NiCo2O4納米片的電化學(xué)方法制備及其超級電容性能研究-畢業(yè)論文

目錄摘要 IAbstract II第一章前言 11.1研究背景 11.2電容器的原理 21.3超級電容器的電極材料 31.4研究依據(jù)及意義 4第二章實(shí)驗(yàn) 42.1NiCo2O4片的制備 42.2材料表征和電化學(xué)性能測試 5第三章結(jié)果與討論 6第四章結(jié)論 11參考文獻(xiàn) 12致謝 14畢業(yè)論文泡沫鎳上NiCo2O4納米片電極材料的電化學(xué)制備及其性能研究 第一章前言1.1研究背景世界經(jīng)濟(jì)的現(xiàn)代化得益于化石能源，如石油、天然氣、煤炭與核裂變能的廣泛投入應(yīng)用。這一經(jīng)濟(jì)的資源載體將會(huì)迅速在21世紀(jì)上半葉接近枯竭。由于化石能源資源日趨短缺，并且燃燒石油的內(nèi)燃機(jī)尾氣排放對環(huán)境的污染越來越嚴(yán)重（尤其是在大、中城市），化石能源的消耗也導(dǎo)致了一系列嚴(yán)重的環(huán)境問題，如全球氣候變暖，酸雨和霧霾，影響著人類的生存和發(fā)展。隨著對可持續(xù)可再生的能源需求越來越大，研究替代內(nèi)燃機(jī)的新型大功率，低沉本，清潔有效的能源裝置迫在眉睫[1-3]。混合動(dòng)力、燃料電池、化學(xué)電池產(chǎn)品及應(yīng)用的研究與開發(fā)已經(jīng)取得了一定的成效。但是由于它們固有的使用壽命短、溫度特性差、化學(xué)電池污染環(huán)境、系統(tǒng)復(fù)雜、造價(jià)高昂等致命弱點(diǎn)，一直沒有很好的解決辦法。為了降低CO2的排放，可再生能源如太陽能，風(fēng)能等越來越受到人們關(guān)注，但是由于在夜間太陽能無法采集，風(fēng)能收集和產(chǎn)生的不穩(wěn)定性等因素，能量的儲(chǔ)存和利用問題無疑成為了本世紀(jì)最重要的問題之一[4-6]。超級電容器和鋰離子電池的研究是當(dāng)今儲(chǔ)能系統(tǒng)最前沿的技術(shù)，尤其是在便攜式能源需求方面，這兩者有著廣泛的發(fā)展前景[7]。最早的超級電容器專利在1957年提交，然而直到20世紀(jì)90年代這項(xiàng)技術(shù)才在混合電動(dòng)汽車領(lǐng)域受到關(guān)注。超級電容器的一個(gè)主要功能被發(fā)現(xiàn)可以用來提供混合動(dòng)力汽車加速所需的能量，另外還可以幫助輔助剎車。人們從此開始認(rèn)識(shí)到超級電容器在電池能源開發(fā)中的重要性，各國政府都開始投入大量金錢和時(shí)間用于開發(fā)研究超級電容器的技術(shù)[8]。超級電容器,又稱為電化學(xué)電容器，與其他類型的電容器一樣，也是物理存儲(chǔ)電荷[9]。但是，超級電容器的不同之處在于所存儲(chǔ)的電荷遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其他電容器，能提供大能量密度（＞10Whkg-1），具有極長的循環(huán)壽命（＞105循環(huán)），并且充放電迅速[10]。這是因?yàn)槠涫褂昧烁弑砻娣e的電極，并在電極表面上進(jìn)行雙電層電荷存儲(chǔ)[11]。將擁有極大面積的平板隔開，便可以生產(chǎn)出具備很大電容值得裝置。物理的電荷存儲(chǔ)不依賴化學(xué)反應(yīng)速率，比如電池的化學(xué)反應(yīng)速率會(huì)限制其功率性能。因此，與其他電化學(xué)裝置（如電池）相比，電化學(xué)電容器具有超長的循環(huán)壽命和極大的充放電功率特性。此外，超級電容器具備的零下40℃下的低溫性能，也是別的電容器不具備的。