各種濾波電路的通帶放大倍數(shù)的數(shù)值均大于1。()(27)在圖1所示方框圖中,若φF=180°,則只有當φA=±180°時,電路才能產(chǎn)生正弦波振蕩。()圖1(28)只要電路引入了正反饋,就一定會產(chǎn)生正弦波振蕩。()(29)凡是振蕩電路中的集成運放均工作在線性區(qū)。()(30)非正弦波振蕩電路與正弦波振蕩電路的振蕩條件完全相同。()31反相求和運算電路中,通過反饋電阻的電流基本上等于各輸入電流的代數(shù)和。()
32差動放大電路的零點漂移在輸入端相當于一對差模信號()
33在橋式整流電路中,如用交流電壓測出變壓器次級的交流電壓為40v,則在純電阻負載兩端用直流電壓表測出的電壓值為36V()
34一個理想的差動放大電路中,只能放大差模信號,不能放大共模信號()
35在交流放大電路中,同時存在交流·直流兩個量,都能同時被電路放大()
36直接耦合放大電路的低頻響應以阻容耦合放大電路的好()
37要穩(wěn)定放大電路工作點,可以引入直流負反饋()
38在分壓式偏置電路中,β的大小對放大器靜態(tài)工作點Q有影響()
39理想集成運放工作在線性區(qū)域才能進行加減,比例等基本運算()
40負反饋可以提高放大電路的放大穩(wěn)定值()答案:(1)對(2)錯(3)對(4)錯(5)對(6)錯(7)錯(8)對(9)錯(10)錯(11)對(12)錯(13)錯(14)錯(15)對(16)錯(17)錯(18)對(19)錯(20)對(21)錯(22)對(23)對(24)錯(25)對(26)錯(27)對(28)錯(29)錯(30)錯31:對32:對33:對34:對35:錯:36:對37:對38:對39:錯40:對:二、選擇題(1)PN結(jié)加正向電壓時,空間電荷區(qū)將。A.變窄B.基本不變C.變寬D.無法確定(2)設(shè)二極管的端電壓為U,則二極管的電流方程是。A.ISeUB.C.D.(3)穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿D.無法確定(4)當晶體管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應為。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏(5)UGS=0V時,不能夠工作在恒流區(qū)的場效應管有。A.N溝道結(jié)型管B.增強型MOS管C.耗盡型MOS管D.P溝道結(jié)型管(6)直接耦合放大電路存在零點漂移的原因是。A.電阻阻值有誤差B.采用阻容耦合方式C.晶體管參數(shù)受溫度影響與電源電壓不穩(wěn)定D.晶體管參數(shù)的分散性(7)集成放大電路采用直接耦合方式的原因是。 A.便于設(shè)計B.放大交流信號C.不易制作大容量電容D.放大倍數(shù)大(8)選用差分放大電路的原因是。 A.克服溫漂B.提高輸入電阻C.穩(wěn)定放入倍數(shù)D.穩(wěn)定輸出電壓(9)差分放大電路的差模信號是兩個輸入端信號的。 A.差B.和C.平均值D.不能確定(10)用恒流源取代長尾式差分放大電路中的發(fā)射極電阻Re,將使電路的。A.差模放大倍數(shù)數(shù)值增大B.抑制共模信號能力增強C.差模輸入電阻增大D.共模放大倍數(shù)增大(11)互補輸出級采用共集形式是為了使。A.電壓放大倍數(shù)大B.不失真輸出電壓大C.帶負載能力強D.穩(wěn)定輸出電壓(12)測試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化,可以得到它的頻率響應,條件是。A.輸入電壓幅值不變,改變頻率B.輸入電壓頻率不變,改變幅值C.輸入電壓的幅值與頻率同時變化D.改變直流電源電壓(13)放大電路在高頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是,而低頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是。A.耦合電容和旁路電容的存在B.