第二章邏輯門電路基礎(chǔ)

作業(yè)2-22-32-65現(xiàn)在是1頁\一共有90頁\編輯于星期四本章主要內(nèi)容第一節(jié)二極管、三極管的開關(guān)特性第二節(jié)二極管邏輯門電路第三節(jié)TTL邏輯門電路第四節(jié)射極耦合邏輯門電路(**)第五節(jié)CMOS邏輯門電路第六節(jié)各種邏輯的門電路之間的接口問題5現(xiàn)在是2頁\一共有90頁\編輯于星期四第一節(jié)二極管、三極管的開關(guān)特性一、二極管的開關(guān)特性（一）二極管的靜態(tài)開關(guān)特性（二）二極管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性5現(xiàn)在是3頁\一共有90頁\編輯于星期四5（一）二極管的靜態(tài)開關(guān)特性

二極管正偏時(shí)導(dǎo)通，管壓降為0V，流過二極管的電流大小決定于外電路，相當(dāng)于開關(guān)閉合。二極管反偏時(shí)截止，流過二極管的電流為0，相當(dāng)于開關(guān)打開，二極管兩端電壓的大小決定于外電路。這就是二極管的靜態(tài)開關(guān)特性。二極管的靜態(tài)開關(guān)特性是指二極管穩(wěn)定地處于導(dǎo)通和穩(wěn)定處于截止時(shí)的特性?，F(xiàn)在是4頁\一共有90頁\編輯于星期四（二）二極管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性給二極管電路加入一個(gè)方波信號，電流的波形怎樣呢？二極管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性是指二極管從一個(gè)狀態(tài)到另一個(gè)狀態(tài)的過渡過程中的特性。5現(xiàn)在是5頁\一共有90頁\編輯于星期四5tre＝ts十tt稱為反向恢復(fù)時(shí)間ts為存儲(chǔ)時(shí)間tt稱為渡越時(shí)間1.反向恢復(fù)過程通常把二極管從正向?qū)ㄞD(zhuǎn)為反向截止所經(jīng)歷的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復(fù)過程。

現(xiàn)在是6頁\一共有90頁\編輯于星期四產(chǎn)生反向恢復(fù)過程的原因：電荷存儲(chǔ)效應(yīng)反向恢復(fù)時(shí)間tre就是存儲(chǔ)電荷消散所需要的時(shí)間。

同理，二極管從截止轉(zhuǎn)為正向?qū)ㄒ残枰獣r(shí)間，這段時(shí)間稱為開通時(shí)間。開通時(shí)間比反向恢復(fù)時(shí)間要小得多，一般可以忽略不計(jì)。5現(xiàn)在是7頁\一共有90頁\編輯于星期四2.對輸入信號vi的要求輸入信號vi的負(fù)半周的寬度應(yīng)大于tre，這樣二極管才具有單向?qū)щ娦浴Ｈ粜∮?，二極管還沒有到達(dá)截止?fàn)顟B(tài)，就又必須隨輸入脈沖而導(dǎo)通，從而失去單向?qū)щ娦?。輸入信號vi的正半周的寬度要求比較低。輸入信號vi的頻率不可太高，由tre時(shí)間決定。5現(xiàn)在是8頁\一共有90頁\編輯于星期四復(fù)習(xí)三極管的輸入特性和輸出特性

三極管的輸入特性曲線（NPN）VON：開啟電壓硅管，0.5~0.7V鍺管，0.2~0.3V近似認(rèn)為:VBE<VONiB=0VBE≥VONiB的大小由外電路電壓，電阻決定

