Lecure 等離子顯示工藝2

新型顯示技術(shù)

NewDisplayTechnologyPDP工藝流程PDP工藝流程Sputtering：ITO涂布Photoresistcoating：光阻膜涂覆（感光保護膜）Etching：刻蝕ResistStripping：抗剝落處理Photopaste：感光膠Pasteprinting:膠印Agpaste：銀膠Exposing：曝光Developing:顯影Dielectric：電介質(zhì)Magnet：磁體Beam：束Focusingcoil：聚焦線圈ScreenPrinting：絲網(wǎng)印刷（絲?。㏒queegee：刮漿刀Mesh：絲網(wǎng)Paste：膠料Emulsion：感光乳劑RIBPasteCoating：障壁材料粘附Exposing：曝光Mask：光刻掩模Developing：顯影Sand-Blasting：吹砂-Nozzle：噴嘴Cuttingpellet：砂粒BarrierRIB：障壁間隔Sealing：封接Dispenser：給料器Fritdispensing：燒料分配Dryingprebaking：干燥預(yù)烤Assembly：總裝Fixedclip：固定夾Tubeconnect：接管Exhausting：抽氣（抽真空）Gauge：計量儀Tipoff：封嘴4新型顯示技術(shù)數(shù)據(jù)來源：中華映管5新型顯示技術(shù)數(shù)據(jù)來源：中華映管6新型顯示技術(shù)PDP工藝流程不論是上板工藝流程或下板工藝流程，一定由空白的平面透明玻璃基板開始玻璃基板要能承受熱處理溫度(450至600oC)，不會有收縮或彎曲變形過大的問題發(fā)生產(chǎn)生收縮或彎曲變形過大時，將使得上、下板中的對位記號(AligmentMark)，及其他各層電路圖案位置產(chǎn)生位移量產(chǎn)玻璃基板是采用高應(yīng)力點的玻璃基板來解決熱處理應(yīng)力要求AsahiPD200有直接提供鍍有ITO薄膜的玻璃基板7新型顯示技術(shù)數(shù)據(jù)來源：中華映管8新型顯示技術(shù)1、透明電極制作透明電極功能，是作為表面放電維持電極使用透明目的，是為了避免螢光粉被紫外線激發(fā)出之可見光被阻擋，使面板的亮度降低目前量產(chǎn)上所使用的透明電極材料，包括氧化銦錫(ITO，Tin-DopedIndiumOxide)氧化錫(SnO2，TinOxide)兩種ITO膜的導(dǎo)電率與透光率較SnO2膜為佳9新型顯示技術(shù)數(shù)據(jù)來源：中華映管10新型顯示技術(shù)2、金屬輔助電極制作透明電極的電阻值仍然過高，為避免在放電時電壓下降過大，導(dǎo)致應(yīng)用在大尺寸PDP時，無法產(chǎn)生均勻放電，故在其上方制作較窄的金屬輔助電極(BusElectrode)，以增加其導(dǎo)電率目前量產(chǎn)上所使用的導(dǎo)電電極，包括有鉻/銅/鉻銅導(dǎo)電率高，但工藝流程中亦被氧化增加電阻，且容易被封合膠浸蝕產(chǎn)生斷線鉻抗氧化及耐蝕性均較銅佳以濺鍍及濕式蝕刻制作，精密度佳銀-可用直接圖案印刷，成本低11新型顯示技術(shù)數(shù)據(jù)來源：中華映管12新型顯示技術(shù)3、黑色對比層制作黑色對比層功能，是增加面板影像的對比，減少外界光的反射影響此層是形成於每個放電單元中，兩條透明電極的兩側(cè)黑色對比層制作方式有兩種直接圖案印刷黃光濕式蝕刻法13新型顯示技術(shù)4、透明介電層制作透明介電層功能，是在使用AC時作為儲存電荷的電容，及在驅(qū)動面板時提供壁電荷，以降低驅(qū)動電壓透明介電層材料主要成份是玻璃粉，是以厚膜工藝流程中的平面印刷法為主平面印刷是網(wǎng)版上沒有圖案(Pattern)，印刷上較有圖案的印刷簡單14新型顯示技術(shù)數(shù)據(jù)來源：中華映管15新型顯示技術(shù)5、保護層制作保護層目的，包括有在等離子體環(huán)境中耐離子撞擊，以保護其下部的各層材料較高的二次電子發(fā)射效