最后，電化學(xué)電容器的老化溫和緩慢，且維護(hù)費(fèi)用較低，這個(gè)特性使得電化學(xué)電容器的高可靠性在應(yīng)用領(lǐng)域顯得尤其寶貴[12]。因此，超級電容器是一種高效儲(chǔ)能器件，具有高的功率密度、超快的充放電速率、超長的循環(huán)壽命和安全的使用模式，可以部分或全部替代傳統(tǒng)的化學(xué)電池用于車輛的牽引電源和啟動(dòng)能源，并且具有比傳統(tǒng)的化學(xué)電池更加廣泛的用途。如今，世界各國都不遺余力地對超級電容器進(jìn)行研究與開發(fā)。其中美國、日本和俄羅斯等國家不僅在研發(fā)生產(chǎn)上走在前面，而且還建立了專門的國家管理機(jī)構(gòu)（如：美國的USABC、日本的SUN、俄羅斯的REVA等），制定國家發(fā)展計(jì)劃，由國家投入巨資和人力，積極推進(jìn)。就超級電容器技術(shù)水平而言，目前俄羅斯走在世界前面，其產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)行商業(yè)化生產(chǎn)和應(yīng)用，并被第17屆國際電動(dòng)車年會(huì)（EVS—17）評為最先進(jìn)產(chǎn)品，日本、德國、法國、英國、澳大利亞等國家也在急起直追。目前各國推廣應(yīng)用超級電容器的領(lǐng)域已相當(dāng)廣泛，包括國防、軍工,以及電動(dòng)汽車、電腦、移動(dòng)通信等民用領(lǐng)域,是一種極具潛力的儲(chǔ)能裝置。1.2電容器的原理電容器是一個(gè)能夠在一個(gè)靜電場儲(chǔ)能而非化學(xué)形式儲(chǔ)能的無源原件。它由電解質(zhì)分開的兩個(gè)平行電極組成。電容器是在兩極之間施加一個(gè)電勢差來進(jìn)行充電，這個(gè)電勢差能夠使正負(fù)電荷向相反極性的電極表面進(jìn)行遷移。當(dāng)充電時(shí)，連結(jié)在一個(gè)電路的電容器可以在短時(shí)間內(nèi)看成一個(gè)電壓源。電容器的電容C，是每個(gè)電極上帶的電荷Q與兩極之間的電勢差V之比，即C=Q/V（1）決定電容器電容的三個(gè)因素為：=1\*GB3①極板面積（兩極共有的面積）；=2\*GB3②兩電極之間的距離；=3\*GB3③所用電介質(zhì)（電感器）的性質(zhì)。電容器的兩個(gè)主要屬性是能量密度和功率密度，用單位質(zhì)量或者單位體積的能量（比能量）和功率來表示。儲(chǔ)存在電容器中的能量E(J)與每個(gè)界面電荷Q(C)以及電勢差V(V)有關(guān)，因此，其能量直接與電容器的電容成比例，即E=CV2/2（2）當(dāng)電壓達(dá)到最大值時(shí)，能量也達(dá)到最大，這個(gè)通常受電介質(zhì)的擊穿強(qiáng)度所限。通常地，功率P是單位時(shí)間內(nèi)能量傳輸?shù)乃俾?。確定一個(gè)特定電容器的功率大小時(shí)，需要考慮電容器的內(nèi)部組件（如集流體，電極材料，電介質(zhì)/電解質(zhì)和隔膜）的電阻。這些組件的電阻值通常合并起來測試，它們統(tǒng)稱為等效串聯(lián)電阻（ESR）。這會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓降，ESR決定了電容器在放電過程中的最大電壓，進(jìn)而限制了電容器的最大能量和功率。電容器的功率測試一般是在匹配阻抗下進(jìn)行測試（如負(fù)載的電阻值假定等于電容器的ESR），其相應(yīng)的最大功率Pmax表示如下：Pmax=V2/4ESR（3）雖然好的電容器的阻抗通常比其所連接的負(fù)載的阻抗要低得多，然而實(shí)際釋放的峰值功率盡管很大，但通常仍然比最大功率Pmax要小。