微系統(tǒng)封裝基礎(chǔ)

封裝的趨勢（1）微型化（2）集成化（3）I/O接口數(shù)不斷增加（4）成本降低（包括制造、測試、返修）（5）可靠性好（電性能、熱性能以及壽命）第3章新型封裝技術(shù)焊球陣列(BGA)封裝(BallGridArray)芯片尺寸封裝(CSP:ChipScalePackage)圓片級封裝(WLP:

WaferLevelPackage)多芯片模塊（MCM:Mulit-chipModule)3維封裝(3DPackage)系統(tǒng)級封裝(SIP：SystemInPackage)

SOP:SystemOnPackage新技術(shù)3DICswithout3DSystemsCreatesGapComponentDensityorSource:IBM,Intel1081071051041031021019711980199520201061010109108107106105104103SystemIntegrationLawGap:

104x}19900.3mmComponentdensitySMTPTHMILLISCALETransistors/cm3Moore’sLawforICsMoore’sLawForICsto32mmMCM,3D,SIP3.1焊球陣列封裝（BGA:ballgridarray）·定義I/O端是焊料球（Solderball），并呈陣列排列。即采用多功能、焊球陣列技術(shù)取代了傳統(tǒng)的引線框式.·種類

按基材不同分：塑料BGA(PBGA)，陶瓷BGA（CBGA）、帶式BGA（TBGA）、金屬BGA（MBGA）·特點能安排更多的I/O，且可用于MCM（多芯片模塊)，I/O端子數(shù)已經(jīng)超過2600QFPBGA邊長節(jié)距引腳(只)QFP32mm0.5mm208BGA31mm1.5mm4001mm900QFP(PlasticQuadFlatPackage)，引腳間距小，操作人員和設(shè)備的要求提高，精細技術(shù)的代價高,(1.0mm、0.8mm、0.65mm(304)、0.5mm、0.4mm、0.3mm多個規(guī)格)電子器件工程聯(lián)合會（JEDEC）制定的BGA物理標準中，規(guī)定BGA的球形引腳間距為：1.5mm;1.27mm和1.0mm技術(shù)關(guān)鍵焊球端子底面的高度偏差原因：基板翹曲225球、1.5mmBGA偏差130um在線檢測困難不能目檢探針檢查難于實現(xiàn)一般采用斷層X射線跟蹤檢測工藝CBGA焊點結(jié)構(gòu)圖由于BGA的引腳以陣列形式焊于PCB上，返修時難度較大。1、PBGA·結(jié)構(gòu)示意圖BT樹脂PBGA封裝，它采用BT樹脂／玻璃層壓板作為基板，以塑料環(huán)氧模塑混合物作為密封材料，焊球為共晶焊料63Sn37Pb或準共晶焊料62Sn36Pb2Ag1、PBGA結(jié)構(gòu)中的BT樹脂／玻璃層壓板的熱膨脹系數(shù)CTE約為14ppm／℃，PCB板的約為17ppm／℃

，兩種材料的CTE比較接近，因而熱匹配性好。PBGA封裝的優(yōu)缺點2在回流焊過程中可利用焊球的自對準作用，即熔融焊球的表面張力來達到焊球與焊盤的對準要求。3成本低。4電性能良好。缺點：

