從周期及國產(chǎn)化看存儲行業(yè)投資機遇

2行業(yè)概覽：集成電路最大的細分領域，技術(shù)持續(xù)迭代，下游應用廣泛存儲芯片在全球半導體市場規(guī)模占比近30%，應用廣泛品類豐富。存儲芯片可分為ROM（只讀存儲器）、RAM（隨機存儲器）、新型RAM等，應用以DRAM和NAND

Flash為主，兩者合計占比97%。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，2021年全球半導體市場規(guī)模為5558.93億美元，其中存儲芯片為1538.38億美元，占比27.67%，且僅次于邏輯芯片（27.85%），在各領域有著豐富應用并起重要作用。不同類型存儲應用示意圖資料來源：電子發(fā)燒友網(wǎng)@嵌入式那些事（/article/1865178.html）資料來源：賽迪顧問，中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，智研咨詢，中信證券研究部繪制半導體存儲分類及市場規(guī)模示意圖32020年全球DRAM競爭格局2021年全球NAND競爭格局全球SRAM競爭格局全球NOR競爭格局存儲行業(yè)格局：DRAM集中，NAND/NOR較為分散41.5%29.0%24.8%三星電子華邦電子SK海力士晶豪科技美光科技

南亞科技北京矽成 其他33.9%21.8%44.3%賽普拉斯

北京矽成

其他34%19%14%14%10%三星 鎧俠 SK海力士 西部數(shù)據(jù) 美光 英特爾 其他5%

3%25.4%19.6%16.0%7.7%5.7%華邦電子普冉股份旺宏電子嵩森科技兆易創(chuàng)新ISSI英飛凌

美光科技其他資料來源：CFM閃存市場，中信證券研究部資料來源：IHS,中信證券研究部資料來源：IHS，中信證券研究部資料來源：CINNO，中信證券研究部CONTENTS目錄4當期周期位置及展望？存儲行業(yè)相較其他子行業(yè)復蘇節(jié)奏如何？如何展望國產(chǎn)化機遇？重點公司投資建議風險因素5012345678910DRAM現(xiàn)貨價格月度走勢（美元）

*DDR4-4Gb-512Mx8

2133/2400

MHz

DDR4

-

4Gb

-

512Mx8

2133/2400

Mhz白牌

*DDR4-8Gb-1Gx8

2133/2400

MHz DDR4

-

8Gb

-

1Gx8

2133/2400

MHz白牌

DDR3

-4Gb-512Mx8-1333/1600MHz

DDR3

-

4Gb

-

512Mx8白牌

DDR3-4Gb-256Mx16

1333/1600MHz

DDR3

-

4Gb

-

256Mx16白牌DDR3

-

2Gb

-

256Mx8白牌DDR3-2Gb-256Mx8

1333MHz

DDR3-2Gb-128Mx16

1333/1600MHz

DDR3

-

4Gb

-

256Mx16白牌周期大致3~4年周期大致3~4年2012年8月爾必達及子公司瑞晶率先減產(chǎn)南科等臺系廠商退出轉(zhuǎn)型2012年12月價格回升

2022年10月SK海力士率先減少利潤較低產(chǎn)品產(chǎn)能2019年12月價格止跌回升

2019年3月美光率先減產(chǎn)5%2018年10月三星率先削減資本支出2022年9月美光率先削減資本支出當前位于周期底部，主流產(chǎn)品價格接近/擊破現(xiàn)金成本Bloomberg，彭博社，中信證券研究部DRAM現(xiàn)貨/合約價格走勢（單位：美元）6當前位于周期底部，主流產(chǎn)品價格接近/擊破現(xiàn)金成本Bloomberg，彭博社，中信證券研究部NAND

Flash現(xiàn)貨/合約價格走勢（單位：美元）64208101214169/201111/20111/20123/20125/20127/20129/201211/20121/20133/20135/20137/20139/201311/20131/20143/20145/20147/20149/201411/20141/20153/20155/20157/20159/201511/20151/20163/20165/20167/20169/201611/20161/20173/20175/20177/20179/201711/20171/20183/20185/20187/20189/201811/20181/20193/20195/20197/20199/201911/20191/20203/20205/20207/20209/202011/20201/20213/20215/20217/20219/202111/20211/20223/20225/20227/20229/202211/20221/20233/20235/2023MLC閃存32GB

4096Mx8 TLC閃存128GB

*TLC閃存512GB

TLC閃存64GB

9182Mx8MLC閃存64GB

8192Mx8*TLC閃存256GBTLC閃存32GB

4096Mx8MLC閃存64GB

8192Mx8

（合約）MLC閃存256GB

（合約）TLC閃存128GB

16384Mx8

（合約）MLC

Flash

128Gb

16384Mx8

（合約）TLC閃存64GB

8192Mx8

（合約）周期4年周期3~4年2012年7月東芝減產(chǎn)30%7月上旬止跌回穩(wěn)8月起持續(xù)走穩(wěn)2018年10月三星率先削減資本支出2019年3月美光率先減產(chǎn)5%2019年7月價格逐步回升2022年10月鎧俠率先減產(chǎn)30%Bloomberg，中信證券研究部MHzDRAM價格變動幅度及所處周期位置5月價格變動幅度所處周期位置*DDR4-4Gb-

512Mx8

2133/2400 -6.25%周期底部DDR4-4Gb-512Mx8

2133/2400Mhz白牌 -3.39%周期底部*DDR4-8Gb-1Gx8

2133/2400

MHz -6.17%周期底部DDR4-8Gb-1Gx8

2133/2400

MHz -8.77%白牌周期底部DDR3-4Gb-512Mx8-

1333/1600MHz -1.87%周期底部DDR3

-

4Gb

-

512Mx8白牌 0.00%周期底部Bloomberg，中信證券研究部7DRAM價格：

5月價格延續(xù)下跌趨勢，跌幅為0%-8.77%5月價格延續(xù)下跌趨勢，跌幅為0%-8.77%，本輪高點21年6月至23年5月累計跌幅為66%-80%。根據(jù)TrendForce，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約96.6億美元，環(huán)比-21.2%，已續(xù)跌三個季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷售單價三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善，價格依舊續(xù)跌，然而在原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，DRAM下半年價格跌幅料有望逐季收斂。由于PC

