flash數(shù)據(jù)恢復(fù)7 0使用說明書2013 7專業(yè)版

一、Flash的分 .-6和--讀-校驗(yàn)-Flash的型 .-41盤-接口----板-盤故障現(xiàn)象-盤故障原因-盤保養(yǎng)----安裝 -75 .-76第一 基礎(chǔ)知一、lah的分上電腦、數(shù)碼相機(jī)、GPS、U盤、MP3等等，這些產(chǎn)品越來越多的使用各種移動(dòng)微器作為介質(zhì)，其中很大部分是Flash，也稱為閃存。為作為一種非易失性技術(shù)，F(xiàn)lash在設(shè)備斷電后，中的數(shù)據(jù)仍10萬次以上，數(shù)據(jù)可靠保持超過10年等。目前市面上比較常見的Flash可以分為兩大類，一類是NANDFlash結(jié)構(gòu)，由東芝公司于1989年，主要供應(yīng)商為三星、東芝、現(xiàn)代、SanDisk等，一般用于高密度的設(shè)備，特點(diǎn)是容量大、價(jià)格低、寫入和擦除采用此類；另一類是NORFlash結(jié)構(gòu)，由In 于1988年開發(fā)出來，它的出現(xiàn) ce可以使應(yīng)用程序直接在Flash內(nèi)存中運(yùn)行而不必再將代碼到系統(tǒng)的RAM中，在系統(tǒng)級(jí)實(shí)現(xiàn)存取操作，這就需要占用額外的RAM空間，影響系統(tǒng)工作。為NANDFlashNORFlash前的主流容量已經(jīng)達(dá)到4GB8GB16GB等；而NORFlash的容量比較小，以代碼為主，也稱為codeFlash，主流容量為512MB。和硬盤以扇區(qū)為最小存取單位不同，F(xiàn)lash的操作單位是頁和塊，其擦除是以前都需要進(jìn)行擦除操作。NANDFlash執(zhí)行擦除操作十分簡單，而NORFlash則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。NOR64～128KB執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間大約為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KBNOR的速度比NAND稍快一些NANDNORNAND4msNOR5sNAND就相應(yīng)地降低了NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格。相對(duì)而言NOR的價(jià)格就要貴得多。NANDNOR易用性：NANDI/O加了應(yīng)用的難度；而NOR有的地址引腳來尋址，很容易就和其他進(jìn)行連接，個(gè)好處在于可以利用同樣的硬件設(shè)計(jì)和電路板支持較大的NANDFlash器件?？煽啃裕篘ANDFlashEDC/ECC(錯(cuò)夠發(fā)現(xiàn)并更換一個(gè)讀寫失敗的區(qū)塊，將數(shù)據(jù)到一個(gè)有效的區(qū)塊。耐久性：閃存器件由于寫入和擦除數(shù)據(jù)時(shí)會(huì)導(dǎo)致介質(zhì)的氧化降解，導(dǎo)致老化，在這個(gè)方面NORFlashNANDFlash的擦寫100NORFlash10壞塊處理：NANDFlashNORFlashNANDFlash器件上進(jìn)行這類操作則需要驅(qū)動(dòng)程序(即內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序MTD）支持；NANDNOR器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時(shí)都需要MTD的支持，使用NOR器件時(shí)所需要的MTD相對(duì)少一些，許多廠商都提供用于NOR器件的更高級(jí)軟件，這其中包括M-System和In等廠商所采用。驅(qū)動(dòng)還用于對(duì)DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管Flash儲(chǔ)的結(jié)構(gòu)。提示：若不作特殊說明，下文中所說的Flash均指NANDFlashh按照技術(shù)的不同，可以將NANDFlash分為SLC和MLC兩種類型；另外，市面上還流通著一類Flash廠家淘汰出來的缺陷，可以將其分為黑片和白片。