對濕氣敏感，不適用于有氣密性要求和可靠性要求高的器件的封裝。優(yōu)點：2、CBGA它的基板是多層陶瓷，金屬蓋板用密封焊料焊接在基板上，用以保護芯片、引線及焊盤。封裝體尺寸為10-35mm，標準的焊球節(jié)距為1.5mm、1.27mm、1.0mm。焊球材料為高溫共晶焊料10Sn90Pb，焊球和封裝體的連接需使用低溫共晶焊料63Sn37Pb。（IBM）

CCGACBGA的擴展CB府GA封裝笑的優(yōu)雅缺點1氣密品性好贏，抗占濕氣您性能葛高，踏因而水封裝蔥組件寄的長燈期可致靠性始高。2與PB公GA器件蒸相比羽，電親絕緣滔特性獅更好涉。3與PB乳GA器件睛相比汗，封鞋裝密珠度更拆高。4散熱亦性能社優(yōu)于PB欠GA結(jié)構(gòu)笑。優(yōu)點劃：缺點鹿：1由于左陶瓷感基板由和PC顫B板的廣熱膨飾脹系行數(shù)CT傲E相差竿較大A1203陶瓷懼基板適的CT動E約為7p垃pm／℃，PC成B板的CT姑E約為17訪pp蹄m／℃，因勢此熱匹引配性趙差，焊灑點?？葎谑钦砥渲饕乱囊问嵝问揭邸?與PB除GA器件倒相比馬，封賺裝成本螞高。3、TB奴GATB礦GA的載蔽體為宋銅／嘩聚酰蜂亞胺即／銅賽的雙姿金屬弱層帶(載帶)。載發(fā)體上李表面國分布犯的銅預(yù)導(dǎo)線福起傳嶄輸作層用，獎下表掌面的住銅層濾作地向線。賭硅片練與載嚴體實傳現(xiàn)互敵連后智，將留硅片嗓包封租起到吳保護啄作用影。載蛛體上捷的過羽孔實閥現(xiàn)上躍下表絨面的壤導(dǎo)通尸，利型用類繡似金莖屬絲止壓焊市技術(shù)跟在過傷孔焊起盤上奶形成尚焊球裕陣列苦。焊叫球間嬌距有1.末0m奸m、1.岔27胸mm、1.貓5m鏟m幾種幫。TB菌GA封裝棋的優(yōu)屑缺點1對濕廁氣敏顆感;2不同箱材料默的多齊級組御合對沾可靠撕性產(chǎn)件生不匆利的仰影響暮。優(yōu)點戰(zhàn)：缺點濃：1封裝道輕、歌小;2電性胖能良;3組裝拖過程肯中熱卵匹配況性好;4散熱朱性能覆優(yōu)于PB編GA結(jié)構(gòu)畢?！ざx封裝擾后的IC尺寸邊長不大望于芯解片的1.象2倍，IC面積只比筐裸片哪（Di蒼e）大雞不超突過1.飼4倍。·種類按設(shè)努計、考材料醬、應(yīng)番用的據(jù)不同茄分：毯引線傻框架喘型（le炸ad千f唐ra耕me）、柔型怎基板褲型（Fl淡ex）、圖硬質(zhì)答基板公型（ri倍gi毯d）、圓片掠級型敏（WL）和汽疊層CS話P?！ぬ攸c1.滿足挖了芯披片I/們O引腳承不斷跌增加浙的需聰要。2.芯片吧面積刊與封酸裝面察積之熟間的算比值取很小悟。3.極大銜地縮震短延鏡遲時盟間。3.增2芯片午尺寸回封裝祖（CS佩P:ch偷ip西s姓ca顧le峰p省ac感ka蘿ge）DIPPGAPLCCPQFPBGACSP引線數(shù)2000節(jié)距(mm)2.542.541.271.271.00.81.271.00.80.50.50.30.25引線長度4.6φ0.89或更小φ0.3或更小高度50umCS臥P基本寇結(jié)構(gòu)簡圖互連備層是珠通過丙載帶嘴自動液焊接束（T府A鍋B）、狠引線衡鍵合畜（W遼B）、捏倒裝勺芯片秋（FC）等得方法顛來實鏡現(xiàn)芯桂片與結(jié)焊球躺（或塑凸點殿、焊秀柱）墾之間淹內(nèi)部谷連接爽的，保是CS漸P封裝奴的關(guān)樣鍵組委成部談分1.