率，以降低產(chǎn)生氣體放電的最低啟動電壓保護層材料以氧化鎂(MgO)為主MgO保護層制作方法，包括有漿料涂布法濺鍍法電子束蒸鍍法離子電鍍法等16新型顯示技術(shù)數(shù)據(jù)來源：中華映管17新型顯示技術(shù)1、數(shù)據(jù)電極制作數(shù)據(jù)(Data)電極功能，是作為寫入數(shù)據(jù)用，亦稱尋址電極(AddressElectrode)數(shù)據(jù)電極層所使用材料，與上板的金屬輔助電極一樣的，包括有銀電極、銀感光性膠膜或鉻/銅/鉻電極，目前主要以直接印刷銀電極為主要工藝流程18新型顯示技術(shù)數(shù)據(jù)來源：中華映管19新型顯示技術(shù)2、白色反射層制作增加白色反射層目的，包括有提供一平坦表面，使得後續(xù)阻隔壁工藝流程容易制作保護數(shù)據(jù)電極免受到後續(xù)工藝流程的損傷增加螢光反射，以提高面板亮度工藝流程有兩種方式直接以平面印刷法涂布介電層漿料壓合介電層膠膜20新型顯示技術(shù)3、阻隔壁制作(1)阻隔壁(Rib)功能主要有二：當(dāng)做上、下玻璃板間的支撐物或間隔物(Spacer防止螢光粉的混色隨著對PDP對比與亮度要求，目前阻隔壁已分為上、下層兩種顏色上層為黑色，目的是增加畫面之對比下層為白色可反射可見光，以增加畫面之亮度21新型顯銜示技術(shù)3、阻隔薦壁制作(2)量產(chǎn)方式允，以噴砂情法為主流先在白色島反射層上摸，以厚膜舍工藝流程濟方式，各明別地依序途涂布一定荒厚度的白腦色層與黑清色層乾燥後票進行噴茂砂最後進連行燒結(jié)22新型顯劉示技術(shù)數(shù)據(jù)來迅源：中竹華映管23新型顯示盲技術(shù)4、螢光層存制作螢光層是友涂布在阻飛隔壁的兩容側(cè)與各阻真隔壁之間嶼，且相鄰居兩色間不羞可有混色籌現(xiàn)象一般多柿采用印猴刷方式脖，將不鏟同色之芬螢光粉觀漿料分楊別地填盾入各阻語隔壁之燙間，因掌此RGB三色需培要印刷框三次24新型顯靜示技術(shù)數(shù)據(jù)來壇源：中脆華映管25新型顯示咽技術(shù)5、封合克層制作封合層慌目的，伸是為了帳將兩片捎玻璃貼韻合在一印起，且蛇要能防嚴(yán)止填充貞氣體的袋漏氣若有漏蛛氣現(xiàn)象遣則放電搏氣體會醬有污染選問題發(fā)磁生，且拉造成每局個胞的征啟動電捎壓有很奇大變化目前封變合層涂淡布方式慣，以點磚膠涂布懂機制作汗，當(dāng)涂揭布完成衛(wèi)後要先盯進行預(yù)筒熔步驟章，將有坑機物質(zhì)京去除26新型顯罵示技術(shù)數(shù)據(jù)來源艘：中華映堤管27新型顯示曾技術(shù)數(shù)據(jù)來約源：中叫華映管28新型顯陶示技術(shù)封合和帝組裝工釀藝流程當(dāng)上板餅工藝流僑程與下仆板工藝茄流程分大別完成謹(jǐn)後，必陣須進行求上、下蔬兩片玻地璃基板謀貼合工軍作上板與下班板工藝流爬程中，分集別已有設(shè)續(xù)計對位記緊號，利用小自動對位泉貼合機將穗玻璃貼合重在一起將玻璃串抽氣管鍵固定貼房誠合在背賄板的抽罵氣口上附，再將士此組合愛面板同里時進行錘烘烤與誰抽氣工埋藝流程此工藝流蠟程是將面豎板中的空遼氣與烘烤隔中所產(chǎn)生協(xié)的有機廢辣氣排除，歐以避免影覆響後續(xù)所叛填充惰性陣氣體的純霜度，而導(dǎo)感致各胞的靠啟動電壓轎變高，並烘降低面板才壽命29新型顯示代技術(shù)數(shù)據(jù)來源鑰：中華映氣管PDP制造流程江及其技術(shù)釋發(fā)展31新型顯鐮示技術(shù)1.妻玻璃孫基板技術(shù)要郊求:表面平臟坦，應(yīng)變點噸溫度高惑，熱膨脹訓(xùn)系數(shù)與軟電極材況料和介明質(zhì)材料么匹配。實用材哈料：（1）普游通平板鈉餓鈣玻璃優(yōu)點：價格便宜借，與已開猜發(fā)出的彩梯色PDP所用的其霞它材料相餃匹配。缺點：應(yīng)變點寇低（一氏般為500℃左右胸），熱穩(wěn)定碰性差。（一）彩伙色AC-P唉DP的主要弊部件及欣其制作眠材料彩色AC-PDP主要部件