DRAM、Server

DRAM、Mobile

DRAM占總DRAM消耗量超過85%，且DDR5比重仍低，DRAM價格跌幅仍較大的主要原因是DDR4與LPDDR5的庫存過高，而DDR3價格已趨穩(wěn)；我們認為，雖然供應商減產(chǎn)不及需求走弱速度，但相較第一季度，部分產(chǎn)品第二季均價季跌幅有收斂趨勢，DRAM收斂至13%-18%。其中，PC及Server

DRAM跌幅仍將延續(xù)（預計跌幅為15%-20%）；MobileDRAM在獲利空間最為壓縮的現(xiàn)況下，預計跌幅為13%-18%。DXI指數(shù)DRAM周度價格（美金）DRAM月度價格（美金）Bloomberg，

中信證券研究部Wind部，注：DXI指數(shù)為DRAM綜合價格指數(shù)

6543210*DDR4-4Gb-512Mx82133/2400

MHz*DDR4-8Gb-1Gx82133/2400

MHzDDR3-4Gb-512Mx8-1333/1600

MHzDDR4-4Gb

-512Mx8

2133/2400Mhz白牌DDR4-

8Gb

-1Gx8

2133/2400MHz白牌DDR3-4Gb

-

512Mx8白牌543210*DDR4-4Gb-512Mx82133/2400

MHz*DDR4-8Gb-1Gx82133/2400MHzDDR3-4Gb-512Mx8-1333/1600

MHzDDR4-4Gb

-512Mx8

2133/2400Mhz白牌DDR4-

8Gb

-1Gx8

2133/2400MHz白牌DDR3-4Gb

-

512Mx8白牌45000.00040000.00035000.00030000.00025000.00020000.00015000.00010000.0005000.0000.00084月價格延續(xù)下跌趨勢，跌幅為1.00%-9.78%，本輪高點21年7月至23年2月累計跌幅為36%-70%。根據(jù)TrendForce，目前NAND

Flash供過于求，由于下游終端產(chǎn)品需求仍疲弱，加上買方著重去化庫存而大幅減少采購量，使得NAND

Flash

22Q3

wafer價格跌幅達30-35%。Client

SSD與Enterprise

SSD在下游出貨量下滑的預期下采購量也下降，23Q1

NAND

Flash芯片價格跌幅收斂至10%-15%；此外，NAND

Flash

wafer由于2022年第三季起原廠削價競爭，導致合約價快速逼近各廠現(xiàn)金成本，NAND

Flash在完全競爭市場的框架下，供貨商有意使wafer報價加速落底。由于多數(shù)供應商已開始減產(chǎn)，我們預計23Q2

NAND

Flash芯片價格季跌幅將收斂至約8%-13%，削價競爭也在原廠啟動減產(chǎn)后獲控制。其中，由于當前NAND

Flash

Wafer價格已近現(xiàn)金成本，芯片價格有望于23Q4止跌反彈；Enterprise

SSD作為原廠消耗庫存的重要市場，且利潤空間較大，我們預計跌幅仍將持續(xù)。NAND

Flash價格：4月價格延續(xù)下跌趨勢，跌幅為1.00%-9.78%NAND月度價格（美金）Trendforce

，中信證券研究部

注：價格更新日為2023年5月25日Bloomberg，中信證券研究部Bloomberg，中信證券研究部8GBx8項目 日高點日低點盤高點盤低點盤平均盤漲跌幅SLC

2Gb256MBx8 1.550.601.550.600.892-0.78%SLC

1Gb1.95128MBx80.531.950.530.891-0.34%MLC64Gb4.253.404.253.403.8540%MLC32Gb3.001.903.001.902.0670%3D

TLC

256Gb 2.802.002.802.002.0670%4GBx8NAND價格變動幅度及所處周期位置4月價格變動幅度 所處周期位置TLC閃存128GB-2.63%周期底部*TLC閃存256GB-1.00%周期底部*TLC閃存512GB-3.95%周期底部MLC閃存256GB（合約）MLCFlash128Gb16384Mx8

（合約MLC閃存64GB

8192Mx8

（合約） Bloomberg，中信證券研究部-8.01%周期底部-9.77%）

周期底部-9.78%周期底部76543210TLC閃存128GB*TLC閃存512GBMLC

Flash

128Gb

16384Mx8

（合約）*TLC閃存256GBMLC閃存256GB

（合約）MLC閃存64GB

8192Mx8（合約）543210NAND價格表格（美金） NAND周度價格（美金）TLC閃存128GB *TLC閃存256GB*TLC閃存512GB9SSD價格（美金，渠道市場）內(nèi)存條價格（美金，行業(yè)市場）SSD價格（美金，行業(yè)市場）存儲模組價格：價格趨勢整體下滑，5月價格穩(wěn)定內(nèi)存條價格（美金，渠道市場）CFM閃存市場，中信證券研究部CFM閃存市場，中信證券研究部價格趨勢整體下滑，5月價格穩(wěn)定。據(jù)CFM閃存市場，截至5月23日，近半年DDR4