下面分別SLC和NANDFlash根據(jù)技術(shù)的不同，可以分為SLC和MLC兩種制程（SingleLevelCell；SLC）即單層式，每個(gè)單元只能1bit數(shù)據(jù)，可以光（Micron）以及東芝等都是此技術(shù)使用者；MLC（MultiLevelCell；MLC)即多層式，每個(gè)單元可以2bit數(shù)據(jù)，即4個(gè)值，密度比SLC大一倍，理論存取速度僅為2M/s左右，另外，MLC的能耗比SLC高，在相同條件下比SLC要多15%左右的電流消耗，且MLC的擦寫次數(shù)達(dá)到一千次即算合格，容易損壞，可能會(huì)造成數(shù)據(jù)丟失等問題，信息單元，這種技術(shù)能提供快速的數(shù)據(jù)與，不過此技術(shù)受限于硅效能（Siliconenhancements上提升SLC制程技術(shù)，大大限制了SLC的發(fā)展。MLC是將2bit數(shù)據(jù)存入浮動(dòng)?xùn)牛‵loatingGate，閃存單元中存放電荷的部分，然后利用不位（Level）的電荷，透過內(nèi)存的電壓控制精準(zhǔn)讀寫，假設(shè)以4種電壓控制、12bits83bitsFlash的容量大幅提升，類似Rambus的QRSL技術(shù)，通過精確控制FloatingGat上的電荷數(shù)量，使其呈現(xiàn)出4種不同的狀態(tài)，每種狀態(tài)代表兩個(gè)二進(jìn)制數(shù)值（從00到11。浮動(dòng)?xùn)胖械碾姾煽偭繙p少了，使得檢測(cè)的信息變得更加，尤其是MLC芯SLC制程和MLC制程方式圖SLC制程說明 MLC制程2、SLCMLCMLC的密度較高，并且可以使用老舊的生產(chǎn)設(shè)備來提高產(chǎn)品的容量，無須額改進(jìn)，MLC的讀寫性能應(yīng)該還可以進(jìn)一步提升。閃存器件的發(fā)展方向。現(xiàn)在的NAND3、SLCMLC那我們所用的移動(dòng)設(shè)備中究竟是采用的SLC還是MLC呢，這可以通過設(shè)備的傳輸速度和Flash的型號(hào)進(jìn)行識(shí)別。度有2、3倍優(yōu)勢(shì)的應(yīng)該是SLC，而速度上稍慢的則是MLC。即使同樣采用了為開頭的即是MLC制式，而以HYUU或HYUV為開頭型號(hào)的現(xiàn)代閃存即是MLC。歸納起來，三星MLC編號(hào)為：K9G******K9L*****；現(xiàn)代MLC編號(hào)為：HYUU****HYUV***。NANDFlash除了SLC和MLC的分類方法外，目前市場(chǎng)上還有一種分類方法，即Flash由于Flash制程和容量的提升，內(nèi)部結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，而在新的制程推出的Flash被稱為不良Flash，也即DowngradeFlash。黑片和白片都屬于DowngradeFlash類型的Flash。使用，最后被做成U盤、MP3、SD卡等產(chǎn)品進(jìn)行銷售，但卻存在容量不足、性能不穩(wěn)定等問題隱患。由于價(jià)格低廉，DowngradeFlash的市場(chǎng)正在進(jìn)一步成長，現(xiàn)在有很多主控也針對(duì)DowngradeFlash進(jìn)行兼容。黑片分兩種，一種是Flash工廠選出的淘汰次品，因?yàn)閺S商在生產(chǎn)NANDFlash時(shí)，良品率不可能達(dá)到100%，生產(chǎn)出來的產(chǎn)品根據(jù)壞塊數(shù)量的多少分成不同的等級(jí)，一般可分為99%容量、97%容量、93%容量等，那些低于93%容量的都不再打上原如K9K8G08U0A-PCB0的SLC，沒有這個(gè)型號(hào)打上，就是黑片?，F(xiàn)在很多U盤、MP3小廠大量的采購這類，經(jīng)過技術(shù)處理后做成產(chǎn)品，來降低成本，但做黑片的人沒有相應(yīng)定；另一種是指市場(chǎng)上回收的二手Flash，經(jīng)過打磨、壞塊等技術(shù)處理后做成產(chǎn)品，導(dǎo)致市場(chǎng)上很多U盤有大量缺陷，如使用過程中容量突然就為0字節(jié)，導(dǎo)致其中提示：SLCMLC容量不夠而廢棄的Flash。