半導體管極間電容和分布電容的存在。C.半導體管的非線性特性D.放大電路的靜態(tài)工作點不合適(14)放大電路在低頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是。A.耦合電容和旁路電容的存在B.半導體管極間電容和分布電容的存在。C.半導體管的非線性特性D.放大電路的靜態(tài)工作點不合適(15)當信號頻率等于放大電路的fL或fH時,放大倍數(shù)的值約下降到中頻時的。A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍D.(16)對于單管共射放大電路,當f=fL時,與相位關(guān)系是。A.+45?B.-90?C.-135?D.-45?已知交流負反饋有四種組態(tài):A.電壓串聯(lián)負反饋B.電壓并聯(lián)負反饋C.電流串聯(lián)負反饋D.電流并聯(lián)負反饋(17)欲得到電流-電壓轉(zhuǎn)換電路,應在放大電路中引入;(18)欲將電壓信號轉(zhuǎn)換成與之成比例的電流信號,應在放大電路中引入;(19)欲減小電路從信號源索取的電流,增大帶負載能力,應在放大電路中引入;(20)欲從信號源獲得更大的電流,并穩(wěn)定輸出電流,應在放大電路中引入?,F(xiàn)有電路:A.反相比例運算電路B.同相比例運算電路C.積分運算電路D.微分運算電路(21)欲將正弦波電壓移相+90O,應選用。(22)欲實現(xiàn)Au=-100的放大電路,應選用。(23)欲將方波電壓轉(zhuǎn)換成三角波電壓,應選用。(24)欲將方波電壓轉(zhuǎn)換成尖頂波波電壓,應選用。(25)為了避免50Hz電網(wǎng)電壓的干擾進入放大器,應選用濾波電路。A.帶通B.帶阻C.低通D.高通(26)已知輸入信號的頻率為10kHz~12kHz,為了防止干擾信號的混入,應選用濾波電路。A.帶通B.帶阻C.低通D.高通(27)為了獲得輸入電壓中的低頻信號,應選用濾波電路。A.帶通B.帶阻C.低通D.高通(28)為了使濾波電路的輸出電阻足夠小,保證負載電阻變化時濾波特性不變,應選用濾波電路。A.帶通B.帶阻C.低通D.有源(29)功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時,輸出基本不失真情況下,負載上可能獲得的最大。A.交流功率B.直流功率C.平均功率D.瞬時功率(30)功率放大電路的轉(zhuǎn)換效率是指。A.輸出功率與晶體管所消耗的功率之比B.最大輸出功率與電源提供的平均功率之比C.晶體管所消耗的功率與電源提供的平均功率之比D.輸出功率與信號輸入功率之比(31)在OCL乙類功放電路中,若最大輸出功率為1W,則電路中功放管的集電極最大功耗約為。A.1WB.0.5WC.0.2WD.0.7W(32)在選擇功放電路中的晶體管時,應當特別注意的參數(shù)除了ICM、U(BR)CEO還有。A.βB.PCMC.ICBOD.fT(33)為增大電壓放大倍數(shù),集成運放的中間級多采用。A.共射放大電路B.共集放大電路C.共基放大電路D.差動放大電路(34)負反饋放大電路產(chǎn)生自激振的條件是。A.B.C.D.(35)對于放大電路,所謂開環(huán)是指。A.無負載B.無信號源C.無反饋通路D.無電源(36)差分放大電路由雙端輸入變?yōu)閱味溯斎?,則差模電壓增益。A.增加一倍B.為雙端輸入時的1/2
C.不變D.不確定(37)差分放大電路中,當vi1=300mV,vi2=280mV,AVD=100,AVC=1時,輸出電壓為。A.580mVB.1.71VC.2VD.2.29V(38)共摸抑制比KCMR越大,表明電路。A.放大倍數(shù)越穩(wěn)定B.交流放大倍數(shù)越大C.抑制零票能力越強D.輸入信號中的差模成分越大(39)為了消除交越失真,應當使功率放大電路工作在狀態(tài)。A.
甲類B.甲乙類C.乙類D.丁類(40)甲乙類功放電路的效率最大可達。A.25%B.78.5%C.50%D.90%(41)理想情況下,乙類雙電源互補對稱功放電路的最大輸出功率為。A.