SODIMM（8GB

3200）由約21美金下降至約14美金，降幅約33%，OEM

SSD（512GB

SATA）由約35美金下降至20美金，降幅約42%。

11月下旬以來降幅有所收窄，我們認為模組廠商產(chǎn)品單價有望于23H1企穩(wěn)回暖，隨下游需求復蘇而獲得銷量彈性，同時上游晶圓成本處于底部，有利于模組環(huán)節(jié)盈利水平修復。60504030201001/182/183/184/185/186/187/188/189/1810/1811/1812/181/182/183/184/18

5/18DDR4SODIMM

4GB3200 DDR4SODIMM

8GB3200 DDR4SODIMM16GB

32002040608010001/182/183/184/185/18

6/18CFM閃存市場，中信證券研究部7/188/189/1810/1811/1812/181/182/183/184/18

5/18DDR4UDIMM

8GB

3200 DDR4UDIMM

16GB

3200 DDR4UDIMM32GB

320060504030201001/182/183/184/185/186/187/188/189/1810/1811/1812/181/182/18

3/18CFM閃存市場，中信證券研究部4/185/18ChannelSSD240GBSATAChannelSSD512GB

PCle4.0ChannelSSD480GB

SATAChannelSSD256GB

PCle3.0ChannelSSD1TBPCle4.0ChannelSSD512GB

PCle3.060504030201001/182/183/184/185/186/187/188/189/1810/1811/1812/181/182/183/184/18

5/18OEMSSD128GB

PCle3.0OEMSSD512GB

SATAOEMSSD128GB

SATAOEMSSD512GB

PCle3.0Future

Electronics部，注：23年5月下旬統(tǒng)計金士頓：貨期整體縮短，存儲器模塊維穩(wěn)威剛：貨期整體縮短，存儲器模塊維穩(wěn)Alliance

Memory：DRAM、NAND貨期縮短交期及價格預測：貨期料將縮短，價格短期仍跌，跌幅有望逐步收斂Kingston 23Q2貨期 貨期趨勢 價格趨勢PC(商用)DRAM 4-6 ↙ SMA存儲器模塊 2-6 ←→ SMAeMMC 4-8 ↙ SMA存儲卡2-10↙SMA存儲卡8-10↙SMA固態(tài)驅(qū)動器(SSD)4-8↙SMA固態(tài)驅(qū)動器(SSD)8-12↙SMAADATA23Q2貨期貨期趨勢價格趨勢存儲器模塊6-8←→SMAeMMC 8-10 ↙ SMA

Macronix23Q2貨期貨期趨勢價格趨勢NOR閃存8-12↙SMANAND閃存8-12←→SMAeMMC52-54←→←→↙←→旺宏：eMMC貨期拉長，NAND維穩(wěn)NAND價格預測：跌幅有望收縮TrendForce（含預測，預測時間為2023.05），中信證券研究部貨期趨勢整體縮短，存儲器模塊交期仍維持穩(wěn)定，價格短期仍跌，跌幅有望收縮。根據(jù)Future

Electronics，由于DRAM及NAND

Flash供應商減產(chǎn)不及需求走弱速度，部分產(chǎn)品第二季度均價跌幅有擴大趨勢。根據(jù)TrendForce，23Q2

NAND

Flash價格跌幅將收縮至8%-13%，DRAM價格跌幅將收縮至13%-18%，TrendForce預計若需求端未再持續(xù)下修，NAND

Flash均價有機會23Q4止跌反彈，反之，若旺季需求端持續(xù)疲弱，反彈時間恐再延后。DRAM價格預測：跌幅有望收縮23Q123Q2EPCDDR4:down15~20%DDR5:down18~23%BlendedASP:down

15~20%DDR4:down15~20%DDR5:down13~18%BlendedASP:down

15~20%ServerDDR4:down20~25%DDR5:down23~28%BlendedASP:down

20~25%DDR4:down18~23%DDR5:down13~18%BlendedASP:down

15~20%Mobiledown

13~18%down

13~18%

Graphicsdown

18~23%down

10~15%Consumerdown

18~23%down

10~15%Totaldown

~20%down1013~18%AllianceMemory23Q2貨期貨期趨勢價格趨勢23Q123Q2EPC(商用)DRAM2-20↙SMAeMMCUFSdown

10~15%down

10~15%移動RAM12-16←→←→EnterpriseSSDdown

13~18%down

10~15%SRAM12-45↙←→ClientSSDdown

13~18%down

5~10%NOR閃存12-20←→←→3DNAND

Wafers(TLD&

QLC)down

3~8%←→TotalNAND

Flash down

10~15% down

8~13%TrendForce（含預測，預測時間為2023.05），中信證券研究部Future

Electronics部，注：23年5月下旬統(tǒng)計Future

Electronics部，注：23年5月下旬統(tǒng)計NAND閃存 8-24Future

Electronics

部，注：23年5月下旬統(tǒng)計11需求端:2022年需求疲軟下行業(yè)庫存持續(xù)攀升，根據(jù)Wind，在22Q2末華碩、聯(lián)想、小米、浪潮的庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)均創(chuàng)新高，22Q2分別為156/55/83/130天，22Q3分別為137/53/80/114天，

22Q4分別為122/52/80/109天，雖仍遠高于2019年的水平，但已有所去化。各大終端廠商將把重心持續(xù)放在去庫存以及降成本上。下游需求量來看，1）服務器端，我們預計23Q2末下游庫存顯著改善，并在年底前恢復健康，看好23H2

DDR5在服務器端的需求提升，同時AI服務器DRAM和NAND的容量需求（content）是傳統(tǒng)的8x和3x；2）PC端：我們預計23年PC出貨同比下滑中個位數(shù)（mid-single），目前下游存貨已顯著改善，23H2需求有望環(huán)比改善；3）手機及智能終端：我們預計全年智能手機出貨同比略降，年內(nèi)前低后高，庫存逐季改善；4）汽車端穩(wěn)健，預計工業(yè)端行業(yè)庫存及需求23H2改善。需求端展望：23Q2末下游庫存料顯著改善，全年出貨前低后高主要電子終端出貨展望（單位：百萬部）資料來源:群智咨詢（含預測），Trendforce（含預測），中信證券研究部預測終端產(chǎn)品20222022

