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材料科學(xué)基礎(chǔ)材料的表面與界面第1頁(yè)/共37頁(yè)材料的表面與界面123界面與組織形貌4復(fù)合體系的界面結(jié)合特性6高聚物的表面與界面張力5材料的復(fù)合原理7基礎(chǔ)知識(shí)晶體中的界面結(jié)構(gòu)晶體中界面的偏聚與遷移第2頁(yè)/共37頁(yè)實(shí)際晶體不同相或同一相的不同取向區(qū)域之間總是存在分界面(面缺陷)。
按照界面兩邊狀態(tài)可分為:表面:分界面一側(cè)為氣體或真空的界面;界面
晶界、亞晶界:多晶體材料內(nèi)部成分、結(jié)構(gòu)相同而取向不同的晶粒(或亞晶)之間的界面;相界:指材料中不同相之間的界面。第3頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)8.2.1界面的類型與結(jié)構(gòu)Mg-3Al-0.8Zn合金中的晶界晶界
相界Pb-Sn合金中的相界第4頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)
第5頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)2、小角晶界 兩個(gè)晶粒的位相差在10°以下。典型-亞晶界晶粒平均直徑一般在μm量級(jí),而亞晶粒的平均直徑則通常在nm量級(jí)。簡(jiǎn)單小角晶界模型:傾轉(zhuǎn)晶界-由刃型位錯(cuò)構(gòu)成扭轉(zhuǎn)晶界-由螺型位錯(cuò)構(gòu)成第6頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)(1)對(duì)稱傾轉(zhuǎn)晶界第7頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)觀察到的對(duì)稱傾轉(zhuǎn)晶界第8頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)
小角對(duì)稱傾轉(zhuǎn)晶界位錯(cuò)模型第9頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)當(dāng)b=0.25nm
θ=1°時(shí),D=14.3nm;
θ=10°時(shí),D=1.4nm≈5b(5個(gè)原子間距)
一般說來,只有當(dāng)θ<5°時(shí),位錯(cuò)才可分辨,此時(shí)D=12b。在θ=10°時(shí),5-6個(gè)原子間距就有一個(gè)位錯(cuò),位錯(cuò)密度過大,晶界將全部是位錯(cuò)心,結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定。
因此,θ大時(shí),這個(gè)模型不適用。第10頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)(2)扭轉(zhuǎn)晶界第11頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)小角扭轉(zhuǎn)晶界位錯(cuò)模型
第12頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)2、大角度晶界大角晶界:θ>10°原子排列不規(guī)則,不能用位錯(cuò)模型描述。島嶼模型第13頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)重合位置點(diǎn)陣模型(了解)體心立方晶體中重合位置點(diǎn)陣第14頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)二、相界根據(jù)界面上的原子排列結(jié)構(gòu)不同,相界分為共格、半共格以及非共格三類。(1)共格相界第15頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)有應(yīng)變共格界面第16頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)(2)半共格相界若aa和ab分別為無應(yīng)力時(shí)的a和b的點(diǎn)陣常數(shù),這兩個(gè)點(diǎn)陣的錯(cuò)配度定義為:
