電子技術(shù)基礎(chǔ)重點(diǎn)

電子技術(shù)根底重點(diǎn)概念〔大局部〕ADC。將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)化成模DAC。ADCDAC轉(zhuǎn)換電路已成為信息系統(tǒng)中不行缺少的接口電路。力設(shè)備的。3、MPEG：活動(dòng)圖像專家組，此處指活動(dòng)語(yǔ)音壓縮標(biāo)準(zhǔn)。4、ASI：專用集成電路。5、無(wú)線充電系統(tǒng)主要承受電磁感應(yīng)原理。6、1906LEEDEFOREST制造了電子三極管，里程碑。統(tǒng)功能可以集成在一起，滿足系統(tǒng)功能和技術(shù)指標(biāo)的要求。8、所謂集成電路，就是把半導(dǎo)體和電阻電容做在同一塊硅片上，封裝為一個(gè)具有多個(gè)引現(xiàn)了材料元件和電路的三合一。9、MEMS：微機(jī)電系統(tǒng)。與片上系統(tǒng)，真空微電子技術(shù)，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片和生物芯片和量子集成電路是爭(zhēng)論熱點(diǎn)。10劇增加。11、純潔的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。12、半導(dǎo)體中存在兩種兩種載流子。電子和空穴。其阻值可以隨溫度的凹凸和光照耀的強(qiáng)弱而變化。14N型半導(dǎo)體。這種半P型半導(dǎo)體。這種半導(dǎo)體已空穴導(dǎo)電為主。15、多數(shù)載流子的濃度取決于摻雜濃度。而少數(shù)載流子的濃度受溫度影響較大。16PN型半導(dǎo)體，在它們的交界PN結(jié)，交界面處存在載流子濃度的差異，會(huì)引起載流子的集中運(yùn)動(dòng)，再內(nèi)電場(chǎng)的作用下，PN區(qū)移動(dòng)，N區(qū)的少子空穴向P區(qū)移動(dòng)，這種在內(nèi)電場(chǎng)作用下的載流PN結(jié)內(nèi)會(huì)形成空間電荷區(qū)，又稱為耗盡層。17、正向偏置——PN結(jié)低阻導(dǎo)通。正向電流由兩局部組成，即電子電流和空穴電流，雖然電子和空穴的運(yùn)動(dòng)方向相反，但形成的電流方向全都。18PN敏感。19、綜上所述，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，正向偏置時(shí)呈導(dǎo)通狀態(tài)，反向偏置時(shí)呈截止?fàn)顟B(tài)狀態(tài)。20、二極管按構(gòu)造分為點(diǎn)接觸型，面接觸型，平面型三大類。0.50.1伏。正向?qū)妷?，硅二極0.2伏。、當(dāng)反向電壓增大超過(guò)一個(gè)值時(shí)，反向電流急劇增大，此時(shí)二極管失去了單向?qū)щ娦?，這種現(xiàn)象叫還擊穿，屬于電擊穿反，擊穿后電流很大，電壓也很高，因而消耗在二極管上的功PNG發(fā)熱而超過(guò)他的耗散功率產(chǎn)生熱擊穿。在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，空穴和電子數(shù)穿。Vrm反向峰值電電壓的一半。、二極管在電子技術(shù)中有著廣泛的應(yīng)用，它可以用于整流、檢波、開(kāi)關(guān)元件、穩(wěn)壓、限幅〔削波〕、鉗位。25、實(shí)際中可以認(rèn)為電容充分充放電的時(shí)間為時(shí)間常數(shù)的五倍。面的緣由，即使同一型號(hào)的穩(wěn)壓管，其穩(wěn)定電壓也不一樣，因此使用時(shí)需要測(cè)定該值。〔2〕Rz=Vz/Iz。動(dòng)態(tài)電阻越小，則穩(wěn)壓性能越好，其特性曲線越陡直。EBC別稱作放射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)。1〕BJT作為一個(gè)可掌握的無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。2〕工作在放大狀態(tài)，用作放大器。29、三極管處于放大狀態(tài)的工作條件?！?〕制造時(shí)應(yīng)使放射區(qū)的摻雜濃度比較高，基區(qū)〔2〕外加電壓，必需保證放射結(jié)正偏集，電結(jié)反偏。