YoY2023E2023E

YoY預測來源智能手機1202-12%11980%中信證券研究部——蘋果225-4%2271%中信證券研究部——安卓977-13%970-1%中信證券研究部電視218-6%2170%群智咨詢筆記本電腦203-19%199-2%群智咨詢平板電腦155-8%148-5%群智咨詢服務器14245%1384-3%Trendforce對比指標上游芯片主要廠商情況中游零部件及組裝主要廠商情況下游品牌主要廠商情況季度末存貨/單季度收入2019~2021年平均值70%~140%40%~80%50%~70%2022年末200%~300%50%~80%30%~80%季度末存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)2019~2021年平均值190~330天60~90天60~80天2022年末較均值高出90%~160%較均值高出0%~20%較均值高出0%~30%不同供應鏈環(huán)節(jié)庫存情況（結(jié)合部分上市公司財務數(shù)據(jù)統(tǒng)計）Wind，中信證券研究部統(tǒng)計12DRAM下游應用占比NAND

Flash下游應用占比需求端展望：服務器端、SSD分別為DRAM/NAND

Flash第一大應用DRAM按下游行業(yè)拆分規(guī)模（百萬美元）NAND按下游行業(yè)拆分規(guī)模（百萬美元）IDCIDC（含預測），中信證券研究部100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%1Q222Q223Q224Q2220221Q232Q23E3Q23E4Q23E2023E2024E2025E2026E

2027EDSCChromebookDVCH-HDDPMP

flashSSDMobile

phoneUSBflash

driveTabletGame

console100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%1Q222Q223Q224Q2220221Q232Q23E3Q23E4Q23E2023E2024E2025E2026E

2027EServer PC Graphics Mobile Other-50.00%-40.00%-30.00%-20.00%-10.00%0.00%10.00%20.00%0102030405060702022 2023E2024E2025E2026E2027ESSD Mobile

phone Other Total

growth20.00%10.00%0.00%-10.00%-20.00%-30.00%-40.00%-50.00%90807060504030201000222023E2024E2025E2026E2027EServer Mobile PC Other Total

growthIDC（含預測），中信證券研究部IDC（含預測），中信證券研究部IDC（含預測），中信證券研究部1322年需求疲軟下行業(yè)庫存持續(xù)攀升，目前部分存儲顆粒價格接近廠商現(xiàn)金成本，部分廠商調(diào)降投片量，同時2023年資本開支及產(chǎn)能提升預期趨于保守。據(jù)Trendforce，鎧俠旗下日本兩座NAND廠已從10月起將晶圓產(chǎn)量減少30%，同時據(jù)各公司業(yè)績會，美光2023財年資本支出由80億美元降至70億美元，同比-40%以上，當前稼動率已達歷史最低點。SK海力士決定將此前預期的2023年CAPEX減少50%以上，西部數(shù)據(jù)提出2023年對設備投資總額為23億美元，較三季報會議提出的27億美元下降14.8%。2023年4月，三星電子表示將把內(nèi)存芯片的產(chǎn)量削減調(diào)整，并優(yōu)化運行中的生產(chǎn)線運營。2022-2023年下行周期廠商下調(diào)資本開支及投片量情況供給端：海外大廠下調(diào)資本開支及投片量，供給有往逐步收窄存儲原廠減少產(chǎn)出減少資本支出鎧俠2022年10月調(diào)整日本四日市和北上NAND

Flash晶圓廠的生產(chǎn)，從10月開始晶圓生產(chǎn)量將減少約30%美光科技DRAM及NAND

Flash產(chǎn)能減少20%2023財年的資本支出將削減30%SK海力士2022年10月：計劃逐步減少利潤相對較低產(chǎn)品產(chǎn)量2023年4月：無錫工廠月產(chǎn)能削減30%2023年資本支出減少50%以上西部數(shù)據(jù)2023年2月首次宣布減產(chǎn)，將把NAND閃存晶圓產(chǎn)量減少到目前水平的30%三星電子2023年4月宣布將存儲芯片產(chǎn)量降低到有意義的水平1月表示致力于2023年的資本支出與去年相似2018-2019年下行周期廠商下調(diào)資本開支及投片量情況存儲原廠減少產(chǎn)出減少資本支出三星電子2018年資本支出削減27%，認為內(nèi)存芯片熱潮已結(jié)束美光科技2019年3月：正在謹慎地管理其下NAND供應的增長，并開始削減其傳統(tǒng)制程節(jié)點的晶圓總開工量（約5%）2019年6月：NAND

Flash減產(chǎn)由5%提升至10%3月：資本支出減少15億美元SK海力士2019年4月：預計NAND

Flash減產(chǎn)10%以上2019年7月：減產(chǎn)比例提升至15%削減2019年DRAM投資金額降至55億美元英特爾宣布將減少

2019

年NAND出產(chǎn)鎧俠2019年6月15日，四日工廠跳電13分鐘，NAND

Flash供應受損資料來源：各公司官網(wǎng)，中信證券研究部資料來源：各公司官網(wǎng)，中信證券研究部14DRAM供給片數(shù)（單位：KU）DRAM供需比NAND供給片數(shù)（單位：KU）NAND