生產(chǎn)廠家也不會(huì)在這類上打上原廠的雷刻標(biāo)識(shí)。3、采用DowngradeFlash可能出現(xiàn)的問以U盤為例，若選用DowngradeFlash可能出現(xiàn)以下故障U盤的Flash采用不合格的白片，將其打磨好編號(hào)后使用，一般很難查詢到上面的編號(hào)的出片。而采用了這種的U盤使用起來極不穩(wěn)定，在同一臺(tái)電腦上文件可能不會(huì)有問題，但在其他電腦上使用時(shí)可能出現(xiàn)文件打不開的情況。用專門的軟件對(duì)U盤參數(shù)進(jìn)行修改，如將USB1.1的接口修改顯示成USB2.0，U盤不但傳輸速度會(huì)非常慢，且出現(xiàn)問題的機(jī)UU容量。因?yàn)镕lash有幾個(gè)引腳是專門用來檢測(cè)容量的，通過更改這幾個(gè)引腳三、lah的物理構(gòu)Flash是以晶圓封裝而成，而晶圓是以二氧化硅沙精練出來的硅元素為原料，456812IC（集成電路）就越，其復(fù)數(shù)形式為dice，每個(gè)die都是一個(gè)單獨(dú)的電路，和其他的dice沒有電的聯(lián)系。diedie（fail同時(shí)為最慢會(huì)減少測(cè)試項(xiàng)目，致使一些本來在晶圓生產(chǎn)廠家不能通過的die用在了最終的產(chǎn)品中，造成產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定。裝階段標(biāo)記為不好的同樣會(huì)被丟棄，封裝之后也需要對(duì)再次進(jìn)試，且這個(gè)測(cè)試DIP、PDIP、PGA、SOP、TSOP、FBGA、LGA目前的NANDFlash多采用TSOP封裝方式。四、lah的數(shù)據(jù)原還會(huì)有一些粒子能過去，好像有一個(gè)隧道，稱作“量子隧道（quantumtunneling1957年，受雇于索尼公司的於奈（LeoEsaki，1940～）在改良高頻晶體管2T71960年，美裔挪威籍科學(xué)家加埃沃（IvanGiaever，1929～）通過實(shí)驗(yàn)證明了在超導(dǎo)體隧道結(jié)中存在單電子隧道效應(yīng)。在此之前的1956年出現(xiàn)的“對(duì)”及BCS理論被1962年，年僅20歲的英國大學(xué)實(shí)驗(yàn)物理學(xué)（BrianDavidJosephson，1940～），當(dāng)兩個(gè)超導(dǎo)體之間設(shè)置一個(gè)絕緣薄層構(gòu)成SIS括控制柵極和浮置柵極（浮柵持能力，如下圖所示。采用這種結(jié)構(gòu)，使得單元具有了電荷保持能力，就像是裝進(jìn)瓶子這種原理的閃存就具有了“”能力。荷的電荷勢(shì)阱。上下兩層氧化物的厚度大于50埃，以避免發(fā)生擊穿。NAND，向單元內(nèi)寫入數(shù)據(jù)的過程就是向電荷勢(shì)阱注入電荷的過程。而NOR型閃存擦除數(shù)據(jù)仍流從浮置柵極到源極?，F(xiàn)在使用的U盤、MP3等移動(dòng)設(shè)備大多采用通過硅基層為浮柵提示：與硬盤直接寫入數(shù)據(jù)的方式不同，在Flash中寫入新數(shù)據(jù)前，必須將F-N因?yàn)樵贔lash中的數(shù)據(jù)都是以0和1來表示的，所以向浮柵中注入電荷就表示寫入0，而放出電荷（即擦除）則表示寫入1，這與硬盤清除數(shù)據(jù)后位全為0正有的電荷量，所以操作不會(huì)改變Flash中原有的數(shù)據(jù)。五、lah的組織結(jié)Flash是一種非易失性技術(shù)，即在設(shè)備斷電后，中的數(shù)據(jù)仍的Flash也可以進(jìn)一步劃分為通道、總線寬度、頁和塊。個(gè)數(shù)。例如，一個(gè)U盤包含4個(gè)Flash，而每個(gè)Flash中封裝4個(gè)晶圓，則該Ｕ盤的通道個(gè)數(shù)為16。每個(gè)晶體管可以1Bit數(shù)據(jù)。和硬盤一樣，在Flash中的數(shù)據(jù)也是用0和1表示。最小單元以8位（Byte，字節(jié)，x8器件）或16位（Word，字，x16器頁因?yàn)樵贜ANDFlash中，數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在單元中，一個(gè)位單元只能保存一個(gè)bit。