PNP雙極型晶體管的設(shè)計

PNP雙極型晶體管的設(shè)計PNP雙極型晶體管的設(shè)計/NUMPAGES46PAGE46PNP雙極型晶體管的設(shè)計PNP雙極型晶體管的設(shè)計目錄1.課程設(shè)計目的與任務…………22.設(shè)計的內(nèi)容……………………2設(shè)計的要求與數(shù)據(jù)……………24.物理參數(shù)設(shè)計…………………34.1各區(qū)摻雜濃度及相關(guān)參數(shù)的計算………34.2集電區(qū)厚度Wc的選擇……………………64.3基區(qū)寬度WB………………64.4擴散結(jié)深…………………104.5芯片厚度和質(zhì)量…………104.6晶體管的橫向設(shè)計、結(jié)構(gòu)參數(shù)的選擇…………………105.工藝參數(shù)設(shè)計…………………115.1工藝部分雜質(zhì)參數(shù)………115.2基區(qū)相關(guān)參數(shù)的計算過程………………115.3發(fā)射區(qū)相關(guān)參數(shù)的計算過程……………135.4氧化時間的計算…………146.設(shè)計參數(shù)總結(jié)…………………167.工藝流程圖……………………178.生產(chǎn)工藝流程…………………199.版圖……………2810.心得體會……………………2911.參考文獻……………………30PNP雙極型晶體管的設(shè)計1、課程設(shè)計目的與任務《微電子器件與工藝課程設(shè)計》是繼《微電子器件物理》、《微電子器件工藝》和《半導體物理》理論課之后開出的有關(guān)微電子器件和工藝知識的綜合應用的課程，使我們系統(tǒng)的掌握半導體器件，集成電路，半導體材料及工藝的有關(guān)知識的必不可少的重要環(huán)節(jié)。目的是使我們在熟悉晶體管基本理論和制造工藝的基礎(chǔ)上，掌握晶體管的設(shè)計方法。要求我們根據(jù)給定的晶體管電學參數(shù)的設(shè)計指標，完成晶體管的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計→晶體管的圖形結(jié)構(gòu)設(shè)計→材料參數(shù)的選取和設(shè)計→制定實施工藝方案→晶體管各參數(shù)的檢測方法等設(shè)計過程的訓練，為從事微電子器件設(shè)計、集成電路設(shè)計打下必要的基礎(chǔ)。2、設(shè)計的內(nèi)容設(shè)計一個均勻摻雜的pnp型雙極晶體管，使T=300K時，β=120，VCEO=15V,VCBO=80V.晶體管工作于小注入條件下，最大集電極電流為IC=5mA。設(shè)計時應盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應的影響。3、設(shè)計的要求與數(shù)據(jù)（1）了解晶體管設(shè)計的一般步驟和設(shè)計原則。（2）根據(jù)設(shè)計指標設(shè)計材料參數(shù)，包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)摻雜濃度NE,NB,和NC,根據(jù)各區(qū)的摻雜濃度確定少子的擴散系數(shù)，遷移率，擴散長度和壽命等。