電化學(xué)電容器（EC）是基于諸如多孔碳和一些金屬氧化物這樣的高比面積材料的電極-電解液界面上進(jìn)行充放電的一類特殊的電容器。其與普通的靜電電容器的不同在與其電荷的儲(chǔ)存是在電極和電解液之間的雙電層內(nèi)。溶解在電解質(zhì)中的離子被等量且相反的電荷有效的吸引到電極表面上，從而在電解質(zhì)中形成了兩個(gè)串聯(lián)連接的電容[13]?；陔娀瘜W(xué)電容器儲(chǔ)能模型和構(gòu)造的不同，電化學(xué)電容器一般分為雙電層電容器和贗電容器（氧化還原型電化學(xué)電容器）兩種。其中，雙電層電容器儲(chǔ)能方式與傳統(tǒng)電容器大致相同，即通過利用高表面積的多孔材料得到更高的電容值。作為能源，雙電層電容器一般具有5-15kWkg-1的能量密度[14]。其比傳統(tǒng)電容器儲(chǔ)存更多能量的原因在于：=1\*GB3①更多數(shù)量的電荷能夠儲(chǔ)存于高度擴(kuò)展的電極表面上（因高表面積電極材料中具有大量的孔結(jié)構(gòu)所引起）；=2\*GB3②所謂的電極和電解液界面之間的雙電層的厚度較薄。贗電容電化學(xué)電容器材料利用表面快速，可逆的氧化還原反應(yīng)[15]。并不起源于靜電，而且發(fā)生在電化學(xué)電荷遷移過程中，在一定程度上受限于有限的活性材料的數(shù)量和有效面積?；诮Y(jié)構(gòu)的不同，超級電容器一般又分為兩電極具有相同儲(chǔ)能機(jī)理的對稱器件（包括基于碳材料的雙電層電容器和金屬氧化物的贗電容器），和一級為雙電層電容型而另一極為法拉第型材料的非對稱器件（有時(shí)也叫復(fù)合電容器）。1.3超級電容器的電極材料原則上，活性材料的表面積越大，對應(yīng)器件的比電容量就越高。實(shí)際上，這種關(guān)系并不是很明確，一系列研究表明電容值與表面積并不一定呈線性關(guān)系，尤其是對具有孔徑多變的且非常細(xì)微的孔的碳材料而言尤其顯著。當(dāng)評估一個(gè)潛在的電極材料時(shí)，孔徑分布，材料前驅(qū)體，電解質(zhì)離子的大小，表面潤濕性以及孔的可進(jìn)入性等方面也需要考慮。基于以上考慮，電極材料通常有以下考慮：=1\*GB3①碳材料（包括活性碳、碳纖維、碳納米管、石墨烯等）優(yōu)點(diǎn)：導(dǎo)電性好，性能穩(wěn)定，成本高；缺點(diǎn)：比電容低，能量密度低。=2\*GB3②金屬氧化物和氫氧化物（如MnO2、Co3O4、Ni(OH)2、Co(OH)2等）優(yōu)點(diǎn)：比電容高、成本較低；缺點(diǎn)：導(dǎo)電性差、穩(wěn)定性不足。=3\*GB3③導(dǎo)電聚合物（如PPy、PANI等）優(yōu)點(diǎn)：比電容較高；缺點(diǎn)：成本高、穩(wěn)定性差。=4\*GB3④金屬硫化物（如Co9S8、Ni3S2、NiCo2S4、MoS2等）優(yōu)點(diǎn)：比電容高、導(dǎo)電性好、成本低；缺點(diǎn)：穩(wěn)定性不足。1.4研究依據(jù)及意義在這諸多材料之中，擁有較好電化學(xué)性能的電容器電極材料的金屬氧化物主要有RuO2、MnO2、Co3O4、WO3、NiO等貴金屬和過渡金屬氧化物[16][17]。在這之中RuO2是當(dāng)前的一種突出的電活性材料，其具有高的比電容（可達(dá)到1580Fg-1）,優(yōu)良的導(dǎo)電性和可逆性,但其昂貴的價(jià)格和儲(chǔ)量的稀少限制了其在實(shí)際生產(chǎn)中的大規(guī)模應(yīng)用[18]-[20]。