射頻控制電路演示文稿

射頻控制電路演示文稿目前一頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)本章目錄第一節(jié)射頻開關(guān)第二節(jié)射頻移相器第三節(jié)射頻衰減器第四節(jié)射頻限幅器

目前二頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)知識結(jié)構(gòu)射頻控制電路射頻開關(guān)PIN二極管GaAsFET電路設(shè)計(jì)射頻移相器射頻衰減器射頻限幅器概述移相器的主要技術(shù)指標(biāo)開關(guān)線型移相器加載線型移相器反射型移相器高通/低通濾波器型移相器放大器型移相器數(shù)字衰減器模擬衰減器用于限幅的各種現(xiàn)象PIN二極管限幅器微帶結(jié)構(gòu)限幅器目前三頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.1射頻開關(guān)12.1.1PIN二極管微波開關(guān)利用PIN管在直流正、反偏壓下呈現(xiàn)近似導(dǎo)通和關(guān)斷的阻抗特性，實(shí)現(xiàn)了控制微波信號通道轉(zhuǎn)換的作用。

a基本PIN結(jié)橫截面圖

b正偏c反偏正偏條件下的電阻記為Rs，與偏置電流IF.成反比，使PIN結(jié)二極管在高頻下有很好的隔離度。（b）為正偏時等效電路。當(dāng)PIN結(jié)反偏或者零偏時，本征層I內(nèi)的電荷被耗盡，表現(xiàn)出高電阻(Rp)，如圖（c）所示。其中CT為PIN結(jié)二極管的總電容，包括了結(jié)電容Cj和封裝寄生電容Cp。目前四頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.1射頻開關(guān)12.1.2GaAsFET在典型的開關(guān)模式中，當(dāng)柵源負(fù)偏置在數(shù)值上大于夾斷電壓即（）時，漏源之間電阻很大，可視為一個高阻抗?fàn)顟B(tài)；當(dāng)零偏置柵電壓加載到柵極時，則產(chǎn)生一個低阻抗?fàn)顟B(tài)。FET的兩個工作區(qū)域可以用圖（a）形象表示。FET中與電阻性和電容性區(qū)域相關(guān)的部分如圖（b）所示。

FET開關(guān)的線性工作區(qū)域

FET開關(guān)的橫截面圖目前五頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.1射頻開關(guān)12.1.3電路設(shè)計(jì)1.結(jié)構(gòu)組成我們有兩種基本結(jié)構(gòu)可以采用來設(shè)計(jì)控制RF信號沿著傳輸線傳輸?shù)暮唵蔚膯蔚秵螖S（SPST）開關(guān)，如圖所示。

串接開關(guān)器件及高、低阻等效電路并聯(lián)開關(guān)器件及高、低阻等效電路這兩種結(jié)構(gòu)是對稱的：對于并聯(lián)結(jié)構(gòu)，當(dāng)器件處于高阻抗?fàn)顟B(tài)時信號就傳遞到負(fù)載；對串聯(lián)結(jié)構(gòu)，器件低阻狀態(tài)才允許信號傳輸。目前六頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.1射頻開關(guān)2.插入損耗和隔離度插入損耗定義為理想開關(guān)在導(dǎo)通狀態(tài)傳遞給負(fù)載的功率與實(shí)際開關(guān)在導(dǎo)通狀態(tài)真正傳給負(fù)載功率之比值，常以分貝數(shù)表示。

如果用表示在理想開關(guān)負(fù)載兩端的電壓，則插入損耗IL可寫為：

其中是實(shí)際負(fù)載兩端電壓。

對于串聯(lián)結(jié)構(gòu)通過分析可以得出：

則插入損耗為：目前七頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.1射頻開關(guān)對并聯(lián)結(jié)構(gòu)負(fù)載兩端電壓應(yīng)為：此時插入損耗為：式中，，G和B是開關(guān)器件在高阻狀態(tài)下導(dǎo)納Y的實(shí)部和虛部。