根據(jù)主要參數(shù)的設(shè)計指標確定器件的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù)，包括集電區(qū)厚度Wc，基本寬度Wb，發(fā)射區(qū)寬度We和擴散結(jié)深Xjc,發(fā)射結(jié)結(jié)深Xje等。根據(jù)擴散結(jié)深Xjc,發(fā)射結(jié)結(jié)深Xje等確定基區(qū)和發(fā)射區(qū)預擴散和再擴散的擴散溫度和擴散時間；由擴散時間確定氧化層的氧化溫度、氧化厚度和氧化時間。根據(jù)設(shè)計指標確定器件的圖形結(jié)構(gòu)，設(shè)計器件的圖形尺寸，繪制出基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬接觸孔的光刻版圖。（6）根據(jù)現(xiàn)有工藝條件，制定詳細的工藝實施方案。4、物理參數(shù)設(shè)計4.1各區(qū)摻雜濃度及相關(guān)參數(shù)的計算擊穿電壓主要由集電區(qū)電阻率決定。因此，集電區(qū)電阻率的最小值由擊穿電壓決定，在滿足擊穿電壓要求的前提下，盡量降低電阻率，并適當調(diào)整其他參量，以滿足其他電學參數(shù)的要求。對于擊穿電壓較高的器件，在接近雪崩擊穿時，集電結(jié)空間電荷區(qū)已擴展至均勻摻雜的外延層。因此，當集電結(jié)上的偏置電壓接近擊穿電壓V時，集電結(jié)可用突變結(jié)近似，對于Si器件擊穿電壓為，由此可得集電區(qū)雜質(zhì)濃度為：由設(shè)計的要求可知C-B結(jié)的擊穿電壓為：根據(jù)公式,可算出集電區(qū)雜質(zhì)濃度：一般的晶體管各區(qū)的濃度要滿足NE>>NB>NC，根據(jù)以往的經(jīng)驗可取:即各區(qū)的雜質(zhì)溶度為：圖1室溫下載流子遷移率與摻雜濃度的函數(shù)關(guān)系（器件物理P55）根據(jù)圖1，得到少子遷移率：根據(jù)公式可得少子的擴散系數(shù)：圖2摻雜濃度與電阻率的函數(shù)關(guān)系（器件物理P59）根據(jù)圖2，可得到不同雜質(zhì)濃度對應的電阻率：圖3少子壽命與摻雜濃度的函數(shù)關(guān)系（半導體物理P177）根據(jù)圖3，可得到各區(qū)的少子壽命根據(jù)公式得出少子的擴散長度：4.2集電區(qū)厚度Wc的選擇根據(jù)公式求出集電區(qū)厚度的最小值為：WC的最大值受串聯(lián)電阻rcs的限制。增大集電區(qū)厚度會使串聯(lián)電阻rcs增加，飽和壓降VCES增大，因此WC的最大值受串聯(lián)電阻限制。綜合考慮這兩方面的因素，故選擇WC=8μm4.3基區(qū)寬度WB（1）基區(qū)寬度的最大值對于低頻管，與基區(qū)寬度有關(guān)的主要電學參數(shù)是，因此低頻器件的基區(qū)寬度最大值由確定。當發(fā)射效率γ≈1時，電流放大系數(shù)，因此基區(qū)寬度的最大值可按下式估計：為了使器件進入大電流狀態(tài)時，電流放大系數(shù)仍能滿足要求，因而設(shè)計過程中取λ=4。根據(jù)公式,求得低頻管的基區(qū)寬度的最大值為：由公式可看出，電流放大系數(shù)β要求愈高，則基區(qū)寬度愈窄。為提高二次擊穿耐量，在滿足β要求的前提下，可以將基區(qū)寬度選的寬一些，使電流在傳輸過程中逐漸分散開,以提高二次擊穿耐性。（2）基區(qū)寬度的最小值為了保證器件正常工作，在正常工作電壓下基區(qū)絕對不能穿通。