而尖晶石鎳鈷礦（NiCo2O4）作為一種低成本，高性能，環(huán)境友好，低阻抗，熱力學(xué)穩(wěn)定性以及自然界儲(chǔ)量豐富的電池負(fù)極材料以及電催化材料被人們所熟知[21]，其在超級電容器電極材料方面的應(yīng)用在近年來受到了科研工作者的重視,其低維納米結(jié)構(gòu)應(yīng)用廣泛具有優(yōu)秀的電催化活性鐵磁性質(zhì)，并且一直是公認(rèn)的鋰電池負(fù)極的可用材料[22]。眾所周知，電極材料的倍率性能由離子的擴(kuò)散和電子的傳導(dǎo)動(dòng)力學(xué)決定，因此，為了提高電化學(xué)性能，使用明確的微納米結(jié)構(gòu)，通過良好的設(shè)計(jì)制得的電極材料是必不可少的[23]-[25]。此前，JunDu等人通過在碳布上電化學(xué)沉積制得NiCo2O4納米線陣列，得到了在2Ag-1充放電電流密度下2658Fg-1的比電容值[26]。提高電極材料表面的有效反應(yīng)面積來使得電解液中的離子可以更好的與電極接觸，這對于得到更高的電容值是很重要的[27]。因此，在本研究中，我們采用電化學(xué)沉積的方法在泡沫鎳基底上生長了Co，Ni氫氧化物，并通過退火最終在泡沫鎳上形成NiCo2O4納米片，這種電極材料有較大的比表面積并表現(xiàn)出優(yōu)異的電容性能，對新型高性能儲(chǔ)能器件的開發(fā)有重要指導(dǎo)意義。第二章實(shí)驗(yàn)2.1NiCo2O4片的制備鎳-鈷氫氧化物通過電化學(xué)沉積制備。沉積使用的是CS310電化學(xué)工作站(武漢，科思特儀器)和三電極體系下。首先，將2mmolNi(NO3)2,4mmolCo(NO3)2溶解在250mL的去離子水中，用磁力攪拌器攪拌10分鐘左右直到形成均勻溶液。剪取長寬為1cm×1cm的泡沫鎳作為基底，將其在丙酮和和HCL溶液中浸泡，除去表面的氧化物等雜質(zhì)，然后用去離子水干凈后作為工作電極，鉑片（1cm×1cm）作為對電極，甘汞電極（SCE）作為參比電極。電化學(xué)沉積過程使用的是恒電壓電沉積法，沉積時(shí)的電壓為-1V，通過控制沉積時(shí)間（5min，10min，15min和20min）得到不同負(fù)載量的樣品。電沉積完后，將樣品用去離子水和酒精清洗干凈后，在60℃的烘箱中烘干12h，得到泡沫鎳基底上負(fù)載了鎳鈷氫氧化物的樣品之后，將樣品取出并放入馬弗爐中，在350℃條件下退火2h后自然冷卻，最終得到不同負(fù)載質(zhì)量的NiCo2O4納米片樣品。2.2材料表征和電化學(xué)性能測試?yán)脪呙桦娮语@微鏡（SEM，TescanMIRA3XMU）對樣品的形貌進(jìn)行了表征。樣品的結(jié)構(gòu)分析是在X射線衍射（XRD）儀上完成的。電化學(xué)性能測試是在CS310電化學(xué)工作站上進(jìn)行的，測試采用三電極系統(tǒng)：負(fù)載了NiCo2O4納米片的泡沫鎳作為工作電極，鉑片作為對電極，飽和甘汞電極作為參比電極。電化學(xué)性能測試采用了線性掃描循環(huán)伏安法（CV）和恒電流充放電法（GCD）。使用了2M的KOH溶液作為電解質(zhì)溶液。第三章結(jié)果與討論圖1.材料的SEM圖：（a）純泡沫鎳，（b-d）生長NiCo2O4納米片后不同放大倍數(shù)的SEM圖.圖1a為純的泡沫鎳SEM圖。從圖中我們可以看出泡沫鎳為疏松、多孔的三維骨架結(jié)構(gòu)，其表面光滑，這樣的結(jié)構(gòu)具有良好的導(dǎo)電性，同時(shí)也具有較大的比表面積，是一種理想的電極材料基底。圖b-d是沉積完氧化物后的SEM圖，圖片表明電化學(xué)沉積后生成了大量納米片，這些物質(zhì)緊密覆蓋在了泡沫鎳基底上，使其表面變得粗糙（圖b）。這些納米片相互連結(jié)，有序的排列在一起（圖c，d）。