前基板后基板排氣管玻璃封接透明電極匯流電極介質(zhì)層MgO膜熒光粉氣體放電空間障壁介質(zhì)層尋址電極32新型顯示庭技術(shù)玻璃的幾尾個特征溫迅度轉(zhuǎn)換溫度指玻璃聲成塑性駐體與彈遲性體之蹈間的分蔬界溫度汪。它相株當(dāng)于玻若璃粘度很為1013Pa.s時的溫事度。在街此溫度君下，玻鍬璃體內(nèi)到的應(yīng)力疊大約需紹保溫4h才可基本蝕消除。退火溫吵度它相當(dāng)略于玻璃訴粘度為效1012Pa.依s時的溫度護。在該溫護度時，玻和璃處于塑攜性狀態(tài)，昂玻璃體內(nèi)甚應(yīng)力只需壓保溫4min就可基本桿消除。軟化溫黑度玻璃由貝塑性狀禿態(tài)變?yōu)槎蔷哂辛鲖寗有阅苁[時的溫超度，稱柳為軟化輝溫度。晨它相當(dāng)堅于粘度院為105Pa.s時的溫巷度。33新型顯覺示技術(shù)鈉鈣玻郊璃由于等冷卻速廣度不同售造成熱攪處理后炸的變形鈉鈣玻璃郵在電極漿飼料燒結(jié)后弊的產(chǎn)生的稱彎曲34新型顯訓(xùn)示技術(shù)（2）飾PD疾P專用基板樹玻璃優(yōu)點：高應(yīng)變點，嬌如PD2惡00（應(yīng)變點廉570緊℃）、CS25（應(yīng)變點羞610℃雁），熱穩(wěn)定性詠好。缺點：價格昂貴35新型顯示輸技術(shù)PDP用玻璃招基板生湯產(chǎn)廠家日本：主要有旭附硝子、Cen炊tra從l硝子、稈日本板吸硝子等陵公司。旭硝子需于19歐91年煤前后與PDP廠家簽蛛訂共同販開發(fā)合紹司；199夠2年制弦成PDP用玻璃護板；l995年夏購入PDP用玻璃基視板的浮法忍生產(chǎn)設(shè)備低，同年開羊始出售小批量福產(chǎn)品；199障6年7瓣月發(fā)表扣關(guān)于PDP高應(yīng)變溫晴度玻璃的殲信息。其他：美國Corn譯ing公司和擠法國Sai醋nt急Gob絮ain公司聯(lián)蠶合進行PDP用玻璃基潮板的生產(chǎn)乎。36新型顯波示技術(shù)（二）透覺明電極作用：透明電極從僅設(shè)置在AC-列PDP的前基領(lǐng)板上，藍(lán)減少對員可見光語的阻擋羽，并與向同一基漿板上設(shè)粉置的匯片流電極什成對構(gòu)喝成放電主用的電抬極，即廣顯示電撇極。技術(shù)要求綁:可見光鉗透過率乳高，電椒導(dǎo)率高慮，刻蝕塘性能優(yōu)叨良。37新型顯慕示技術(shù)實用材畜料：氧化銦錫埋（ITO）薄膜、SnO2薄膜。ITO膜采用氧拾化銦與氧問化錫比值垂大致為9滔：1的混傍合物靶通凝過濺射法磚制?。む崒泳哂袃?yōu)決良的光透喇射率及導(dǎo)遲電性。PDP用ITO膜的表簡面電阻畜從20屆—30／(每單位嬸面積電框阻，膜限厚15榮00A)到10垃00／(膜厚5畫00A)。38新型顯籃示技術(shù)ITO薄膜特點附：ITO工藝成摔熟，刻唇蝕性能注良好，廢但在PDP工藝中經(jīng)疤過高溫處患理時，阻開值變化較燒大。SnO2薄膜特點沖：成膜工鏟藝簡單讓，成本等低，且股熱穩(wěn)定慚性好，屑但其刻炊蝕性能秘不易掌洽握。39新型顯駛示技術(shù)（三）猶匯流電厘極和尋廈址電極匯流電極枕:?作用:減小顯淋示電極疫電阻?要求:導(dǎo)電性貍能好，莊與透明盤導(dǎo)電薄吐膜附著慢力強?制作材鳥料和方畏法:Cr-C巨u-Cr薄膜磁控濺瓦射法制現(xiàn)備薄膜獸，刻蝕悟成形Ag漿料絲網(wǎng)印刷肚圖形，燒隆結(jié)制成光敏Ag漿料絲網(wǎng)印刷韻，光刻成里形，燒結(jié)潮制成40新型顯示佛技術(shù)尋址電極音:?要求:導(dǎo)電性能固好，與基觸板玻璃附近著力強。?制作材多料和方焦法:Ag漿料染絲網(wǎng)踐印刷圖郵形，燒送結(jié)制成三。光敏Ag漿料搭絲耀網(wǎng)印刷，諒光刻成形哈，燒結(jié)制累成。41新型顯哨示技術(shù)（四）介針質(zhì)層?作用:把電極扔與放電域等離子亦體分隔榜開，限情制了放洞電電流鬼的無限稅增長，凈保護了黑電極；使AC-級PDP工作在存稍儲模式,有利于任降低放晨電的維分持電壓櫻。?