因此，對于高耐壓器件，基區(qū)寬度的最小值由基區(qū)穿通電壓決定,此處，對于均勻基區(qū)晶體管，當集電結(jié)電壓接近雪崩擊穿時，基區(qū)一側(cè)的耗盡層寬度為：在高頻器件中，基區(qū)寬度的最小值往往還受工藝的限制。則由上述計算可知基區(qū)的范圍為：（3）基區(qū)寬度的具體設(shè)計與PN結(jié)二極管的分析類似，在平衡和標準工作條件下，BJT可以看成是由兩個獨立的PN結(jié)構(gòu)成，它在平衡時的結(jié)構(gòu)圖如下所示：圖4平衡條件下的PNP三極管的示意圖具體來說，由于，所以E-B耗盡區(qū)寬度（）可近視看作全部位于基區(qū)內(nèi)，又由，得到大多數(shù)C-B耗盡區(qū)寬度（）位于集電區(qū)內(nèi)。因為C-B結(jié)輕摻雜一側(cè)的摻雜濃度比E-B結(jié)輕摻雜一側(cè)的濃度低，所以＞。另外注意到是基區(qū)寬度，是基區(qū)中準中性基區(qū)寬度；也就是說，對于PNP晶體管，有：其中和分別是位于N型區(qū)內(nèi)的E-B和C-B耗盡區(qū)寬度，在BJT分析中指的就是準中性基區(qū)寬度。E-B結(jié)的內(nèi)建電勢為：C-B結(jié)的內(nèi)建電勢為：根據(jù)公式,E-B結(jié)在基區(qū)一邊的耗盡層寬度為：∵，可以當成單邊突變結(jié)處理C-B結(jié)在基區(qū)一邊的耗盡層厚度為：對于準中性基區(qū)寬度W，取基區(qū)寬度，則驗證其取值的準確性，根據(jù)公式有：解得的β接近于設(shè)計的要求，符合設(shè)計指標，所以基區(qū)寬度為，滿足條件。4.4擴散結(jié)深在晶體管的電學參數(shù)中，擊穿電壓與結(jié)深關(guān)系最為密切，它隨結(jié)深變淺，曲率半徑減小而降低，因而為了提高擊穿電壓，要求擴散結(jié)深一些。但另一方面，結(jié)深卻又受條寬限制，由于基區(qū)積累電荷增加，基區(qū)渡越時間增長，有效特征頻率就下降，因此，通常選取：反射結(jié)結(jié)深為集電結(jié)結(jié)深為4.5芯片厚度和質(zhì)量本設(shè)計選用的是電阻率為的P型硅，晶向是<111>。硅片厚度主要由集電結(jié)深、集電區(qū)厚度、襯底反擴散層厚度決定。同時擴散結(jié)深并不完全一致，在測量硅片厚度時也存在一定誤差。因此在選取硅片厚度時必須留有一定的的余量。襯底厚度要選擇適當，若太薄，則易碎，且不易加工；若太厚，則芯片熱阻過大。因此，在工藝操作過程中，一般硅片的厚度都在300um以上，但最后要減薄到150～200um。硅片的質(zhì)量指標主要是要求厚度均勻，電阻率符合要求，以及材料結(jié)構(gòu)完整、缺陷少等。4.6晶體管的橫向設(shè)計、結(jié)構(gòu)參數(shù)的選擇(1)橫向設(shè)計進行晶體管橫向設(shè)計的任務，是根據(jù)晶體管主要電學參數(shù)指標的要求，選取合適的幾何圖形，確定圖形尺寸，繪制光刻版圖。晶體管的圖形結(jié)構(gòu)種類繁多：從電極配置上區(qū)分，有延伸電極和非延伸電極之分；從圖形形狀看，有圓形、梳狀、網(wǎng)格、覆蓋、菱形等不同的幾何圖形。眾多的圖形結(jié)構(gòu)各有其特色。此次設(shè)計的晶體管只是普通的晶體管，對圖形結(jié)構(gòu)沒有特別的要求，所以只是采用普通的單條形結(jié)構(gòu)。三極管剖面圖如圖5，三極管俯視圖如圖6。圖5：三極管剖面圖圖6：三極管俯視圖(2)基區(qū)和發(fā)射區(qū)面積發(fā)射區(qū)面積取基區(qū)面積取。