Flash供需比供需展望：23Q2起供需逐步改善1.00%2.00%3.00%4.00%5.00%6.00%7.00%4Q2220221Q232Q23E3Q23E4Q23E2023E5.00%4.00%3.00%2.00%7.00%6.00%1.00%0.00%-1.00%1Q22 2Q223Q224Q2220221Q232Q23E3Q23E4Q23E2023E-15.00%-10.00%-5.00%0.00%5.00%10.00%15.00%9,0008,0007,0006,0005,0004,0003,0002,0001,00001Q22 2Q22 3Q224Q221Q232Q23E3Q23E4Q23E-10.00%-5.00%0.00%5.00%10.00%15.00%050,000100,000150,000200,000250,000 20.00%1Q22 2Q22 3Q224Q221Q232Q23E3Q23E4Q23E0.00%1Q22 2Q22 3Q22IDC（含預測），中信證券研究部IDC（含預測），中信證券研究部IDC（含預測），中信證券研究部IDC（含預測），中信證券研究部CONTENTS目錄15當期周期位置及展望？存儲行業(yè)相較其他子行業(yè)復蘇節(jié)奏如何？如何展望國產(chǎn)化機遇？重點公司投資建議風險因素從歷史經(jīng)驗來看，全球半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模長期穩(wěn)步向上增長的同時，一定程度上存在周期屬性，每個完整周期一般持續(xù)3~5年左右。本輪產(chǎn)業(yè)周期目前正處探底階段，我們結(jié)合需求復蘇趨勢、庫存消化節(jié)奏、成本改善節(jié)奏的觀察，預計半導體銷售額有望于2023Q1見底,

2023Q2開始恢復增長。相應制造板塊有望于2023Q2開始逐步反映市場正常需求。Wind，IC

Insights（預測后續(xù)趨勢），中信證券研究部

注：其中紅色虛線框部分為中信證券研究部根據(jù)IC

Insight預測走勢繪制，不代表實際數(shù)據(jù)SIA，WTST，Wind，中信證券研究部

注：其中黃色塊表示上行區(qū)間，藍色塊表示下行區(qū)間162020年3月后全球半導體銷售額及費城半導體指數(shù)的走勢1994年以來費城半導體指數(shù)及全球半導體銷售額變化產(chǎn)業(yè)景氣2023年有望觸底反轉(zhuǎn)17存儲周期振幅最大，是半導體板塊變化率的主要影響因素全球半導體不同板塊銷售額同比變化率對比歷年全球半導體不同板塊銷售額的變化率，包括存儲、分立器件、模擬電路、微處理器、光電子和邏輯電路各類半導體的銷量增速見底為：2001年、2008年、2012年、2019年、2023，平均5年一周期；上行周期增速見頂為：2000年、2004年、2010年、2017年、2021年，平均5年一周期。相比較于其他半導體，存儲的周期振幅是最大的，也是半導體板塊變化的最主要影響因素。-20%0%20%40%60%80%-40%1999 2000 2001 2002 2003Wind，WTST（含預測），中信證券研究部20042005 2006 2007 2008 2009 2010 2011注：

紅色虛線表示增速見頂，綠色虛線表示增速見底20122013201420152016201720182019202020212022 2023E半導體行業(yè) 存儲 分立器件 模擬電路 微處理器 光電子 邏輯電路18存儲周期振幅最大，廠商盈利能力隨周期劇烈波動Wind，中信證券研究部全球半導體不同板塊毛利率水平70.00%60.00%50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%2010/3/12010/6/12010/9/12010/12/12011/3/12011/6/12011/9/12011/12/12012/3/12012/6/12012/9/12012/12/12013/3/12013/6/12013/9/12013/12/12014/3/12014/6/12014/9/12014/12/12015/3/12015/6/12015/9/12015/12/12016/3/12016/6/12016/9/12016/12/12017/3/12017/6/12017/9/12017/12/12018/3/12018/6/12018/9/12018/12/12019/3/12019/6/12019/9/12019/12/12020/3/12020/6/12020/9/12020/12/12021/3/12021/6/12021/9/12021/12/12022/3/12022/6/12022/9/12022/12/12023/3/1存儲 模擬 MCU 邏輯對比歷年全球半導體不同板塊的毛利率，包括存儲、模擬電路、微處理器和邏輯電路相比較于其他半導體，存儲毛利率隨的周期振幅是最大的，周期觸底向上時有望獲得顯著利潤彈性。19WSTS,中信研究部繪制當前電子各子行業(yè)周期景氣度位置存儲行業(yè)正觸底，處于各子行業(yè)周期較早位置存儲面板/被動元件功率模擬設備、材料MCU邏輯高性能運算LEDCONTENTS目錄20當期周期位置及展望？存儲行業(yè)相較其他子行業(yè)復蘇節(jié)奏如何？如何展望國產(chǎn)化機遇？重點公司投資建議風險因素212022年10月7日，美國商務部工業(yè)與安全局（BIS）公布了對于中國出口管制新規(guī)，針對高算力芯片、超級計算、先進芯片制造、半導體設備領域?qū)χ袊撇迷俅紊?。本次限制途徑包括“物項”、“實體”、“用途”、“人員”四類。其中，“用途方面”如果受管控物項（如設備、材料、軟件、技術(shù)）用于中國開發(fā)或生產(chǎn)先進制程芯片的晶圓廠：16/14nm

