芯片實習(xí)報告

芯片工藝流程學(xué)習(xí)報告白光PSS鏡面片40BC五版光刻SputterITO反射電極芯片實習(xí)報告芯片前段工藝下料工序：1.投料檢查2.去In球（HCL）3.投料清洗（4H2SO4：H2O2）ABE-0014.檢查芯片實習(xí)報告芯片前段工藝PECVD（蒸鍍站）:1.生長SIO2：CBL-2000A目的：作為平臺（mesa）刻蝕屏蔽層和電流阻擋層（CBL）結(jié)構(gòu)P-GaNMQWn-GaNsapphireSiO2芯片實習(xí)報告芯片前段工藝MEA圖形光刻：1.HMDS增粘劑2.勻正膠3.曝光4.顯影目的：主要定義LED芯片發(fā)光面積P-GaNMQWn-GaNsapphireSiO2PRPRPR芯片實習(xí)報告芯片前段工藝ICP:1.ICP刻蝕2.去膠清洗3.ICP深度測量目的：露出n-GaN，制作N,P電極去膠前去膠后P-GaNMQWn-GaNSiO2PRPRPRsapphireP-GaNMQWn-GaNsapphireSiO2芯片實習(xí)報告芯片前段工藝CBL（電流阻擋層）圖形光刻目的：因為Pad不透光，為無效光，為提升發(fā)光效率，加上CBL使無效區(qū)的電子空穴在其他地方復(fù)合。方便將電極完全放在CBL結(jié)構(gòu)中。P-GaNMQWn-GaNsapphirePRSiO2P-GaNMQWn-GaNsapphireSiO2PR芯片實習(xí)報告芯片前段工藝CBL圖形刻蝕：1.腐蝕SIO2(氟化銨：氫氟酸20:1)，2.去膠清洗此步驟完成后,P層即已呈裸露狀態(tài)P-GaNMQWn-GaNsapphireSiO2芯片實習(xí)報告芯片前段工藝ITO蒸鍍：在芯片表面鍍制一層ITO薄膜,做為透明導(dǎo)電層;目前廠內(nèi)的ITO鍍膜技術(shù)有兩種,分別為E-beam(蒸鍍)及sputter(濺鍍),此兩種技術(shù)所完成之ITO薄膜特性不同,故需針對適當(dāng)之產(chǎn)品進(jìn)行分配;通常尺寸較大需要高亮度者使用sputter,而E-beam則適合亮度需求較低或尺寸較小之芯片ITO穿透率測量：96.3%電阻率：86.6ΩP-GaNMQWn-GaNsapphireITOSiO2芯片實習(xí)報告芯片前段工藝TCL圖形光刻（ITO光刻）1.就單邊Mesa側(cè)壁至ITO邊緣而言,其間距在5um左右;與CBL/Pad之間距相符;此數(shù)字也會與曝光機之對準(zhǔn)能力有關(guān)2.Mesa與ITO之間距越小,亮度會越佳,因為其發(fā)光面積越大;但此數(shù)值已接近極限,再增加會有不穩(wěn)定之風(fēng)險TCL圖形刻蝕（ITO腐蝕）ITO在側(cè)壁上若腐蝕不凈,輕則Ir良率下降orVf4下降;重則死燈,即使返工也不一定能完全救回，確認(rèn)后需使用去膠液去膠。芯片實習(xí)報告芯片前段工藝ITO光刻ITO腐蝕去膠P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2PRP-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2芯片實習(xí)報告芯片前段工藝ITO合金：ITO退火RTA目的：1.高溫合金(alloy)之方式使其材料成份中之氧所占之比例增加,來使ITO膜呈現(xiàn)高穿透率狀態(tài)。2.

