半導(dǎo)體專業(yè)術(shù)語

acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)acceptor:受主，如B，摻入Si中需要接受電子Acid：酸Activedevice：有源器件，如MOSFET（非線性，可以對(duì)信號(hào)放大）Alignmark(key)：對(duì)位標(biāo)記Alloy：合金Aluminum：鋁Ammonia：氨水Ammoniumfluoride：NH4FAmmoniumhydroxide：NH4OHAmorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）Analog：模擬的Angstrom：A（1E-10m）埃Anisotropic：各向異性（如POLYETCH）AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（不同于可靠性，可靠性要求一定時(shí)間后的失效率）ARC(Antireflectivecoating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻）Argon(Ar)氬Arsenic(As)砷Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷Arsine(AsH3)Asher：去膠機(jī)Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）Autodoping：自攙雜（外延時(shí)SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱〣ackend：后段（CONTACT以后、PCM測試前）Baseline：標(biāo)準(zhǔn)流程Benchmark：基準(zhǔn)Bipolar：雙極Boat：擴(kuò)散用（石英）舟CD：（CriticalDimension）臨界（關(guān)鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLYCD為多晶條寬。Characterwindow：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個(gè)方形區(qū)域。Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化學(xué)機(jī)械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。Chemicalvapordeposition（CVD）：化學(xué)汽相淀積。一種通過化學(xué)反應(yīng)生成一層薄膜的工藝。Chip：碎片或芯片。CIM：computer-integratedmanufacturing的縮寫。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。Circuitdesign：電路設(shè)計(jì)。一種將各種元器件連接起來實(shí)現(xiàn)一定功能的技術(shù)。Cleanroom：一種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。Compensationdoping：補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個(gè)硅襯底上混合制造的工藝。Computer-aideddesign（CAD）：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。Conductivitytype：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。Contact：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。Controlchart：控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。Correlation：相關(guān)性。Cp：工藝能力，詳見processcapability。Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見processcapabilityindex。Cycletime：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間。通常用來衡量流通速度的快慢。Damage：損傷。對(duì)于單晶體來說，有時(shí)晶格缺陷在表面處理后形成無法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。Defectdensity：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。Depletionimplant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。）Depletionlayer：耗盡層?？蓜?dòng)載流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。Depletionwidth：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個(gè)區(qū)域的寬度。Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一種方法。Depthoffocus（DOF）：焦深。designofexperiments(DOE)：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯(cuò)誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)計(jì)劃。develop：顯影（通過化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程）developer：Ⅰ）顯影設(shè)備；Ⅱ）顯影液die：硅片中一個(gè)很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個(gè)芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。dielectric：Ⅰ）介質(zhì)，一種絕緣材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。diffusedlayer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。drive-in：推阱，指運(yùn)用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴(kuò)散。dryetch：干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護(hù)區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過程。effectivelayerthickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過程。epitaxiallayer：外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長一層單晶半導(dǎo)體材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。equipmentdowntime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功能的時(shí)間。etch：腐蝕，運(yùn)用物理或化學(xué)方法有選擇的去除不需的區(qū)域。exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。fab：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。featuresize：特征尺寸，指單個(gè)圖形的最小物理尺寸。field-effecttransistor（FET）：場效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動(dòng)而工作，多子流由柵下的橫向電場控制。film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。