CMOS集成電路制造工藝

CMOS集成電路制造工藝從電路設(shè)計(jì)到芯片完成離不開集成電路的制備工藝，本章主要介紹硅襯底上的CMOS集成電路制造的工藝過程。有些CMOS集成電路涉及到高壓MOS器件（例如平板顯示驅(qū)動(dòng)芯片、智能功率CMOS集成電路等），因此高低壓電路的兼容性就顯得十分重要，在本章最后將重點(diǎn)說明高低壓兼容的CMOS工藝流程。1.1基本的制備工藝過程CMOS集成電路的制備工藝是一個(gè)非常復(fù)雜而又精密的過程，它由若干單項(xiàng)制備工藝組合而成。下面將分別簡要介紹這些單項(xiàng)制備工藝。1.1.1襯底材料的制備任何集成電路的制造都離不開襯底材料——單晶硅。制備單晶硅有兩種方法：懸浮區(qū)熔法和直拉法，這兩種方法制成的單晶硅具有不同的性質(zhì)和不同的集成電路用途。1懸浮區(qū)熔法懸浮區(qū)熔法是在20世紀(jì)50年代提出并很快被應(yīng)用到晶體制備技術(shù)中。在懸浮區(qū)熔法中，使圓柱形硅棒固定于垂直方向，用高頻感應(yīng)線圈在氬氣氣氛中加熱，使棒的底部和在其下部靠近的同軸固定的單晶籽晶間形成熔滴，這兩個(gè)棒朝相反方向旋轉(zhuǎn)。然后將在多晶棒與籽晶間只靠表面張力形成的熔區(qū)沿棒長逐步向上移動(dòng)，將其轉(zhuǎn)換成單晶。懸浮區(qū)熔法制備的單晶硅氧含量和雜質(zhì)含量很低，經(jīng)過多次區(qū)熔提煉，可得到低氧高阻的單晶硅。如果把這種單晶硅放入核反應(yīng)堆，由中子嬗變摻雜法對(duì)這種單晶硅進(jìn)行摻雜，那么雜質(zhì)將分布得非常均勻。這種方法制備的單晶硅的電阻率非常高，特別適合制作電力電子器件。目前懸浮區(qū)熔法制備的單晶硅僅占有很小市場份額。2直拉法隨著超大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展，不但要求單晶硅的尺寸不斷增加，而且要求所有的雜質(zhì)濃度能得到精密控制，而懸浮區(qū)熔法無法滿足這些要求，因此直拉法制備的單晶越來越多地被人們所采用，目前市場上的單晶硅絕大部分采用直拉法制備得到的。拉晶過程：首先將預(yù)處理好的多晶硅裝入爐內(nèi)石英坩堝中，抽真空或通入惰性氣體后進(jìn)行熔硅處理。熔硅階段坩堝位置的調(diào)節(jié)很重要。開始階段，坩堝位置很高，待下部多晶硅熔化后，坩堝逐漸下降至正常拉晶位置。熔硅時(shí)間不宜過長，否則摻入熔融硅中的會(huì)揮發(fā)，而且坩堝容易被熔蝕。待熔硅穩(wěn)定后即可拉制單晶。所用摻雜劑可在拉制前一次性加入，也可在拉制過程中分批加入。拉制氣氛由所要求的單晶性質(zhì)及摻雜劑性質(zhì)等因素確定。拉晶時(shí)，籽晶軸以一定速度繞軸旋轉(zhuǎn)，同時(shí)坩堝反方向旋轉(zhuǎn)，大直徑單晶的收頸是為了抑制位錯(cuò)大量地從籽晶向頸部以下單晶延伸。收頸是靠增大提拉速度來實(shí)現(xiàn)的。在單晶生長過程中應(yīng)保持熔硅液面在溫度場中的位置不變，因此，坩堝必須自動(dòng)跟蹤熔硅液面下降而上升。同時(shí)，拉晶速度也應(yīng)自動(dòng)調(diào)節(jié)以保持等直生長。所有自動(dòng)調(diào)節(jié)過程均由計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)或電子系統(tǒng)自動(dòng)完成。1.1.2光刻衫光刻惹是集像成電巨路制黎造過占程中蹤最復(fù)紛雜和體關(guān)鍵慘的工背藝之?dāng)傄?。貍光刻夜工藝曉利用顫光敏追的抗尺蝕涂叔層（諸光刻后膠）志發(fā)生盲光化伙學(xué)反僵應(yīng)，叉結(jié)合可刻蝕核的方先法把系掩模銅版圖莖形復(fù)弓制到隔圓硅里片上槐，為吳后序遼的摻辱雜、犯薄膜炭等工澤藝做晶好準(zhǔn)科備。觸在芯追片的緣制造靜過程翁中，兵會(huì)多在次反錢復(fù)使鑒用光狡刻工樓藝。容現(xiàn)在離，為西了制尖造電陡子器名件要趙采用船多達(dá)斗24呀次光鳴刻和咐多于咱25附0次蒼的單帳獨(dú)工衰藝步諸驟，抖使得色芯片車生產(chǎn)簽時(shí)間氣長達(dá)評(píng)一個(gè)討月之趕久。呀目前區(qū)光刻跟已占若到總蝴的制夢造成僑本的其1/墾3以白上，段并且婆還在告繼續(xù)押提高家。稿光刻感的主休要工壩藝步嫂驟包位括：男光刻缺膠的濁涂覆深，掩街模與呀曝光捆，光印刻膠夠顯影惱，腐道蝕和惰膠剝仇離。匯下面塘分別廉進(jìn)行津簡要便的介衛(wèi)紹：攀1翁光裕刻膠女涂覆療光刻短膠是悶一種柏有機(jī)隊(duì)的光店敏化賤合物遵。按榜照膠閉的極汪性可崖分為太正性銀光刻早膠和胳負(fù)性鋤光刻克膠。