引線疾框架間型（le瘡ad扇f英ra癢me）底部掠引線陶塑料掙封裝(B荷LP脾)代表罵廠商涉有富媽士通首、日嬌立、Ro看hm、高鑄士達舞（Go悼ld忘st搬ar）等真等引線陜框通狡常是濱金屬粥制的,外層穿的互霞連已姿做在屋引線證框上爆。2.柔性惱基板CS語P最有械名的訪是Te河ss德er這a公司皮的mi澡cr機oB浸GA，CT種S的si壘m-B囑GA也采刮用相章同的敢原理傍。其征他代錯表廠乳商包久括通團用電巴氣（GE）和NE捐C。該類CS吊P采用P攔I或與TA棍B工藝渡中相株似的抓帶狀姐材料殖作墊娘片,內(nèi)層虧互連糧采用TA壺B、FC或WB。3.剛性離基板CS慈P代表貿(mào)廠商硬有摩輕托羅綿拉、膝索尼繼、東旦芝、僻松下貞等等利用伶基板匯的剛鋪性將喉在芯近片四慕周分槳布的易很窄壟節(jié)距秧焊盤跨再分救布成PC傭B板上柜較寬故節(jié)距旁的面希陣列表焊盤該類CS房誠P是用亡樹脂籠和陶詞瓷材顧料作號墊片,內(nèi)層半互連恐方式瞎也有FC和WB兩種倡。該類CS婦P是在紙晶圓葛階段,利用術(shù)芯片啟間較億寬的飾劃片方槽,在其孔中構(gòu)祖造周瘋邊互厚連,隨后大用玻榜璃、窗硅、杯樹脂溜、陶捷瓷等副材料搜包封諒而完活成的4.圓片爐級CS割P（WL它CS熊P）投入救研發(fā)罪的廠熔商包辜括FC迫T、Ap煤to旗s、卡齒西歐盒、EP陣IC、富惰士通證、三背菱電彩子等槽。前面卻幾類CS機P：分割I(lǐng)C芯片引鍵遭合線模塑焊凸少點高神度在0.叫25唱m倡m-堡0.南4m丈m凸點腐節(jié)距炸最小開為0.練4m智m包括容凸點卻在內(nèi)緣瑞整個剖厚度豪小于1.貍0m呀m(1麥)如何亞解決音與CS沿P相匹印配的考細間室距高剛密度個布線芽基片移問題;(2觸)焊接條技術(shù),也就鈴是焊澇接過表程中搖工藝茄匹配海的問嬌題。(3洲)不容脆忽視討的還汽有包探封技狂術(shù)。5.淘C面SP芯片衰制作指技術(shù)壺的關(guān)嗚鍵開發(fā)芝引線究鍵合陡產(chǎn)品登需要排開發(fā)殼的封施裝技鈔術(shù)(a吹)短引卸線鍵睬合技臨術(shù)在基癥片封鞠裝中,封裝幣基片恭比芯錦片尺房誠寸稍譽大,置于層引線竿框架謹中,引線迷框架礦的鍵拳合焊柿盤伸搭到了弓芯片棍上面,在鍵獲合時,鍵合木線都哭很短,而且吐弧線圍很低橫。而輕在鍵狠合引持線很引短時,鍵合滋引線思的弧皇線控偷制很至困難性。常規(guī)CS攀P塑封肯料在梅注塑茄成形航時呈尚熔融殊狀態(tài)吐，是拾有黏攪度的估運動屈流體濟，因抬此具肌有一臘定的翼沖力體。沖香力作踢用在誓金絲暗上，稻使金類絲產(chǎn)金生偏溫移，躬極端課情況廉下金里絲沖野斷，女就是恢所謂作的沖繩絲。(b純)包封不技術(shù)在引禮線鍵養(yǎng)合的曬包封邀中,不僅妖要解至決倒板裝片延包封蠢中的幣有關(guān)世技術(shù)末問題,還要蹈解決熊包封啞的沖絲問題須。(c洪)焊球訂安裝地技術(shù)辱。開發(fā)TA孟B鍵合禍產(chǎn)品斤需要脆開發(fā)繁的封選裝技晉術(shù)(a)餅TA耽B鍵合炮技術(shù)諸。(b孤)包封粉技術(shù)迷。(c費)焊球爹安裝顯技術(shù)月。開發(fā)才倒裝叉片鍵而合CS女P產(chǎn)品薦需要河開發(fā)名的封思裝技釀術(shù)（a）二次奇布線綢技術(shù)二次連布線,就是骨把的挑周邊麗焊盤拴再分配布成騙間距感為微認米左榆右的刪陣列但焊盤受。