隔離度定義為理想開關(guān)在導(dǎo)通態(tài)傳給負(fù)載的功率與開關(guān)處于斷開態(tài)時傳遞到負(fù)載實(shí)際功率之比，它是開關(guān)在斷開態(tài)時開關(guān)性能的度量。對串聯(lián)結(jié)構(gòu)，當(dāng)器件在高阻狀態(tài)時處于“斷開”狀態(tài)。此時的隔離度也是由R和X用高阻狀態(tài)下相應(yīng)值代入給出的；同理，并聯(lián)結(jié)構(gòu)是由式用低阻狀態(tài)下的G和B值給出的。目前八頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.1射頻開關(guān)3.性能改善由串聯(lián)開關(guān)的插損和隔離度的公式可以看出，開關(guān)電路的性能受器件電抗X或電納B的影響，因此可以通過改變器件電抗來改善開關(guān)的性能。

高阻抗?fàn)顟B(tài)的總導(dǎo)納可用接一個與電容并聯(lián)的幅度相等的感性電納來降低。這既可安裝一個集總電感，也可加入一段短路（小于1/4波長）短截線來達(dá)到。圖畫出了這兩種方法的具體電路。

高阻狀態(tài)下開關(guān)器件電容采用目前九頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.1射頻開關(guān)4.單刀雙擲開關(guān)單刀雙擲開關(guān)（SPDT）在任意時刻總有一個支路閉合。SPDT開關(guān)有串聯(lián)和并聯(lián)兩種基本結(jié)構(gòu)，如圖所示。

SPDT的串聯(lián)和并聯(lián)結(jié)構(gòu)在串聯(lián)結(jié)構(gòu)中，當(dāng)開關(guān)器件SD1在低阻狀態(tài)和器件SD2在高阻狀態(tài)時，輸入信號到輸出1，否則到輸出2。圖（b）所示的并聯(lián)結(jié)構(gòu)基本原理與串聯(lián)相同，當(dāng)器件SD1在高阻狀態(tài)，而器件SD2在低阻狀態(tài)時，信號路徑到輸出1，否則到輸出2。因此，在這兩種結(jié)構(gòu)中不管哪一種，在任何時間，總有一個器件在低阻狀態(tài)而另一個器件在高阻狀態(tài)。目前十頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.1射頻開關(guān)

下圖給出了兩類SPDT結(jié)構(gòu)的性能，開關(guān)器件是MA-47899pin二極管芯片。該設(shè)計(jì)的中心頻率為3GHz。對于并聯(lián)安裝開關(guān)，插入損耗隨頻率變化限制帶寬。

采用兩個pin二極管的SPDT開關(guān)典型插入損耗和隔離度性能曲線

目前十一頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.1射頻開關(guān)5.串-并聯(lián)開關(guān)結(jié)構(gòu)

圖（a）是一種最簡單的串—并聯(lián)開關(guān)結(jié)構(gòu)，當(dāng)串聯(lián)器件在低阻狀態(tài)和并聯(lián)器件在高阻狀態(tài)時，該開關(guān)是“通”。當(dāng)串聯(lián)器件在高阻狀態(tài)而并聯(lián)器件在低阻狀態(tài)時，開關(guān)在“斷”狀態(tài)。圖（b）是等效電路。

串-并聯(lián)開關(guān)結(jié)構(gòu)等效電路從簡單電路分析，插入損耗可寫為：隔離度為：

目前十二頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.1射頻開關(guān)

我們?nèi)绻诖?并聯(lián)結(jié)構(gòu)中采用多個開關(guān)器件，就能夠得到超寬帶開關(guān)。這一基本概念包含了利用T型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，當(dāng)串聯(lián)器件在低阻狀態(tài)（電感），而并聯(lián)電路在高阻狀態(tài)（電容）時像一個低通濾波器。當(dāng)在串聯(lián)和并聯(lián)開關(guān)器件上的偏置電平互換時，網(wǎng)絡(luò)特性像高通濾波器，在低于截止頻率上具有高插入損耗。