而這些單元以8個(gè)或16個(gè)為單位，連成bitline，形成所謂的byte(x8)/wor-d(x16NANDFlash頁是NANDFlash器件中的最小讀寫入單位，就類似于硬盤中的扇區(qū)，但和硬盤扇區(qū)容量為512Byte的倍數(shù)不同，頁的大小通常為528Byte的倍數(shù)，即512 Byte為數(shù)據(jù)區(qū)，它又可以分為多個(gè)部分，通過NANDFlash指令00h/01h/50h可以分別對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)的前半部、后半部和管理區(qū)進(jìn)行定位，由NANDFlash內(nèi)置的指針指向各自的首地址；是硬盤的管理區(qū)在于硬盤的電路板的處理器中或負(fù)磁道中。注意：2GBNANDFlashFlash中頁的大小一般為528字節(jié)的倍數(shù)，即（512+16）字節(jié)，其中512字areaarea52821124528中512字節(jié)數(shù)據(jù)后再加上16字節(jié)的管理區(qū)，這樣的扇區(qū)可以有4個(gè)。放在最后面。如果一頁為2112字節(jié)，則先4份512字節(jié)的數(shù)據(jù)，再在頁尾4份前面兩種頁結(jié)構(gòu)中，每頁都沒有頁頭頁尾，在Flash中還有一種有頁頭頁尾2112302112塊（擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期令和地址信息占用的時(shí)間可以忽略不計(jì)，所以NANDFlash器件的塊容量將決定擦除的性能。大容量NAND閃存的頁容量提高，而每528Byte看出，在相同時(shí)間之內(nèi)，后者的擦除速度為前者的8倍。六、lah的工作原Flash包括x8和x16兩種不同規(guī)格，其引腳定義略有不同，這里以美光公司的MT29F2G系列為例，其中左側(cè)引腳的定義二者完全相同，只是右側(cè)的引腳中x16x88I/O48TSOP1x8x16規(guī)格器件的引腳分配（頂視圖。下面分別對(duì)各引腳的含義進(jìn)行介紹。存到NAND地址寄存器中 的是地址信號(hào)，當(dāng)ALE為低平的時(shí)候 的是數(shù)據(jù)信啟用控制，如果器件沒有檢測(cè)到CE信號(hào)，則NAND器件就CE、CE2、CE3、CE4，通過相應(yīng)的控制信號(hào)可以選中某 能有一個(gè)需要用CLE來控 哪種數(shù)據(jù)類型，當(dāng)CLE為高電平 需要用ALE引腳來確定件有8個(gè)I/O引腳，x16器件有16個(gè)I/OX16

片，則其他的R/B2、R/B3、R/B4引腳損壞不 NoConnect：NCFlash的指令和操作模式選如表1.2所示為其指令集，其中羅列了各類操作在不同周期所使用的指令。表1.2 RHLLHXLHLHXHLLHHLHLHHLLLHHLLHXLLLHHXXXXXXHXXXXXHXXXXXLRead WriteMode CommandInputSequentialReadandDataDuringRead(Busy)DuringErase(Busy)WriteProtect Flash的操在Flash內(nèi)部有指令寄存器、地址寄存器、數(shù)據(jù)寄存器、緩沖寄存器、狀態(tài)產(chǎn)生相應(yīng)的譯碼選通信號(hào)。主設(shè)備通過8位I/O端口分時(shí)復(fù)用器件的指令、地址和數(shù)據(jù)寄存器，完成對(duì)內(nèi)器的。頁操以samsung公司生產(chǎn)的型號(hào)為K9F1208的Flash中的數(shù)據(jù)為例，如下圖所示是NANDFlash的標(biāo)準(zhǔn)頁時(shí)序圖。具體的頁操作順序如下。①發(fā)指令階段：在啟用信號(hào)CE有效的情況下，首先指令啟用指令鎖存信號(hào)CLE，I/O端口發(fā)送操作指令(0x00或0x01)，告訴而在要進(jìn)行的是讀操作。②發(fā)地址階段：此時(shí)啟用信號(hào)CEALEWE4；K9F1208，R/B持“忙”一段時(shí)間，此后R/B變?yōu)榫途w狀態(tài)。