在嫩對芯嗎片焊狠盤進委行再趟分布額時,同時穿也形眾成了塑再分計布焊晶盤的宵電鍍排通道煮。(b悔)凸點資形成濃電鍍上金凸文點或照焊料還凸點爆技術(shù)堵。在絞再分蠟布的劈燕芯片念焊盤架上形散成凸啊點。(c社)包封碧技術(shù)。包棄封時,由于預(yù)包封慈的材滿料厚扯度薄,空洞法、裂瘦紋的予存在詞會更趕嚴重盆的影幸響電誰路的烤可靠拾性(d圾)焊球攻安裝震技術(shù)器。開發(fā)鍬圓片解級產(chǎn)拔品需夠要開市發(fā)的償新技布術(shù)(a竹)二次迷布線細技術(shù)腫。(b罪)焊球材制作扣技術(shù)性。(c架)包封喉技術(shù)暴。(d返)圓片喘級測愛試和熄篩選闊技術(shù)岔。(e儀)圓片色劃片言技術(shù)篇。利用密在圓萬片上專的金督屬層央將在蚊芯片校四周撞分布達的很亂窄的敲節(jié)距英焊盤咐再分味布成PC費B板上配較寬擇節(jié)距裝的面祝陣列張焊盤CS男P產(chǎn)品侮的封銹裝基臺片在CS暑P產(chǎn)品掩的封雜裝中,需要腥使用甲高密蓋度多罵層布呈線的倘柔性夢基片坐、層避壓樹備脂基母片、聞陶瓷混基片族。這忽些基麻片的獲制造瞧難度胳相當而大。為了青保證況產(chǎn)品京的長燃期可著靠性,在選嶺擇材育料或迷開發(fā)論新材手料時,還要娃考慮雄到這銹些材襪料的慶熱膨每脹系眾數(shù)應(yīng)叮與硅誰片的中相匹制配。包封賽材料由于掏產(chǎn)品廢的尺挑寸小,在產(chǎn)績品中,包封抱材料愈在各守處的偽厚度牌都小冶。為紋了避泡免在猶惡劣藍環(huán)境多下失太效,包封所材料祖的氣桿密性糠或與娛被包徹封的呀各種熱材料懲的粘滔附性役必須吊良好停有好些的抗項潮氣漏穿透衰能力,與硅駁片的磚熱膨抱脹匹耀配以撇及一交些其貧它的紀相關(guān)水性能飄。組裝鄉(xiāng)豐產(chǎn)品累的印奪制板嗎問題主要致困難牲在于敗布線垮的線淋條窄,間距沾窄,還要毛制作病一定選數(shù)量賣的通顯孔,表面據(jù)的平徑整性屑要求駝也較交高。天在選藏擇材些料時稼還要說考慮沾到熱衫膨脹跨性能雷。6.巴C自S茶P封裝媽技術(shù)也展望（1）標飲準化（2）可兩靠性（3）成輪本采用筒引線子鍵合仁的柔性墊片CS套P對由續(xù)低到旱高的您引腳認數(shù)都螺適用,并且帝由于述其低婚廉的例價格,應(yīng)用仔也最佩廣。引線庭框架CS橫P主要獻用于低引網(wǎng)腳數(shù)的垃場合,剛性墊片CS員P用于中引漢腳數(shù)的笛場合隨著IC向高體密度掛、高炊速度區(qū)方向禾發(fā)展,未來禾器件雖對針請腳數(shù)的要險求會意越來攝越高啟。預(yù)負計到20般00年,儲存第器、錘高頻勾器件和玩邏輯同器件醉將分詞別要禾求25默0、80峽0和10桌00個I/掙O。模塑蓮型CS爭P可以皆達到貍這么耳高的侮引腳絕數(shù)它的黨芯片硬互連漲與測承試都糠是在滿圓片鬼上完惰成的,之后待再切舞片,進行勸倒裝表芯片緣瑞組裝.3.府3圓片冤級封愈裝（WL淋P：wa酬fe變r姻le榮ve碌l痕pa紅ck骨ag釀e）加工漏工藝測試系統(tǒng)釣組裝3.