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文檔簡(jiǎn)介

高電壓下絕緣評(píng)估及試驗(yàn)方法二廣東水利電力職業(yè)技術(shù)學(xué)院電力工程系--供用電技術(shù)專(zhuān)業(yè)試驗(yàn)項(xiàng)目介紹

試驗(yàn)1絕緣電阻和吸收比的測(cè)量試驗(yàn)?zāi)康模簷z查絕緣是否存在貫穿性的集中缺陷或整體受潮。

試驗(yàn)原理

絕緣電阻(直流電壓與穩(wěn)定電流的比值)當(dāng)試驗(yàn)電壓U一定時(shí),

絕緣電阻R=U/I——I為流過(guò)外電路的電流i的大小隨加壓時(shí)間而變,由此,絕緣電阻R也隨t變化由小變大直至穩(wěn)定。測(cè)吸收比K用兆歐表測(cè)量15s和60s時(shí)的絕緣電阻值。

吸收比K=R60”/R15”對(duì)于不均勻介質(zhì):若絕緣良好,吸收現(xiàn)象明顯,K值將≥1.3;若絕緣有缺陷時(shí),i迅速下降,K值將趨近于1。

試驗(yàn)設(shè)備:兆歐表

類(lèi)型:有手動(dòng)和電動(dòng)兩種構(gòu)造:手搖直流發(fā)電機(jī)+磁電系比率表

兆歐表有三個(gè)接線(xiàn)端子:

L——線(xiàn)路端子

E——接地端子G——保護(hù)端子(屏蔽)電壓等級(jí)有:500V、1000V、2500V、5000V幾種。數(shù)字式兆歐表

絕緣電阻測(cè)試儀

手搖式兆歐表規(guī)程規(guī)定(兆歐表的選擇)細(xì)分:100V-500V的設(shè)備——500V、≥100MΩ500V-3000V的設(shè)備——1000V、≥2000MΩ3000V-10KV的設(shè)備——2500V、≥10000MΩ≥10KV的設(shè)備-------2500V或5000V、≥10000MΩ低壓設(shè)備選用500V的兆歐表;高壓設(shè)備選用2500V的兆歐表。(重點(diǎn))測(cè)量步驟1、斷開(kāi)試品電源,將其充分對(duì)地放電。理由:介質(zhì)內(nèi)部的吸收電荷要釋放出來(lái),以防危及人身安全。方法:將接地線(xiàn)的接地端接地,然后將另一端掛在試品上。2、拆除試品外接連線(xiàn),用干凈干燥的軟布擦去被試品表面。3、選表、校表。(兆歐表末接試品前應(yīng)預(yù)試)方法:將表水平放置,搖動(dòng)手柄到額定轉(zhuǎn)速,指針應(yīng)指“∞”;將L與E端短接,指針應(yīng)指向“O”。(重點(diǎn))測(cè)量步驟4、正確接線(xiàn)。L——試品的測(cè)量部分、E——試品的非測(cè)量部分、G——試品表面部分(使兆歐表的讀數(shù)不受絕緣表面泄漏電流的影響)5、測(cè)量。以120轉(zhuǎn)/分的均勻速度轉(zhuǎn)動(dòng)搖表,待指針?lè)€(wěn)定后讀取絕緣電阻值。6、最后將試品放電,時(shí)間不小于1min-2min。7、測(cè)量時(shí)應(yīng)記錄當(dāng)時(shí)溫度、濕度、氣象情況及日期。放電操作放電棒驗(yàn)電棒

測(cè)量結(jié)果分析

采用縱向、橫向比較的方法(1)與規(guī)程規(guī)定的值比較(2)同一設(shè)備的三相比較(3)與歷年的的試驗(yàn)數(shù)據(jù)比較練習(xí)試進(jìn)行10kV單相電壓互感器高壓繞組對(duì)低壓繞組及地的絕緣電阻測(cè)量。兆歐表的使用方法及要求

1.測(cè)量前,應(yīng)將兆歐表保持水平位置,左手按住表身,右手搖動(dòng)兆歐表?yè)u柄,轉(zhuǎn)速約120r/min,指針應(yīng)指向無(wú)窮大(∞),否則說(shuō)明兆歐表有故障。2.測(cè)量前,應(yīng)切斷被測(cè)電器及回路的電源,并對(duì)相關(guān)元件進(jìn)行臨時(shí)接地放電,以保證人身與兆歐表的安全和測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確。3.測(cè)量時(shí)必須正確接線(xiàn)。兆歐表共有3個(gè)接線(xiàn)端(L.E.G)。測(cè)量回路對(duì)地電阻時(shí),L端與回路的裸露導(dǎo)體連接,E端連接接地線(xiàn)或金屬外殼;測(cè)量回路的絕緣電阻時(shí),回路的首端與尾端分別與L.E連接;測(cè)量電纜的絕緣電阻時(shí),為防止電纜表面泄漏電流對(duì)測(cè)量精度產(chǎn)生影響,應(yīng)將電纜的屏蔽層接至G端。