三個器件T形結(jié)構(gòu)示例目前十三頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.1射頻開關(guān)6.開關(guān)速度的考慮（1）開關(guān)器件所致速度限制開關(guān)速度術(shù)語與測量當(dāng)pin二極管用作射頻開關(guān)時,限制開關(guān)速度的主要因素是當(dāng)二極管偏置從正偏到反偏切換時，從本征區(qū)域移動電荷需要的時間，即存儲電荷的耗盡時間。此外，要提高pin二極管開關(guān)速度，在厚度W相同的情況下，可以采用GaAs二極管代替Sipin二極管來實(shí)現(xiàn)，因?yàn)樵谏榛壷须娮舆w移率約是硅中4倍，所以GaAs二極管有更快開關(guān)速度，以及較低激勵電流的需求。目前十四頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.1射頻開關(guān)（2）由偏置網(wǎng)絡(luò)所致開關(guān)速度限制若把直流偏置作為一個單獨(dú)端口，則一個單刀單擲開關(guān)電路可視為三端口網(wǎng)絡(luò)，如圖所示。為保證RF信號不通過偏置端口泄漏，在其偏置端口上需接一個低通濾波器。同理，為保證直流偏置（開關(guān)脈沖）不干擾電路其他部分，在RF的輸入輸出端上也需要高通濾波器。其最簡單形式，高通濾波器是簡單在輸入、輸出兩端加隔直流電容。但是此濾波器會增加開關(guān)脈沖上升時間，因此降低了開關(guān)速度。

開關(guān)電路三端口網(wǎng)絡(luò)表示目前十五頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器12.2.1概述微波移相器是相控陣?yán)走_(dá)、衛(wèi)星通信、移動通信設(shè)備中的核心組件，它的工作頻帶、插入損耗直接影響著這些設(shè)備的抗干擾能力和靈敏度，以及系統(tǒng)的重量、體積和成本，因此研究移相器在軍事上和民用衛(wèi)星通信領(lǐng)域具有重要的意義。

各種微波移相器類型目前十六頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器12.2.2移相器的主要技術(shù)指標(biāo)1.工作頻帶移相器工作頻帶是指移相器的技術(shù)指標(biāo)下降到允許界限值時的頻率范圍。

2.相移量移相器是兩端口網(wǎng)絡(luò)，相移量是指不同控制狀態(tài)時的輸出信號相對于參考狀態(tài)時輸出信號的相對相位差。

3.相位誤差相位誤差指標(biāo)有時采用最大相移偏差來表示，也就是各頻點(diǎn)的實(shí)際相移和理論相移之間的最大偏差值；有時給出的是均方根（RMS）相位誤差，是指各位相位誤差的均方根值。目前十七頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器傳輸線上相鄰的波腹點(diǎn)和波谷點(diǎn)的電壓振幅之比為電壓駐波比，用VWSR表示。

5.電壓駐波比4.插入損耗和插入波動插入損耗的定義為傳輸網(wǎng)絡(luò)未插入前負(fù)載吸收功率與傳輸網(wǎng)絡(luò)插入后負(fù)載吸收功率之比的分貝數(shù)。

6.開關(guān)時間和功率容量開關(guān)元件的通斷轉(zhuǎn)換，有一個變化的過程，需要一定的時間，這就是開關(guān)時間。移相器的開關(guān)時間主要取決于驅(qū)動器和所采用的開關(guān)元件的開關(guān)時間。移相器的功率容量主要是指開關(guān)元件所能承受的最大微波功率。開關(guān)的功率容量取決于開關(guān)導(dǎo)通狀態(tài)時允許通過的最大導(dǎo)通電流和截止?fàn)顟B(tài)時兩端能夠承受的最大電壓。目前十八頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器12.2.3開關(guān)線型移相器一位開關(guān)線型移相器的基本構(gòu)成如圖所示。兩只單刀雙擲開關(guān)用作信號通路，交替地經(jīng)過兩個中的一個。

一位開關(guān)線型移相器傳輸路徑長度為或，當(dāng)信號通過較長的路徑時，它產(chǎn)生附加相位延遲為：從公式可以看出這類移相器一個有趣特性，其相移差值直接與頻率成正比。由于這一特性，開關(guān)線型移相器也叫做開關(guān)時間延遲網(wǎng)絡(luò)。其時間延遲為：

目前十九頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器開關(guān)線移相器原理簡單，結(jié)構(gòu)上容易實(shí)現(xiàn)，但是幾個技術(shù)問題需要注意：（1）在開關(guān)線型移相器設(shè)計(jì)中一個共同的問題是開路諧振所引起的問題。

（2）在移相的整個工作過程中，移相器的輸入端和輸出端之間一直處于導(dǎo)通的情況，因此要求在兩種狀態(tài)下輸入端都要良好匹配。此外還要求兩種移相狀態(tài)下插入損耗要小，并且要盡可能相等，否則兩種移相狀態(tài)下輸出信號大小不同，這將引起寄生調(diào)幅。