騎4多芯革片模秤塊/組件哨（MC碧M：mu嗓li癢t-譜ch歡ip距m傅od拼ul芒e）·定義將2個以籮上的粥大規(guī)頁模集廟成電捐路裸壤芯片孫和其妄它微娃型元描器件染互連熱組裝旬在同塊一塊梅高密速度多準層基斜板上彈并封月裝在信同一玩管殼郊內(nèi)構(gòu)提成功株能齊灣全質(zhì)們量可世靠的涂電子介組件MC喊M基板簡與芯者片之鑼間的懷互連貫方式（c）旨來在高鍵速度茄、高農(nóng)性能棗、高臉可靠再和多咬功能閣，而阿不象朋一般湖混合IC技術(shù)滋以縮勒小體辦積重笑量為腫主東。（b）MC共M采用多塊拆裸芯揮片與多層位布線基板江并實露現(xiàn)高族密度爆互連憤。與傳世統(tǒng)的羅混合IC主要眠區(qū)別（a）MC勞M組裝栗的是VL假SI、UL渡SI、AS余IC裸片古而不核是MS煩I等中稱小規(guī)戚模的桌集成長電路惠。典型票類型根據(jù)錯基板仿類型展分為頸：MC足M-擱L型MC遞M-潑C型MC斯M-奏D型MC菊M-妻Si型MC麗M-趙D/凡C1.碌MC缺M-疾L（La溫ye計re懷d）型—層壓棍介質(zhì)堵高密模度印該刷板致模塊敗。采直用疊費層結(jié)雜構(gòu)的垃印刷涌電路帳板作騙為互異連襯敢底。特點呆：因有張機基護板介驢電常舊數(shù)小劈燕允許晌較大鑰的特得征尺勵寸對邁微波仍應(yīng)用議有利綁；由于儉疊層稠式特雨點用MM批CM關(guān)L易于膊實現(xiàn)全多種久封裝菌結(jié)構(gòu)貫；MC閃ML基板末比共偷燒陶圾瓷有講較好陽的尺莖寸控歇制（燭燒制謀時的茅收縮文）三種MC星M中成辟本是蘋最低關(guān)鍵刑技術(shù)幼：是要續(xù)解決全多層雄基板責有線稻金屬蘆與隔梨離介吃質(zhì)界刑面的幫效應(yīng)互和互晃連通夢孔的娘技術(shù)2.素M詳CM丟-C（Ce糠ra改mi米c）輛型—基板投材料蔽是多往層陶怨瓷，漲采用初絲網(wǎng)避印刷召的方突法將貧金屬魯導(dǎo)體鹽印在梳瓷片閃上實忘現(xiàn)電狡氣互推連然鴿后經(jīng)斤過層蟻壓排值膠燒捏結(jié)等柜工藝蘋做出限散熱蘆性能茂好機渠械強舊度高滿的多她層共逃燒陶襲瓷基惱板。其布租線間金距可牽達20猾0u蕩m,層數(shù)袖可達30層以品上低溫勞共燒鍵陶瓷英（LT致CC）基膀板（MC泊M-成C）加券工流麥程3.暮MC郵M-箏D(抱De掌po細si蝦te公d蔑th爬in鞠f咱il竊ms敏)型—在聚維合物梯或介盲質(zhì)材圣料薄素膜上歸淀積熊金屬研導(dǎo)線堡圖形MC驗M-毀D是三罪種基放本類浴型中在成本偉最高衛(wèi)的一奶種主會要是界因為舍其布初線采菠用了墨與芯搜片制慢造相陪似的瓣工藝拜利用這光刻異技術(shù)味制作康有線桐，雖盛然布章線層返數(shù)最哲少，稅因其瘡線條暑細、愈間距浸小、涉布線決度也擁最高腦，適窩用于畜高頻壘高速煎電路柄中沖。多層誰薄膜枯聚酰乓亞胺逆基板須（MC祝M-音D）加拌工流妻程混合浙型的MC攀M-鎮(zhèn)D/芹C即共攔燒陶哄瓷上賄淀積買薄膜延型MC賀M-圖Si即在Si襯底僵上使炎用二癢氧化覺硅介投質(zhì)三維(3舉D)嫂MC易M3.其他連類型趙的MC逃M各類MC俗M特性斗比較·種類疊層荷型3D票;埋置屑型3D鵲;有源漏基板興型3D?！ざx在垂別直于彈芯片澤表面閃的方代向上慘堆疊,互連芬兩片役以上留裸片然或器站件的艙封裝.PC減B板和伴封裝尼轉(zhuǎn)接痛板的舍布線摩限制間，規(guī)京定0.迎50或0.布40毫米信是CS聲P封裝哲最小鑒的實錫用間太距，絞這使且得在X和Y方向師上提耐高封侮裝密落度非悄常困演難。3.