畢光刻普膠在轉(zhuǎn)曝光楊之后訓(xùn)，被漿浸入狡顯影胳溶液朗中，矩在顯葬影過英程中附，正場性光富刻膠寶爆過完光的瞇區(qū)域昌溶解僵的速刮度要竭快得酒多，匆理想提情況顯下，榮未曝錢光區(qū)裁域保謠持不性變。傭負(fù)性愉光刻遮膠正屑好相杰反，喂在顯趕影劑饒中未唐曝光肅的區(qū)姓域?qū)⑷∪芙馑?，而擊曝光掏的區(qū)浪域被蓋保留攏。正蛛膠的勇分辨柔率往腹往較拳好，伙因此筐在集殺成電嶼路制鑄造中健應(yīng)用飯更為膏普及丑。盈在光改刻膠需涂覆晃前，請(qǐng)硅片均要進(jìn)爸行熱傲處理輕以去透除濕愁氣，測并且坊經(jīng)粘曲附增尿強(qiáng)劑蚊處理顧，然英后用箱光刻暴膠溶靈液旋肯轉(zhuǎn)涂六覆。起在一含個(gè)高與溫的智熱板寶上，執(zhí)溶劑割揮發(fā)過掉，股通過壺選擇驕光刻腳膠的偉粘度邪和涂晴覆旋舒轉(zhuǎn)的惜速度活，使圖光刻儲(chǔ)膠固印化為尖十分次均勻蜻的薄咳膜，食厚度頌約為神1～修2微肺米。物2嚷掩模虛與曝吵光躺掩模僻版與帳圓片丹的對(duì)晴準(zhǔn)至驚關(guān)重遞要，課它將事限制辱芯片切的集忍成密例度和餃電路俊的性爪能，述因此獲在現(xiàn)搞代集渾成電婦路制拜造工廚藝中恭，采撲用了皆多種幣方法埋以保嘉證掩歌模版陪與圓白片的很對(duì)準(zhǔn)啦。余（1希）多全數(shù)步伍進(jìn)機(jī)蘆中，怠圓片版并不蜜直接講對(duì)準(zhǔn)肅掩模中，而訊是圓兼片和挎掩模驢經(jīng)過類各自禽的光拌路，子對(duì)準(zhǔn)陷于曝宋光系嗽統(tǒng)的助光學(xué)熱鏈上央。如巴果這階兩個(gè)莖對(duì)準(zhǔn)塌過程重不是悟精確碧匹配鏡的，墊就會(huì)受發(fā)生鬧對(duì)準(zhǔn)負(fù)誤差駛。為賭了避惜免這霸些系捉統(tǒng)誤驢差，臭要周陳期性是做基戒線校匆準(zhǔn)處催理。臨（2社）超庸出和炊縮進(jìn)拔的消歪除。拐在接估觸式烈、接階近式似和掃固描投役影光槽刻機(jī)膽中，拘超出齊和縮瘋進(jìn)通退常是慘由于魯圓片公在一寬系列蛛的工幣藝過勁程中偏由溫順度引室起的隆物理定尺寸尚的變猛化而照造成搖的。藏步進(jìn)流機(jī)以默全局注對(duì)準(zhǔn)穩(wěn)模式羨可以唐減輕稻這個(gè)截問題阿，應(yīng)兩用良歇好的碎逐個(gè)踐位置熊對(duì)準(zhǔn)禾方法兼甚至鉛可以界完全毫消除攔它。辛此外魚，該爬類型脖的誤朋差也帆容易滿由于姥掩模永溫度臨的少較量變至化而焦產(chǎn)生妖。寒（3炭）掩狂模材類料的壽選擇撇。石務(wù)英由腸于具瀉有較撞低的晌熱膨田脹系右數(shù)（嫂），林常被催選做封制作姨掩模挨的材簡料。鞏為了式避免自一整亡塊8撲英寸憑掩模男產(chǎn)生艷大于焦0.炕1微賊米的姓膨脹兄，需吳要掩擋模溫描度變?nèi)せ刭e制0向.7戚5鋪℃弄。當(dāng)顆大量緞光穿沒過掩啟模時(shí)與，這毅個(gè)條挨件并凱不容擊易達(dá)疲到。糟亞微伸米步莊進(jìn)機(jī)閑應(yīng)用向先進(jìn)扮曝光興系統(tǒng)侍控制缺掩模福溫度虹，以苗盡量遇減小愈這個(gè)的問題舊。此箏外對(duì)境準(zhǔn)記吼號(hào)的盾畸變?cè)L也可盞能造蟲成芯尾片旋卷轉(zhuǎn)和取對(duì)不杠準(zhǔn)。我淡攤吉曝光酸的方只法主幅要有教光學(xué)飯曝光芹、離胳子束偶曝光門、電祖子束宴曝光止和X給射線多曝光竭等。志3造顯影首顯影醫(yī)是把捉潛在誤的光判刻膠鳴圖形脹轉(zhuǎn)變享為最信后的吊三維脖立體牽圖像木。這第一過擠程中代，最頭重要進(jìn)的參意數(shù)是養(yǎng)曝光丈與未活曝光探區(qū)域威之間爸的溶墾解率魔比例祥(僑DR廊)。危商用替正膠呀有大成于1批00際0的頓DR雄比，產(chǎn)在曝江光區(qū)錢域溶位解速拌度為攜30擋00樸nm拍/m刺in惹，在親未曝子光區(qū)崖域僅興為幾床nm捧/m斷in舉（暗合腐蝕松）。面光刻誘膠的警DR悟可在蠻顯影工時(shí)用眾反射顧率現(xiàn)壟場測丑量?；?刷刻蝕切與膠宮剝離撇刻勝蝕瞇包括闊濕法向刻蝕月和干急法刻肺蝕，崗將在始后面牙詳細(xì)所討論扒。完蒸成了紋上面世所有陳的工奪藝過略程后凝，最淘后，偷除了帳高溫偵穩(wěn)定松的光騾刻膠舒，例談如光是敏聚牲酰亞磚胺，小可以薦作為躲中間灣介質(zhì)皂或緩病沖涂這覆而糖保留極在器木件上手，要落把所奴有的倆光刻塘膠剝敘離。掠為避薄免對(duì)宋被處田理表體面的紫損傷會(huì)，應(yīng)糕采用液低溫援下溫礦和的記化學(xué)蟲方法冶。吩隨著鏟所需或的特蜻征尺你寸的浩繼續(xù)短減小漸，光冤學(xué)光勝刻變葡得越擱來越傳困難另。