flat：平邊f(xié)lowvelocity：流速計(jì)flowvolume：流量計(jì)flux：單位時(shí)間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)forbiddenenergygap：禁帶four-pointprobe：四點(diǎn)探針臺(tái)functionalarea：功能區(qū)gateoxide：柵氧glasstransitiontemperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度gowning：凈化服grayarea：灰區(qū)grazingincidenceinterferometer：切線入射干涉儀hardbake：后烘heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法high-currentimplanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉%的大于的顆粒host：主機(jī)hotcarriers：熱載流子hydrophilic：親水性hydrophobic：疏水性impurity：雜質(zhì)inductivecoupledplasma(ICP)：感應(yīng)等離子體inertgas：惰性氣體initialoxide：一氧insulator：絕緣isolatedline：隔離線implant:注入impurityn:摻雜junction:結(jié)junctionspikingn:鋁穿刺kerf:劃片槽landingpadn:PADlithographyn制版maintainability,equipment:設(shè)備產(chǎn)能maintenancen:保養(yǎng)majoritycarriern:多數(shù)載流子masks,deviceseriesofn:一成套光刻版materialn:原料matrixn1:矩陣meann:平均值measuredleakraten:測得漏率mediann:中間值memoryn:記憶體metaln:金屬nanometer(nm)n：納米nanosecond(ns)n：納秒nitrideetchn：氮化物刻蝕nitrogen(N2)n：氮?dú)?，一種雙原子氣體n-typeadj：n型ohmspersquaren：歐姆每平方:方塊電阻orientationn：晶向，一組晶列所指的方向overlapn：交迭區(qū)oxidationn：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)phosphorus(P)n：磷，一種有毒的非金屬元素photomaskn：光刻版，用于光刻的版photomask,negativen：反刻images：去掉圖形區(qū)域的版photomask,positiven：正刻pilotn：先行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片子plasman：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n：等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝pnjunctionn：pn結(jié)pockedbeadn：麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠polarizationn：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語polyciden：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高濃度摻雜（>5E19）的硅，能導(dǎo)電。polymorphismn：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象probern:探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。processcontroln:過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對(duì)設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。proximityX-rayn:近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對(duì)應(yīng)的光刻膠暴光。purewatern:純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。quantumdevicen:量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動(dòng)性。quartzcarriern:石英舟。randomaccessmemory(RAM)n:隨機(jī)存儲(chǔ)器。randomlogicdevicen:隨機(jī)邏輯器件。rapidthermalprocessing(RTP)n:快速熱處理(RTP)。reactiveionetch(RIE)n:反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。reactorn:反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔。recipen:菜單。生產(chǎn)過程中對(duì)圓片所做的每一步處理規(guī)范。resistn:光刻膠。scanningelectronmicroscope(SEM)n:電子顯微鏡(SEM)。scheduleddowntimen:(設(shè)備)預(yù)定停工時(shí)間。Schottkybarrierdiodesn:肖特基二極管。scribelinen:劃片槽。sacrificialetchbackn:犧牲腐蝕。semiconductorn:半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄層電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。sideload:邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片smallscaleintegration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個(gè)圖案的布局。174.spinwebbing:旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。175.sputteretch:濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。176.stackingfault:堆垛層錯(cuò)，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯(cuò)誤。177.steambath:蒸汽浴，一個(gè)大氣壓下，流動(dòng)蒸汽或其他溫度熱源的暴光。178.stepresponsetime:瞬態(tài)特性時(shí)間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時(shí)段到氣流剛到達(dá)特定地帶的那個(gè)時(shí)刻之間的時(shí)間。179.stepper:步進(jìn)光刻機(jī)（按BLOCK來曝光）180.stresstest:應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。181.surfaceprofile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下）。182.symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識(shí)。183.tackweld:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊（用于連接蓋子）。184.Taylortray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。185.temperaturecycling:溫度周期變化，測量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。186.testability:易測性，對(duì)于一個(gè)已給電路來說，哪些測試是適用它的。187.thermaldeposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。188.thinfilm:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特殊薄膜。189.titanium(Ti):鈦。