及5三維咐立體呆封裝(3定D)·特點體積校小,電性糠能穩(wěn)乘定(信號筐傳輸溉延遲占時間罰減小雷、低登躁聲局、低征功耗善）,多功儲能性隊、高屋可靠癢性和吵低成搜本性否。*3D封裝妥內(nèi)的壘多個插裸片遮僅需飛要一忍個基師板，呈同時昨由于索裸片每間大噸量的始互連沾是在擺封裝手內(nèi)進逢行，遣互連餡線的斗長度旅大大俗減小塔，提財高了辟器件棕的電尺性能喪。實現(xiàn)濾疊層貞型3D封裝獨的兩坐種方條法：封裝仙內(nèi)的劇裸片琴堆疊封裝預(yù)內(nèi)的披封裝缸堆疊箏或稱哀封裝德堆疊1.疊層曾型3D封裝以錫夸球型態(tài)接合的疊舍層3D封裝·因為裸片胃堆疊CS窩P在開店發(fā)Z方向眼空間佳（即瀉高度擾）的聞同時解還保謀持了蜂其X和Y方向紹上的聽元件聚大小守（厚球度即撤使增兇加也稿是非爬常小視），朝這種晨封裝殊已經(jīng)架被很促多手貴機應(yīng)無用所終接受西。裸挪片堆左疊CS神P封裝訂的主要具缺點是，污如果奮堆疊榴中的銜一層冶集成僵電路醫(yī)出現(xiàn)減問題畫，所貴有堆摧疊的達裸片驚都將杏失效透。·封裝通堆疊使得候能夠彩堆疊校來自不同鬼供應(yīng)籌商和混斷合集佛成電擁路技茶術(shù)的誘裸片扯，也炊允許識在堆貪疊之查前進尺行預(yù)燒和檢搞測。裸片糧堆疊璃和封何裝堆徐疊比擁較關(guān)鍵表技術(shù)1.芯片刻厚度斯的控專制:晶圓盡的減弊薄,背面霧研磨蟻到10忠0微米棵以下.在晶聯(lián)片背販面機品械研做磨過濁程中幕，硅京晶粒奧形變顫很容名易導(dǎo)睬致應(yīng)暑力?！l(fā)濤裸片有破裂蛾、扭摔曲。CM竟P，濕匙刻蝕芝和等響離子遵刻蝕50,極限10-20(a狐)支架奶型針求腳焊(b胳)金楔傷焊(c變)極低景環(huán)路紡焊接2.引線焊資接技規(guī)術(shù):線焊酷技術(shù)是決腰定封勒裝堆擁疊模消蓋最垂小高雪度和S-茂CS愉P裸片坑堆疊港高度師的一神個關(guān)悼鍵因乒素。3.裸片序堆疊畏技術(shù)4忽.薄模胖成型惰技術(shù):為了放能夠愚堆疊賢封裝耗，底號部封急裝模鳥蓋的呀厚度梢必須群小于羅頂部登堆疊晝封裝若焊接暢球支綁架的秘高度蝴。對飾于球道間距顛為0.壤5-港0.應(yīng)8毫米寒的CS黑P，緊做湊型御產(chǎn)品步中已蛇經(jīng)廣戀泛采皇用0.供2-失0.販4毫米漫的球畫支架悄高度——在各鏟類基尋板內(nèi)豈或多杯層布胞線介罩質(zhì)層勸中“描埋置臉”R、C或IC等元高器件婚，最熔上層滔再貼鳳裝SM丈C/讀SM勾D來實愿現(xiàn)立葉體封蜂裝。2.埋置株型3DSi圓片揉規(guī)模膀集成(W庭LS豪)后的祖有源現(xiàn)基板參上再弦實行拒多層賄布線,最上王層再菊貼裝SM頁C/丙SM悼D。3.有源補基板鹿型3D高導(dǎo)幼熱(騰1壇)復(fù)合窩基板綢材料過，由塌熱固栗性樹唯脂及露無機思填料竊構(gòu)成推。（2）電晴子元漿器件慕的埋初入技欣術(shù)(況3禁)內(nèi)部菌互連婦技術(shù)乒，一膊般是播通過體導(dǎo)電春漿料恥填入稠導(dǎo)通掠孔來梯實現(xiàn)扛層間奶電氣外互連陽。關(guān)鍵推技術(shù)·結(jié)構(gòu)幻玉示意糧圖4蘇.可靠槍性問偷題局部探過熱其，燒逼毀。溫度級分布幣不均寨勻，滑差異抓過大懲，影懲響信礦號傳遲輸材料吹熱膨驚脹系翼數(shù)不決匹配少引起潛熱應(yīng)及力，嘉產(chǎn)生丘翹曲央、裂估紋4其.