但還目前止隨著贈(zèng)光學(xué)古光刻艇的不嘴斷改醋善和栽向更贊短波謙長的姜發(fā)展從，預(yù)牢期，以光學(xué)蓬光刻執(zhí)可以疫具有給分辨榆略小忌于0奧.1夏微米晶特征惠尺寸敏的能他力。疊1.蒙1.敘3嚷刻億蝕熄刻蝕怒工藝灰主要攝包括拖濕法閣刻蝕鴉和干乎法刻農(nóng)蝕兩捕種。稍1烤濕法腸刻蝕躲濕法參刻蝕彎是將階刻蝕絡(luò)材料前浸泡洞在腐秒蝕液凈內(nèi)進(jìn)正行腐泄蝕的欺技術(shù)斗。它庫是一物種純色化學(xué)妹刻蝕截，具熱有優(yōu)移良的撲選擇站性，抬它刻丈蝕完濃當(dāng)前穴薄膜及就會(huì)積停止呼，而逐不會(huì)世損壞目下面喂一層灘其他僚材料怎的薄兆膜。秀在硅往片表算面清裳洗及國圖形抱轉(zhuǎn)換竄中，相濕法?？涛g妨曾支譯配著淋集成封電路暴工業(yè)稻一直租到7集0年逗代中傲期，弊即一授直到南特征賽尺寸榮開始故接近緞膜厚盤時(shí)。嫌因?yàn)榛彼型さ陌滕Q導(dǎo)體恐濕法遼刻蝕秘都具斧有各睡向同守性。濁無論潤是氧柏化層聽還是基金屬蹦層的兇刻蝕面，橫扒向刻遠(yuǎn)蝕的現(xiàn)寬度鏡都接熊近于揀垂直伴刻蝕律的深哭度。椅此外疼濕法吧刻蝕圣還受故更換夕槽內(nèi)植腐蝕仙液而曲必須麻停機(jī)虜?shù)挠熬d響。那目前才，濕陷法工木藝一登般被煩用于老工藝翻流程羨前面輕的硅到片準(zhǔn)巡備階沉段和排清洗獄階段茫。而買在圖好形轉(zhuǎn)沃換中再，干歸法刻岸蝕已腥占據(jù)濁主導(dǎo)已地位掠?？?目干法碰刻蝕奉干法刑刻蝕遺是以幟等離宗子體王進(jìn)行耀薄膜解刻蝕進(jìn)的技貸術(shù)。診它是說硅片著表面垮物理死和化津?qū)W兩遍種過檔程平隸衡的航結(jié)果啊。在煩半導(dǎo)睡體刻儲(chǔ)蝕工社藝中廚，存蜜在著糟兩個(gè)蛇極端陣：離興子銑湯是一簽種純慈物理在刻蝕汗，可躍以做冠到各怨向異破性刻顏蝕，燕但不某能進(jìn)妨行選宿擇性案刻蝕虹；而挪濕法?？涛g茫如前顫面所漲述則愁恰恰數(shù)相反斑。人擠們對(duì)妙這兩膽種極嫁端過膜程進(jìn)積行折躺衷，樓得到漲目前帽廣泛丹應(yīng)用技的一會(huì)些干傻法刻鵲蝕技燥術(shù)，溉例如步：反勁應(yīng)離帝子刻物蝕(用RI慶E招)和紅高密笛度等姨離子醉體刻捉蝕(塌HD鞭P勵(lì))。匆這些擊工藝王具有反各向戚異性金刻蝕宿和選漠擇性卸刻蝕喪的特竊點(diǎn)。救3久剝離碎技術(shù)商圖形枝轉(zhuǎn)換宿過程叉的另膏一種佳工藝需技術(shù)鐮是剝箏離技辮術(shù)，菌這個(gè)遙工藝構(gòu)技術(shù)進(jìn)的優(yōu)萍點(diǎn)在月于可傘以處虛理離膀子轟企擊難事以刻制蝕的蛛材料駝，并辣且可知以避蘿免對(duì)食襯底餡和薄渠膜的景損傷背。某剝離蓄技術(shù)始的工別藝流寸程如展圖1淚.1膀所示煎。首翠先涂斧厚光挪刻膠液并形驗(yàn)成所壟設(shè)計(jì)課的圖賴案，更再使杰用蒸歌發(fā)技翠術(shù)淀歸積一犁層金捷屬薄魚膜，免蒸發(fā)愁的一甘個(gè)特槍點(diǎn)是懷對(duì)高荷縱橫翁比的前圖形乒覆蓋運(yùn)性差頸。如剖果光迫刻膠涌顯影答后得拾到一欲個(gè)凹胸的刨耐面，描金屬慕條便紹會(huì)斷抽線。樣接下望來硅貌片浸智到能散溶解鍋光刻弱膠的悄溶液俯中，術(shù)直接脂淀積宴在硅貼片上肆的金潤屬線送將被泊保留玉，而羅淀積產(chǎn)在光籍刻膠膏上的泄金屬賞線將反從硅孕片上悉脫離筆。森剝離費(fèi)技術(shù)惕的不蠢足之養(yǎng)處是仰，剝奏離掉度的金鬧屬會(huì)疼影響芳到芯吸片的冷合格彎率。沸圖1灑.1怕嘴剝離狠技術(shù)隸的工趴藝流類程宴1.油1.飽4癥摻噸雜、歸擴(kuò)散蕩向疊在制覆造所悲有的承半導(dǎo)補(bǔ)體器癥件時(shí)濃都必基須采王用摻薪雜工條藝，辯通過宗摻雜泛可以幫在硅抵襯底銅上形淚成不跑同類凈型的探半導(dǎo)飛體區(qū)朝域，伯構(gòu)成乏各種掙器件想結(jié)構(gòu)竹，比就如沈MO格S啄管的沙源、宗漏區(qū)沃的形躲成等味。為弊了保塑證器漁件能肢按設(shè)新計(jì)要抖求正搞常工翻作，圍摻雜唇的區(qū)濱域的媽濃度漢與尺榨寸必拼須符胡合設(shè)蓋計(jì)要獲求，迅而這錫些工同作都態(tài)是由論摻雜受工藝蜘實(shí)現(xiàn)桐的。助在半童導(dǎo)體希制造卻中主口要的宅摻雜癥方法姑熱擴(kuò)胳散摻塌雜和財(cái)離子成注入谷摻雜找。狀1翁熱擴(kuò)蒸散摻深雜射熱擴(kuò)回散摻報(bào)雜是值指利夾用分坐子在秧高溫駐下的妨擴(kuò)散三運(yùn)動(dòng)霸，使荒雜質(zhì)互原子進(jìn)從濃缸度很趟高的穗雜質(zhì)麥源向紅體硅卡中擴(kuò)毫散并陰形成吐一定升的分兇布。園熱擴(kuò)撥散通腿常分長兩個(gè)姻步驟兆進(jìn)行燭：預(yù)應(yīng)淀積鳴和再咱分布撇。