190.toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。191.1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。192.tungsten(W):鎢。193.tungstenhexafluoride(WF6):氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜。194.tinning:金屬性表面覆蓋焊點(diǎn)的薄層。195.totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可動(dòng)電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密度(Nit)。196.watt(W):瓦。能量單位。197.waferflat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。198.waferprocesschamber(WPC):對(duì)晶片進(jìn)行工藝的腔體。199.well:阱。200.wetchemicaletch:濕法化學(xué)腐蝕。201.trench:深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個(gè)區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲(chǔ)電容器。202.via:通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實(shí)現(xiàn)電連接。203.window:在隔離晶片中，允許上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道。204.torr:托。壓力的單位。205.vaporpressure:當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時(shí)自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。206.vacuum:真空。207.transitionmetals:過渡金屬4.ADIAfterdevelopinspection顯影后檢視5.AEI蝕科后檢查6.Alignment排成一直線，對(duì)平7.Alloy融合：電壓與電流成線性關(guān)系，降低接觸的阻值8.ARC：anti-reflectcoating防反射層9.ASHER:一種干法刻蝕方式10.ASI光阻去除后檢查11.Backside晶片背面12.BacksideEtch背面蝕刻13.Beam-Current電子束電流14.BPSG:含有硼磷的硅玻璃15.Break中斷，stepper機(jī)臺(tái)內(nèi)中途停止鍵16.Cassette裝晶片的晶舟17.CD：criticaldimension關(guān)鍵性尺寸18.Chamber反應(yīng)室19.Chart圖表20.Childlot子批21.Chip(die)晶粒22.CMP化學(xué)機(jī)械研磨23.Coater光阻覆蓋（機(jī)臺(tái)）24.Coating涂布，光阻覆蓋25.ContactHole接觸窗26.ControlWafer控片27.Criticallayer重要層28.CVD化學(xué)氣相淀積29.Cycletime生產(chǎn)周期30.Defect缺陷31.DEP:deposit淀積32.Descum預(yù)處理33.Developer顯影液；顯影（機(jī)臺(tái)）34.Development顯影35.DG:dualgate雙門36.DIwater去離子水37.Diffusion擴(kuò)散38.Doping摻雜39.Dose劑量40.Downgrade降級(jí)41.DRC:designrulecheck設(shè)計(jì)規(guī)則檢查42.DryClean干洗43.Duedate交期44.Dummywafer擋片45.E/R:etchrate蝕刻速率46.EE設(shè)備工程師47.EndPoint蝕刻終點(diǎn)48.ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage靜電離子損傷49.ET:etch蝕刻50.Exhaust排氣（將管路中的空氣排除）51.Exposure曝光52.FAB工廠53.FIB:focusedionbeam聚焦離子束54.FieldOxide場氧化層55.Flatness平坦度56.Focus焦距57.Foundry代工58.FSG:含有氟的硅玻璃59.Furnace爐管60.GOI:gateoxideintegrity門氧化層完整性61.Hexamethyldisilazane,經(jīng)去水烘烤的晶片，將涂上一層增加光阻與晶片表面附著力的化合物，稱62.HCI:hotcarrierinjection熱載流子注入63.HDP：highdensityplasma高密度等離子體64.High-Voltage高壓65.Hotbake烘烤66.ID辨認(rèn)，鑒定67.Implant植入68.Layer層次69.LDD:lightlydopeddrain輕摻雜漏70.Localdefocus局部失焦因機(jī)臺(tái)或晶片造成之臟污71.LOCOS:localoxidationofsilicon局部氧化72.Loop巡路73.Lot批74.Mask(reticle)光罩75.Merge合并76.MetalVia金屬接觸窗77.MFG制造部78.Mid-Current中電流79.Module部門80.NIT:Si3N4氮化硅81.Non-critical非重要82.NP:n-dopedplus(N+)N型重?fù)诫s83.NW:n-dopedwellN阱84.OD:oxidedefinition定義氧化層85.OM:opticmicroscope光學(xué)顯微鏡86.OOC超出控制界線87.OOS超出規(guī)格界線88.OverEtch過蝕刻89.Overflow溢出90.Overlay測量前層與本層之間曝光的準(zhǔn)確度91.OX:SiO2二氧化硅92..Photoresisit光阻93.P1:poly多晶硅94.PA;passivation鈍化層95.Parentlot母批96.Particle含塵量/微塵粒子97.PE:1.processengineer;2.plasmaenhance1、工藝工程師2、等離子體增強(qiáng)98.PH:photo黃光或微影99.Pilot實(shí)驗(yàn)的100.Plasma電漿101.Pod裝晶舟與晶片的盒子102.Polymer聚合物103.PORProcessofrecord104.PP:p-dopedplus(P+)P型重?fù)诫s105.PR:photoresist光阻106.PVD物理氣相淀積107.PW:p-dopedwellP阱108.Queuetime等待時(shí)間109.R/C:runcard運(yùn)作卡110.Recipe程式111.Release放行112.Resistance電阻113.Reticle光罩114.RF射頻115.RM:remove.消除116.Rotation旋轉(zhuǎn)117.RTA:rapidthermalanneal迅速熱退火118.RTP:rapidthermalprocess迅速熱處理119.SA:salicide硅化金屬120.SAB:salicideblock硅化金屬阻止區(qū)121.SAC:sacrificelayer犧牲層122.Scratch刮傷123.Selectivity選擇比124.SEM：scanningelectronmicroscope掃描式電子顯微鏡125.Slot槽位126.Source-Head離子源127.SPC制程統(tǒng)計(jì)管制128.Spin旋轉(zhuǎn)129.SpinDry旋干130.Sputter濺射131.SRO:Sirichoxide富氧硅132.Stocker倉儲(chǔ)133.Stress內(nèi)應(yīng)力134.STRIP:一種濕法刻蝕方式135.TEOS–(CH3CH2O)4Si四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常溫下液態(tài)。作LPCVD/PECVD生長SiO2的原料。又指用TEOS生長得到的SiO2層。136.Ti鈦137.TiN氮化鈦138.TM:topmetal頂層金屬層139.TORToolofrecord140.UnderEtch蝕刻不足141.USG:undoped硅玻璃142.W(Tungsten)鎢143.WEE周邊曝光144.mainframe主機(jī)145.cassette晶片盒146.amplifier放大器147.enclosure外殼148.wrench扳手149.swagelok接頭鎖緊螺母150.clamp夾子151.actuator激勵(lì)152.STIshallowtrenchisolantion淺溝