第17頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)(3)非共格界面當(dāng)兩相在相界面處的原子排列相差很大時(shí),即d很大時(shí),只能形成非共格界面。第18頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)8.2.2界面能量一、晶界能
晶界是一種面缺陷,使體系的自由能增加,定義形成單位面積的晶界而引起體系自由能的增高為晶界能。
每個(gè)晶粒有減小晶界面積的趨勢(shì)。
保溫時(shí)間足夠長(zhǎng),晶界通過轉(zhuǎn)動(dòng)方位,達(dá)到平衡時(shí):第19頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)
對(duì)于小角晶界,可以用組成它的位錯(cuò)能量進(jìn)行估算。對(duì)稱傾轉(zhuǎn)晶界,設(shè)位錯(cuò)間距為D,取一個(gè)面積元,其面積為D×1,僅含一根位錯(cuò),而單位長(zhǎng)度刃位錯(cuò)的能量為:?jiǎn)挝幻娣e上的界面能為:EB=E/D=Eq/|b|第20頁(yè)/共37頁(yè)8.2晶體中的界面結(jié)構(gòu)二、相界能彈性畸變能(應(yīng)變能):原子離開平衡位置所引起;大小取決于錯(cuò)配度?;瘜W(xué)交互作用能:
界面上原子間結(jié)合鍵數(shù)目和強(qiáng)度發(fā)生變化所引起;大小取決于界面原子與周圍原子的化學(xué)鍵結(jié)合狀況。共格相界:以應(yīng)變能為主;非共格相界:以化學(xué)能為主。通常,共格—半共格—非共格相界能依次遞增。第21頁(yè)/共37頁(yè)8.3晶體中界面的偏聚與遷移8.3.1晶界平衡偏析
第22頁(yè)/共37頁(yè)8.3晶體中界面的偏聚與遷移晶界硬化不銹鋼的敏化晶界腐蝕粉末燒結(jié)過程回火脆性溶質(zhì)原子在靜態(tài)晶界中偏析的程度和它在溶劑中的溶解度有關(guān)。
第23頁(yè)/共37頁(yè)8.3晶體中界面的偏聚與遷移8.3.2
界面遷移驅(qū)動(dòng)力晶界遷移:晶界在其法線方向上的位移,是通過晶粒邊緣上的原子向其鄰近晶粒的跳動(dòng)實(shí)現(xiàn)的。晶界曲率是晶界遷移的驅(qū)動(dòng)力,界面總是向凹側(cè)推進(jìn);晶界處于平直狀態(tài)時(shí),晶界遷移會(huì)停止。第24頁(yè)/共37頁(yè)8.3晶體中界面的偏聚與遷移8.3.3影響界面遷移的因素
(1)溫度
晶界遷移率B與擴(kuò)散系數(shù)D之間的關(guān)系為:
B=D/kT≈B0e(-Q/kT)
(2)溶質(zhì)或雜質(zhì)原子
少量溶質(zhì)或雜質(zhì)原子就會(huì)對(duì)晶界遷移率產(chǎn)生顯著的影響。第25頁(yè)/共37頁(yè)8.3晶體中界面的偏聚與遷移錫對(duì)鉛晶界遷移速度的影響第26頁(yè)/共37頁(yè)8.3晶體中界面的偏聚與遷移(3)
第二相顆粒
第二相顆粒往往對(duì)晶界遷移起阻礙作用。晶界遷移方向晶界
r
第27頁(yè)/共37頁(yè)112r
取單位晶界面積兩側(cè)厚度均為r的正方體,所有中心位于該體積內(nèi)半徑為r的顆粒都將與該晶界交截。第28頁(yè)/共37頁(yè)8.4.1單相組織形貌由于界面能作用,一般規(guī)律是:平衡時(shí),兩個(gè)晶粒相遇于1個(gè)面(晶面);3個(gè)晶粒相遇于1條線(晶棱);4個(gè)晶粒相遇于1點(diǎn)(晶粒角隅)。晶粒1晶粒2晶粒3晶粒4第29頁(yè)/共37頁(yè)
第30頁(yè)/共37頁(yè)8.4
界面與組織形貌第31頁(yè)/共37頁(yè)8.4
界面與組織形貌8.4.2復(fù)相組織形貌晶粒內(nèi)部的第二相
可能呈薄片狀(盤狀)、針狀、塊狀、球狀等不同形貌,主要取決于與基體之間的界面能,包括:表面能彈性應(yīng)變能某種可能的共格、半共格、非共格界面結(jié)構(gòu)示意圖第32頁(yè)/共37頁(yè)8.4
界面與組織形貌8.4.2復(fù)相組織形貌晶
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