及以下邏輯或非平面晶體管結(jié)構(gòu)邏輯芯片（

如FinFET、GAA）、128層及以上NAND存儲、18nm及以下DRAM存儲芯片，出口需要獲取許可證?！叭藛T”方面，除非獲得許可證，否則“美國人”不得參與對于先進制程（16/14nm以下邏輯、128層及以上NAND、18nm及以下DRAM）相關的物項（設備、材料、軟件、技術(shù)）向中國的轉(zhuǎn)移行為以及相關協(xié)助和服務。2023年5月23日，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省發(fā)布省令，正式出臺針對23種半導體制造設備（或物項）的出口管制措施，并將于7月23日開始實施。本次措施主要是增加了6大類23種管制物項，要求對華出口需申請許可。在清單內(nèi)的受管制物品在向中國大陸、俄羅斯等地區(qū)出口時，需要獲得日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的許可證。清單主要針對高端半導體制造設備，尤其是特別聚焦了ArF浸沒式光刻、EUV配套設備及部件、鈷/鎢等金屬沉積、高深寬比刻蝕和硅鍺刻蝕等技術(shù)指標較高、材料特殊、在先進制程有針對性應用的半導體設備品種，而光刻膠等日本優(yōu)勢的半導體材料則未在限制行列之中。2023年4月25日，據(jù)路透報道，為應對中國制裁美光科技，美國對三星電子開出20億的天價罰單，逼迫sk海力士和三星電子不向中國供應先進存儲，如不遵從，預計將要求本國企業(yè)斷供三星。事件催化：外部限制層層遞進，倒逼國產(chǎn)化加速2023年3月31日晚，中國網(wǎng)信網(wǎng)于官網(wǎng)發(fā)布《關于對美光公司在華銷售產(chǎn)品啟動網(wǎng)絡安全審查的公告》，為保障關鍵信息基礎設施供應鏈安全，防范產(chǎn)品問題隱患造成網(wǎng)絡安全風險，維護國家安全，網(wǎng)絡安全審查辦公室將按照《網(wǎng)絡安全審查辦法》，對美光公司（Micron）在華銷售的產(chǎn)品實施網(wǎng)絡安全審查。2023年5月21日，國家網(wǎng)信辦發(fā)布《美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡安全審查》公告，指出本次審查發(fā)現(xiàn)，其產(chǎn)品存在較嚴重網(wǎng)絡安全問題隱患，對我國關鍵信息基礎設施供應鏈存在重大安全風險，影響我國國家安全。按照《網(wǎng)絡安全法》等法律法規(guī)，我國內(nèi)關鍵信息基礎設施的運營者應停止采購美光公司產(chǎn)品。根據(jù)受限客戶類別，我們判斷受限產(chǎn)品主要為美光直接向國內(nèi)終端銷售的存儲模組等產(chǎn)品，而非向國內(nèi)模組廠供貨的晶圓等中間產(chǎn)品。此前，網(wǎng)信辦曾于3月31日發(fā)布《關于對美光公司在華銷售產(chǎn)品啟動網(wǎng)絡安全審查的公告》，對美光公司（Micron）在華銷售的產(chǎn)品實施網(wǎng)絡安全審查。22從市場類別看：重點關注信創(chuàng)/企業(yè)級等安全相關的主流市場資料來源：億歐智庫，國家統(tǒng)計局，Wind，中信證券研究部2022年信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)鏈圖譜板塊邏輯：未來信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)推進有望節(jié)奏更快、增量更大。頭部廠商引領，信創(chuàng)布局持續(xù)，企業(yè)級應用增長。細分賽道中服務器端國產(chǎn)廠商頭部效應明顯，國產(chǎn)化和創(chuàng)新齊頭并進，逐步向高端滲透。我們預計2022~2027年信創(chuàng)PC、服務器市場規(guī)模將分別由379/294億元增長至813/1258億元，5年CAGR分別為16.5%/33.7%。根據(jù)網(wǎng)信辦公告，目前美光在華產(chǎn)品銷售限制對象或主要面向“關鍵信息基礎設施的運營者”，我們認為針對產(chǎn)品主要為美光直接向國內(nèi)終端銷售的存儲成品（解決方案產(chǎn)品），預計下游客戶有望加速國產(chǎn)化產(chǎn)品（存儲晶圓/模組）導入，建議重點關注關鍵信息基礎設施，如信創(chuàng)、企業(yè)級市場等相關供應鏈。建議關注江波龍、佰維存儲、德明利、協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)、朗科科技等。行業(yè)就業(yè) PC需 PC端內(nèi)存 PC端SSD需 服務器 服務器端內(nèi) 服務器端人員 求量 條需求量 求量 需求量 存條需求量 SSD需求量數(shù)量黨政30322122318442453033638606金融62543865687563750125電力1521061602131518230電信136951431901416327石油128901341791315426交通3832684025363846077航空航312233433376教育1228860128917191231474246衛(wèi)生67147070593967805134市場規(guī)模（億----202232--772192天元）中國大陸未來五年信創(chuàng)服務器/PC需求與市場規(guī)模（單位：萬個，萬人）2021年中國企業(yè)級固態(tài)硬盤市場份額34.20%32.40%4.10%14.20%英特爾三星匯總6386447067058940639766312775.70%憶聯(lián)平均單價（元----302260--100815009.30%美光）憶恒創(chuàng)源其他

IDC，中信證券研究部國家統(tǒng)計局，Wind，中信證券研究部測算23從市場類別看：重點關注車載等增量利基市場8%15%17%19%7%5%25%20%15%10%5%0%板塊邏輯：智能化驅(qū)動汽車存儲需求爆發(fā)，三大巨頭布局積極性有限，國內(nèi)廠商奮進突圍。根據(jù)IHS，2019年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約36億美元，預計2025年升至83億美元，對應CAGR達15%，遠高于汽車半導體的整體增速。汽車內(nèi)部多環(huán)節(jié)需搭載存儲芯片，其中DRAM/NAND為核心需求，汽車智能化趨勢下，單車用量、規(guī)格將持續(xù)提升，預計2025年DRAM/NAND規(guī)模占比分別為46%/35%，對應CAGR分別達17%/19%。廠商進展來看，車規(guī)認證周期長、更新迭代慢、追求上下游間緊密合作，三星、海力士、美光三大巨頭更聚焦于先進標準化存儲的優(yōu)化迭代，如手機、PC、服務器等，汽車領域布局積極性有限；國內(nèi)廠商持續(xù)發(fā)力，如君正在車規(guī)SRAM領域全球第一，車規(guī)DRAM領域市占率約15%，僅次于美光。關注公司：建議關注車規(guī)進展順利、受益國產(chǎn)替代的存儲芯片設計龍頭。從代工角度看，長鑫存儲、長江存儲、中芯國際等持續(xù)擴產(chǎn)升級；從終端角度看，五菱、比亞迪、長城等電動車銷量領先，亦存在供應鏈本土化需求，均為存儲芯片國產(chǎn)替代創(chuàng)造機遇，建議關注君正（汽車存儲主要布局SRAM，DRAM）、兆易（NOR