對(duì)于NPN管來(lái)說(shuō)，要求BE。CBPNP管來(lái)BE。CB。CE表示。集電極作為公共電極，稱作CCCB表示。高是表征晶體管熱穩(wěn)定性參數(shù)。二者的值越小，工作越穩(wěn)定，質(zhì)量越好，IcboIceo盡可能的小。FET也是一種三端半導(dǎo)體器件。BJT109次方歐姆以上。36PN結(jié)電容隨反向電壓增加而減小的原理工作的。CECBCC。38路處于直流工作狀態(tài)或靜止?fàn)顟B(tài)，簡(jiǎn)稱靜態(tài)。在靜態(tài)工作狀態(tài)下，BJT各電極的直流電壓和直Q點(diǎn)。39、直流通路是直流信號(hào)的流通路徑，溝通通路是溝通信號(hào)的流通路徑。內(nèi)飽和而引起的失真，稱為飽和失真。41VCC的能量消耗，在不產(chǎn)生失真和保證肯定Q點(diǎn)選得低一些。42方法，用來(lái)分析信號(hào)的溝通重量傳輸狀況。電流均承受向量表示。44Icbo將急劇增大這是由于反向電流是由Icbo隨溫度呈指數(shù)規(guī)律增大，溫度每上升十度，Icbo將QQ點(diǎn)移近截止區(qū)，也可能使放大電路不能正常工作，輸出波形產(chǎn)生截止失真。用最為廣泛的是對(duì)數(shù)頻率特性曲線，稱為波特圖。3dB義為放大電路的帶寬。即BW=Fh-Fl。帶寬是放大電路的重要技術(shù)指標(biāo)，在帶寬范圍內(nèi)，信號(hào)具有一樣的放大力量，超出帶寬范圍，信號(hào)會(huì)很快衰減。47、多級(jí)放大電路常用的耦合方式有三種，即直接耦合、阻容耦合和變壓器耦合。48、零點(diǎn)漂移是三極管的工作點(diǎn)，隨時(shí)間變化而漸漸偏離原有靜態(tài)值的現(xiàn)象。、放大電路的性能指標(biāo)主要包括：增益、輸入電阻、輸出電阻、帶寬、非線性失真、及最大輸出功率。放大電路，從而掌握電路的輸出過(guò)程。振蕩。52、負(fù)反響可以提高增益的恒定性，減小非線性失真，抑制噪聲，擴(kuò)展頻帶，及掌握輸入電阻和輸出電阻。而上下飄動(dòng)。Re對(duì)于差模信號(hào)沒(méi)有負(fù)反響。所謂對(duì)稱，因此這種電路形式稱為互補(bǔ)對(duì)稱電路。0稍稍加一點(diǎn)偏置。OTL。57、集成運(yùn)放電路。滿足以下條件時(shí)，通常將其視為抱負(fù)的運(yùn)算放大器?！?〕開(kāi)環(huán)差模電壓增益無(wú)窮。差模輸入電阻無(wú)窮。輸出電阻為零。帶寬無(wú)窮。制比無(wú)窮。58〔1〕〔2〕引進(jìn)正反響的RC振蕩電路、LC振蕩電路、石英晶體振蕩電路等。晶片，石英晶片的兩個(gè)外表，涂上銀層，引出電極，進(jìn)展封裝后，就構(gòu)成石英晶體振蕩器。形振動(dòng)，也會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng)，這種現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。61、LC正弦波振蕩電路的頻率穩(wěn)定性受到肯定的限制，很難超過(guò)10的-5次方量級(jí)，在需次方至-11次方量級(jí)。62、常見(jiàn)的濾波電路有電容濾波、LC濾波、RC濾波三種根本電路形式。63、三端式集成穩(wěn)壓器分為固定輸出和可調(diào)輸出兩種。例如CW7805的輸出為正五伏。CW7905的輸出為-5伏。電路，稱為數(shù)字電路。65、ASCII：美國(guó)信息交換標(biāo)準(zhǔn)代碼1847年提出，故也稱布爾代數(shù)。種連接信號(hào)的方式叫做總線構(gòu)造，總線構(gòu)造，在計(jì)算機(jī)中應(yīng)用極為廣泛。68、規(guī)律代數(shù)有三條重要規(guī)章：代入規(guī)章、反演規(guī)章、對(duì)偶規(guī)章。含的變量數(shù)最少。規(guī)律函數(shù)常用的化解方法有，公式法，卡諾圖法，列表法。70、常見(jiàn)的譯碼器，二進(jìn)制譯碼器，二—十進(jìn)制譯碼器和顯示譯碼器等。71、DMUX：數(shù)據(jù)安排器。72、MUX：數(shù)據(jù)選擇器。73CQ端口，所以鼓勵(lì)信號(hào)的任何變化都將直接引起鎖存器輸出狀態(tài)的變化，這時(shí)輸出信MEALYMOORE型。75、專用集成電路：ASI