不難看出，納米片之間形成了具有大量空隙的結(jié)構(gòu),加上泡沫鎳基底本身具有的三維空隙結(jié)構(gòu)，有利于電解液中帶電離子在電極材料內(nèi)部的擴(kuò)散與傳輸運(yùn)動(dòng)，有效的提升了電解質(zhì)與電活性物質(zhì)的接觸，另外，泡沫鎳基底本身具有三維開放網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),這些因素使得電極具有良好的比表面積和反應(yīng)利用效率。圖2.NiCo2O4納米片的XRD圖譜圖2為NiCo2O4納米片的XRD圖譜。圖譜表明，由于泡沫鎳的峰過強(qiáng)，為了避免其影響，我們將生長的活性物質(zhì)從泡沫鎳上刮下來進(jìn)行XRD測試。通過測試我們發(fā)現(xiàn)，制備的納米材料對應(yīng)的是立方相的NiCo2O4(JCPDSno.20-0781)，圖中主要的幾個(gè)峰對應(yīng)的是其（220）、（311）、（440）、（511）和（440）晶面。XRD中的峰都比較弱，為是因?yàn)槲覀冎苽涞牟牧辖Y(jié)晶性較低并且質(zhì)量較少。研究發(fā)現(xiàn)，結(jié)果性較低，其更能有效參與電化學(xué)反應(yīng)，并且能緩解由此造成的體積變化。圖3.NiCo2O4納米片材料的循環(huán)伏安曲線（CV）。（a）NiCo2O4-5的CV曲線；（b）NiCo2O4-10的CV曲線；（c）NiCo2O4-15的CV曲線；（d）NiCo2O4-20的CV曲線。為了研究NiCo2O4納米片電極材料的電化學(xué)性能，我們測試其CV和GCD曲線。圖3為生長NiCo2O4納米片的電極在2MKOH電解液中的不同掃描速率下的循環(huán)伏安（CV）曲線（掃描速率為10mVs-1到50mVs-1，電壓窗口為-0.1V到0.5V）。圖3（a-d）分別為電化學(xué)沉積5min，10min，15min和20min后所得樣品的CV曲線，其中沉積5min后所制備得到的樣品NiCo2O4-5具有最高峰值，表現(xiàn)出較好的電容性能。從循環(huán)伏安曲線中還可以看出，測試的電容值由氧化還原反應(yīng)機(jī)制影響。同時(shí)，隨著掃描速率的變化，CV曲線的形狀并沒有發(fā)生顯著改變，而氧化峰和還原峰的峰值電位分別發(fā)生了正向和負(fù)向的偏移,這表明出NiCo2O4納米片具有較為明顯的贗電容性能以及較高的電化學(xué)反應(yīng)可逆性。圖4.NiCo2O4納米片材料的恒電流充放電曲線(GCD)。（a）NiCo2O4-5的GCD曲線；（b）NiCo2O4-10的GCD曲線；（c）NiCo2O4-15的GCD曲線；（d）NiCo2O4-20的GCD曲線。圖4為樣品的恒電流密度充放電測試曲線（GCD），測試的電流密度范圍為2mAcm-2到30mAcm-2，窗口電壓為0V到0.45V。圖4（a-d）分別為電化學(xué)沉積5min，10min，15min和20min后所得樣品的GCD曲線。GCD曲線表明，在電流密度較低時(shí)樣品的測試曲線在0.3V附近有一個(gè)電勢平臺(tái)，這表明在電勢0.3V附近樣品通過氧化還原反應(yīng)發(fā)生儲(chǔ)能過程，隨著充放電電流密度增加，平臺(tái)逐漸變得平滑，并在6mAcm-2的電流密度下消失。這是因?yàn)樵谳^大的充放電電流密度下，電極材料上的反應(yīng)物質(zhì)來不及與吸附層中的離子發(fā)生氧化還原反應(yīng)并儲(chǔ)存能量，因此電勢平臺(tái)消失[28]。從GCD曲線中，我們發(fā)現(xiàn)充放電臺(tái)與CV中的峰位一致，這種現(xiàn)象再次表明了電極為法拉第型材料。電極材料比容量(Qs)和比電容(Cs)可以通過以下公式來計(jì)算：Qs=I△t/m（4）Cs=Qs/△V（5）其中，Qs為比容量,Cs為比電容,I是放點(diǎn)電流，△t是放電時(shí)間，△V是窗口電壓，m是電極的活性材料質(zhì)量。