兆歐表的使用方法及要求

4.兆歐表接線(xiàn)柱引出的測(cè)量軟線(xiàn)絕緣應(yīng)良好,兩根導(dǎo)線(xiàn)之間和導(dǎo)線(xiàn)與地之間應(yīng)保持適當(dāng)距離,以免影響測(cè)量精度。5.搖動(dòng)兆歐表時(shí),不能用手接觸兆歐表的接線(xiàn)柱和被測(cè)回路,以防觸電。6.搖動(dòng)兆歐表后,各接線(xiàn)柱之間不能短接,以免損壞。試驗(yàn)2泄漏電流試驗(yàn)泄漏電流試驗(yàn)與絕緣電阻試驗(yàn)的異同:1、原理相同,均為非破壞性試驗(yàn);2、試驗(yàn)電壓不同:泄漏電流試驗(yàn)電壓較高——10KV~40KV絕緣電阻試驗(yàn)電壓較低——2.5KV,最高5KV3、泄漏電流試驗(yàn)?zāi)芙衣兑恍┥形赐耆炌ǖ募行匀毕?,但絕緣電阻與吸收比試驗(yàn)則不行。(只能揭示貫通的集中性缺陷)泄漏電流與外施電壓的關(guān)系

以發(fā)電機(jī)的典型泄漏電流曲線(xiàn)為例:

泄漏電流的大小與外施電壓的不斷上升而發(fā)生變化,由此判斷絕緣情況。1—絕緣良好,電流值較小2—絕緣受潮,電流值加大3—絕緣中有集中性缺陷4—有危險(xiǎn)的集中性缺陷結(jié)果分析及判斷

試驗(yàn)電壓一定時(shí),若泄漏電流隨時(shí)間t而下降——說(shuō)明絕緣良好;若泄漏電流隨時(shí)間t不變,甚至上升——說(shuō)明絕緣異常。試驗(yàn)接線(xiàn)(c)接線(xiàn),微安表接在高壓端。可避免誤差,但操作需用絕緣棒,適用于一端接地的試品。(a)接線(xiàn),微安表內(nèi)裝

。讀數(shù)安全方便,但無(wú)法消除試品絕緣表面的泄漏電流和高壓引線(xiàn)的電暈電流所引起的測(cè)量誤差。(b)接線(xiàn),微安表接在低壓端。可消除試品絕緣表面的泄漏電流和高壓引線(xiàn)的電暈電流所引起的誤差,適用于兩端對(duì)地絕緣的試品。微安表3個(gè)位置試驗(yàn)儀器及設(shè)備介紹

電壓的產(chǎn)生——一般用高壓試驗(yàn)變壓器及調(diào)壓器產(chǎn)生可調(diào)高壓,再經(jīng)整流;也可直接采用串級(jí)直流裝置。調(diào)壓器應(yīng)盡量采用自耦式,它不僅體積小,漏抗也小。試驗(yàn)變壓器的容量為直流試驗(yàn)電壓與泄漏電流的乘積,而泄漏電流較小,一般容量的試驗(yàn)變壓器均可滿(mǎn)足要求。高壓硅堆D—其額定反峰電壓UFD≥或2Umax。硅堆D的平均整流電流應(yīng)大于最大泄漏電流的2~3倍,當(dāng)多只硅堆串聯(lián)使用時(shí),為使每只硅堆電壓分配均勻,需并聯(lián)均壓電阻。R保護(hù)電阻—采用水電阻,用以限制試品擊穿時(shí)的短路電流。C濾波電容—其使用是使試驗(yàn)電壓的波形平穩(wěn),一般取0.1μF左右,如無(wú)合適的電容器,可用幾個(gè)電壓較低的電容器串聯(lián),以提高耐壓強(qiáng)度。對(duì)于容量較大的試品,如電力電纜、大中型變壓器線(xiàn)圈集中的試驗(yàn)中,C可以省略。μA微安表—根據(jù)試品可能出現(xiàn)的最大泄漏電流值,選擇合適的量程和準(zhǔn)確度等級(jí)的直流微安表,最好能使用多量程的,可隨時(shí)切換。注意事項(xiàng)