B.C.D.(42)場效應管漏極電流由的漂移運動形成。A.少子B.電子C.多子D.兩種載流子(43)三極管是器件。A.電壓控制電壓B.電流控制電壓C.電壓控制電流D.電流控制電流(44)在共射、共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中,輸出電阻最小的是組態(tài)。A.共射B.共集C.共基D.不確定(45)在共射、共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中,輸入電阻最大的是組態(tài)。A.共射B.共集C.共基D.不確定(46)若要求輸出電壓,則應選用的三端穩(wěn)壓器為()。A.W7809B.W7909C.W7912D.W7812(47)在單相橋式整流電容濾波電路中,若有一只整流管接反,則()。A.變?yōu)榘氩ㄕ鸅.并接在整流輸出兩端的電容C將過壓擊穿C.輸出電壓約為2UDD.整流管將因電流過大而燒壞(48)對于串聯(lián)型直流穩(wěn)壓電路,帶放大環(huán)節(jié)的串聯(lián)型穩(wěn)壓電路的放大環(huán)節(jié)放大的是()。A.基準電壓B.取樣電壓C.取樣電壓與濾波電路輸出電壓之差D.基準電壓與取樣電壓之差(49)變壓器副邊電壓有效值為40V,整流二極管承受的最高反向電壓為()。A.20VB.40VC.56.6VD.80V(50)穩(wěn)壓電源電路中,整流的目的是()。A.將交流變?yōu)橹绷鰾.將高頻變?yōu)榈皖lC.將正弦波變?yōu)榉讲―.將交、直流混合量中的交流成分濾掉答案1-5ACCBB6-10CCAAB11-15CABAB16-20CBCAD21-25CACDB26-30ACDAB31-35CBACC36-40CDCBB41-45ACDBB46-50ADDCD一、填空1.半導體二極管空間電荷區(qū)即PN結(jié),還可以稱為耗盡層或()區(qū),其寬度隨著外加電壓的變化而變化,當正偏時變(),反偏時變()。2.放大電路可以分為四種類型:3.放大電路的動態(tài)指標主要包括:輸入電阻、()增益、()和非線性失真。4、半功率點、帶寬的概念。5、線性失真包括()和()。6、同相放大電路輸入電阻(),反相放大電路輸入電阻()。7、PN結(jié)的單向?qū)щ娦灾饕蛟谟冢ǎ?、雪崩擊穿和齊納擊穿的原理和過程,碰撞電離。9、PN結(jié)正偏時主要是()電容,反偏時是()電容。10、基區(qū)寬度調(diào)制效應:由于__變化引起基區(qū)有效寬度變化,致使基極電流變化的效應。11、影響B(tài)JT放大電路低頻響應的主要因素是(),影響高頻影響的主要因素是()。12、極間反向電流的概念。13、復合管的概念。14、BJT是電流型器件,MOS是(電壓)型器件。15、BJT組成的放大電路有三種組態(tài),即CE,CC和CB,又分別稱為反相電壓放大器、()和電流跟隨器。16、反形層和感生溝道。17、增強型MOS和耗盡型MOS的區(qū)別, 其符號,JFET的符號。18、開啟電壓和夾斷電壓。19、MOSFET是表面場效應器件,JEFT是()場效應器件。20、鏡像電流源的實用場合(),還可以作為()。21、集成運放一般包括哪幾部分?22、輸入級采用差動放大電路的作用是()。23、輸出級采用()組態(tài)的放大電路,原因是()。24、差分放大電路的特點:______,________.25、單相橋式整流電路的輸入電壓為u=20sinωtV,輸出電壓的平均值為()。26、功率放大電路提高效率的途徑()。27、功率放大電路的種類:_________28、甲類放大電路的最大效率_________、乙類放大電路的最大效率______。29、選擇功率BJT主要要考慮什么參數(shù)?________30、交越失真、飽和和截止失真。31、克服乙類放大電路交越失真的方法?_________32、濾波器的種類?___________33、正弦波振蕩電路持續(xù)振蕩的條件________?起振條件________?34、正弦波振蕩電路的組成部分______36、衡量穩(wěn)壓電源的質(zhì)量指標?___________37、串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路包括哪幾部分_________?38、直流穩(wěn)壓電源包括哪幾部分__________?39、電容輸入式濾波適用于小電流,電感輸入式濾波適用于大電流場合。