5、工藝參數(shù)設(shè)計5.1工藝部分雜質(zhì)參數(shù)雜質(zhì)元素磷（P）3.853.66硼（B）0.763.46表1硅中磷和硼的與（微電子工藝基礎(chǔ)119頁表5-1）5.2基區(qū)相關(guān)參數(shù)的計算過程5.2.1預擴散時間PNP基區(qū)的磷預擴散的溫度取1080℃，即1353K。單位面積雜質(zhì)濃度：由上述表1可知磷在硅中有：為了方便計算，取由公式，得出基區(qū)的預擴散時間：5.2.2氧化層厚度氧化層厚度的最小值由預擴散（1353K）的時間t=964.84s來決定的，且服從余誤差分布，并根據(jù)假設(shè)可求，由一些相關(guān)資料可查出磷（P）在溫度1080℃時在中的擴散系數(shù)：考慮到生產(chǎn)實際情況，基區(qū)氧化層厚度取為6000。5.2.3基區(qū)再擴散的時間PNP基區(qū)的磷再擴散的溫度這里取1200℃。由一些相關(guān)資料可查出磷的擴散系數(shù)：由于預擴散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故，由再擴散結(jié)深公式：，而且，故可整理為：即經(jīng)過化簡得：解得基區(qū)再擴散的時間：t=9050s=2.5h5.3發(fā)射區(qū)相關(guān)參數(shù)的計算過程5.3.1預擴散時間PNP發(fā)射區(qū)的硼預擴散的溫度這里取950℃，即1223K。單位面積雜質(zhì)濃度：由上述表1可知硼在硅中有：為了方便計算，取由公式，得出發(fā)射區(qū)的預擴散時間：5.3.2氧化層厚度氧化層厚度的最小值由預擴散（1353K）的時間t=1683s來決定的，且服從余誤差分布，并根據(jù)假設(shè)可求，由一些相關(guān)資料可查出硼（B）在溫度950℃時在中的擴散系數(shù)：考慮到生產(chǎn)實際情況，基區(qū)氧化層厚度取為7000。5.3.3發(fā)射區(qū)再擴散的時間PNP基區(qū)的磷再擴散的溫度這里取1170℃，即1443K，則由于預擴散的結(jié)深很淺，可將它忽略，故，由再擴散結(jié)深公式：，而且，故可整理為：即經(jīng)過化簡得：解得基區(qū)再擴散的時間：t=8700s=2.4h5.4氧化時間的計算5.4.1基區(qū)氧化時間由前面得出基區(qū)氧化層厚度是6000，可以采用干氧－濕氧－干氧的工藝,將6000的氧化層的分配成如下的比例進行氧化工藝：干氧：濕氧：干氧=1：4：1即先干氧1000（0.1um），再濕氧4000（0.4um），再干氧1000（0.1um）取干氧和濕氧的氧化溫度為1200℃，由圖7可得出：干氧氧化1000的氧化層厚度需要的時間為：濕氧氧化4000的氧化層厚度需要的時間為：所以，基區(qū)總的氧化時間為：圖7氧化時間與氧化厚度的關(guān)系圖5.4.2發(fā)射區(qū)氧化時間由前面得出發(fā)射區(qū)氧化層厚度是7000，可以采用干氧－濕氧－干氧的工藝,將7000的氧化層的分配成如下的比例進行氧化工藝：干氧：濕氧：干氧=1：5：1即先干氧1000（0.1um），再濕氧5000（0.5um），再干氧1000（0.1um）取干氧和濕氧的氧化溫度為1200℃，由圖7可得出：干氧氧化1000的氧化層厚度需要的時間為：濕氧氧化5000的氧化層厚度需要的時間為：所以，發(fā)射區(qū)總的氧化時間為：6、設(shè)計參數(shù)總結(jié)采用外延硅片，其襯底的電阻率為7的P型硅，選取<111>晶向。