材料:介質(zhì)漿帳料主要宰由玻璃冷粉、樹狡脂粘結(jié)哲劑、溶忠劑等組權(quán)成。42新型顯球示技術(shù)介質(zhì)漿酸料種類困:(1)慎流動莫型介質(zhì)燒結(jié)朋溫度遠(yuǎn)高秀于介質(zhì)的景軟化點。特點：伶透過率君高，表撫面平滑壤性好，調(diào)但與電泉極反應(yīng)栽大，絕多緣性能得不如軟窄化型漿蹲料。(2)熔軟化型介質(zhì)的燒黎結(jié)溫度在械介質(zhì)的軟桐化點附近挨。特點：絕腔緣性能良敵好，與電彼極反應(yīng)小悼，但表面罪平滑性差皺、透過率寒低。43新型顯彼示技術(shù)兩種介質(zhì)綁層材料性矛能的比較44新型顯示沖技術(shù)（五）介蝴質(zhì)保護膜?作用:延長顯示憲器的壽命寨；增加工作狡電壓的穩(wěn)居定性；降低器件兇的著火電別壓；減小放憂電的時違間延遲車。45新型顯鋪示技術(shù)?技術(shù)要求:①二次電壘子發(fā)射系臟數(shù)高；②表面幣電阻率忍及體電究阻率高縱：s>1012Ω/□理，v>1011Ω.m；③耐離子德轟擊；④擊穿強拜度高：E>(8-祖10)×106v/m；⑤與介質(zhì)懸層的膨脹很系數(shù)相近闊；⑥放電延扭遲?。虎咭子谥颇X備。46新型顯示泥技術(shù)?材料:可供選把擇的保特護膜材芹料有：（1）堿貍金屬氧化景物（CsO）疤：優(yōu)點是原使PDP工作電非壓低，股缺點是CsO在空氣頸中極不參穩(wěn)定，經(jīng)難以制優(yōu)備保護柴膜。（2）催堿土金央屬（ⅡA族）氧化竄物：BaO隸，Mg修O，C箏aO，買SrO工作電戲壓低，資且提高渾了PDP的工作觸穩(wěn)定性基，但它皇們在空主氣中的喇穩(wěn)定性狐也較差谷。（3）ⅢB及Ⅳ族芬氧化物曾：Al2O3，Si邪O2，T監(jiān)iO2，ZrO2，HfO2等，工酷作穩(wěn)定運性好，籌但工作息電壓高櫻。47新型顯釣示技術(shù)（4）La系金屬氧越化物：La2O3、C域eO2等，工雪作電壓庫低，工宋作穩(wěn)定轟，但放刮電延時育大。以上材料康中，MgO薄膜不僅果具有很強住的抗濺射勸能力，而擦且有很高關(guān)的二次電錦子發(fā)射系竭數(shù)，有利項于提高PDP的壽命和我降低PDP的工作電冰壓；MgO薄膜最俱適合作藍(lán)為PDP的介質(zhì)才保護薄紫膜。48新型顯勿示技術(shù)MgO晶體的猴性質(zhì)MgO是一種面論心立方晶威體，其晶疑格常數(shù)為多4.21錦3?，主要以憶(11通1)、功(20抓0)、覺(22成0)三縫種晶面匆取向存鍋在。MgO的禁帶寬妨度為6-困7.8eV，逸出功為洲6.85eV-支8.6趴5eV吐。(1)葡物理特性期：熔點為2愚827℃軋，折射刷率為1.扁7，對紫涂外區(qū)強烈囑的吸收，撫對可見光左區(qū)透明，介電常委數(shù)為9滋~10宋，表面敢電阻率ρs>1012Ω/口，體電阻率朵高ρv=1011~1013Ω.m49新型顯示擴技術(shù)(2)化學(xué)性質(zhì)在室溫挽下空氣過中發(fā)生召以下反騾應(yīng)：在高溫陜下將發(fā)氏生以下欲反應(yīng)：50新型顯示形技術(shù)（六）驢障壁?作用:①保證策兩塊基告板間的羊放電間乏隙，確令保一定攪的放電享空間；②防止相倘鄰單元間鞏的光電串政擾。?技術(shù)要求:對障壁的豪要求是高提度一致(植偏差在5m以內(nèi))殺，形狀激均勻。障壁寬度哲應(yīng)盡可能頑窄，以增浪大單元的潔開口率，南提高器件疏亮度。51新型顯喝示技術(shù)?障壁材料:低熔點玻毫璃漿料（七）熒涉光粉層將VUV轉(zhuǎn)變?yōu)榭商菀姽?，實惰現(xiàn)彩色顯奮示。要求:發(fā)光效率倚高，色彩靈飽和度高街，厚度均愿勻.（八）椅放電氣告體用于產(chǎn)生移真空紫外查輻射（VUV）。彩色AC-P橫DP制作工添藝前基板制作工序后基板制作工序基板玻璃檢查、清洗透明電極（ITO）制作匯流電極制作透明介質(zhì)層制作封接邊制作介質(zhì)保護膜制作基板玻璃檢查、打孔基板玻璃檢查、清洗尋址電極制作介質(zhì)層制作障壁制作熒光粉層制作總裝工序前后基板對位、封接排氣、具充氣老黨練驅(qū)動線瓶路裝配53新型顯示帥技術(shù)絲網(wǎng)印藍(lán)刷原理藥示意圖1.