預(yù)炮淀積肅是指臭在高奏溫下乓，利貴用雜摟質(zhì)源仔，如楚硼源喇、磷逃源等晶，對(duì)斜硅片鉆上的狀摻雜巡窗口言進(jìn)行經(jīng)擴(kuò)散稿，在嫌窗口盤處形君成一旋層較景薄但明具有戲較高吵濃度蛇的雜河質(zhì)層奇。這活是一扔種恒漲定表巷面源做的擴(kuò)觸散過養(yǎng)程。猜再分驚布是幻限定霜表面擴(kuò)源的熊擴(kuò)散韻過程仍，是掏利用乎預(yù)淀溝積所身形成撿的表攀面雜策質(zhì)層始做雜軌質(zhì)源詠，在男高溫玩下將同這層血雜質(zhì)纏向體恨硅內(nèi)嬸擴(kuò)散攻的過鏈程，菌通常退再分嘩布的堡時(shí)間糧較長宣，通棒過再腸分布吵，可昏以在今硅襯央底上神形成鳳一定慧的雜帝質(zhì)分司布和硬結(jié)深戰(zhàn)。午但是爹熱擴(kuò)舌散摻鴨雜工孟藝具筐有一堤個(gè)很規(guī)明顯色的缺顆點(diǎn)就爪是不揪能精旗確控環(huán)制雜響質(zhì)的族濃度絡(luò)，從蓄而所腳生產(chǎn)永出來透的電揀路會(huì)茫與所表設(shè)計(jì)市的電且路有鬧一定閱的差乒別。背2焰離子撈注入得摻雜猴隨著份半導(dǎo)皇體尺涂寸的速縮小跨，精寒度的世控制泄要求絮越來含越嚴(yán)俱格，擺大多舟數(shù)工憲藝已跌經(jīng)采倦用全并離子詢注入鎖工藝陳來替懶代熱窩擴(kuò)散佩摻雜夢以獲菌得精抓確的疲濃度傭。羨離子孕注入庸是通埋過高傲能量擊的離吊子束銷轟擊斧硅片廟表面系，在候摻雜訂窗口癢處，非雜質(zhì)掠離子考被注虎入到亦體硅嶄內(nèi)，雕而在蟲其它周不需漠摻雜征的區(qū)衰域，擴(kuò)雜質(zhì)鍛離子輝被硅權(quán)表面多的保安護(hù)層劣屏蔽答，從點(diǎn)而完警成選轎擇性述摻雜降。鴿在離槽子注綁入過會(huì)程中陸，電都離的枕雜質(zhì)削離子致經(jīng)靜嫂電場棒加速閣打到親硅片婦表面疤，通蠅過測靈量離議子電苦流可撇嚴(yán)格時(shí)控制裂注入外劑量敗。注既入工聾藝所騙用的鎮(zhèn)劑量迷范圍苦很大階，可輕以從羞輕摻鄙雜的征到諸杠如源滾/接拾觸、修發(fā)射蘆極、沉埋層遣集電摔極等元低電乓阻區(qū)球所用歇的片。某半些特棗殊的跑應(yīng)用論要求雙劑量繳大于層。另半一方問面，要通過秤控制喂靜電賭場可翁以控輪制雜狹質(zhì)離鑒子的滴穿透歡深度夜，典堅(jiān)型的躬離子近能量外范圍尾為備5~新20宮0k觸eV序?；蓖ǔ离x子冒注入攻的深拒度較卸淺且扔濃度質(zhì)較大福，必患須進(jìn)懸行退離火和狡再分舌布工子藝。怖由于嚇離子土進(jìn)入粉硅晶頑體后印，會(huì)鼓給晶輪格帶叢來大嘗范圍饞的損味傷，獸為了瘡恢復(fù)嫁這些卻晶格呼損傷嘩，在晃離子害注入投后要伶進(jìn)行妹退火梯處理脫，根小據(jù)注合入的林雜質(zhì)輸數(shù)量表不同卵，退偽火溫銷度一奧般在孔45葛0~霞95婆0葡℃聚之間聞。在婚退火鹿的同旁時(shí)，靜雜質(zhì)赤在硅龍?bào)w內(nèi)神進(jìn)行來再分荷布，開如果聚需要娘還可黎以進(jìn)渡行后盼續(xù)的蠟高溫贏處理變以獲歐得所勺需的的結(jié)深必。業(yè)1.舉1.輸5緒化朋學(xué)氣診相淀奉積陷在半此導(dǎo)體工制造彎工藝浴中，窗薄膜仗淀積很工藝買是一嫂組非棄常重械要的叮工藝持，可右分為品物理親淀積抖和化幅學(xué)淀槍積兩帶類。洋化學(xué)啞氣相沾淀積耀(送CV答D壘)是逢一種顯常用翻的化拐學(xué)淀用積工柏藝，介是一溉個(gè)從壺氣相幸向襯創(chuàng)底沉大積薄蔑膜的蜓過程皂。該器工藝口通過荒化學(xué)番反應(yīng)兆的方完式，缸在反崇應(yīng)室哨內(nèi)將誘反應(yīng)斜的固橋態(tài)生炊成物盲淀積碗到硅曠片表毫面，藥形成扭所需典要的柜薄膜途。竭CV庭D油具有脂非常阻好的承臺(tái)階守覆蓋咬能力憤，并負(fù)且對(duì)晨襯底演的損鄙傷很迎小，盯因此何在集肝成電植路制臂造中毯的地俱位越我來越秩重要礙。鼻下面巧介紹校幾種樹工藝義上常端用的貴化學(xué)錫氣相憂淀積革方法動(dòng)：帶1驅(qū)常壓怠介質(zhì)丙CV浙D英常壓糟化學(xué)嘩氣相棋淀積渡(希AP渴CV曉D針)是摟指在著大氣烘壓下古進(jìn)行狂的一盜種化遍學(xué)氣跳相淀碼積的歲方法撥，這特是化懷學(xué)氣寫相淀?xiàng)壏e最歸初所來采用免的方玉法。循這種翻工藝慶所需截的系矛統(tǒng)簡業(yè)單，僻反應(yīng)凱速度吹快，滅并且卷其淀?xiàng)椃e速飾率可尤超過睬10橋00禽?/剖mi緞n憂，特犁別適牽于介域質(zhì)淀象積，信但是眠它的枯缺點(diǎn)社是均尚勻性減較差塘，所勵(lì)以缺AP花CV脆D耳一般昂用在駱厚的快介質(zhì)釀淀積駱。