相關(guān)參數(shù)集電區(qū)C基區(qū)B發(fā)射區(qū)E各區(qū)雜質(zhì)濃度少子遷移率1300330150少子擴散系數(shù)33.88.583.90電阻率1.170.10.014少子壽命擴散長度結(jié)深/W()面積(2)1200600100擴散溫度(℃)和時間預擴散/1080℃,964.84950℃,1683再擴散/1200℃,90501170℃,8700氧化層厚度()/60007000氧化時間/先干氧氧化20.4分鐘，后濕氧氧化16.2分鐘，再干氧氧化20.4分鐘，共氧化57分鐘。先干氧氧化20.4分鐘，后濕氧氧化24分鐘，再干氧氧化20.4分鐘，共氧化64.8分鐘表2設(shè)計參數(shù)總表7、工藝流程圖PNP晶體管生產(chǎn)總的工藝流程圖如下:8、生產(chǎn)工藝流程8.1硅片清洗1.清洗原理：a.表面活性劑的增溶作用：表面活性劑濃度大于臨界膠束濃度時會在水溶液中形成膠束，能使不溶或微溶于水的有機物的溶解度顯著增大。b.表面活性劑的潤濕作用：固－氣界面消失，形成固－液界面c.起滲透作用；利用表面活性劑的潤濕性降低溶液的表面張力后，再由滲透劑的滲透作用將顆粒托起，包裹起來。具有極強滲透力的活性劑分子可深入硅片表面與吸附物之間，起劈開的作用，活性劑分子將顆粒托起并吸附于硅片表面上，降低表面能。顆粒周圍也吸附一層活性劑分子，防止顆粒再沉積。通過對污染物進行化學腐蝕、物理滲透和機械作用，達到清洗硅片的目的。硅片清洗液是指能夠除去硅片表面沾污物的化學試劑或幾種化學試劑配制的混合液。常用硅片清洗液有：名稱配方使用條件作用Ⅰ號洗液NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5→1:2:780±5℃10min去油脂去光刻膠殘膜去金屬離子去金屬原子Ⅱ號洗液HCl:H2O2:H2O=1:1:6→1:2:880±5℃10min去金屬離子去金屬原子Ⅲ號洗液H2SO4:H2O2=3:1120±10℃10~15min去油、去臘去金屬離子去金屬原子8.2氧化工藝8.2.1氧化原理二氧化硅能夠緊緊地依附在硅襯底表面，具有極穩(wěn)定的化學性和電絕緣性，因此，二氧化硅可以用來作為器件的保護層和鈍化層，以及電性能的隔離、絕緣材料和電容器的介質(zhì)膜。二氧化硅的另一個重要性質(zhì)，對某些雜質(zhì)（如硼、磷、砷等）起到掩蔽作用，從而可以選擇擴散；正是利用這一性質(zhì)，并結(jié)合光刻和擴散工藝，才發(fā)展起來平面工藝和超大規(guī)模集成電路。制備二氧化硅的方法很多，但熱氧化制備的二氧化硅掩蔽能力最強，是集成電路工藝最重要的工藝之一。由于熱生長制造工藝設(shè)備簡單，操作方便，SiO2膜較致密，所以采用熱氧化二氧化硅制備工藝。熱生長的方法是將硅片放入高溫爐內(nèi)，在氧氣氛中使硅片表面在氧化物質(zhì)作用下生長SiO2薄層，氧化氣氛可為水汽，濕氧或干氧。實驗表明，水汽氧化法：生長速率最快，但生成的SiO2層結(jié)構(gòu)疏松，表面有斑點和缺陷，含水量多，對雜質(zhì)特別是磷的掩蔽以力較差，所以在器件生產(chǎn)上都不采用水汽氧化法。（1）干氧法:生長速率最慢，但生成的SiO2膜結(jié)構(gòu)致密，干燥，均勻性和重復性好，掩蔽能力強，鈍化效果好，SiO2膜表面與光刻膠接觸良好，光刻時不易浮膠。（2）濕氧法:生長速率介于前兩者之間，生長速率可通過爐溫或水浴溫度進行調(diào)整。