40、串聯(lián)反饋式穩(wěn)壓電路中的調(diào)整管工作在什么區(qū)______?41、整流電路的種類______?答案:1:空間電荷區(qū)窄寬2:電壓放大,電流放大,互阻放大,互導放大和隔離放大3:頻率響應輸出電阻4答:中頻區(qū)增益下降3dB的點。寬帶:fH-fL5飽和失真截止失真6很大較小7耗盡區(qū)的存在8答:碰撞電離:少數(shù)載流子的強電場作用下獲得足夠的能量與晶體原子發(fā)生碰撞打破共價鍵束縛,形成更多的電子對。雪崩擊穿:當碰撞達到一定程度,使反向電流急劇增大使PN結(jié)被擊穿。齊納擊穿:在強電場作用下,破壞晶體中共價鍵的束縛,形成較大反向電流使PN結(jié)被擊穿。9擴散勢壘10vCE11耦合電容和射極旁路電容;極間電容和接線電容12答:1、集電極-基極反向飽和電流ICBO2、集電極-發(fā)射極反向飽和電流ICEO13答:同種類型的或不同種類型BJT構(gòu)成的具有放大電流作用。14電壓15電壓跟隨器16答:電子在柵極附近的P型硅表面上形成一個N型的薄層,通常把這個在P型硅表面上形成的N型薄層,稱為反型層,這個反型層實際上就是源極和漏極之間的N型導電溝道。17答:增強型:沒有外加電壓時沒有感生溝道存在。耗盡型:沒有外加電壓時就有感生溝道存在。18答:在增強型管子中,當VGS增大到某一值時,產(chǎn)生了漏極電流,這一值便為開啟電壓;在耗盡型管子中,當VGS減小到某一值時,漏極電流消失,這一值便為夾斷電壓。19體內(nèi)20在電路中提供直流偏置有源負載21答:差分輸入級,電壓放大級,輸出級和偏置電路22抑制零漂23CC增強帶負載能力24放大差模,抑制共模259√226、降低靜態(tài)功耗,減小靜態(tài)電流27甲類,乙類,甲乙類與丙類28答:甲類最大50%,乙類最大78.5%29答:1、最大允許管耗。2、單管VCE。3、通過每個BJT最大集電極電流。30答:交越失真:在乙類放大電路中出現(xiàn)截止失真與飽和失真:與靜態(tài)工作點有關(guān)31答:AF=1(向量);起振條件:AF>132答:低通濾波器,高通濾波器,帶通濾波器與帶阻濾波器。33答:采用甲乙類互補對稱電路,利用二極管進行偏置。34答:放大電路,反饋電路,選頻網(wǎng)絡(luò)與穩(wěn)幅環(huán)節(jié)36答:穩(wěn)壓系數(shù),電壓調(diào)整率,電流調(diào)整率,輸出電阻,溫度系數(shù)和紋波系數(shù)。37答:基準電壓,比較放大部分,調(diào)整和取樣。38答:變壓器,整流,濾波和穩(wěn)壓。40答:放大區(qū)41答:半波整流,全波整流,橋式整流和倍壓整流。選擇題:
1、對三極管放大作用的實質(zhì),下列說法正確的是(
)。
A
三極管可以用較小的電流控制較大的電流;B
三極管可以把小電流放大成大電流;
C
三極管可以把小電壓放大成大電壓;D
三極管可以把小能量放大成大能量。2、用指針式萬用表的R×10和R×1K檔分別測量一個整流二極管的正向電阻,二次測試結(jié)果是(
)
A相同;BR×10檔的測試值小;CR×1K檔的測試值小3、在放大電路中,為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點可以引入(
);
A直流負反饋;B交流負反饋;C交流正反饋4、在放大電路中,若要穩(wěn)定放大倍數(shù)可以引入(
);
A直流負反饋;B交流負反饋;C交流正反饋5、在放大電路中,某些場合為了提高放大倍數(shù)可以適當引入(
)。
A直流負反饋;B交流負反饋;C交流正反饋6、在反饋類型的判別時我們可以用(
)判別正、負反饋。
A輸出端短路法;B瞬時極性法;C輸入端短路法7、在反饋類型的判別時我們可以用(
)判別串聯(lián)、并聯(lián)反饋。
A輸出端短路法;B瞬時極性法;C輸入端短路法8、在反饋類型的判別時我們可以用(
)判別電壓、電流反饋。
A輸出端短路法;B瞬時極性法;C輸入端短路法9、有一三極管處于放大狀態(tài)基極電流為30uA,放大倍數(shù)為β=60,則集電極電流為(
)。
A0mA;B1.8mA;C不確定10、乙類推挽功率放大器的理想最大效率為(
)。
A58.5%;B68.5%;C78.5%D100%11、穩(wěn)壓管一般工作于(
)狀態(tài).