現(xiàn)在是9頁\一共有90頁\編輯于星期四三極管的輸出特性固定一個(gè)IB值，即得一條曲線，在VCE>0.7V以后，基本為水平直線現(xiàn)在是10頁\一共有90頁\編輯于星期四特性曲線分三個(gè)部分放大區(qū)：條件VCE>0.7V,iB>0,iC隨iB成正比變化，ΔiC=βΔiB。飽和區(qū)：條件VCE<0.7V,iB>0,VCE很低，ΔiC隨ΔiB增加變緩，趨于“飽和”。截止區(qū)：條件VBE=0.7V,iB=0,iC=0,c—e間“斷開”?，F(xiàn)在是11頁\一共有90頁\編輯于星期四三、雙極型三極管的基本開關(guān)電路只要參數(shù)合理：VI=VIL時(shí)，T截止，VO=VOHVI=VIH時(shí)，T導(dǎo)通，VO=VOL現(xiàn)在是12頁\一共有90頁\編輯于星期四工作狀態(tài)分析：現(xiàn)在是13頁\一共有90頁\編輯于星期四圖解分析法：現(xiàn)在是14頁\一共有90頁\編輯于星期四四、三極管的開關(guān)等效電路截止?fàn)顟B(tài)飽和導(dǎo)通狀態(tài)現(xiàn)在是15頁\一共有90頁\編輯于星期四二、雙極型三極管的開關(guān)特性（一）雙極型三極管的靜態(tài)開關(guān)特性（二）雙極型三極管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性

三極管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性是指三極管從一個(gè)狀態(tài)到另一個(gè)狀態(tài)的過渡過程中的特性。三極管的靜態(tài)開關(guān)特性是指三極管穩(wěn)定地處于飽和或截止?fàn)顟B(tài)時(shí)的特性。5現(xiàn)在是16頁\一共有90頁\編輯于星期四（一）雙極型三極管的靜態(tài)開關(guān)特性判斷三極管工作狀態(tài)的解題思路：（1）把三極管從電路中拿走，在此電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)下求三極管的發(fā)射結(jié)電壓，若發(fā)射結(jié)反偏或零偏或小于死區(qū)電壓值，則三極管截止。若發(fā)射結(jié)正偏，則三極管可能處于放大狀態(tài)或處于飽和狀態(tài)，需要進(jìn)一步判斷。進(jìn)入步驟（2）。（2）把三極管放入電路中，電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)回到從前。假設(shè)三極管處于臨界飽和狀態(tài)（三極管既可以認(rèn)為是處于飽和狀態(tài)也可以認(rèn)為是處于放大狀態(tài)，在放大區(qū)和飽和區(qū)的交界區(qū)域，此時(shí)三極管既有飽和狀態(tài)時(shí)的特征VCES=0.3V，又有放大狀態(tài)時(shí)的特征IC=?IB），求此時(shí)三極管的集電極臨界飽和電流ICS，進(jìn)而求出基極臨界飽和電流IBS。集電極臨界飽和電流ICS是三極管的集電極可能流過的最大電流。（3）在原始電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，求出三極管的基極支路中實(shí)際流動(dòng)的電流iB。（4）比較iB和IBS的大?。喝鬷B>IBS（或者?iB>ICS），則三極管處于飽和狀態(tài)。若iB<IBS（或者?iB<ICS），則三極管處于放大狀態(tài)。5現(xiàn)在是17頁\一共有90頁\編輯于星期四例2-1判斷圖電路中三極管的狀態(tài)，其中Rb=2k，RC=2k，VCC=12V，?=50。

將三極管拿開，發(fā)射結(jié)零偏，所以三極管截止。5現(xiàn)在是18頁\一共有90頁\編輯于星期四例2-4電路及參數(shù)如圖所示，三極管的VBE=0.7V，β＝60，輸入電壓vi取值3V和-2V。（1）當(dāng)vi＝3V時(shí)判斷三極管的狀態(tài)，并求出iC和vo的值。（2）當(dāng)vi＝-2V時(shí)判斷三極管的狀態(tài)，并求出iC和vo的值。5現(xiàn)在是19頁\一共有90頁\編輯于星期四5解：（1）vi＝3V因?yàn)閕B＞IBS所以三極管處于飽和狀態(tài)，如右圖中的E點(diǎn)所示?，F(xiàn)在是20頁\一共有90頁\編輯于星期四（2）vi＝-2V因?yàn)関BE<0，反偏，所以三極管處于截止?fàn)顟B(tài)，如右圖中的A點(diǎn)所示。5現(xiàn)在是21頁\一共有90頁\編輯于星期四NPN型三極管三種工作狀態(tài)的特點(diǎn)P475現(xiàn)在是22頁\一共有90頁\編輯于星期四（二）雙極型三極管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性5現(xiàn)在是23頁\一共有90頁\編輯于星期四（1）延遲時(shí)間td——從輸入信號vi正跳變的瞬間開始，到集電極電流iC上升到0.1ICS所需的時(shí)間