Flash，NAND

Flash）、普冉（NOR

Flash，EEPROM）等廠商。全球汽車存儲不同類型占比及規(guī)模（億美元） 全球汽車存儲2019-2025年CAGR情況 汽車對存儲芯片需求全球汽車DRAM市場競爭格局45.0%15.0%10.8%9.5%美光 北京君正 三星 南亞科11.2%8.5%華邦電 其他1.501.702.002.803.501.301.502.003.000.3500.300.400.400.50864202019 2020 2021E2022E2023E汽車NAND使用容量及類型預測2020E2023E2025E2030E車載信息娛樂系統(tǒng)容量64/128GB128/256GB256/512GB512GB/1TB類型eMMCUFSUFSUFS自動駕駛等級L2L3L4L5容量8-64GB128/256GB512GB/1TB1TB/2TB類型eMMCUFSSSDSSD汽車單車平均DRAM用量預測（GB）車載信息娛樂系統(tǒng) 高級駕駛輔助系統(tǒng) 通信/儀表盤42%46%28%35%22%8%5%3614%

83050100100%80%60%40%20%0%20192025EDRAM NAND NOR

其他 合計規(guī)模IHS（含預測），中信證券研究部IHS預測，中信證券研究部汽車制動網(wǎng)，美光官網(wǎng)Trendforce（含預測），中信證券研究部SK海力士官網(wǎng)預測，中信證券研究部IC

Insights，芯探007微信公眾號，中信證券研究部24主流存儲之存儲模組：替代原廠及海外模組廠份額，空間廣闊存儲模組市場中原廠地位仍高，原廠、模組廠中海外龍頭均占主導，本土廠商替代空間巨大。據(jù)Trendforce，2021年全球原廠自有品牌內(nèi)存營收總額為949億美元，為當年全球各模組廠的DRAM營收總額的5.24倍，其中模組廠CR5占比90%，其中金士頓市占79%；2021年全球存儲器模組廠DRAM營收CR5占比90%，CR10占比97%，其中金士頓市占79%，龍頭地位穩(wěn)固；渠道SSD中原廠/模組廠占比分別為42%/58%，模組廠中CR5為53%，金士頓、威剛、金泰克占比分別為26%/8%/7%，大陸廠商占比仍低，國產(chǎn)替代空間廣闊。上游晶圓采購暫不受影響，下游客戶或?qū)⑥D(zhuǎn)單，國內(nèi)模組廠有望受益國產(chǎn)替代。根據(jù)Trendfoce數(shù)據(jù)，我們測算海外原廠在模組環(huán)節(jié)地位仍高，其中2021年全球原廠自有品牌內(nèi)存營收總額為模組廠的5倍以上，渠道SSD中原廠占比42%。美光在華銷售產(chǎn)品接受審查，我們認為國內(nèi)客戶或?qū)⑥D(zhuǎn)單，而令美光之外的廠商受益。具有信創(chuàng)、企業(yè)級存儲布局的廠商有望優(yōu)先受益，建議關注國內(nèi)存儲模組廠商江波龍、佰維存儲、德明利、協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)、朗科科技等。2021年內(nèi)存模組廠營收排名 2021年SSD模組廠營收排名2021202020212020YoY20212020KingstonTechnology1114261132008.0%78.7%78.0%ADATATechnology2264054018.5%3.5%3.2%Corsair3--543560-3.1%3.0%3.3%SMARTModularTechnologies4645940114.6%2.5%2.4%Powev554424068.9%2.4%2.4%Kimtigo64438493-11.2%2.4%2.9%Ramaxel73343510-32.7%1.9%3.0%TeamGroup87168174-3.4%0.9%1.0%Innodisk91016410064.7%0.9%0.6%ApacerTechnology10914510636.2%0.8%0.6%Others51043018.6%2.8%2.5%總0%100%100%公司DRAM排名

DRAM營收（百萬美元）

DRAM市占率Trendforce，中信證券研究部，注：以各家模組廠的DRAM營收口徑統(tǒng)計公司排名市占率Kingston

Technology126%ADATA

Technology28%Kimtigo37%Lexar46%Netac

56%Transcend65%Powev74%Colorful84%GIGABYTE93%Teclast103%Others--28%總計--100%Trendforce，中信證券研究部25從布局環(huán)節(jié)看：主流市場看國內(nèi)晶圓廠產(chǎn)業(yè)鏈，利基市場看頭部設計公司Yole，各公司官網(wǎng)中國大陸存儲產(chǎn)業(yè)鏈圖譜（部分廠商）主流存儲之晶圓制造：關注長江存儲及合肥長鑫產(chǎn)業(yè)鏈Wind，中信證券研究部合肥長鑫為公司DRAM