使用靈活性大，濕氧法生長的SiO2膜，雖然致密性略差于干氧法生長的SiO2膜，但其掩蔽能力和鈍化效果都能滿足一般器件生產(chǎn)的要求，較突出的弱點是SiO2表面與光刻膠接觸不良，光刻時容易產(chǎn)生浮膠。生產(chǎn)中采用取長補短的方法，充分利用濕氧和干氧的優(yōu)點，采用干氧—濕氧—干氧交替的方法。根據(jù)迪爾和格羅夫模型，熱氧化過程須經(jīng)歷如下過程：（1）氧化劑從氣體內(nèi)部以擴散形式穿過滯流層運動到SiO2-氣體界面，其流密度用F1表示，流密度定義為單位時間通過單位面積的粒子數(shù)。（2）氧化劑以擴散方式穿過SiO2層（忽略漂移的影響），到過SiO2-Si界面，其流密度用F2表示。（3）氧化劑在Si表面與Si反應生成SiO2，流密度用F3表示。（4）反應的副產(chǎn)物離開界面。氧化的致密性和氧化層厚度與氧化氣氛（氧氣、水氣）、溫度和氣壓有密切關(guān)系。應用于集成電路掩蔽的熱氧化工藝一般采用干氧→濕氧→干氧工藝制備。8.2.2氧化工藝步驟（1）開氧化爐，并將溫度設(shè)定倒750--850℃，開氧氣流量2升/分鐘；（2）打開凈化臺，將清洗好的硅片裝入石英舟，然后，將石英舟推倒恒溫區(qū)。并開始升溫；（3）達到氧化溫度后，調(diào)整氧氣流量3升/分鐘，并開始計時，確定干氧時間。在開始干氧的同時，將濕氧水壺加熱到95-98℃。干氧完成后，立即開濕氧流量計，立即進入濕氧化。同時關(guān)閉干氧流量計，確定濕氧時間；（4）濕氧完成，開干氧流量計，調(diào)整氧氣流量3升/分鐘，并開始計時，確定干氧時間；（5）干氧完成后，開氮氣流量計，調(diào)整氮氣流量3升/分鐘，并開始降溫，降溫時間30分鐘；（6）將石英舟拉出，并在凈化臺內(nèi)將硅片取出，同時，檢測氧化層表面狀況和厚度；（7）關(guān)氧化爐，關(guān)氣體。8.2.3測量氧化層厚度測量厚度的方法很多，有雙光干涉法、電容—壓電法、橢圓偏振光法、腐蝕法和比色法等。在精度不高時，可用比色法來簡單判斷厚度。比色法是利用不同厚度的氧化膜在白光垂直照射下會呈現(xiàn)出不同顏色的干涉條紋，從而大致判斷氧化層的厚度。顏色氧化膜厚度（埃）第一周期氧化膜厚度（埃）第二周期氧化膜厚度（埃）第三周期氧化膜厚度（埃）第四周期灰100黃褐300藍800紫1000275046506500深藍1500300049006800綠1850330056007200黃2100370056007500橙225040006000紅2500435062508.3光刻工藝8.3.1光刻原理光刻工藝是加工制造集成電路微圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝技術(shù)，起源于印刷技術(shù)中的照相制版。是在一個平面（硅片）上，加工形成微圖形。光刻工藝包括涂膠、曝光、顯影、腐蝕等工序。集成電路對光刻的基本要求有如下幾個方面：（1）高分辨率：一個由10萬元件組成的集成電路，其圖形最小條寬約為3um，而由500萬元件組成的集成電路，其圖形最小條寬為1.5--2um，百萬以上元件組成的集成電路，其圖形最小條寬≤1um，因此，集成度提高則要求條寬越細，也就要求光刻技術(shù)的圖形分辨率越高。條寬是光刻水平的標志，代表集成電路發(fā)展的水平。（2）高靈敏度：靈敏度是指光刻機的感光速度，集成電路要求產(chǎn)量要大，因此，曝光時間應短，這就要求光刻膠的靈敏度要高。