（2）上升時(shí)間tr——集電極電流從0.1ICS上升到0.9ICS所需的時(shí)間。（3）存儲(chǔ)時(shí)間ts——從輸入信號vi下跳變的瞬間開始，到集電極電流iC下降到0.9ICS所需的時(shí)間。（4）下降時(shí)間tf——集電極電流從0.9ICS下降到0.1ICS所需的時(shí)間。

幾個(gè)時(shí)間概念5現(xiàn)在是24頁\一共有90頁\編輯于星期四對輸入脈沖的要求（5）開通時(shí)間ton=td+tr（6）關(guān)閉時(shí)間toff=ts+tf以保證三極管能可靠進(jìn)入飽和狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)輸入信號vi的正半周的寬度>ton輸入信號vi的負(fù)半周的寬度>toff幾個(gè)時(shí)間概念5現(xiàn)在是25頁\一共有90頁\編輯于星期四三、MOS管的開關(guān)特性（一）MOS管的靜態(tài)開關(guān)特性vi<VT時(shí)，管子截止，vo=VDD；vi>VT時(shí)，管子處于線性電阻區(qū)，vo=0。5現(xiàn)在是26頁\一共有90頁\編輯于星期四（二）MOS管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性MOS管的開關(guān)時(shí)間取決于輸入和輸出回路中電容的充、放電時(shí)間。MOS管的放電過程較快，充電過程相對緩慢。5現(xiàn)在是27頁\一共有90頁\編輯于星期四第二節(jié)二極管邏輯門電路概念高電平：低電平：電壓在0V-1.5V正邏輯體制負(fù)邏輯體制5現(xiàn)在是28頁\一共有90頁\編輯于星期四正邏輯體制和負(fù)邏輯體制正邏輯體制:將高電平用邏輯1表示，低電平用邏輯0表示負(fù)邏輯體制:將高電平用邏輯0表示，低電平用邏輯1表示5現(xiàn)在是29頁\一共有90頁\編輯于星期四一、正與門電路5現(xiàn)在是30頁\一共有90頁\編輯于星期四正邏輯體制邏輯符號邏輯表達(dá)式L=A.B5現(xiàn)在是31頁\一共有90頁\編輯于星期四負(fù)邏輯體制邏輯符號邏輯表達(dá)式L=A+B5現(xiàn)在是32頁\一共有90頁\編輯于星期四二、正或門電路5現(xiàn)在是33頁\一共有90頁\編輯于星期四正邏輯體制負(fù)邏輯體制呢?5現(xiàn)在是34頁\一共有90頁\編輯于星期四三、非門電路5現(xiàn)在是35頁\一共有90頁\編輯于星期四第三節(jié)TTL邏輯門電路TTL集成電路分為：74系列：用于民用電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，工作溫度為0-70℃。54系列：用于軍用電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，工作溫度為-55-+125℃。TTL的含義：TransistorTransistorLogic

5

TTL邏輯門電路由若干雙極型三極管(BJT)和電阻組成?，F(xiàn)在是36頁\一共有90頁\編輯于星期四第三節(jié)TTL邏輯門電路一、標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)工藝的TTL非門的工作原理TTL：TransistorTransistorLogic

輸出級T3、D、T4和Rc4構(gòu)成推拉式的輸出級。用于提高開關(guān)速度和帶負(fù)載能力。中間級T2和電阻Rc2、Re2組成，從T2的集電極和發(fā)射極同時(shí)輸出兩個(gè)相位相反的信號，作為T3和T4輸出級的驅(qū)動(dòng)信號；輸入級T1和電阻Rb1組成。用于提高電路的開關(guān)速度5現(xiàn)在是37頁\一共有90頁\編輯于星期四5（一）輸入VI為高電平3.6V時(shí)VB1=5VVBE1=0.7VVB1=4.3VVB1=2.1V倒置狀態(tài)Vo=0.3VVC2=1V飽和飽和截止截止，輸出為低電平0.3V開門現(xiàn)在是38頁\一共有90頁\編輯于星期四5（二）輸入VI為低電平0.3V時(shí)VB1=5VVBE1=0.7VVB1=1V飽和Vo=3.6VVB4=5V截止截止飽和導(dǎo)通，輸出為高電平3.6V關(guān)門現(xiàn)在是39頁\一共有90頁\編輯于星期四需要說明的幾個(gè)問題：