（3）開關(guān)的兩條移相線相互距離要足夠遠(yuǎn)，避免傳輸線間相互耦合造成信號衰減和相位誤差。目前二十頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器12.2.4加載線型移相器說明加載型移相器基本機(jī)理的電路加載線型移相器常用于對和移相設(shè)計(jì)。在這種電路中，移相原理如圖中所示。入射波經(jīng)歷的移相決定于歸一化電納b=B/r。由b引起的反射為：電壓傳輸系數(shù)則可以寫成：所引入的相位差為：

目前二十一頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器12.2.5反射型移相器反射型移相器的基本原理是在均勻傳輸線的終端接入電抗性負(fù)載，利用開關(guān)變換負(fù)載的阻抗特性，從而改變負(fù)載反射系數(shù)的相位，使入射波與反射波之間產(chǎn)生相移。

反射型移相器的基本概念產(chǎn)生可轉(zhuǎn)換系數(shù)的子網(wǎng)絡(luò)有兩種不同類型：在第一類，端接線電抗變化（例如從電感變成電容），在第二類移相器電路中，外加線長度用單刀單擲（SPST）開關(guān)在反射平面上加入。反射型移相器目前二十二頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器利用1/4波長的變換網(wǎng)絡(luò)移相器其基本組成如圖所示。

采用1/4波長變換網(wǎng)絡(luò)反射型移相器是為了產(chǎn)生所希望的相移，從器件向里（網(wǎng)絡(luò)）看的阻抗，所以：

線長度的選擇是使得阻抗在低阻狀態(tài)應(yīng)為，其結(jié)果為：所以：對位將有：

從而得出：目前二十三頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器12.2.6高通/低通濾波器型移相器高通/低通濾波器型移相器屬于開關(guān)網(wǎng)絡(luò)移相器，是由開關(guān)線移相器發(fā)展而來的，開關(guān)網(wǎng)絡(luò)由高通和低通濾波器組成。當(dāng)微波信號通過高通濾波器時，相位超前；通過低通濾波器時，相位滯后，信號在兩濾波器電路之間轉(zhuǎn)換時，實(shí)現(xiàn)相移。

用于開關(guān)網(wǎng)絡(luò)移相器的濾波器圖（a）所示網(wǎng)絡(luò)歸一化ABCD矩陣可寫作：目前二十四頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器以歸一化ABCD矩陣來表達(dá)傳輸系數(shù)為：

傳輸相位由下式給出：當(dāng)和兩者都改變符號時[如圖（b）所示]，相位保持相同幅度而改變符號，幅度不變。因此在低通和高通網(wǎng)絡(luò)之間切換所引起相移由下式給出：目前二十五頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器為了移相器匹配，需要：由于考慮的是無損情況：從而得到：因此相移可以僅用項(xiàng)來表達(dá)，為：由此還可以得到：目前二十六頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器12.2.7放大器型移相器1.調(diào)諧雙柵MESFET移相器

在這種設(shè)計(jì)中，雙柵MESFET的第二柵（靠近漏極）用作信號輸入柵極，而第一柵（靠源級較近）用作控制柵。像MESFET放大器設(shè)計(jì)情況一樣，在輸入和輸出二極管上兩端都需要匹配電路。調(diào)諧電抗接在第一柵和地之間?？刂戚敵鲂盘柡洼斎胄盘栔g相移的控制電壓加在柵極1上，由于改變器件參數(shù)（如柵極1至源極電容）和外接調(diào)諧阻抗（它可能是串聯(lián)電感）之間相互作用就獲得相位控制。

調(diào)諧柵雙柵MESFET移相器方框圖

目前二十七頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器2.采用可切換SPDT放大器有源移相器

這類移相器結(jié)構(gòu)如下所示，輸入信號在兩個相同放大器之間切換。在其中一個放大器輸出端附加一線段長度產(chǎn)生所需的相位。這兩路信號在功率合成電路中相加。Wilkinson功率合成器引入3dB損耗，且從放大器有用增益看，這3dB損耗認(rèn)為是不嚴(yán)重的，這種設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)是電路移相部分與其它設(shè)計(jì)無關(guān)。

利用SPDT放大器的移相器方框圖

目前二十八頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.2射頻移相器3.分段柵極MESFET移相器