從GCD曲線中我們發(fā)現(xiàn)，隨著沉積次數(shù)的增加NiCo2O4納米線陣列電極材料的比電容性能逐漸減小，在沉積時(shí)間為5min時(shí)的樣品（NiCo2O4-5）具有最優(yōu)的電化學(xué)性能。圖5.NiCo2O4納米片的比電容值隨電流密度和沉積時(shí)間的變化曲線。圖5是在不同沉積時(shí)間下得到的樣品隨電流密度變化的比電容值曲線。不難看出，隨著沉積時(shí)間的增加，所得到的樣品的比電容值總體上逐漸減小。這是由于活性物質(zhì)質(zhì)量的增加直接影響了其材料的有效利用率，從而導(dǎo)致比電容的降低。我們可以發(fā)現(xiàn)，在沉積時(shí)間5分鐘時(shí)得到的樣品NiCo2O4-5其電容性能最好。在電流密度為30mAcm-2時(shí)，其具有最高比電容值（333.3Fg-1），高于其他沉積時(shí)間得到的樣品。

第四章結(jié)論超級電容器又叫雙電層電容器,是一種新型儲(chǔ)能裝置，它具有充電時(shí)間短、使用壽命長、溫度特性好、節(jié)約能源和綠色環(huán)保等特點(diǎn)。本實(shí)驗(yàn)通過電化學(xué)沉積的方法在泡沫鎳基底上生長了NiCo2O4納米片，這種空隙結(jié)構(gòu)的納米片與三維骨架結(jié)構(gòu)的泡沫鎳組成的電極材料，具有多孔結(jié)構(gòu),有利于電解液與電活性物質(zhì)的充分接觸，擴(kuò)大反應(yīng)界面。電極表現(xiàn)出優(yōu)良的法拉第電容性能。電極具有制備簡單、無需導(dǎo)電極和粘結(jié)劑、電活性物質(zhì)利用率高、電解液擴(kuò)散傳質(zhì)性能好的優(yōu)點(diǎn)。通過對樣品進(jìn)行掃描電子顯微鏡（SEM）和X射線衍射（XRD）測試表征了其形貌，并通過循環(huán)伏安法（CV）和恒電流充放電（GCD）的方法對其進(jìn)行了電化學(xué)性能測試，結(jié)果表明，當(dāng)沉積量達(dá)到0.24mg時(shí)，沉積時(shí)間為5min時(shí)所得到的樣品NiCo2O4-5樣品表現(xiàn)出最優(yōu)電化學(xué)性能。在電流密度為30mAcm-2時(shí)，其比電容值達(dá)到最高，為333.3Fg-1，并且具有良好的倍率性能。并且通過交流阻抗頻率測試（EIS），樣品表現(xiàn)出較好的導(dǎo)電性能。這些結(jié)果表明，我們制備的泡沫鎳基底上生長NiCo2O4納米片的電極材料在超級電容器中有著良好的應(yīng)用前景。

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致謝四年的大學(xué)生活即將結(jié)束，四年的求學(xué)生涯在師長的教誨下順利完成。自己的學(xué)問和能力也得到了進(jìn)一步的提高。在此，我首先向所有的師長表示最真誠的感謝。感謝四年來對我的教誨和幫助。這篇畢業(yè)論文是在xxx老師的指導(dǎo)和幫助下完成的，在完成論文過程中韓老師給了我很多的指導(dǎo)和鼓勵(lì)，和藹可親。老師廣博的學(xué)識(shí)、深厚的學(xué)術(shù)素養(yǎng)、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)精神和一絲不茍的工作作風(fēng)使我終生受益，在此表示真誠地感謝和深深的謝意。另外，完成這篇畢業(yè)論文過程中得到了許多師兄師姐的幫助和指導(dǎo)，在完成論文過程中對我提供了巨大的幫助和支持，最終使得我能順利完成這篇論文。最后，感謝我的家人在這些年里對我的支持，你們是我勇往向前的堅(jiān)實(shí)后盾?