半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)分析-適逢其會(huì)龍頭崛起

半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)分析：適逢其會(huì)，龍頭崛起光刻膠是發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)不可或缺的產(chǎn)品組成結(jié)構(gòu)復(fù)雜，性能要求高組成結(jié)構(gòu)復(fù)雜，產(chǎn)品壁壘高企。光刻膠(photoresist)又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，主要由光刻膠樹脂、增感劑（光引發(fā)劑+光增感劑+光致產(chǎn)酸劑）、單體、溶劑和其他助劑組成。由于應(yīng)用場(chǎng)景頗多，不同用途的光刻膠在曝光光源、制造工藝、成膜特性等性能要求不同，對(duì)材料的溶解性、耐蝕刻性和感光性能等要求不同，不同原料的占比會(huì)有很大幅度變化，其中光刻膠樹脂是光刻膠主要成分，成本占比達(dá)到50%。光刻膠為集成電路中極為重要的材料，作為圖形媒介物質(zhì)，用于芯片制造的光刻環(huán)節(jié)，是必不可缺的關(guān)鍵材料。正性和負(fù)性光刻膠由于曝光反應(yīng)存在差異：

正性光刻膠在曝光后，曝光部分會(huì)溶于顯影液，未曝光部分顯影后會(huì)留存，正性光刻膠分辨率對(duì)比度高，更適用于小型圖形，也因此高端光刻膠以正性為主。負(fù)性光刻膠則相反，曝光后曝光部分形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)，硬化并留存在基底形成圖形，未曝光部分將溶解。負(fù)性光刻膠擁有更好的粘滯性和抗蝕性，因其具有更好感光性所以添加的感光劑更少，成本更低，也更適用于低成本低價(jià)質(zhì)量的芯片。半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)中正性膠占比為絕大多數(shù)，負(fù)性膠占比極低。光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分為PCB、面板和半導(dǎo)體光刻膠。PCB光刻膠主要分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠和阻焊油墨；面板光刻膠主要分為TFT-LCD正性光刻膠、彩色&黑色負(fù)性光刻膠;半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)主要使用G/I線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠和EUV光刻膠等。根據(jù)Cision,2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約91億美元，至2022年市場(chǎng)規(guī)模將超過105億美元，年化增長率約5%，其中，面板光刻膠，PCB光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠的應(yīng)用占比分別為27.8%、23.0%和21.9%。半導(dǎo)體光刻膠將成為光刻膠市場(chǎng)主要增長因素。在下游PCB和面板二者復(fù)合增速緩慢的情況下，半導(dǎo)體光刻膠將在半導(dǎo)體市場(chǎng)的快速增長下，疊加其單位價(jià)值量相較于PCB光刻膠和面板光刻膠更高的特性，有望成為全球光刻膠市場(chǎng)增長的主要因素。隨著IC制程的不斷提高，為了滿足集成電路對(duì)電路密度和集成水平更高要求，光刻膠通過不斷縮短曝光波長，不斷提升圖形的分辨率。經(jīng)過幾十年的研發(fā)，按照曝光波長，目前光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至G線（436nm）、I線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）（KrF和ArF合計(jì)稱為DUV光刻膠）、以及最先進(jìn)的EUV(<13.5nm)水平。半導(dǎo)體光刻膠存差異，應(yīng)用于不同芯片制程。隨著曝光波長縮短，光刻膠達(dá)到的極限分辨率不斷提高，得到的精密度更佳。目前市場(chǎng)上能得到分辨率最高的是EUV光刻膠，用于14nm以下先進(jìn)制程，由于整體較高的壁壘，僅G/I線有少量國產(chǎn)份額，KrF和ArF國產(chǎn)化率極低，EUV方面僅荷蘭的ASML能制造EUV光刻機(jī)，國內(nèi)尚無企業(yè)擁有先進(jìn)制程芯片產(chǎn)能，因此國內(nèi)并沒有EUV光刻膠市場(chǎng)，目前國內(nèi)市場(chǎng)大多集中在G線/I線KrF/ArF等用于28nm以上成熟制程的半導(dǎo)體光刻膠。半導(dǎo)體光刻膠并不完全僅用于其對(duì)應(yīng)電路尺寸。以KrF膠為例，雖然其對(duì)應(yīng)的最精細(xì)工藝范圍為0.13-0.35μm，但是KrF膠仍然可以用于0.13μm以下節(jié)點(diǎn)，包括28nm，原因在于28nm制程的芯片并不是每處都達(dá)到了精細(xì)度極限，由于ArF膠價(jià)格是KrF膠的幾倍，下游客戶出于節(jié)省成本目的，在芯片精細(xì)度較低的區(qū)域仍將使用用于低制程的光刻膠，也因此KrF膠成為全種類半導(dǎo)體光刻膠中，消耗量極高的膠種類，肩負(fù)起承上啟下的作用。終端市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，光刻膠需求快速增長終端需求強(qiáng)勁，帶動(dòng)半導(dǎo)體光刻膠需求增長。根據(jù)ICInsights，在2021年經(jīng)濟(jì)從2020年爆發(fā)的新冠疫情危機(jī)中反彈后，全球半導(dǎo)體營收增長25%，預(yù)計(jì)2022年半導(dǎo)體總銷售額將持續(xù)增長并達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的6806億美元，其中光電、傳感器、執(zhí)行器和分立器件

（統(tǒng)稱OSD設(shè)備）將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1155億美元。半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售的強(qiáng)勢(shì)增長，為半導(dǎo)體材料市場(chǎng)提供厚實(shí)基礎(chǔ)，作為耗材，其每年的需求量整體穩(wěn)步上升。SMIC的招股說明書中，光阻（光刻膠及配套試劑）成本占比在所有原材料中占第二大，為14.4%，處在較高地位。因此綜合整體半導(dǎo)體材料端的需求增長及光刻膠自身在材料中極高的地位，未來光刻膠市場(chǎng)需求也將不斷穩(wěn)定擴(kuò)大。晶圓制造產(chǎn)能擴(kuò)張，光刻膠需求高增長半導(dǎo)體光刻膠作為關(guān)鍵材料，晶圓廠產(chǎn)能變化預(yù)示光刻膠需求變化。SMIC的8寸晶圓出貨量與我國整體半導(dǎo)體材料銷售額呈現(xiàn)高度正相關(guān)，因此晶圓產(chǎn)能的擴(kuò)張節(jié)奏，可以作為整個(gè)半導(dǎo)體材料的景氣度風(fēng)向標(biāo)。我國在世界晶圓產(chǎn)能占比逐步提高，半導(dǎo)體光刻膠需求隨之提升。未來隨著我國積極推動(dòng)芯片自主化政策，晶圓廠產(chǎn)能大幅提升，2010、2019年分別超越歐洲、北美，2020年接近日本，月產(chǎn)能約318.4萬片（折合8寸晶圓），全球市占率約