為了設(shè)計(jì)數(shù)字移相器，需要增益能以重現(xiàn)的數(shù)字式變化。雙柵MESFET的總控制柵極寬度被分成幾段，信號柵極段為共同的，而控制柵被分割成幾段，一個柵極相應(yīng)于每一段柵極區(qū)。第二柵極段每一個引出與外部相接，使得MESFET的各段可選擇“通”或“斷”切換。

分段雙柵器件電路表示法

目前二十九頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.3射頻衰減器12.3.1數(shù)字衰減器

1.設(shè)計(jì)方法

數(shù)字衰減器的零狀態(tài)衰減值應(yīng)當(dāng)設(shè)計(jì)得盡可能地低。對于大多數(shù)應(yīng)用，附加的衰減直接影響鏈路預(yù)算。選擇具有最小插入損耗的器件非常重要。另一個重要的要求是功率處理能力，通常指定為輸入三階交調(diào)截點(diǎn)（IP3）。對于無線應(yīng)用，較小的尺寸，容易實(shí)現(xiàn)的控制電路應(yīng)重點(diǎn)考慮。

數(shù)字衰減器在電子系統(tǒng)和電子設(shè)備中有廣泛的應(yīng)用,例如在衛(wèi)星通信中,集束網(wǎng)絡(luò)(BFN)往往需要利用衰減器進(jìn)行信號幅度的控制。相應(yīng)的控制器件有PIN管、GaAsMESFET等。相比可變衰減器,數(shù)字衰減器在寬頻帶內(nèi)有更高的衰減精度、更優(yōu)良的電壓駐波比和更大的衰減動態(tài)范圍,但有相對較大的參考態(tài)插入損耗。而相比PIN管,GaAsMESFET有極低的功耗、極快的速度,因而得到迅猛推廣應(yīng)用,需求量劇增。

目前三十頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.3射頻衰減器2.分段雙柵FET技術(shù)

下圖給出了分段雙柵FET電路的示意圖。在射頻微波頻段，我們可以使用雙柵GaAsFET器件來獲得等相位但不同增益的通路。在這種結(jié)構(gòu)中，雙柵FET的柵極1和漏極端口分別用做輸入端口和輸出端口，柵極2用做控制終端。柵極1被偏置在要求的增益量狀態(tài)，柵極2被偏置在飽和狀態(tài)（開狀態(tài)）。當(dāng)柵極2偏置逐漸增加到夾斷狀態(tài)時，雙柵FET的增益降低，而傳輸相位不變。

分節(jié)雙柵FET衰減器的示意圖目前三十一頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.3射頻衰減器3.開關(guān)式衰減器

圖（a）為開關(guān)衰減器的結(jié)構(gòu)。在該衰減器中，兩個SPDT開關(guān)用于在直通線和參考線之間變換信道。如果所需衰減值超過4dB，則可以使用T或型電阻網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，其中的電阻可以是GaAs臺面電阻器或芯片制造工藝中可獲得的專用鎳鉻合金電阻器。Gupta使用的寬帶SPDT開關(guān)示意圖如圖（b）所示。其可用的上限頻率由SPDT開關(guān)本身的隔離度決定。由于開關(guān)不含有任何電容性元件，因此對性能沒有下限頻率限制。

開關(guān)衰減器示意圖SPDT開關(guān)的示意圖目前三十二頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.3射頻衰減器4.開關(guān)式比例型FET

下圖給出了開關(guān)式比例型FET結(jié)構(gòu)的示意圖。開關(guān)式比例型FET技術(shù)在連接輸入和輸出端口的兩條通路上使用了不同尺寸的FET，不使用外電阻性網(wǎng)絡(luò)來獲得期望的衰減值，而是利用不同對開關(guān)式FET的開狀態(tài)電阻值之差達(dá)到選擇的衰減量。因此，該技術(shù)適用于達(dá)到2dB的較小衰減比特?cái)?shù)。對于開關(guān)式比例型FET結(jié)構(gòu)，需要加入額外的短傳輸線節(jié)，用于均衡衰減參考通路長度。開關(guān)比例型FET結(jié)構(gòu)示意圖目前三十三頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.3射頻衰減器5.開關(guān)式T型橋衰減器

開關(guān)式T型橋衰減器由一個經(jīng)典的T型橋衰減器和一個并聯(lián)與串聯(lián)FET組成，一個開關(guān)式FET并聯(lián)在橋電阻的兩端，另一個開關(guān)式FET與分流電阻串聯(lián)。兩個FET的開或關(guān)實(shí)現(xiàn)了零狀態(tài)和衰減狀態(tài)之間的切換，其值由T型橋衰減器決定。T型橋衰減器自身提供了良好的輸入/輸出匹配。