；贑8051F單片機(jī)直流電動(dòng)機(jī)反饋控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與研究基于單片機(jī)的嵌入式Web服務(wù)器的研究MOTOROLA單片機(jī)MC68HC（8）05PV8/A內(nèi)嵌EEPROM的工藝和制程方法及對良率的影響研究基于模糊控制的電阻釬焊單片機(jī)溫度控制系統(tǒng)的研制基于MCS-51系列單片機(jī)的通用控制模塊的研究基于單片機(jī)實(shí)現(xiàn)的供暖系統(tǒng)最佳啟停自校正（STR）調(diào)節(jié)器單片機(jī)控制的二級倒立擺系統(tǒng)的研究基于增強(qiáng)型51系列單片機(jī)的TCP/IP協(xié)議棧的實(shí)現(xiàn)基于單片機(jī)的蓄電池自動(dòng)監(jiān)測系統(tǒng)基于32位嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)的圖像采集與處理技術(shù)的研究基于單片機(jī)的作物營養(yǎng)診斷專家系統(tǒng)的研究基于單片機(jī)的交流伺服電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)研究與開發(fā)基于單片機(jī)的泵管內(nèi)壁硬度測試儀的研制基于單片機(jī)的自動(dòng)找平控制系統(tǒng)研究基于C8051F040單片機(jī)的嵌入式系統(tǒng)開發(fā)基于單片機(jī)的液壓動(dòng)力系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)測儀開發(fā)模糊Smith智能控制方法的研究及其單片機(jī)實(shí)現(xiàn)一種基于單片機(jī)的軸快流CO〈,2〉激光器的手持控制面板的研制基于雙單片機(jī)沖床數(shù)控系統(tǒng)的研究基于CYGNAL單片機(jī)的在線間歇式濁度儀的研制基于單片機(jī)的噴油泵試驗(yàn)臺(tái)控制器的研制基于單片機(jī)的軟起動(dòng)器的研究和設(shè)計(jì)基于單片機(jī)控制的高速快走絲電火花線切割機(jī)床短循環(huán)走絲方式研究基于單片機(jī)的機(jī)電產(chǎn)品控制系統(tǒng)開發(fā)基于PIC單片機(jī)的智能手機(jī)充電器基于單片機(jī)的實(shí)時(shí)內(nèi)核設(shè)計(jì)及其應(yīng)用研究基于單片機(jī)的遠(yuǎn)程抄表系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與研究基于單片機(jī)的煙氣二氧化硫濃度檢測儀的研制基于微型光譜儀的單片機(jī)系統(tǒng)單片機(jī)系統(tǒng)軟件構(gòu)件開發(fā)的技術(shù)研究基于單片機(jī)的液體點(diǎn)滴速度自動(dòng)檢測儀的研制基于單片機(jī)系統(tǒng)的多功能溫度測量儀的研制基于PIC單片機(jī)的電能采集終端的設(shè)計(jì)和應(yīng)用基于單片機(jī)的光纖光柵解調(diào)儀的研制氣壓式線性摩擦焊機(jī)單片機(jī)控制系統(tǒng)的研制基于單片機(jī)的數(shù)字磁通門傳感器基于單片機(jī)的旋轉(zhuǎn)變壓器-數(shù)字轉(zhuǎn)換器的研究基于單片機(jī)的光纖Bragg光柵解調(diào)系統(tǒng)的研究單片機(jī)控制的便攜式多功能乳腺治療儀的研制基于C8051F020單片機(jī)的多生理信號檢測儀基于單片機(jī)的電機(jī)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)Pico專用單片機(jī)核的可測性設(shè)計(jì)研究基于MCS-51單片機(jī)的熱量