現(xiàn)在是40頁\一共有90頁\編輯于星期四（三）標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)工藝的TTL非門的電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)1、輸入級采用三極管以提高工作速度。2、采用了推拉式輸出級，輸出阻抗比較小，可迅速給負(fù)載電容充放電,提高開關(guān)速度和帶負(fù)載能力。5現(xiàn)在是41頁\一共有90頁\編輯于星期四二、TTL非門的電壓傳輸特性曲線和從其上可以得出的電路參數(shù)（一）電壓傳輸特性曲線截止區(qū)過渡區(qū)飽和區(qū)5開門關(guān)門現(xiàn)在是42頁\一共有90頁\編輯于星期四（二）從電壓傳輸特性曲線上可以得出的電路參數(shù)1．輸出高電平VOH（2.4V-5V之間，典型值為3.4V）2．標(biāo)準(zhǔn)輸出高電平VSH

VOH（min）（2.4V）3．輸出低電平VOL（0V-0.4V之間，典型值為0.2V）4．標(biāo)準(zhǔn)輸出低電平VSLVOL（max）（0.4V）5．輸入高電平VIH（2V-5V之間）6．輸入高電平的下限VIH（min）(開門電平VON）（2V）7．輸入低電平VIL（0V-0.8V之間）8．輸入低電平的上限VIL（max）（關(guān)門電平VOFF）（0.8V）9．噪聲容限電壓（1）輸入高電平噪聲容限電壓（最大允許負(fù)向干擾電壓）（2）輸入低電平噪聲容限電壓（最大允許正向干擾電壓）5現(xiàn)在是43頁\一共有90頁\編輯于星期四輸入高電平噪聲容限最大允許負(fù)向干擾電壓VNH＝VOH（min）-VON＝VOH（min）-VIH（min）＝2.4V-2.0V＝0.4V。輸入低電平噪聲容限最大允許正向干擾電壓VNL＝VOFF-VOL（max）＝VIL（max）-VOL（max）＝0.8V-0.4V＝0.4V。5現(xiàn)在是44頁\一共有90頁\編輯于星期四三、TTL非門輸入特性和從其上可以得出的參數(shù)5現(xiàn)在是45頁\一共有90頁\編輯于星期四1．輸入低電平電流IIL非門輸入特性曲線VB1=1V5

當(dāng)門電路的輸入端接低電平時(shí)，從門電路輸入端流出的電流?，F(xiàn)在是46頁\一共有90頁\編輯于星期四2．輸入高電平電流IIHVB1=2.1V倒置狀態(tài)

輸入高電平電流IIH是三級管VT1的發(fā)射結(jié)反向飽和電流，值很小，幾乎為0。5

當(dāng)門電路的輸入端接高電平時(shí)，流入輸入端的電流?，F(xiàn)在是47頁\一共有90頁\編輯于星期四四、TTL非門的輸入負(fù)載特性和從其上可以得出的參數(shù)uI的極限值為1.4V。5現(xiàn)在是48頁\一共有90頁\編輯于星期四1．關(guān)門電阻ROFF2．開門電阻RON三極管VT3處于關(guān)門狀態(tài)SN7404：三極管VT3處于開門狀態(tài)SN7404：Ri應(yīng)該大于480Ω5現(xiàn)在是49頁\一共有90頁\編輯于星期四五、TTL非門的輸出負(fù)載特性和從其上可以得出的參數(shù)（一）TTL非門的低電平輸出負(fù)載特性驅(qū)動(dòng)門負(fù)載門6現(xiàn)在是50頁\一共有90頁\編輯于星期四2．最大輸出低電平電流IOL（max)3．輸出低電平時(shí)的扇出系數(shù)灌電流負(fù)載1．TTL非門的低電平輸出特性曲線