高溫合金條件可以讓ITO與P層半導(dǎo)體達(dá)到良好之電性接觸,也使LED之工作電壓得以降到最低。片子由黃色變?yōu)榘咨?。P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2芯片實習(xí)報告芯片前段工藝PAD圖形光刻：正裝PN光刻負(fù)膠，其余都為正膠。目的：鍍上金屬電極之區(qū)域露出,其余不需鍍到金屬部分則以負(fù)性光刻膠遮起來。若顯影不凈,造成光刻膠殘留,則會在后續(xù)發(fā)生掉電極現(xiàn)象;但掉電極不完全是由顯影不凈所造成的。P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2PRPRPR芯片實習(xí)報告芯片前段工藝Cr/Au蒸鍍：蒸鍍PN，CrAlTiPtAu-1.5μmTi：1-2顆，Al：1-2顆，Pt：4顆，Au根據(jù)厚度及坩堝重量加料6/9/12顆P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2PRPRPRPN金屬芯片實習(xí)報告金屬蒸鍍機芯片實習(xí)報告芯片前段工藝PN電極剝離P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2P-PadN-Pad142225芯片實習(xí)報告芯片前段工藝PECVD2：生長SIO2：PSV-760APAS圖形刻蝕目的：因為SiO2把PN電極之打線區(qū)都蓋住,必需要讓電極層露出以利打線,因此需再一次勻光刻膠以便后續(xù)腐蝕。P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2SiO2SiO2N-PadP-PadP-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2SiO2SiO2N-PadP-PadPRPR芯片實習(xí)報告芯片前段工藝PAS圖形刻蝕PSV去膠P-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2SiO2SiO2N-PadP-PadP-GaNMQWn-GaNsapphireITOITOSiO2SiO2SiO2N-PadP-Pad芯片實習(xí)報告芯片前段工藝抽點：1.測試2.打線：推拉力測試3.自檢4.品保抽檢sWaferIDfYieldfVfAvgfVf4AvgfIvAvgfWdAvgfWdStdC16240R40BC2062495.28832.28300.87453.751.18fWpAvgfVrAvgfIrAvgESDPLK波長449.340.82091.62453.53-0.03453.5芯片實習(xí)報告芯片后段工藝研磨1.上蠟：將芯片按順序黏在陶瓷盤上，熱壓平整后，加壓冷卻2.研磨：目標(biāo)厚度170μm用鉆石砂輪機將襯底快速減薄到指定厚度3.拋光：目標(biāo)厚度150μm用鉆石拋光液緩慢薄化襯底，同時去除砂輪造成的損傷層4.CMP（劃痕明顯減少，細(xì)拋后反光）5.下蠟：用去蠟液去除芯片正反面黏附的大部分粘結(jié)蠟6.清洗：ACE、IPA、QDR等清洗，去除芯片正反面的污漬。40BC研磨破片率較高芯片實習(xí)報告芯片前段工藝背鍍DBR：鍍膜材質(zhì)：SIO2（n:1.5）/TI305(n:2.7)P-GaNMQWn-GaNDBRITOITOSiO2SiO2SiO2N-PadP-Pad芯片實習(xí)報告芯片后段工藝切割：1.貼片：正面向上貼膜2.劃片：40BC-150μm-DBR使用激光在芯片背面，沿切割道劃片(背切)4.裂片：沿著激光劃片的痕跡使用裂片機將管芯完全分離5.倒膜：將完全分離的管芯由正面貼膜翻轉(zhuǎn)成背面貼膜,方便點測6.擴(kuò)膜：擴(kuò)大1.2倍通過擴(kuò)張藍(lán)膜的方式，增大管芯之間距離,方便分選芯片實習(xí)報告芯片后段工藝芯片實習(xí)報告芯片后段工藝全點：目的：測試芯片表面所有的晶粒的光電特性，方便分選sWaferIDfYieldfVfAvgfVf4AvgfIvAvgC16240R40BC2062493.42842.962.29395.36fWdAvgfWdStdfWpAvgfVrAvgfIrAvgESD453.641.14448.7341.110.0191.62片號COW亮度COW波長COT亮度COT波長波長K值亮度K值C16240R40BC20624300.87453.75395.36453.64-0.111.31芯片實習(xí)報告芯片后段工藝常見光電性異常原因：電壓(Vf)：ITO鍍膜，金屬鍍膜，RTA退火，P-GAN損傷，ITO側(cè)蝕，叉指斷裂，SIO2刻蝕不干凈，ICP深度異常等。亮度(Iv)：ITO鍍膜，金屬鍍膜，RTA退火，P-GAN損傷，ITO側(cè)蝕，叉指斷裂，發(fā)光區(qū)污染漏電(Ir)：殘金，對版偏移，ITO腐蝕不干凈，ICP刻蝕異常，切割異常等。小電流電壓(Vf4)：SIO2鍍膜，DBR鍍膜，O2plasma打膠等?？轨o電能力(ESD)：剝離去膠，ITO退火，SPUTTER鍍膜，ITO腐蝕不干凈等。芯片實習(xí)報告芯片后段工藝分選：將圓片上的管芯按照不同的光電特性（如:波