開關(guān)式T型橋衰減器的結(jié)構(gòu)示意圖目前三十四頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.3射頻衰減器6.開關(guān)式T形和形衰減器

開關(guān)式T型和型衰減器與上述結(jié)構(gòu)是相似的，只是衰減器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)表現(xiàn)為T型或型形式，單個電阻性元件能夠開關(guān)進(jìn)入或推出電路。故這一技術(shù)也稱之為開關(guān)式電阻器法，這種衰減器的結(jié)構(gòu)示意圖如圖12.44所示。Bedard和Maoz使用型結(jié)構(gòu)驗(yàn)證了工作頻率達(dá)到10GHz的衰減器設(shè)計(jì)。盡管它與T型橋衰減器結(jié)構(gòu)相似，但是，該技術(shù)使用了非常小的FET，與開關(guān)式衰減器相比，具有更低的插入損耗。

開關(guān)式T形或形衰減器的結(jié)構(gòu)示意圖目前三十五頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.3射頻衰減器7.線性度考慮

隨著對微波數(shù)字和模擬衰減器的需求日益增大，數(shù)字和模擬衰減器主要用于信號調(diào)節(jié)與控制以滿足無線通信行業(yè)的初期要求。這種需求促使了許多GaAs供應(yīng)商已為不同的通信系統(tǒng)及不同的頻段應(yīng)用提供了高性能元件并大量應(yīng)用在4GHz以下頻段。對于諸如信號電平控制的應(yīng)用，參考狀態(tài)插入損耗最小化是一個關(guān)鍵要求。當(dāng)基于系統(tǒng)考慮時，我們還要考慮線性度，因?yàn)樗p器是RF系統(tǒng)鏈路中的一部分，設(shè)計(jì)者必須確保元件具有足夠的線性度余量。衰減器線性度可采用類似于放大器線性度定義的方式來定義，即衰減器插入損耗增大1dB時的工作點(diǎn)位1dB壓縮點(diǎn)，這個參量通常定義在輸入端，而不像放大器是定義在輸出端。此外，一些商家也提供了基于兩載波測量的三階交調(diào)截點(diǎn)數(shù)據(jù)等。目前三十六頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.3射頻衰減器12.3.2模擬衰減器

1.

PIN二極管衰減器

可變衰減器的一個重要特性是它的輸入阻抗保持不變，使得衰減器在整個工作范圍內(nèi)保持匹配。實(shí)現(xiàn)的方法之一是圖中所示的型網(wǎng)絡(luò)。

電阻型網(wǎng)絡(luò)作為pin衰減器

為了匹配，網(wǎng)絡(luò)阻抗對右側(cè)并聯(lián)后應(yīng)該等于，那就是：

衰減比可寫為：消去得：從而可得：目前三十七頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.3射頻衰減器2.MESFET衰減器

MESFET可以直接成T型或型結(jié)構(gòu)，如圖（a）和（b）所示。對于MESFET的衰減器，所用基本器件機(jī)理是用柵極電壓控制來改變零偏的FET的低場電阻，此時MESFET可以用R和C并聯(lián)組合模型來表示，如圖（c）和（d）所示，電阻和值是柵極電壓的函數(shù)。該電阻R從0偏值（）變到當(dāng)柵極電壓達(dá)到夾斷電壓時值（），而電容和值幾乎恒定。采用MESFET的T型[（a）和（c）]和型[（b）和（d）]衰減器網(wǎng)絡(luò)及等效電路目前三十八頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.3射頻衰減器12.4.1用于限幅的各種現(xiàn)象

1.整流

微波半導(dǎo)體二極管所顯示的三種現(xiàn)象可作限幅器。

這是在較低頻率最常用的限幅技術(shù)，如圖所示，基本電路（a）采用了兩只整流二極管，（b）為關(guān)系，（c）正弦波鉗位（當(dāng)輸入超過限幅門限時獲得）。

較低頻率時采用的限幅技術(shù)目前三十九頁\總數(shù)四十三頁\編于二十二點(diǎn)§12.3射頻衰減器2.電容隨電壓變

變?nèi)荻O管的結(jié)電容大小由電壓決定，且在微波頻率上的