考絲網(wǎng)印想版（a.網(wǎng)框,b.絲網(wǎng)上躍非圖文妨部分(翻簡稱版事膜),c.絲網(wǎng)上斷圖文部并分）,碰2.竊刮板情,霉3.員漿料,縱4豆.基秀板絲網(wǎng)印腦刷的工遲藝流程土：絲印制炸版絲網(wǎng)印刷漿料烘嘉干漿料燒晃結(jié)用絲網(wǎng)印勻刷法制作PDP的各個部刻件，其質(zhì)袖量取決于倡多種因素紐奉：（1）砌漿料方獲面漿料的彩性質(zhì)、窮成分、捷顆粒度旺及均勻衰性、載候體材料懂、粘度驗及觸變它性等。abc123454新型顯示目技術(shù)（2）基向板方面基板材剛料、尺測寸精度塞、平整逆度和光必潔度等村。（3）箏刮板方膽面刮板材緒料的種采類、硬揚度、形質(zhì)狀等。（4）項絲網(wǎng)方敏面絲網(wǎng)材料劈燕的種類、繭性質(zhì)、絲轟網(wǎng)目數(shù)、愁絲網(wǎng)線徑層、絲網(wǎng)張?zhí)蚜?、版膜獻的種類、轟框架平整登度、框架譯與網(wǎng)線夾起角等。（5）印利刷方式方姑面印刷接蠟觸角、字印刷壓新力、印元刷速度鵲、印刷秧間隙等國；在印漂刷環(huán)境屑條件方裳面，有燥溫度、牲濕度和曉清潔度題等。（6）偵其他方宮面干燥時蘭間和溫顧度以及滑燒結(jié)工征藝等。55新型顯示蛋技術(shù)印刷工藝譜的優(yōu)點：具有設(shè)備蔥低價，工熱藝簡易，祖生產(chǎn)率高兔、成本低敞等優(yōu)點。某主要用來沸制造匯流菠電極、尋蛛址電極、梁介質(zhì)層、新熒光粉層材、障壁、饅封接層等送部件。缺點：與光刻膊技術(shù)相急比，印崖刷工藝沒的缺點秀是精度濕較差，扁分辨率搶不易做淚高。56新型顯阻示技術(shù)光刻工關(guān)藝：掩模板的涉制造、圖童形從掩模匠板至待刻姨蝕材料的蜜轉(zhuǎn)移?；迩榜{處理抗蝕劑涂覆待刻蝕喜材料涂覆掩模對準(zhǔn)曝光顯影、慶堅膜刻蝕去膠掩模制作掩模圖之形設(shè)計掩模原扒圖主掩嗓模工作掩模57新型顯賠示技術(shù)影響圖脊形加工肅精度主輸要因素此：掩模板的澆質(zhì)量和精動度、抗蝕炸劑的性能濱、圖形的彼形成方法哨及裝置精出度、位置所的對準(zhǔn)方差法及精度輔、刻蝕方醫(yī)法等。光刻工杰藝的特托點：能夠?qū)崿F(xiàn)蹈大面積、衛(wèi)高精度的框圖形，且專工藝成熟糞。如用來瞧制作PDP絲網(wǎng)印刷博漏印版，肢以及PDP的ITO電極、Cr-背Cu-抵Cr電極等質(zhì)部件。58新型顯惕示技術(shù)浮法工鞭藝過程摔：玻璃板倉制造工凈藝59新型顯祥示技術(shù)前基板崇的關(guān)鍵計制造工跌藝(一)銜透明電抱極的制盛作ITO連續(xù)薄李膜的形真成：磁控濺射兵鍍ITO膜的特點符:高速（沿沉積速滲度高）弓、低溫饒（靶和洗基板的殖溫度都劈燕較低）減、低損芽傷（基賺板表面棍受高能勿電子轟石擊損傷猛?。?。60新型顯定示技術(shù)光刻出ITO電極圖要形：61新型顯示筋技術(shù)(二)舌匯流電擦極的制嘉作富士通公島司采用Cr-C膚u-Cr薄膜材焦料制作圖匯流電以極。底層Cr用來增加訓(xùn)電極和玻彼璃基板的捏附著力，著頂層Cr用來防量止Cu的氧化，Cu是電極導(dǎo)獸電的主體嗽。Cr和Cu薄膜用濺顧射法制作虜。特點：圖形精細(xì)強準(zhǔn)確，邊浙緣整齊導(dǎo)電性能爺優(yōu)良，但其制作結(jié)工藝復(fù)雜媽，成本較憂高。62新型顯慌示技術(shù)采用厚膜扶技術(shù)制作抽匯流電極擺的方法：（1）絲酬網(wǎng)印刷法把金屬顛漿料印噴刷在透桿明ITO膜的邊緣南上，再經(jīng)宜高溫?zé)Y(jié)旗而成。這預(yù)是厚膜技倒術(shù)中普遍剖采用的制校作方法，棋最常用的燙金屬漿料增是Ag漿料。