低缺陷：如果一個集成電路芯片上出現(xiàn)一個缺陷，則整個芯片將失效，集成電路制造過程包含幾十道工序，其中光刻工序就有10多次，因此，要求光刻工藝缺陷盡量少，否則，就無法制造集成電路。精密的套刻對準：集成電路的圖形結(jié)構(gòu)需要多此光刻完成，每次曝光都需要相互套準，因此集成電路對光刻套準要求非常高，其誤差允許為最小條寬的10%左右。集成電路所用的光刻膠有正膠和負膠兩種：正性光刻膠通常由堿溶性酚醛樹脂、光敏阻溶劑及溶劑等組成，光敏劑可使光刻膠在顯影液中溶解度減小，但曝光將使光敏阻溶劑分解，使光刻膠溶解度大大增加而被顯掉，未曝光部分由于溶解度小而留下。負性光刻膠和正性光刻膠相反，負性光刻膠在曝光前能溶于顯影液，曝光后，由于光化反應交鏈成難溶大分子而留下，未曝光部分溶于顯影液而去掉。由此完成圖形復制。本次采用正光刻膠。8.3.2工藝步驟1.準備：A)開前烘，堅膜烘箱，前烘溫度設(shè)定95℃，堅膜溫度為120℃。B)涂膠前15分鐘開啟圖膠凈化臺，調(diào)整轉(zhuǎn)速，以滿足生產(chǎn)要求。C)光刻前30分鐘，開啟光刻機汞燈。D)開啟腐蝕恒溫槽，溫度設(shè)定40℃E)清洗膠瓶和吸管，并倒好光刻膠。F)清洗掩膜版（基區(qū)光刻掩膜版），并在凈化臺下吹干2.涂膠：光刻工藝采用旋轉(zhuǎn)涂膠法，涂膠前設(shè)定好予勻轉(zhuǎn)速和時間，甩干速度和時間。將氧化完成或擴散完成的硅片放在涂膠頭上，滴上光刻膠進行涂膠，要求膠面均勻、無缺陷、無未涂區(qū)域。3.前烘將涂好光刻膠的硅片放入前烘烘箱，并計時，前烘完成后將硅片取出，4.對準將掩膜版上在光刻機上，并進行圖形套準。5.曝光6.顯影此采用浸泡顯影，分別在1#顯影液，2#顯影液顯3-5分鐘，然后在定7.堅膜在顯影檢查合格后將硅片放入堅膜烘箱進行堅膜，設(shè)定堅膜時間。8.腐蝕將堅膜好的硅片準備腐蝕，首先確認氧化層厚度，計算腐蝕時間。然后進行腐蝕，腐蝕后沖水10分鐘，甩干后在顯微鏡下檢查是否腐蝕干凈，若未腐蝕干凈繼續(xù)腐蝕。9.去膠硅片腐蝕完成后，在3#液中將光刻膠去掉，并沖洗干凈，工藝結(jié)束。8.4磷擴散工藝（基區(qū)擴散）8.4.1工藝原理（1）擴散是微觀粒子的一種極為普遍的熱運動形式，各種分離器件和集成電路制造中的固態(tài)擴散工藝簡稱擴散，磷擴散工藝是將一定數(shù)量的磷雜質(zhì)摻入到硅片晶體中，以改變硅片原來的電學性質(zhì)。磷擴散是屬于替位式擴散，采用預擴散和再擴散兩步擴散法，（2）預擴散磷雜質(zhì)濃度分布方程為：表示恒定表面濃度（雜質(zhì)在預擴散溫度的固溶度），D1為預擴散溫度的擴散系數(shù)，x表示由表面算起的垂直距離（cm）,他為擴散時間。此分布為余誤差分布。（3）再擴散（主擴散）磷再擴散為有限表面源擴散，雜質(zhì)濃度分布方程為：其中Q為擴散入硅片雜質(zhì)總量：D2為主擴散（再分布）溫度的擴散系數(shù)。雜質(zhì)分布為高斯分別。8.4.2工藝步驟1.準備：開擴散爐，并將溫度設(shè)定倒700--750℃，開氮氣流量3升/分鐘。本實驗采用液態(tài)源擴散，源溫用低溫恒溫槽保持在5℃以內(nèi)。2.硅片清洗：清洗硅片（見清洗工藝）將清洗好的硅片甩干。3.將從石英管中取出石英舟，將硅片裝在石英舟上，并將石英舟推到恒溫區(qū)。4.調(diào)節(jié)溫控器，使溫度達到預擴散溫度800℃，調(diào)節(jié)氧氣調(diào)整氧氣流量為3升/分鐘，并開始計時，根據(jù)工藝條件進行干氧。5.干氧完成后，開氮氣流量計，按工藝條件調(diào)節(jié)氮氣氧氣比例，然后，開通源閥，使通源流量達到工藝要求，并開始計時。