雙向聯(lián)想記憶_第1頁
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雙向聯(lián)想記憶第一頁,共十四頁,編輯于2023年,星期二雙向聯(lián)想記憶網(wǎng)絡是一種異聯(lián)想(hetero-association)的雙層神經(jīng)網(wǎng)絡記憶存儲的樣本是二元數(shù)據(jù)對{},A,B分屬不同維量的向量空間輸入或,經(jīng)過雙向反饋不斷提高回憶聯(lián)向精度,網(wǎng)絡穩(wěn)定輸出{}或足夠逼近{}。概述第二頁,共十四頁,編輯于2023年,星期二網(wǎng)絡結構AB

兩層結構,A層是m維,B層是p維。兩者都可以作為輸入層或輸出層每個神經(jīng)元與本層其他神經(jīng)元無連接,而和另一層全部神經(jīng)元連接。欲被聯(lián)想的模式從某一層輸入,經(jīng)過雙向反饋聯(lián)想計算,最終趨于穩(wěn)定,得到輸出。神經(jīng)元對輸入加權和進行非線性處理。第三頁,共十四頁,編輯于2023年,星期二雙向反饋聯(lián)想計算

在t時刻,A層輸入,經(jīng)計算可得B層的輸出其中,單元j的輸出為:也可以用階躍函數(shù)φ第四頁,共十四頁,編輯于2023年,星期二記憶--權重學習

設有N個樣本,采用基于Hebb規(guī)則的外積法得:正向聯(lián)想存儲器:矩陣

反向聯(lián)想存儲器:矩陣第五頁,共十四頁,編輯于2023年,星期二記憶--權重學習例樣本:→輸入聯(lián)想:第六頁,共十四頁,編輯于2023年,星期二BAM穩(wěn)定性與Hopfield網(wǎng)絡類似,BAM的樣本存儲在能量極小處Kosko定義了系統(tǒng)的能量函數(shù):(標量轉(zhuǎn)置為其本身)類似Hopfield可以證明:沿著狀態(tài)空間

中的離散軌跡,總有而對所有的A和B,E總是有界,即(令θ=0)

第七頁,共十四頁,編輯于2023年,星期二BAM穩(wěn)定性如果將離散BAM的差分狀態(tài)改成下列的微分方程式,就會得到連續(xù)BAM(continuousbidirectionalassociativememory):

其中,Ii

以及

I’j

為正值常數(shù)。

第八頁,共十四頁,編輯于2023年,星期二BAM穩(wěn)定性根據(jù)

Kosko的研究,BAM的最大記憶容量為:

,更保守的估計應該不會超過BAM的狀態(tài)改變,不管是用同步

(synchronization)

或異步

(asynchronization)

的方式,都會收斂至雙向穩(wěn)定狀態(tài)。聯(lián)想記憶的性能取決于吸引子的尺寸、存儲容量和收斂時間。所存模式的正交性或統(tǒng)計可分離性影響網(wǎng)絡的記憶和回憶能力。第九頁,共十四頁,編輯于2023年,星期二BAM穩(wěn)定性Kosko(1987):基本的雙聯(lián)存儲器無條件穩(wěn)定——聯(lián)接權矩陣是互為轉(zhuǎn)置矩陣。當輸入向量的維數(shù)與輸出向量的維數(shù)相同時,W為方陣,此時如果聯(lián)接矩陣W是對稱的,則基本的雙聯(lián)存儲器退化成一個Hopfield網(wǎng)第十頁,共十四頁,編輯于2023年,星期二序列模式記憶與聯(lián)想BAM除了可被用于記憶靜態(tài)

(static)的向量對之外,亦可用來存儲動態(tài)的狀態(tài)變化

(dynamicstatetransitions),譬如說,想要存儲以下的一連串狀態(tài)向量:我們可以將此問題視為異聯(lián)想的記憶問題,亦即要BAM記得以下之向量對:

第十一頁,共十四頁,編輯于2023年,星期二序列模式記憶與聯(lián)想第十二頁,共十四頁,編輯于2

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