（2）厚瓦膜光刻技星術(shù)使用的刪材料是風(fēng)光敏Ag漿料（戶主要由警顆粒極攀細(xì)的Ag粉和感光孔樹脂構(gòu)成電），用絲肌網(wǎng)印刷的笨方法形成邀幾微米厚倆的連續(xù)膜乓層，然后袍用光刻法別形成電極睛，最后經(jīng)生燒結(jié)而成暮。63新型顯示培技術(shù)(三)上奶基板介質(zhì)娘層的制作要求鑼:(1)阿透過率高饞。(2)構(gòu)燒成膜表涂面光滑、未致密、無際絲網(wǎng)印刷效痕跡。(3)工絕緣性要自求比下板碑更高。(4)與杜電極反應(yīng)績小。(5)渣與玻聯(lián)璃附著基牢固。64新型顯示外技術(shù)介質(zhì)層的摘缺陷：厚度極均勻性紐奉差介質(zhì)層奇表面粗樣糙度大針孔、知氣泡由于異肅物而造計成的下移陷和突拘起等65新型顯挖示技術(shù)印刷壓宇力刮刀角營度介質(zhì)漿料絲網(wǎng)厚度絲網(wǎng)開朱口率絲網(wǎng)與伙基板之際間的間梳隙影響介質(zhì)還層厚度的避因素：66新型顯泉示技術(shù)影響介陳質(zhì)層表煤面粗糙處度的因前素：介質(zhì)層表崗面有粗糙哲度，這是概由于介質(zhì)劣膜是通過誕絲網(wǎng)形成的，因此掏印刷完畢尚后，在介討質(zhì)表面會鐘產(chǎn)生絲網(wǎng)井痕跡。由于介侄質(zhì)層下師面有電稠極，也典會導(dǎo)致侵介質(zhì)表燒面起伏優(yōu)不平。為了克時服這一胞點，有禽必要在處介質(zhì)印辰完以后伍室溫下股放置1噸0分鐘薯，使?jié){校料自行鄙流平。67新型顯示飯技術(shù)造成針孔傭的原因：絲網(wǎng)堵各孔玻板表面首有突起有污染物等氣泡的犁產(chǎn)生原尊因：電極或熱玻璃表渠面不平絮整有灰塵和異工物克服由足于異物孫而造成炎的下陷旦和突起匹的措施速：提高環(huán)境秤潔凈度克服針孔肉和氣泡的六方法：多層印促刷。68新型顯鏡示技術(shù)對介質(zhì)層歇漿料的烘崗干及燒結(jié)支工藝烘干目巴的：使?jié){料中聚的溶劑揮噸發(fā)的過程三。烘干工藝剛：溫度為1嫩00～1嫌50℃，權(quán)時間為6凈～12分蜻鐘。燒結(jié)目單的：去除有濟機樹脂事成份，掉而對上趴板介質(zhì)受，還要險保證一蘇定的透對明度和辛表面平里滑性。燒結(jié)工藝詢：介質(zhì)漿料呀有軟化點泊不同以及盞其他相關(guān)擠性能的不裳同，因此覺燒結(jié)溫度峰也要根據(jù)倒所使用的信漿料來選鎮(zhèn)定。69新型顯示睛技術(shù)燒結(jié)時滿升溫速奧率與介趴質(zhì)表面控狀態(tài)和唯介質(zhì)缺等陷的關(guān)蕩系：介質(zhì)燒結(jié)福時會產(chǎn)生致以下反應(yīng)寺:CxHyOz+O2CO2+H2O若升溫速誓率太慢，殺則燒結(jié)時吩間太長，弓不利于生原產(chǎn)；若升溫度邁速太快，洞介質(zhì)里邊繞的氣體會竊沖出介質(zhì)介表面形成師空洞，也推可能由于用介質(zhì)表面漫有機樹脂萍揮發(fā)太快你而使表面錄過早固化頂，包住了產(chǎn)介質(zhì)里邊悶的氣體使贊介質(zhì)內(nèi)部不產(chǎn)生氣泡儀；使介質(zhì)里騾邊的樹脂捉因缺少氧棚氣而無法誓氧化、分做解成氣體醬，造成介友質(zhì)層絕緣鈔性能下降夢，在放電同時易產(chǎn)生今打火。70新型顯示絹技術(shù)(四)封膀接層的制常作對封接誓層的涂之覆要求嬸：四條邊的諸厚度和寬惜度均勻一況致，以保挽證密封質(zhì)救量。一般憐采用絲網(wǎng)圾印刷法或孤噴涂法制異作，然后童進行預(yù)燒沾結(jié)。71新型顯示卸技術(shù)由膜材料受和對膜特霉性的要求干所決定，勺要選擇適誤于制取高書熔點介質(zhì)俘膜的方法結(jié)；經(jīng)濟性牲；各工藝參延數(shù)是否簡蕩單、可控寄；設(shè)備的德體積、核成本等毅。PDP對保護時膜特性明的要求富為：大面積陣均勻；二次電趁子發(fā)射欺系數(shù)高懇；膜層致密妻；潔凈。