晝2栗低壓哈CV征D誤隨著型半導(dǎo)竊體工技藝特勺征尺徹寸的臟減小拋，對(duì)江薄膜航的均詠勻性斷要求坐以及馳膜厚門誤差居要求弦不斷撤提高曲，出定現(xiàn)了之低壓委化學(xué)唐氣相呢淀積石(L桐PC惹VD軋)。揭低壓充化學(xué)誼氣相初淀積階是指央系統(tǒng)要工作釘在較兄低的陣壓強(qiáng)興下的敞一種給化學(xué)屬氣相杜淀積踩的方矛法。蛙LP識(shí)CV炕D丈技術(shù)芳不僅抗用于蓋制備爐硅外旬延層背，還山廣泛菜用于頌各種泊無定陰形鈍巴化膜論及多末晶硅視薄膜檔的淀虹積，宣是一耕種重缺要的飛薄膜澇淀積羞技術(shù)掘。柱3升等離世子體訊增強(qiáng)蹄CV貪D朋等離詠?zhàn)芋w特增強(qiáng)匙化學(xué)婦氣相午淀積邊(熔PE概CV軌D發(fā))是炭指采纏用高反頻等藝離子名體驅(qū)度動(dòng)的頑一種究氣相陽淀積鑼技術(shù)持，是揭一種傾射頻罰輝光脅放電攔的物紗理過圓程和弓化學(xué)姻反應(yīng)恭相結(jié)央合的躺技術(shù)貧。該嗓氣相午淀積政的方臟法可脾以在觀非常焦低的禁襯底損溫度獄下淀挑積薄屋膜，顫例如反在鋁辣上淀柄積牌Si告O步2窄。工裁藝上連等離益子體吐增強(qiáng)糞化學(xué)蒙氣相規(guī)淀積謎主要領(lǐng)用于銅淀積途絕緣膊層。你4通金屬偉CV票D傅金屬普化學(xué)勸氣相尾淀積胞是一螞個(gè)全址新的制氣相香淀積艙的方多法，酸利用緊化學(xué)南氣相鞭淀積晉的臺(tái)替階覆糊蓋能咱力好板的優(yōu)叮點(diǎn)，蜜可以餡實(shí)現(xiàn)膏高密迫度互破聯(lián)的早制作噸。金世屬進(jìn)漏入接杯觸孔斬時(shí)臺(tái)欺階覆顫蓋是滲人們污最關(guān)棕心的柳問題法之一炭，尤恨其是與對(duì)深濱亞微伯米器工件，文濺射植淀積另金屬誰薄膜唱對(duì)不叮斷增縣加的龍高縱忍橫比膝結(jié)構(gòu)泰的臺(tái)子階覆隔蓋正隱變得蔽越來德越困密難。侍在舊店的工簽藝中冰，為薄了保所證金宣屬覆寬蓋在完接觸粥孔上壇，刻賀蝕工旁藝期兇間必逃須小婆心地落將側(cè)灰壁刻劍成斜訊坡，三這樣撓金屬林布線抗時(shí)出叛現(xiàn)“梁釘頭佩”（沉如圖粥1.北2）阻?！敖栳旑^仆”將闖顯著烏降低泡布線乞密度棋。如守果用沒金屬迅CV調(diào)D豈，就宗可以面避免眠“釘斗頭”臥的出鼓現(xiàn)，楚從而蠅布線刊密度洪得到萬提高熄。鎢屆是當(dāng)賠前最痰流行墨的金傷屬冤CV鹿D擇材料政。通圖1安.2察錄使用離釘頭師接觸疊與填彩塞接洪觸比慰較掛雙阱工CM歡OS蠅工藝稻的主炸要流古程指隨著伯CM劣OS哀集成化電路余制造迎工藝極的不巖斷發(fā)并展，機(jī)工藝令線寬禾越來物越小驗(yàn)，棋現(xiàn)在桂0.咳18書μm株已經(jīng)淹成為久超大烈規(guī)模洲集成菜電路杠制造秧的主膠流工桶藝線皆，嫌0.瓶09尿μm勵(lì)甚至次更小才線寬僚的工禁藝線纖在部再分實(shí)津驗(yàn)室暈也已役經(jīng)開之始用臨于制廣備超忙大規(guī)井模集但成電摔路。秘對(duì)于去不同租線寬贏的流蔥水線艙，伴一個(gè)本標(biāo)準(zhǔn)征的呀CM郊OS筐工藝灣過程頌雖然階略有黨差別禮，但系主要昏的過漆程基梅本相收同，孩都包娛括第捐一節(jié)閥介紹衰的工塘藝過鉗程。本下面貴以光及刻掩挺膜版濁為基印準(zhǔn)描寧述一里個(gè)雙油阱硅饒柵雙振鋁賽CM躬OS隊(duì)集成敢電路鏈的工民藝過地程的溪主要鑒步驟北，用由以說讀明如互何在雀CM擠OS唯工藝負(fù)線上搞制備底CM災(zāi)OS迅集成級(jí)電路菠。范圖1飼.3多(宅a壟)~國(砌m它)所船示的獎(jiǎng)即為馳雙阱嶼單多程晶、垃雙鋁蟲CM療OS售工藝去的主震要流勤程。亂下面建對(duì)雙膏阱拍CM踢OS油工藝翁的主攻要步同驟進(jìn)價(jià)行較毅詳細(xì)基的說室明。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睬間的柿連接利通孔奮經(jīng)過步一系甲列的躲工藝隊(duì)加工探，硅挑片表隙面已獅經(jīng)是器高低銜起伏憐，如訴不做劃特殊辟處理鋪而直廢接沉趁積介洞電材勉料，南則這鋪種起烤伏將浪更大迫，使緊第二爛層金政屬加源工在借曝光仙聚焦劫上產(chǎn)磨生困幻難，艷因此邪，雙租層金黑屬引庸線間座的介鮮電材慌料就職要求慈具有章平坦窩度，歷或者蹲說，榜要利四用這緩層材語料將猴硅表腦面變活平坦碧。故平坦眠介電涉材料嘗過程剖目前蔬采用礙的技娘術(shù)是練：首值先是后采用紐CV腐D攤技術(shù)避沉積欄一層油二氧撿化硅鑰，然恰后利裕用旋耀涂法鳳再制寫作一孕層新俊的二艷氧化搭硅，承最后村再采鍋用泄CV糊D頭技術(shù)詳沉積爸二氧矮化硅聽，完甲成平砍坦的線介電砍材料昨制作忙過程材。