1、應(yīng)注意微安表保護(hù)

C1——濾波電容,取0.5~5μf

F——放電管(當(dāng)I過(guò)大時(shí),F(xiàn)先行放電,短接微安表,從而保護(hù)微安表)

R1——限流電阻(由于放電管的放電電壓較高,串入R1后限制微安表回路中的電流)

L1——限流電感(防止沖擊電流流入微安表)注意事項(xiàng)2、應(yīng)注意直流電壓的極性

(采用負(fù)極性電壓進(jìn)行試驗(yàn))原因:高壓引線(xiàn)可能離附近的導(dǎo)體較近,有可能發(fā)生高壓引線(xiàn)與附近導(dǎo)體之間的放電,所以最好采用負(fù)極性電壓進(jìn)行試驗(yàn),負(fù)極性擊穿電壓比正極性擊穿電壓高。

試驗(yàn)結(jié)果分析

1.從微安表反應(yīng)出來(lái)的現(xiàn)象指針來(lái)回?cái)[動(dòng)??赡苡薪涣鞣至客ㄟ^(guò)微安表,宜讀取平均值;若無(wú)法讀數(shù),則應(yīng)檢查微安表保護(hù)回路,或加大濾波電容C,必要時(shí)可改變?yōu)V波方式。指針周期性的擺動(dòng)??赡苁潜辉嚻方^緣不良,從而產(chǎn)生周期性放電,這時(shí)應(yīng)查明原因,并加以消除。指針突然擺動(dòng)。如向減小方向,可能是電源回路引起;如向增大方向,可能是試驗(yàn)回路或試品出現(xiàn)閃絡(luò),或內(nèi)部斷續(xù)性放電引起。(一)異常情況分析2.從泄漏電流數(shù)值上反應(yīng)出來(lái)的情況

泄漏電流過(guò)大。應(yīng)先檢查試驗(yàn)回路各設(shè)備狀況和屏蔽是否良好,在排除外因之后,才能對(duì)被試品作出正確的結(jié)論。

泄漏電流過(guò)小。檢查接線(xiàn)是否正確,微安表保護(hù)部分有無(wú)分流與斷線(xiàn)。(二)測(cè)量結(jié)果的判斷

將測(cè)量的泄漏電流值換算到同一溫度下與歷次試驗(yàn)進(jìn)行比較,以及同一設(shè)備的三相試驗(yàn)結(jié)果互相比較、同類(lèi)設(shè)備的互相比較。(三比較)對(duì)于重要設(shè)備(如主變壓器、發(fā)電機(jī)等),可作出電流隨時(shí)間變化的關(guān)系曲線(xiàn)I=f(t)和電流隨電壓變化的關(guān)系曲線(xiàn)I=f(U)進(jìn)行分析?,F(xiàn)行“標(biāo)準(zhǔn)”中對(duì)泄漏電流有規(guī)定的設(shè)備,應(yīng)按是否符合規(guī)定值來(lái)判斷。對(duì)“標(biāo)準(zhǔn)”中無(wú)明確規(guī)定的設(shè)備,可以進(jìn)行同一設(shè)備各相互相比較、與歷年試驗(yàn)結(jié)果比較、同型號(hào)的設(shè)備互相比較,視其變化來(lái)分析判斷。試驗(yàn)3介質(zhì)損失角正切值tgδ的測(cè)量

目的:反應(yīng)絕緣的分布性缺陷,對(duì)檢查變壓器、互感器、套管、電容的絕緣狀況有效。介質(zhì)損耗角是在交變電場(chǎng)下,電介質(zhì)內(nèi)流過(guò)的電流向量和電壓向量之間的夾角(即功率向量角ф)的余角δ,簡(jiǎn)稱(chēng)介損角。介質(zhì)損耗角(介損角)是一項(xiàng)反映高壓電氣設(shè)備絕緣性能的重要指標(biāo)。介損角的變化可反映受潮、劣化變質(zhì)或絕緣中氣體放電等絕緣缺陷,因此測(cè)量介損角是研究絕緣老化特征及在線(xiàn)監(jiān)測(cè)絕緣狀況的一項(xiàng)重要內(nèi)容。

基本原理

電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生能量:

P=U2ωCtgσ當(dāng)外加電壓及頻率一定時(shí),電介質(zhì)的損耗P與tgσ及C成正比;而對(duì)于一定結(jié)構(gòu)的試品來(lái)說(shuō),C為定值,故可直接由tgσ的大小來(lái)判斷試品絕緣的優(yōu)劣。測(cè)量tgδ值是判斷電氣設(shè)備絕緣狀態(tài)的一項(xiàng)靈敏有效的方法。