選擇PDP介質(zhì)保護朵膜制備方僅法時考慮倘的因素：(五)呀介質(zhì)保購護膜的稿制作72新型顯示那技術(shù)電子束獨蒸發(fā)成拆膜技術(shù)淺中，影收響薄膜接特性的組主要因淋素：蒸發(fā)速率基片溫度蒸發(fā)原頂子入射精方向基片表卸面狀態(tài)真空度霉等73新型顯闊示技術(shù)主要制薪作材料堅：純氧化娃鎂膜料蒸發(fā)前的印本底真空致度：10-4Pa。蒸發(fā)過悟程中通蜻入氧氣火。薄膜厚匪度的不性均勻度斃要求：±10%藝以內(nèi)。電子束置蒸發(fā)鍍爺膜裝置先示意圖電子束季蒸發(fā)制玻備的MgO薄膜的相結(jié)構(gòu)呈獵現(xiàn)出明寶顯的<111迫>結(jié)晶面怠擇優(yōu)取吐向。由轎于相對尊于其它虹結(jié)晶取滔向來說抽，<111勝>結(jié)晶面擇私優(yōu)取向的MgO薄膜最能痛降低PDP的著火復(fù)電壓。加熱裝置基片夾具膜料坩堝電子槍鐘罩抽氣系統(tǒng)充氧系統(tǒng)基片旋轉(zhuǎn)74新型顯示擾技術(shù)后基板的福關(guān)鍵制造斤工藝(一)尋秒址電極的釋制作一般采李用絲網(wǎng)糾印刷法永或厚膜誘光刻技嘴術(shù)制作甚。(二)騙介質(zhì)層牢的制作(1舞)反射儲率高好,它可匆以將熒改光粉發(fā)辛出的光妙全部反掏射到屏脹前面來豆。(2)音燒成膜平哲滑,以群利于障壁朋的印刷。(3由)絕緣責(zé)性好,硬滿賢足尋址笑要求。(4)防抗磨損貓,與渡玻璃附溉著牢固靈。(5)貪與電極姨反應(yīng)小猴。采用絲網(wǎng)蛋印刷法制能作。75新型顯隆示技術(shù)(三)障賠壁的制作障壁高鴨度一般債在10果0200m的范圍價。主要促制作技陽術(shù)有：1．絲網(wǎng)庫印刷優(yōu)點：材料浪費序少，材料倆成本低。缺點：工藝步澇驟多，助制作時灰間長，貞對位要巡壽求嚴(yán)格物，而且柴要求操賢作人員粒有熟練巧的技術(shù)鮮，以及發(fā)對印刷攀設(shè)備的你性能、愉漿料性久能、環(huán)詠境對絲講網(wǎng)的影快響等有暮全面的做了解，慌所以制鉤作工藝你復(fù)雜。黑頂白色主體基板玻璃76新型顯示厚技術(shù)Pho擁tog匹rap姐ho男ft憲he迫top溝sh慢ape翅of下th曠ep尺rin詢tin芒gr莖ib起bef緞ore愈po唉lis法hin眠g77新型顯示擠技術(shù)2．噴砂勵法由于采用糞光刻中的臭曝光技術(shù)嚼，障壁尺與寸一致性圓好，目前午障壁的寬拴度實驗室飾可做到3所0m，生產(chǎn)上潛做到7況0m，有利于乎器件開固口率的接提高。噴砂法僅塞需和尋址阿電極對準(zhǔn)平一次，制其作大面積蚊器件時失浴配的問題弄較小。噴錘砂法的生袖產(chǎn)率高，紙只需數(shù)分基鐘就可完梢成噴砂刻榮蝕。噴砂擱法是一種內(nèi)適合于大便生產(chǎn)的工臘藝技術(shù)。噴砂法牽的缺點私是材料矩利用率關(guān)低，并圣且被噴凈砂刻蝕塞的材料截中含有挎不少鉛慮的氧化覽物，污居染環(huán)境蜓。噴砂法奧制作障旱壁示意為圖光敏干膜障壁材犁料層噴嘴砂粒障帝壁干膜光貓刻制出圖拆形噴砂去除干膜燒結(jié)78新型顯禍?zhǔn)炯夹g(shù)(四)瀉熒光粉孝層的制做作采用絲網(wǎng)匹印刷法或孝厚膜光刻名法制作。79新型顯示芬技術(shù)80新型顯膽示技術(shù)81新型顯示戶技術(shù)82新型顯示福技術(shù)要求熒遠(yuǎn)光粉均贏勻地涂拼覆在單于元的谷斷底和障抖壁的側(cè)蛋壁上，華以增大雖視角，滅而在障轟壁頂部灑不能留物有熒光餅粉，防耍止混色慚。83新型顯咳示技術(shù)84新型顯冰示技術(shù)總裝工捧藝(一)前曉后基板封毯接：在封接過既程中，通甩常采用兩陰次燒結(jié)工秧藝。對封接的現(xiàn)要求：強度高俊，氣密朝性好。85新型顯歪示技術(shù)(二)疑排氣牽、充氣擊工藝在40極0多度喂的溫度壓下進行毛低熔點黃玻璃封汗接——溫度降到剝300多怪度時保溫永,并對顯腥示板排氣——溫度降到詠室溫時，描充入按一威定比例混哀合好的氣副體——最后封窗離排氣芬管。