云介電面材料爹的產(chǎn)欲生治最重要要的打是中買間的矮一層列二氧蹄化硅蹄的產(chǎn)火生，飄它并罵不是什普通嘴的二溉氧化博硅，況而是惱采用育了液張態(tài)的萬含有挖介電但材料顛的有索機(jī)溶螞劑，昏用旋蒙涂法稱將這濾種溶慚劑涂喂布在字硅片步表面浴，利傘用溶統(tǒng)劑的盲流動(dòng)刷性來遍填補(bǔ)很硅表默面的騰凹處倦，然蟻后經(jīng)奪過熱場處理枕去除句溶劑失，留眼下的愿介電山材料刪就是哈二氧白化硅檔。巡連接由通孔吳的制玻作效通過舞光刻檢和刻緩蝕工略藝制如備出堵第一莖層金晴屬鋁寺與第辭二層趙金屬歡鋁之慰間的拾連接巖通孔劍，目墾的是拳構(gòu)造聰雙層束金屬顯間的鏈連接創(chuàng)。狠制備音第二系層金逃屬鋁船引線膏這步京工藝藝與(晌j初)相眨類似乖，制訪備第均二層綿金屬勺鋁引疏線。菌鈍化掙處理壯在硅繭圓片群的表扎面涂框上鈍付化材歪料，套一般廉采用溉磷硅謠玻璃您。然財(cái)后通趁過光強(qiáng)刻和挽刻蝕踩工藝擊將殖PA衰D店上的大鈍化炊刻蝕欺掉，鏈作為流與外減界的保連接烤點(diǎn)，彎而硅吵片的避其他麥部分紹都鈍彎化層攀的保太護(hù)。稈鈍化擋層可狠以有溫效地罪防止映外界暢對(duì)器憑件表仍面的屠影響且，從袍而保慧證了坦器件撓及電辣路的大穩(wěn)定爛性。胡秤注意約：對(duì)釣于雙位多晶訓(xùn)三鋁刷或雙矮多晶曠五鋁哈等肉CM詳OS絹工藝庫過程朱與以睡上的愧步驟愧相似即，不童同之橡處在輸于多辜一次右多晶部的制見備與憶三至倦五鋁波的制劃備及鈔其相產(chǎn)互之梁間的吸通孔帶的制治備，迫而其盤多出陰的多峽晶與豎鋁線震及通曬孔的醫(yī)制備市過程妻采用殺上面診所介賠紹的諷相關(guān)橫步驟遇即可樂。晨1.協(xié)3時(shí)高壓閉CM棒OS程器件綱及高暮低壓姐兼容際工藝警近年專來，谷隨著燕人民浸生活堂水平眨的不視斷高芹、集趕成電廉路的將不斷短發(fā)展碧，高霜壓集寇成電鍵路的爺應(yīng)用蛛需求群在不遣斷地圣擴(kuò)大各。在勵(lì)交流蜜電機(jī)拍的控鹿制、飽工業(yè)忌生產(chǎn)挨自動(dòng)婆化以鉛及聲阻音功翠放系濟(jì)統(tǒng)等次方面削直接蹦需要留高壓貼IC鄰來實(shí)匪現(xiàn)其鉛功能惱；更擇多的燃應(yīng)用看在于嫌高/吊低壓示混合燦集成艦電路術(shù)，如扛超聲恰換能炮器、買平板著顯示僵器驅(qū)沉動(dòng)電宇路、獸ME霞MS滋(微永機(jī)械殼系統(tǒng)順)、即小型牌直流百電機(jī)傲控制殺、打暑印機(jī)齡、發(fā)五光設(shè)宜備以羞及一質(zhì)些電邀子自謹(jǐn)動(dòng)化犧等領(lǐng)鍬域，匠在這沈些領(lǐng)怪域應(yīng)蒜用往曾往是喘低壓呈輸入虜、高紐壓輸泛出。件C姑MO明S評(píng)高壓戴集成釘電路榨具有妖工作毀頻率主高、焰功耗忘小、虜安全襲工作咱區(qū)（粱SO顆A葵）寬錦、負(fù)哀溫度廳系數(shù)圾等優(yōu)符點(diǎn)，神同時(shí)見它的燕制備仙工藝不能兼總?cè)輼?biāo)貪準(zhǔn)低育壓煩CM宗OS兆工藝碗，并言達(dá)到攪其最播佳的階性能首，這廉樣不下但可歷以降坡低芯削片制雜造成但本，須而且稠可以呼進(jìn)行汗超大剖規(guī)模虧集成夠電路柄設(shè)計(jì)區(qū)。密1.騎3.晚1路高壓歪CM箏OS致器件聲常見少的高鏟壓虧MO禁S族器件雨主要政有兩包大類葡：桂LD擱MO分S傻和賤VD液MO鉗S銹。犧LD講MO妙S巡由于篩是平指面結(jié)摧構(gòu)，艙更易湊于大漁規(guī)模句集成壁電路擠兼容匯，因蝦此在貨絕大魚多數(shù)目高低賴壓兼謎容的輪集成瑞電路迎中都荒采用眠LD充MO甚S斬結(jié)構(gòu)贈(zèng)，但渴是它釘也有燃一個(gè)蒼致命障的缺易點(diǎn)：沒導(dǎo)通絞電阻透大，皮為了壺達(dá)到屠大電撫流的逗要求值，往痰往需襲要犧靠牲大互量的考版圖天面積銜，這蓋樣整脫個(gè)芯渡片的梨成本潛就會(huì)思大大雷提高循。相鼻比無VD誰MO渡S拐的導(dǎo)帖通電燥阻比掉較小泄，達(dá)奪到同曉樣的盲工作加電流街所占套用的夏版圖幻面積奧比較謀小，拖但它詳?shù)娜庇淈c(diǎn)是是：它衛(wèi)是縱程向結(jié)竹構(gòu)，債不易薄和低嘉壓紐CM秋OS傻電路稼兼容脫。為腐了和傘低壓轉(zhuǎn)CM條OS泊電路侍兼容走，一寺般需世要在待漂移夾區(qū)的濕底部遣增加國一層襲埋層深，然不后再研通過垂漏結(jié)普連接退層，蒸把漏設(shè)結(jié)電子流仍訊然從夠平面痕上引約出，賭通過昨這種效改進(jìn)旋，從材外表臂上看色，它窮仍然杰是一代個(gè)平棄面結(jié)考構(gòu)，回可以慰和低劈壓讀CM瓦OS需電路辭完全肯兼容冰，圖移1.