把驅(qū)動(dòng)門對應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)輸出低電平USL時(shí)，灌入其輸出端的電流。6現(xiàn)在是51頁\一共有90頁\編輯于星期四（二）TTL非門的高電平輸出負(fù)載特性驅(qū)動(dòng)門負(fù)載門6現(xiàn)在是52頁\一共有90頁\編輯于星期四2．最大輸出高電平電流IOH（max）3．輸出高電平時(shí)的扇出系數(shù)1．TTL非門的低電平輸出特性曲線拉電流負(fù)載

把驅(qū)動(dòng)門對應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)輸出高電平USH時(shí)拉出其輸出端的電流。6現(xiàn)在是53頁\一共有90頁\編輯于星期四（三）扇出系數(shù)

一般NOL≠NOH，常取兩者中的較小值作為門電路的扇出系數(shù)，用NO（Fan-out），表示。輸出低電平時(shí)的扇出系數(shù)輸出高電平時(shí)的扇出系數(shù)6現(xiàn)在是54頁\一共有90頁\編輯于星期四六、傳輸延遲時(shí)間

1、現(xiàn)象現(xiàn)在是55頁\一共有90頁\編輯于星期四六、傳輸延遲時(shí)間導(dǎo)通延遲時(shí)間tPHL——從輸入波形上升沿的中點(diǎn)到輸出波形下降沿的中點(diǎn)所經(jīng)歷的時(shí)間。截止延遲時(shí)間tPLH——從輸入波形下降沿的中點(diǎn)到輸出波形上升沿的中點(diǎn)所經(jīng)歷的時(shí)間。非門的傳輸延遲時(shí)間tpd是tPHL和tPLH的平均值。

一般TTL非門傳輸延遲時(shí)間tpd的值為幾納秒～十幾個(gè)納秒。6現(xiàn)在是56頁\一共有90頁\編輯于星期四七、功率損耗（功耗）PD和功耗-延時(shí)積DP1.功率損耗靜態(tài)功耗：指的是當(dāng)電路沒有狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)的功耗，即門電路空載時(shí)電源總電流ID與電源電壓VDD的乘積，靜態(tài)功耗比較低，因此CMOS電路廣泛用于要求功耗較低或電池供電的設(shè)備，如筆記本、手機(jī)等。動(dòng)態(tài)功耗：指的是電路在輸出狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)的功耗。靜態(tài)功耗動(dòng)態(tài)功耗6對于TTL門電路來說，靜態(tài)功耗是主要的。CMOS電路的靜態(tài)功耗非常低，主要是動(dòng)態(tài)功耗。現(xiàn)在是57頁\一共有90頁\編輯于星期四2.延時(shí)功耗積是速度功耗綜合性的指標(biāo)。延時(shí)功耗積，用符號DP表示。PD為門電路的功耗一個(gè)邏輯門電路的DP值越小，它的特性越接近理想情況。6現(xiàn)在是58頁\一共有90頁\編輯于星期四TTL門電路芯片的封裝八、其它邏輯功能的TTL門電路6現(xiàn)在是59頁\一共有90頁\編輯于星期四（一）TTL正與非門6現(xiàn)在是60頁\一共有90頁\編輯于星期四1.與非門現(xiàn)在是61頁\一共有90頁\編輯于星期四（二）TTL正或非門6A+BA+B現(xiàn)在是62頁\一共有90頁\編輯于星期四現(xiàn)在是63頁\一共有90頁\編輯于星期四（三）TTL正與或非門6AB+CDAB+CD現(xiàn)在是64頁\一共有90頁\編輯于星期四（四）TTL異或門6A+BABAB+A+B現(xiàn)在是65頁\一共有90頁\編輯于星期四二、集電極開路的門電路1、推拉式輸出電路結(jié)構(gòu)的局限性①輸出電平不可調(diào)②負(fù)載能力不強(qiáng)，尤其是高電平輸出③輸出端不能并聯(lián)使用