排氣、充差氣系統(tǒng)示股意圖擴散泵機械泵冷阱真空壓哀力計烘箱PDP電離計熱偶計氣體I氣體II氣體III減壓閥86新型顯魯示技術(shù)(三)擁老練在顯示電撤極間加維折持電壓，修直到PDP的著火薦電壓和菠熄火電障壓穩(wěn)定故。87新型顯息示技術(shù)驅(qū)動電路運基本框圖驅(qū)動電隱路的功械能：把邏輯晃輸出控兼制狀態(tài)崖轉(zhuǎn)換為眉高壓脈濫沖輸出褲，目的右是獲得蘆足夠的遭功率去舅驅(qū)動顯賺示器。X、Y電極驅(qū)庫動的形便式相同側(cè)，只是蟻輸出波沉形相位叛相差1加80。。88新型顯螺示技術(shù)老煉過羞程中雜鉛質(zhì)氣體督產(chǎn)生的算機理MgO膜的化變學(xué)性質(zhì)數(shù)較為活誦潑，在凡室溫下崖空氣中闊可以發(fā)網(wǎng)生以下?lián)品磻?yīng)：在高溫矩下將發(fā)掩生以下槐反應(yīng)：22MgO攀+Cl拘MgCl?2MgO僚+棟CMg霧C?22MgO仁+劇NMg使N?22MgO收+淹HOM袋g(O碼H)?23MgO妻+尚COM柏gCO?89新型顯妹示技術(shù)在室溫下漿空氣中，MgO薄膜極易撐吸水，水霜以游離態(tài)勢和化合態(tài)插存在，化鉆合態(tài)的水曾主要是以Mg(升OH)2羥基化鬧合物的幟形式存蜂在；MgO薄膜還丟會與大磚氣中二休氧化碳鞭發(fā)生反遇應(yīng)生成MgCO3；在膜表魚面吸附雄大量的貸氣體（沙如O2、H2等氣體漂）。MgO薄膜表童面產(chǎn)生壁的這些良化合物陜和吸附醬的氣體立，將引欣起離子作碰撞二栗次電子魔發(fā)射系包數(shù)降低開和放電殘氣體成拴分的改惡變，導(dǎo)腫致PDP著火電桃壓升高啦。MgO膜表面碑的污染組:90新型顯充示技術(shù)(四)引傷線連接由于顯桐示板和FPC連接處的迎引線間距昏一般只有謹(jǐn)0.250.2炕0mm(可能達到暈0.1mm)，通常要采軍用一種稱講為各向異璃性導(dǎo)電膜擱（Ani只sot藏rop征ic貸Con菌duc堡tiv勿eF堪ilm語,A用CF）的材料。FPC與顯示桌屏引出你電極的塑熱壓步午驟91新型顯憶示技術(shù)(五)乓裝配驅(qū)燥動電路liul扔in@x嘉upt.青edu.避cnYan慢gsi圈wei額.co市mThan頸kYo形u!9、靜夜猶四無鄰海，荒居養(yǎng)舊業(yè)貧牌。。4月-貌234月-2侮3Wedn芳esda貨y,A冰pril素26,察202寧310、雨中森黃葉樹符，燈下坦白頭人餅。。01:2挑5:4101:曲25:查4101:2據(jù)54/2載6/2依023葵1:艦25:姿41首AM11、以我獨倘沈久，愧超君相見頻樣。。4月-2峽301:婚25:憂4101:2跑5Apr效-2326-黨Apr洽-2312、故人跳江海別問，幾度幸隔山川朽。。01:2谷5:4101:2宵5:4101:2得5Wedn哭esda阻y,A釣pril印26,椒202阻313、乍見翻沾疑夢，相皇悲各問年掉。。4月-2壯34月-2籠301:白25:悅4101:板25:喂41Apri側(cè)l26蝴,20按2314、他鄉(xiāng)生培白發(fā)，舊督國見青山納。。26四瘋月20襲231:2廣5:4儉1上賭午01:2專5:414月-2挑315、比不皂了得就鈔不比，襖得不到券的就不轎要。。。四月倦231:2塔5上果午4月-濤2301:2故5Apri托l(wèi)26酸,20凍2316、行動慰出成果部，工作概出財富政。。202極3/4愛/26做1:劃25:底4101:2嚇5:4126A私pril螞202返317、做前騾，能夠瞎環(huán)視四危周；做害時，你拒只能或椒者最好路沿著以輕腳為起專點的射童線向前解。。1:2務(wù)5:4杏1上攏午1:25膏上午01:借25:落414月-撲239、沒有失盲敗，只有鐘暫時停止刮成功！。4月-肯234月-朵23Wed繞nes銀day暮,A僚pri脅l2劉6,催202之310、很多違事情努殲力了未垮必有結(jié)煌果，但落是不努豬力卻什裳么改變肆也沒有墻。。01:模25:說4101:頁25:忽4101:員254/26慮/202妥31:喬25:4館1AM11、成功就沈