確4所存示的途即為訪一種償端口記從同厘一平培面引幟出的勒VD種MO販S仙結(jié)構(gòu)仁的剖企面圖肌。同圖1飼.4垂端下口從珍同一叔平面蘭引出胞的愁VD曠MO樹S釘結(jié)構(gòu)鵝剖面江圖鋸圖1祥.5姿眼高低其壓兼鬼容顧C(jī)M絲OS因電路宣的縱堅(jiān)向剖央視圖乖而圖逢1.符5則借是一私個(gè)高棕低壓尋兼容稠CM匙OS犬電路澤的縱索向剖龜視圖迷，其索中包必括高它壓二勞極管岸、高輝壓癢PM寧OS蒜（H得V－垮PM顧OS搏）拖、高倆壓估NM啟OS啦（H波V－恭NM析OS梯）棕以及籃低壓獻(xiàn)CM巖OS轟。圖國中高所壓式CM燃OS落采用減了璃LD綢MO攀S炒結(jié)構(gòu)流。獵高壓濾管的獵一般英設(shè)計(jì)咽流程善是先彩根據(jù)季所需斯設(shè)計(jì)忌的器匯件的伍指標(biāo)莊（如輛電壓摩、驅(qū)業(yè)動(dòng)電圈流等冶）確鈔定能叔滿足耳要求俗的高此壓管熱結(jié)構(gòu)名，然喪后采德用正TS撇UP維RE筋M飛等軟尊件進(jìn)恰行工見藝模財(cái)擬以亭確定蜓所需贏的工現(xiàn)藝參愁數(shù)（唇如摻叢雜濃錦度、織各種餓工藝綁過程閥所需長的時(shí)淘間等艙），棚再把效其輸?shù)统龅慕憬Y(jié)果塔輸入年到郵ME有DI覽CI吐等軟造件進(jìn)黎行器霧件模燈擬，洲通過紫模擬章結(jié)果把（如上電壓禽等位槍線圖功等）共確定租所設(shè)姨計(jì)的余高壓啟管的脾結(jié)構(gòu)雞與工毯藝參記數(shù)是桑否滿鑒足所貍要設(shè)于計(jì)的姨器件射指標(biāo)飲，若傭不滿何足要畫求，夾則重認(rèn)復(fù)以趙上步貸驟，吐直到鳴滿足冰要求禿為止蜜。拋1.綁3.醒2滑高低想壓兼額容倦CM組OS躲工藝槳為了鎖降低櫻成本袖、實(shí)醒現(xiàn)單炎片化農(nóng)，高證壓器收件結(jié)殲構(gòu)的京確定僵還必透須考花慮與脾低壓儉器件億兼容借的問鳴題，刷并采留用高啟低壓照兼容棟CM距OS隱工藝前，而享在高租低壓憂兼容縣工藝攪中主于要考許慮新殿增的決高壓給工藝?yán)Р襟E爽不能蝶影響尖到原鐮來的時(shí)標(biāo)準(zhǔn)緩低壓紡CM酬OS酸工藝辰過程喜，下盯面以疏圖1遍.5藍(lán)所示匠的結(jié)畫構(gòu)圖覺簡要蹈說明怨一下聚高低屑?jí)杭姘度葜M沃OS垮集成丘電路晚的制闊備工派藝以砍及其殊中的粒關(guān)鍵搖步驟柱。熱表1球.1明即為雙高低還壓兼號(hào)容的桌CM償OS呼工藝撞的主嘴要流搬程，休表中任的順患序即僑為高脆低壓賀兼容黨工藝兄的制頁備順吸序。表表1.1高低壓兼容CMOS的工藝流程1.p型襯底制備2.高壓n阱制備3.n-型和p-型漂移區(qū)制備4.p阱制備5.低壓n阱制備6.場注入及場氧制備7.閾值電壓調(diào)節(jié)8.高壓PMOS的厚柵氧的制備與刻蝕9.多晶柵制備10.源漏制備11.接觸孔制備12.鋁引線制備13.PAD制備旦在榜p-顛襯底撲上制道備一接個(gè)高幸壓置PM爬OS酒所需客的深斤n杏阱（逢表9腦.1喊中的疲第二驚步）殲，其箭制備桂過程燦如同康低壓追n罵阱的肚制備括一樣舞，只臭是其擺制備賴時(shí)的酬工藝甚參數(shù)輝遠(yuǎn)大覺于低票壓涼n就阱制罰備時(shí)仍的工丑藝參篇數(shù)（呼如時(shí)興間、職濃度且等）膊，高飲壓繞n繁阱制弦備完趕成后軍制備境高壓瞇PM候OS筆的秩p-廉型漂表移區(qū)猜和高念壓遍NM著OS富的材n-老型漂仰移區(qū)縫（表軍9.惠1中示的第者三步線），照緊接泛著制福備高叔壓矛NM僑OS根的旬p-駁阱（砍表9殊.1懸中的冊(cè)第四捎步）瞎，接甚下來愈的工妹藝與腹標(biāo)準(zhǔn)鋤低壓哄CM瘦OS吩工藝近完全恰一致鋪，只胡是高哀壓某PM督OS茫的柵刃氧化飲層要沈另外炭先做寬一次世（表須9.仆1中棚的第鞏八步觀），擔(dān)以達(dá)他到耐丈壓的爬要求午。藏表9禮.1可中灰治色的幼第2掘～4遙及第慮8步累是高輸壓衰CM潤OS羊特有拋的，軋5貝～7息及9令～1選2步丈與1丑.2虜節(jié)說朵明的緩標(biāo)準(zhǔn)樸低壓蜂CM匆OS鋸工藝克完全儉相同陳。通陰過這昂個(gè)流墊程可損以看蛛到，壤新增組的高古壓管今制造摘工藝促都是剝?cè)诘图o(jì)壓焦CM爛OS憐電路項(xiàng)制備屠前完曬成的清，因星此只找需將者制備法低壓結(jié)CM疊OS扒的襯謝底表忙面用痕二氧賭化硅樂及氮彼化硅軋保護(hù)蕩，就汗完全監(jiān)消除悔高壓港管制漿造工釣藝對(duì)振低壓眼CM拌OS砌的影截響。券1.染3.雨3暖高乖壓助PM肌OS之的厚僵柵氧靠刻蝕莊在許代多高尺低壓邊兼容篩集成持電路碎的應(yīng)胃用中撈，高鄙壓凳PM拖OS疑的柵僚極往州往需支要與朝源極育接相盜同的域驅(qū)動(dòng)課電壓尼，即傾為高飯電壓及，這畏樣高刻壓慮PM數(shù)OS某的柵稱氧厚界度很閣厚，證不能妹采用文與低北壓碰CM雨OS櫻電路額相同字的柵掠氧化揉層，遮而需錯(cuò)要另盜外單茫獨(dú)制商備一草次。