可靠志性問搬題疊層誼封裝羨：三毫維熱測場分爸析存在齊熱耦換合，確熱場街分布悼與單名熱源盜不同分析隔要點臟：一、錯使用勺低熱壁阻的咐基板;二、軍使用距強風姜冷或躲液冷赴卻劑粥為3D器件森降溫;三、鍋在疊遣層元別件之謝間使聽用導(dǎo)蓬熱通飲孔將域內(nèi)部迷的熱譜量散挑至表降面。3D硬MC挨M器件須散熱盆的處杰理方鉛法有顛三種:在實躁際的煮應(yīng)用晶中,根據(jù)獎不同雖散熱冤的情然況可朵以選評擇一襯種或決幾種堤方案駐。3.夏6系統(tǒng)仙級封揮裝(Si涌P)Sy券st廊em股-i辟n-浪P棉ac案ka嫁ge是將一個電子功能系統(tǒng)，或其子系統(tǒng)中的大部分內(nèi)容，甚至全部都安置在一個封裝內(nèi)。產(chǎn)品饅尺寸薦的小膊型化縮短兄上市粘時間降低于了母保板的境復(fù)雜春程度某些種性能攜得以童提高降低損整個婆系統(tǒng)圈的成郵本可以舞分別汪優(yōu)化插各個IC芯片絞的加點工工絕藝，濟最充扯分地柔發(fā)揮暢各個穿芯片懶的性丹能特養(yǎng)點1.牌S散ip的特魄點2.皂S太IP的主秀要形丑式（1）層蟻疊封捏裝互連四一般歇采用WB和FC涌B平面執(zhí)分布丑封裝技形式軋示意斤圖，濱此例發(fā)為Am榴ko嬸r貓Te千ch標no蘇lo居gy公司塌的Su奇pe刺r燥FCSi丹P的概東念，拾使用輛了超殊微距料的BG被A找FC弦B技術(shù)楊。（2）平覺面分女布封還裝三星具公司尚的高宮密度賽層疊挑存儲償芯片筒，世鄭界上然第一邀個六裙層疊垂封裝臂存儲光芯片給。（1）存碎儲芯落片集鑄成封漆裝ME州MO麻RY曬/M歸EM悉OR稅Y曬SI例P3.逃S拾IP的主終要應(yīng)桑用Am筆ko晉r增Te肺ch層no撈lo浮gy公司叫的層替疊存接儲芯待片，臉用于SD卡芯痕片的廉制造統(tǒng)。存儲卷與AS已IC芯片室的集筍成封潔裝，辣使用淡了WB和FC財B的互殃連技最術(shù)。（2）存涼儲/控制尖芯片桶集成鳥封裝串（ME敘MO等RY蠅/A惜SI蛾C緊SI肝P）AS蟲IC芯片庸與無脹源元接件芯透片的詠集成猜封裝爭，PI四C意為伯無源濫元件煩整合宇芯片肝。（3）控留制芯押片/無源報元件濾集成翼封裝靜（AS環(huán)IC隸/P其ICSI縫P）射頻膽芯片縱整合AS學IC、無灑源元引件、干低通牌濾波須、天辟線、RF開關(guān)販等器當件于賢一身那，屬柏于SI格P中的蛾最大祥應(yīng)用及，也地可以霉上升吵到SO窄P的概尿念。（4）射份頻芯絲式片集久成封扣裝（RF臘S忍IP）射頻勺芯片絞的成攏品板邪，實洪現(xiàn)了淋混合RF信號菠的處憤理和解收發(fā)肆。（4）射價頻芯鉗片集貍成封顛裝（RF漢S駱I(yè)P）電源規(guī)芯片含整合篩驅(qū)動IC、MO泛SF貿(mào)ET器件淺，經(jīng)欠過SI大P后，斧變成怎小型央的開回關(guān)電迎源芯崖片。（5）DC－DC電源激芯片炊集成挺封裝寸（DC堪S雙IP）SI傲P整合羨了AS徹IC和光冰學MO伐ME暢S器件貼，實提現(xiàn)了胸片上聚光交瀉換的喪概念程。（6）光旦學MO章ME染S集成煉封裝擋（MO羨ME竟S糧SI短P）Th勵om估as等人訓(xùn)使用寨玻璃籮做封告裝蓋副將陀陪螺儀帖和AS稅IC封裝惜在同滲一芯差片上手，利盒用了Au焊料