IDM龍頭廠商，其內(nèi)存項目有三期，項目總投資超過2200億元。第一期投資約為72億美元，規(guī)劃產(chǎn)能12.5萬片晶圓/月。2017年7月長鑫存儲一期投產(chǎn)，2019年9月20日，正式量產(chǎn)DDR4內(nèi)存。2020Q1，長鑫投片量為1萬片/月；20Q4，快速提升至4.5萬片/月。目前該公司官網(wǎng)上已經(jīng)開始對外供應DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組。彭博4月20日消息，芯片制造商長鑫存儲計劃今年在科創(chuàng)板IPO，我們預計公司18nm以上部分合規(guī)可繼續(xù)擴產(chǎn)，建議關注后續(xù)合肥長鑫產(chǎn)業(yè)鏈受益公司。建議關注產(chǎn)業(yè)鏈受益公司：受益國產(chǎn)替代加速的設備、零部件公司：芯源微、中微公司、拓荊科技、北方華創(chuàng)、精測電子、至純科技、富創(chuàng)精密、盛美上海、萬業(yè)企業(yè)、華海清科、華峰測控、長川科技等；配套封測廠及模組廠商：深科技、通富微電、太極實業(yè)、江波龍、佰維存儲等；DRAM設計廠商：兆易創(chuàng)新。內(nèi)存接口芯片及模組配套芯片廠商：瀾起科技、聚辰股份等。合肥長鑫產(chǎn)業(yè)鏈代表公司盈利預測表（部分廠商）22A23E24E25E22A23E24E25E688037.SH芯源微270.392.272.924.216.12119936444688012.SH中微公司171.261.902.312.923.6090745948688072.SH拓荊科技412.553.184.256.368.66130976548002371.SZ北方華創(chuàng)296.654.466.178.3210.7667483628600641.SH萬業(yè)企業(yè)18.890.460.530.630.7342363026000021.SZ深科技22.210.420.620.71-533631-002156.SZ通富微電24.380.370.500.740.8966493327301308.SZ江波龍116.220.190.711.321.896121648862688525.SH佰維存儲105.030.180.250.310.41584423337255603986.SH兆易創(chuàng)新110.313.102.112.993.8236523729

26代碼簡稱收盤價（元）EPS（元）PE利基存儲之DRAM公司最新制程容量華邦電25nm/38nm16Mb-4Gb產(chǎn)品規(guī)格SDR核心頻率（MHz）100-166總線時鐘（MHz）100-166傳輸速度（MT/s）100-166DDR133-200133-200266-400DDR2133-200266-400533-800DDR3133-200533-8001066-1600LPDDR4X133-2001066-16002133-3200DDR2（512

Mb、1Gb）/LPDDR2133-200266-400533-800南亞科具備20nm產(chǎn)品的量產(chǎn)能力和10nm產(chǎn)品的自主開發(fā)能力512Mb-8Gb DDR3（1Gb、2Gb、

4Gb

） 133-200533-8001066-1600DDR4（4Gb、8Gb）LPDDR4X133-2001066-16002133-3200LPDDR2133-200266-400533-800目前有DDR4

、LPDDR4

等產(chǎn)DDR3/DDR3

w/ECC133-200533-8001066-1600北京君正品，最新的制程是25nm，8G容量。-DDR4/LPDDR4133-2001066-16002133-3200DDR3/LPDDR3133-200533-8001066-1600兆易創(chuàng)新已量產(chǎn)19nm制程，17nm制程研發(fā)中-DDR4（4Gb）/LPDDR4X133-2001066-16002133-320027/LPDDR3資料來源：各公司官網(wǎng)，中信證券研究部.注：Samsung、SK

Hynix、Micron等海外廠商已弱化利基型市場布局，故不作比較利基型DRAM產(chǎn)品對比全球利基型DRAM市場競爭格局（2019E）南亞科,39%華邦電,18%DRAMeXchange，中信證券研究部美光,

14%三星,

13%SK

海力士,10%

中國…其他,

3%全球汽車DRAM市場競爭格局45.0%15.0%10.8%9.5%美光 北京君正 三星 南亞科11.2%8.5%華邦電 其他IC

Insights，芯探007微信公眾號，中信證券研究部標準型,13服務器,34移動式,40繪圖用,

5利基型,

8DRAM需求結(jié)構(gòu)資料來源：集邦咨詢，中信證券研究部28市場：根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，受益于原有剛性需求和下游不斷出現(xiàn)的新興應用領域，SLC

NAND全球市場規(guī)模不斷增長，2019年至2024年復合增長率達6%，2022年預計市場規(guī)模達23.63億美元。格Gartner（含預測），東芯股份招股說明書，中信證券研究部QY

Research，中信證券研究部SLC

NAND市場規(guī)模（億美元）SLC

NAND競爭格局利基存儲之SLC

NAND19.5716.7120.9821.3723.63 23.51105020 18.381525 23.242017201820192020E2021E2022E2023E2024E局方面，大陸市占率約32%。SSD45%50% MLC

、

TLC

、 64/96/128L或更高 幾百到幾千GBQLC建議關注：東芯股份、兆易創(chuàng)新等。存儲卡/UFD9%11% MLC

、

TLC

、 64/96/128L或更高 幾十到幾千GBQLC其他4%4% SLC

、

MLC

、 10+nm/32/48/64L 幾MB到幾GBTLC2019 2020ENAND

Flash分類典型類型 典型制程典型容量嵌入式產(chǎn)品42% 35%MLC、TLC

、QLC64/96/128L或更高幾到幾百GBCFM閃存市場，Gartner，IHS

Markit，Yole，中信證券研究部29市場空間：

2014年以前，隨著功能機市場萎縮，NOR

Flash市場規(guī)模進入下行區(qū)間，由

2006

年頂峰的75

億美元，縮減至

2016

年的

17億美元。從

2017

年起，5G、IoT

、汽車電子等新興應用帶動市場增長，使得NOR

Flash市場重新煥發(fā)生機。從

2017年起，5G、IoT

、汽車電子等新興應用帶動市場增長，使得NOR

Flash市場重新煥發(fā)生機。2022年NOR

Flash市場空間有望擴張至37.24億美元。競爭格局：國際巨頭產(chǎn)能持續(xù)退出，