試驗(yàn)特點(diǎn)

1、tgσ值能反映絕緣的缺陷。

當(dāng)試品絕緣受潮、油或浸漬物臟污或劣化變質(zhì)、絕緣中有氣隙發(fā)生放電時(shí),tgσ會(huì)大大增加。如絕緣良好時(shí)的油紙絕緣,tgσ=0.1%,但嚴(yán)重受潮時(shí)可達(dá)10%以上。試驗(yàn)特點(diǎn)2、tgσ值不能有效地反映集中性缺陷。原因:被試絕緣的體積越大,或集中性缺陷所占的體積越小,那么集中性缺陷處的介質(zhì)損耗占被試絕緣全部介質(zhì)損耗中的比重就越小。對(duì)于象電機(jī)、電纜這類(lèi)電氣設(shè)備,由于運(yùn)行中故障多為集中性缺陷發(fā)展所致,而且被試絕緣的體積較大,不便做此項(xiàng)。但對(duì)套管絕緣,tgσ試驗(yàn)就是一項(xiàng)必不可少而且比較有效的試驗(yàn)。對(duì)于可以分解成各個(gè)絕緣部分的被試品,常用分解進(jìn)行tgσ測(cè)量的方法來(lái)更有效地發(fā)現(xiàn)缺陷。試驗(yàn)特點(diǎn)3、tgσ試驗(yàn)應(yīng)與絕緣電阻吸收比及泄漏電流試驗(yàn)一起綜合判斷。〖練習(xí)〗請(qǐng)根據(jù)下列試驗(yàn)結(jié)果,判斷試品情況。

1)若tgσ不高,但R∞低,K接近1,I泄漏大,出現(xiàn)?缺陷。

2)若tgσ高,且R∞低,K接近1,I泄漏大,出現(xiàn)?缺陷。

3)若tgσ不高,且R∞及K合格,但I(xiàn)泄漏大,出現(xiàn)?缺陷。

結(jié)語(yǔ):tgσ試驗(yàn)應(yīng)與絕緣電阻吸收比及泄漏電流試驗(yàn)一起綜合判斷。

若tgσ不高,但R∞低,K接近1,I泄漏大——出現(xiàn)貫穿性的集中性缺陷。

若tgσ高,且R∞低,K接近1,I泄漏大——出現(xiàn)分布性缺陷。

若tgσ不高,且R∞及K合格,但I(xiàn)泄漏大——出現(xiàn)非貫穿的集中性缺陷。3、tgσ試驗(yàn)應(yīng)與絕緣電阻、吸收比及泄漏電流試驗(yàn)一起綜合判斷。

有時(shí)tgσ高時(shí)也需作具體分析,有時(shí)油的質(zhì)量不好引起tgσ偏高,而換油后tgσ下降。此外,如果上述項(xiàng)目均合格,但泄漏電流偏高,也能有效地反映變壓器內(nèi)部的一些未完全貫穿的集中性缺陷。如果tgσ、R、K、I泄漏均合格,則表明絕緣良好。試驗(yàn)方法

1)西林電橋

電橋的四個(gè)臂:

CN—標(biāo)準(zhǔn)電容器

ZX—被試品

C4—可調(diào)電容R3—可調(diào)電阻2)介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x正接法:被試品兩端對(duì)地絕緣,實(shí)驗(yàn)室采用,安全。反接法:被試品一端固定接地,一般現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)采用,為了保證安全,使用絕緣桿操作。電橋平衡時(shí):各橋臂復(fù)數(shù)阻抗值應(yīng)滿(mǎn)足Zx?Z4=ZN?Z3可推導(dǎo)出:tgσ=ωR4C4,Cx≈CNR4/R3取R4=104/п、f=50HZ→tgδ=100п*104/п*C4=106C4(法)=C4(微法)即當(dāng)電橋調(diào)到平衡時(shí),tgδ=C4。測(cè)量電容量Cx有時(shí)對(duì)于判斷其絕緣狀況也是有價(jià)值的。對(duì)于電容型套管,如果Cx明顯增加,常表示內(nèi)部電容層間有短路現(xiàn)象或有水分侵入。影響tgδ的因素

溫度tgδ值均隨溫度的上升而增加。通常都以20℃時(shí)的作為參考標(biāo)準(zhǔn),為此,一般要在10~30

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