計(jì)基于雙單片機(jī)的智能遙測微型氣象站MCS-51單片機(jī)構(gòu)建機(jī)器人的實(shí)踐研究基于單片機(jī)的輪軌力檢測基于單片機(jī)的GPS定位儀的研究與實(shí)現(xiàn)基于單片機(jī)的電液伺服控制系統(tǒng)用于單片機(jī)系統(tǒng)的MMC卡文件系統(tǒng)研制基于單片機(jī)的時(shí)控和計(jì)數(shù)系統(tǒng)性能優(yōu)化的研究基于單片機(jī)和CPLD的粗光柵位移測量系統(tǒng)研究單片機(jī)控制的后備式方波UPS提升高職學(xué)生單片機(jī)應(yīng)用能力的探究基于單片機(jī)控制的自動(dòng)低頻減載裝置研究基于單片機(jī)控制的水下焊接電源的研究基于單片機(jī)的多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)基于uPSD3234單片機(jī)的氚表面污染測量儀的研制基于單片機(jī)的紅外測油儀的研究96系列單片機(jī)仿真器研究與設(shè)計(jì)基于單片機(jī)的單晶金剛石刀具刃磨設(shè)備的數(shù)控改造基于單片機(jī)的溫度智能控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)基于MSP430單片機(jī)的電梯門機(jī)控制器的研制基于單片機(jī)的氣體測漏儀的研究基于三菱M16C/6N系列單片機(jī)的CAN/USB協(xié)議轉(zhuǎn)換器基于單片機(jī)和DSP的變壓器油色譜在線監(jiān)測技術(shù)研究基于單片機(jī)的膛壁溫度報(bào)警系統(tǒng)設(shè)計(jì)基于AVR單片機(jī)的低壓無功補(bǔ)償控制器的設(shè)計(jì)基于單片機(jī)船舶電力推進(jìn)電機(jī)監(jiān)測系統(tǒng)基于單片機(jī)網(wǎng)絡(luò)的振動(dòng)信號的采集系統(tǒng)基于單片機(jī)的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的應(yīng)用研究基于單片機(jī)的疊圖機(jī)研究與教學(xué)方法實(shí)踐基于單片機(jī)嵌入式Web服務(wù)器技術(shù)的研究及實(shí)現(xiàn)基于AT89S52單片機(jī)的通用數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)基于單片機(jī)的多道脈沖幅度分析儀研究機(jī)器人旋轉(zhuǎn)電弧傳感角焊縫跟蹤單片機(jī)控制系統(tǒng)基于單片機(jī)的控制系統(tǒng)在PLC虛擬教學(xué)實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用研究基于單片機(jī)系統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)通信研究與應(yīng)用基于PIC16F877單片機(jī)的莫爾斯碼自動(dòng)譯碼系統(tǒng)設(shè)計(jì)與研究基于單片機(jī)的模糊控制器在工業(yè)電阻爐上的應(yīng)用研究基于雙單片機(jī)沖床數(shù)控系統(tǒng)的研究與開發(fā)基于Cygnal單片機(jī)的μC/OS-Ⅱ的研究基于單片機(jī)的一體化智能差示掃描量熱儀系統(tǒng)研究基于TCP/IP協(xié)議的單片機(jī)與Internet互聯(lián)的研究與實(shí)現(xiàn)變頻調(diào)速液壓電梯單片機(jī)控制器的研究基于單片機(jī)γ-免疫計(jì)數(shù)器自動(dòng)換樣功能的研究與實(shí)現(xiàn)HYP