OC門現(xiàn)在是66頁\一共有90頁\編輯于星期四九、集電極開路（OC）的TTL門電路引入（一）普通的TTL門電路輸出端直接相連的后果使得輸出為低電平的邏輯門的輸出級損壞6現(xiàn)在是67頁\一共有90頁\編輯于星期四（二）集電極開路的TTL門電路6現(xiàn)在是68頁\一共有90頁\編輯于星期四2、OC門的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)現(xiàn)在是69頁\一共有90頁\編輯于星期四（三）集電極開路的TTL門電路可以實(shí)現(xiàn)線與運(yùn)算使用時(shí)的外電路連接上拉電阻RP線與可以實(shí)現(xiàn)與或非運(yùn)算6現(xiàn)在是70頁\一共有90頁\編輯于星期四3、外接負(fù)載電阻RL的計(jì)算現(xiàn)在是71頁\一共有90頁\編輯于星期四3、外接負(fù)載電阻RL的計(jì)算現(xiàn)在是72頁\一共有90頁\編輯于星期四3、外接負(fù)載電阻RL的計(jì)算OC門上拉電阻RL的取值應(yīng)在RL（min）和RL（max）之間現(xiàn)在是73頁\一共有90頁\編輯于星期四特別提醒：在上面計(jì)算上拉電阻最小值和最大值時(shí)，應(yīng)使驅(qū)動(dòng)門的輸出高、低電平滿足其要求，而不是以輸入門的輸入高、低電平滿足其要求。因?yàn)?，還要考慮連接輸入和輸出信號的導(dǎo)線上應(yīng)該有一定的抗干擾能力。6現(xiàn)在是74頁\一共有90頁\編輯于星期四十、TTL三態(tài)輸出門電路（一）低電平有效的三態(tài)與非門電路的工作原理三態(tài)門的真值表三態(tài)門的邏輯符號6現(xiàn)在是75頁\一共有90頁\編輯于星期四現(xiàn)在是76頁\一共有90頁\編輯于星期四（一）高電平有效的三態(tài)電路的工作原理三態(tài)門的真值表三態(tài)門的邏輯符號6現(xiàn)在是77頁\一共有90頁\編輯于星期四（二）TTL三態(tài)輸出門電路的應(yīng)用六個(gè)子部件兩兩之間建立連接六個(gè)子部件通過總線建立連接單向總線三態(tài)門實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)雙向傳輸6現(xiàn)在是78頁\一共有90頁\編輯于星期四十一、其它生產(chǎn)工藝類型的TTL門電路6現(xiàn)在是79頁\一共有90頁\編輯于星期四一、高速系列74H/54H（High-SpeedTTL）電路的改進(jìn)(1)輸出級采用復(fù)合管（減小輸出電阻Ro）(2)減少各電阻值2.性能特點(diǎn)速度提高的同時(shí)功耗也增加TTL電路的改進(jìn)系列(改進(jìn)指標(biāo))現(xiàn)在是80頁\一共有90頁\編輯于星期四二、肖特基系列74S/54S（SchottkyTTL）電路改進(jìn)采用抗飽和三極管用有源泄放電路代替74H系列中的R3減小電阻值2.性能特點(diǎn)速度進(jìn)一步提高，電壓傳輸特性沒有線性區(qū)，功耗增大現(xiàn)在是81頁\一共有90頁\編輯于星期四三、低功耗肖特基系列 74LS/54LS（Low-PowerSchottkyTTL）四、74AS,74ALS（AdvancedLow-PowerSchottkyTTL）···2.5其他類型的雙極型數(shù)字集成電路*DTL：輸入為二極管門電路，速度低，已經(jīng)不用HTL：電源電壓高，Vth高，抗干擾性好，已被CMOS替代ECL：非飽和邏輯，速度快，用于高速系統(tǒng)I2L：屬飽和邏輯，電路簡單，用于LSI內(nèi)部電路···現(xiàn)在是82頁\一共有90頁\編輯于星期四第五節(jié)CMOS門電路一、CMOS反相器工作管負(fù)載管CMOS邏輯門電路是由N溝道MOSFET和P溝道MOSFET互補(bǔ)而成。VTN=2VVTP=-2V1.CMOS反相器