A正向?qū)ǎ籅反向截止;C反向擊穿12、下列各項中,(
)是本征半導體。
AN型半導體;BP型半導體;CPN結(jié);D純凈的半導體。13、在放大電路的三種工作狀態(tài)中,哪種功耗最?。?/p>
)。
A甲類;B甲乙類;C乙類14、微變等效電路中,只有(
)信號。
A直流;B交流;C交直流均有15、差動電路對哪種信號無放大作用(
)。
A共模;B差模。16、在二極管的主要參數(shù)中,最大整流電流IF指的是(
)。
A允許最大正向平均電流;B允許最大正向電流;C允許最大反向平均電流D允許最大反向電充17、三極管具有(
)作用。
A電壓放大;B電壓縮??;C電流放大;D電流縮小。18、放大器在輸入信號作用下的工作狀態(tài),稱為(
)。
A靜態(tài);B動態(tài);C穩(wěn)壓。19、在單級共射極放大電路中,為了使工作在飽和狀態(tài)的晶體三極管進入放大狀態(tài),可采用的辦法是(
)。
A減小IB;B提高VG的絕對值;C減小RC的值;D減小RB值20、單級共射極放大器的輸出電壓和輸入電壓在相位和頻率的關(guān)系是(
)。
A同相位,頻率相同;B相位差90o,頻率相同;C相位差180o,頻率相同;D相位差360o,頻率不同21、N溝道增強型絕緣柵場效應管的符號是(
)。
A;B;CD22、光電二極管的符號是(
)。
A;B;C;D23、已知三極管各極電位,則(
)管工作在放大狀態(tài)。
A;B;CD24、測得某放大電路中BJT的兩個電極的電流如圖所示,則管腳①②③分別為(
);A、cbe;B、bce;C、ceb;D、bec;25、要求引入負反饋后能使放大器的輸入電阻增大,輸出電流的變化盡可能小,則該負反饋的類型應為(
)。
A電流串聯(lián)負反饋;B電壓串聯(lián)負反饋;C電流并聯(lián)負反饋;D電壓并聯(lián)負反饋26、PN結(jié)加正向電壓時,空間電荷區(qū)將(
)。
A變窄;B基本不變;C變寬27、當晶體管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應為(
)。
A前者反偏、后者也反偏;B前者正偏、后者反偏;C前者正偏、后者也正偏28、UGS=0V時,能夠工作在恒流區(qū)的場效應管有(
)。
A結(jié)型管;B增強型MOS管;C耗盡型MOS管29、在本征半導體中加入(
)元素可形成N型半導體。
A五價;B四價;C三價30、在本征半導體中加入(
)元素可形成P型半導體。
A五價;B四價;C三價31、當溫度升高時,二極管的反向飽和電流將(
)。
A增大;B不變;C減小32、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當IB從12μA增大到22μA時,IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為(
)。
A83;B91;C10033、當場效應管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時,它的低頻跨導gm將(
)。
A增大;B不變;C減小34、測試放大電路輸出電壓幅值與相位的變化,可以得到它的頻率響應,條件是(
)。
A輸入電壓幅值不變,改變頻率;B輸入電壓頻率不變,改變幅值;C輸入電壓的幅值與頻率同時變化35、放大電路在高頻信號作用時放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是(
)。
A耦合電容和旁路電容的存在;B半導體管極間電容和分布電容的存在;C半導體管的非線性特性D放大電路的靜態(tài)工作點不合適36、當信號頻率等于放大電路的fL或fH時,放大倍數(shù)的值約下降到中頻時的(
)。
A0.5倍;B0.7倍;C0.9倍37、功率放大電路的最大輸出功率是在輸入電壓為正弦波時,輸出基本不失真情況下,負載上可能獲得的最大(
)。
A交流功率;B直流功率;C平均功率38、功率放大電路的轉(zhuǎn)換效率是指(
)。
A輸出功率與晶體管所消耗的功率之比;B最大輸出功率與電源提供的平均功率之比;C晶體管所消耗的功率與電源提供的平均功率之比39、在OCL乙類功放電路中,若最大輸出功率為1W,則電路中功放管的集電極最大功耗約為(
)。
A1W;B0.5W;C0.2W40、對于放大電路,所謂開環(huán)是指(
)。
A無信號源;B無反饋通路;C無電源D無負載41、對于放大電路,而所謂閉環(huán)是指(
)。
A考慮信號源內(nèi)阻;B存在反饋通路;C接入電源D接入負載42、整流的目的是(
)。
A將交流變?yōu)橹绷鳎籅將高頻變?yōu)榈皖l;C將正弦波變?yōu)榉讲?3、在單相橋式整流電路中,若有一只整流管接反,則(
)。
A輸出電壓約為2UD;B變?yōu)榘氩ㄖ绷鳎籆整流管將因電流過大而燒壞44、直流穩(wěn)壓電源中濾波電路的目的是(
)。
A將交流變?yōu)橹绷?;B將高頻變?yōu)榈皖l;C將交、直流混合量中的交流成分濾掉45、
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