伯并且副由于膠刻蝕爸時(shí)不司僅存罷在于塵器件存的縱燃向，傳而且兔也存滋在于被橫向針，所烤以這路層厚媽柵氧袍化層所就不蠟?zāi)芟窠鐦?biāo)準(zhǔn)仆低壓外CM制OS示的薄董柵氧籠化層緒一樣泡作為鐮源漏留擴(kuò)散暫的自紹然阻絞擋層堂，而低必須具在源悉漏擴(kuò)黎散之銹前把贈(zèng)這層姥多余纏的厚城柵氧揀化層止刻蝕潛掉。菜所以艙在制御作高恭壓幼PM拿OS皺管時(shí)殘需要?jiǎng)冊(cè)诠鏊囍拼鄠渲谐怯靡槐K專慮門的他掩膜泡版刻奪蝕此裹厚氧礦化層俱，然浸后再榮制備絹多晶志硅柵巾。在太制備睛多晶志硅柵恥時(shí)，暴多晶翻硅柵符光刻弟掩膜草版必懇須與歇這塊今專門省的掩潛膜版現(xiàn)套準(zhǔn)框，最舒后利魂用多遮晶硅逆柵的抓自對(duì)塑準(zhǔn)來窄制備稻源漏猛。但話是由錯(cuò)于套?？虝r(shí)洗必然觀會(huì)存羅在套俗刻不碎準(zhǔn)的風(fēng)現(xiàn)象嘆（由嫩于精壩度等沒原因帝），哲從形傳式上悟分為霧圖1伸.6六(a劃)和嬌(b稅)所只示的朱左、墓右誤傅差。蟻（石a）棋脊林午融僵向郊亂附扶雹雄竟肉砍鼠扎困(慘b)騎圖1勾.6單姑(a靜)曠左誤辱差奶判(b些)失右屬誤差孝如果闖多晶童硅柵礎(chǔ)光刻需掩膜程版套夕準(zhǔn)出膛現(xiàn)左琴誤差透時(shí)就貨會(huì)導(dǎo)役致高降壓所PM宰OS鐮的柵涂被擊原穿，作因?yàn)橄拷I源區(qū)濱的柵植氧化稻層很扁薄；同如果仁多晶次硅柵濟(jì)光刻歉掩膜炊版套角準(zhǔn)出傾現(xiàn)右裙誤差羊時(shí)就呆會(huì)導(dǎo)申致高涂壓談PM遲OS角無法肺導(dǎo)通拘，因克為源蘭區(qū)邊銹界到昆虛線秀之間劇的溝爪道是擔(dān)無法佳導(dǎo)通福的。露為了舊有效片地解座決這問個(gè)問肅題，按根據(jù)塵柵氧你化層戒的厚攻度不選同，胞可以斧采用遵以下逢兩種劣方法遠(yuǎn)：虜多晶房硅柵帽自對(duì)惡準(zhǔn)刻失蝕扭實(shí)踐梅證明更：如壯果柵隙氧化祖層厚雙度不挑是很騰厚（輛約觀70坐nm嚷以下備），巖刻蝕受此氧柏化層掌不需逼要用普一塊倍專用宰的掩斬膜版如，而疼是充沸分利喚用多脫晶硅榮柵的怖自對(duì)當(dāng)準(zhǔn)優(yōu)興點(diǎn)，旋即先嫂制備勺多晶驅(qū)硅柵懶，然螺后利拘用它漫的自運(yùn)對(duì)準(zhǔn)交來刻盜蝕此雅厚氧悲化層宗，最暈后同粘樣利礎(chǔ)用多褲晶硅插柵的側(cè)自對(duì)森準(zhǔn)來賣制備全源漏李，具下體工抓藝步偽驟示創(chuàng)意圖炭如圖免1.徐7所愛示，秒這種攀制備推工藝曬很好厭地避霉免了劫套刻嚴(yán)精度合誤差載帶來危的嚴(yán)確重影煎響。彼圖1壘.7右擋多晶破硅柵惹自對(duì)講準(zhǔn)刻灰蝕槐HV周-P明MO蘇S顧厚柵罷氧示擔(dān)意圖炸增加炮p則阱法案在方繳法1老）中雀，如闖果柵僑氧化凝層的斤厚度岸很厚拼，那罷么采姓用這熟種方墨法就舌會(huì)引利起很戀高的殖臺(tái)階爹，這環(huán)樣容爹易使歸鋁引陽線發(fā)所生斷滋裂。硬因此鈴可以而在高背壓賊PM慚OS高增加料了一攏個(gè)京p捷阱區(qū)毀。即傍在高何壓犧NM矩OS鍋的利p侮阱的攀制備主的同統(tǒng)時(shí)在諷高壓報(bào)PM忌OS持浩制備艘一個(gè)磚p統(tǒng)阱區(qū)引，這襪樣避川免了親增加趙掩膜霜版而豎帶來緣的生倚產(chǎn)成撒本提曬高。痕高壓會(huì)PM蹦OS閑的存p權(quán)阱區(qū)晚和厚場柵氧未的相隸對(duì)物尺理位衰置非止常重王要，專這主芝要是丸有工技藝廠灶家的于光刻溪精度鈔及橫江向擴(kuò)隨散有堪關(guān)，筍假如騰光刻窩精度些為給0.隊(duì)5μ乒m長，為p-件we以ll砌區(qū)的遠(yuǎn)結(jié)深乳為株1μ教m絹，則跌p-維we失ll昆區(qū)的再橫向爺擴(kuò)散肯為精0.瀉8μ配m晌左右譯，那慮么厚新柵氧蒼的光枯刻左選邊界亮和銀p-狗we帽ll槐區(qū)光米刻右嚇邊界翼應(yīng)重偽疊軍0.憑2μ示m肅。為蜓防止簽左誤君差的促發(fā)生金，高學(xué)壓批PM兵OS存的多罷晶硅杏?xùn)诺闹窆饪坛凶筮吚锝鐟?yīng)忌縮進(jìn)牙厚柵搶氧的齒光刻奏左邊首界臟0.米5μ覽m避。多壯晶硅衣柵、莊厚柵改氧與秩p-佛區(qū)之斯間的株光刻們物理渴位置渣如圖慎1.抬8所箏示。呀紋圖1撿.8若多翅晶硅餃柵、床厚柵勉氧和橋p-登區(qū)三炮者的拴物理估光刻穿圖讓在工比藝制獎(jiǎng)備中僑，采昂用圖虎1.