6.通源完成后，關(guān)閉通源流量計，保持氮氣、氧氣流量進行吹氣，吹氣完成后，調(diào)整氮氣流量3升/分鐘，關(guān)閉氧氣流量計，同時調(diào)整擴散爐溫控器，進行降溫30分鐘。之后，拉出石英舟，取出硅片，漂去磷硅玻璃，沖洗干凈后，檢測R□值用四探針法進行測量。7.將預擴散硅片用2#液清洗，沖洗干凈甩干。8.取出再擴散石英舟，將甩干的硅片裝入石英舟，并將石英舟推到恒溫區(qū)。9.調(diào)節(jié)溫控器，使溫度達到再擴散溫度1250℃，調(diào)整氧氣流量3升/分鐘，并開始計時，根據(jù)工藝條件進行干氧11分鐘。10.在開始干氧同時，將濕氧水壺加熱到95-98℃。干氧完成后，開濕氧流量計，立即進入濕氧化。同時關(guān)閉干氧流量計。根據(jù)工藝條件進行濕氧36分鐘。11.濕氧完成，開干氧流量計，調(diào)整氧氣流量3升/分鐘，并根據(jù)工藝條件確定干氧時間為11分鐘。12.干氧完成后，開氮氣流量計，流量3升/分鐘，根據(jù)工藝條件，確定氮氣時間328分鐘。13.氮氣完成后，主擴散結(jié)束，調(diào)整溫控器降溫，氮氣流量不變，時間30分鐘。14.降溫完成后，拉出石英舟，取出硅片，檢測氧化層厚度、均勻性，漂去氧化層，沖洗干凈后，檢測R□值，結(jié)深(磨角法或者SEM法)，β值。15.將擴散后的硅片交光刻工藝，光刻完成后，檢測擊穿電壓、β值。16、根據(jù)實測β值，與工藝要求進行比較，如果不滿足工藝條件，重新計算再擴散時間，并制定再擴散工藝條件，至到達到設(shè)計要求。磷擴散工藝實驗結(jié)束。8.5硼擴散工藝(發(fā)射區(qū)擴散)8.5.1原理擴散是微觀粒子的一種極為普遍的熱運動形式，各種分離器件和集成電路制造中的固態(tài)擴散工藝簡稱擴散，硼擴散工藝是將一定數(shù)量的硼雜質(zhì)摻入到硅片晶體中，以改變硅片原來的電學性質(zhì)。硼擴散是屬于替位式擴散，采用預擴散和再擴散兩個擴散完成。（1）預擴散硼雜質(zhì)濃度分布方程為：表示恒定表面濃度（雜質(zhì)在預擴散溫度的固溶度），D1為預擴散溫度的擴散系數(shù)，x表示由表面算起的垂直距離（cm）,他為擴散時間。此分布為余誤差分布。（2）再擴散（主擴散）硼再擴散為有限表面源擴散，雜質(zhì)濃度分布方程為：其中Q為擴散入硅片雜質(zhì)總量：D2為主擴散（再分布）溫度的擴散系數(shù)。雜質(zhì)分布為高斯分布。8.5.2工藝步驟1.工藝準備A)開擴散爐，并將溫度設(shè)定到750--850℃，開氮氣流量3升/分鐘。B)清洗源瓶，并倒好硼源（固態(tài)源，由氧化硼與其他穩(wěn)定的氧化物壓制而成）。C)開涂源凈化臺，并調(diào)整好涂源轉(zhuǎn)速。2.硅片清洗：清洗硅片（見清洗工藝），將清洗好的硅片甩干。3.將清洗干凈、甩干的硅片涂上硼源。4.從石英管中取出石英舟，將硅片裝在石英舟上，并將石英舟推到恒溫區(qū)。調(diào)節(jié)溫控器，使溫度達到預擴散溫度950℃，并開始計時，時間是1345秒（約22分鐘）。5.預擴散完成后，拉出石英舟，取出硅片，漂去硼硅玻璃，沖洗干凈后，檢測R□值,用四探針法進行測量。6.將預擴散硅片用2#液清洗，沖洗干凈甩干。7.取出再擴散石英舟，將甩干的硅片裝入石英舟，并將石英舟推到恒溫區(qū)。調(diào)節(jié)溫控器，使溫度達到再擴散溫度1200℃，調(diào)整氧氣流量3升/分鐘，并開始計時，前面已算出再擴散時間6571秒（11