4，K9F1208指令字(0x10)，即結(jié)束等待接收數(shù)據(jù)的狀態(tài)；R／B信號(hào)將維持“忙”一段時(shí)間，此后R／B(0x70K9F1208A14A24，A9A13產(chǎn)生擦除操作的意外情況。器件檢測(cè)到擦除確認(rèn)命令輸入后，在WE的上升沿啟動(dòng)內(nèi)部寫控制器開始執(zhí)行擦除和擦除校驗(yàn)。內(nèi)部擦除操作完成后，檢測(cè)寫狀態(tài)位(I/O0)，從而了解讀ID操作每個(gè)Flash都具有一個(gè)產(chǎn)品鑒定識(shí)別碼(ID)，系統(tǒng)控制器可以讀出這個(gè)ID，ID90h00h。在器件將保持這種命令狀態(tài)，直到接收到其他的指令為止。入和擦除操作是否無錯(cuò)。寫入70h指令，啟動(dòng)狀態(tài)寄存器周期。狀態(tài)寄存器的內(nèi)容將在CE或RE的下降沿處送出至I/O端口。器件一旦接收到狀態(tài)寄存器的指令，它就態(tài)寄存器瀆操作，則在連續(xù)頁讀的過程中，必須重發(fā)00h或50h指令。條指令的到來。當(dāng)WP信號(hào)為高電平時(shí)，狀態(tài)寄存器被清為C0h。

NANDFlash的尋址方式和NANDFlash的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)相關(guān)。NANDFlash的數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在單元中，然后單元以8個(gè)或16個(gè)為單位連成bitline，形成byte（X8）word（X16NANDFlash512（512+16bi8（512+16）×8bit，也就是前面說的512NAND來越多地采用16條I/O線的設(shè)計(jì)，如三星公司的型號(hào)為K9K1G16U0A的就是64M×16bitNAND1GB，基本數(shù)據(jù)單位是（256+8）×16bit尋址時(shí)，NAND8I/O8信息。由于閃存容量比較大，一組8位地址只夠?qū)ぶ?56個(gè)頁，顯然是不夠的，因此個(gè)周期。隨著容量的增大，地址信息會(huì)，需要占用的時(shí)鐘周期傳輸，因此NAND型質(zhì)長，因此NAND型閃存比其他介質(zhì)更不適合大量的小容量讀寫請(qǐng)求。下面以三星公司的型號(hào)為k9f1208的NANDFlash為例介紹其尋址方式該的單頁容量為528Byte＝512byte(MainArea)+16byte(SpareArea)，32個(gè)頁組成一個(gè)塊，共4096塊，總?cè)萘繛椋?096（block數(shù)量）*32（page/block）ColumnAddress（列地址PageAddress（頁地址BlockAddress（塊地址A[0:2564M9bit0~255，A[7:0Halfpagepointer表示半頁在整頁中的位置，即在0~255PageAddress5bit0~31，用A[25:14]表示；如果是1Gbit的528byte/pageNANDFlash，共8192個(gè)block，則blockaddress用A[26:14]表示。NANDFlashBlockAddress│PageAddressinblock│halfpagepointer│Column地址傳遞順序?yàn)椋篊olumnAddress、PageAddress、BlockAddressNANDFlashI/O[0：7]上傳輸，數(shù)據(jù)的位寬可以是816X16NANDI/O[15：8]上只能傳輸數(shù)據(jù)，所以在傳遞地址信息時(shí)需采用移位的方式進(jìn)行。例如，對(duì)于512Mbit的X8的NANDFlash，地址范圍是0~0x3FF_FFFF，只要是這個(gè)范圍內(nèi)的數(shù)值表示的地址都是有效的。NAND_ADDR44halfpagepointerbit8halfpage讀寫，而真正的bit8的值是don'tcare的；NAND_ADDR9NAND_ADDR[16:9I/O[7:0NAND_ADDR[24:17]I/ONAND_ADDR[25]I/O如果NANDFlash的容量是256Mbit以下，那么，blockadress最只到bit24，因此尋址只需要3步。x16器件的尋址方式和x8器件稍有不同，因?yàn)閤16器件中一個(gè)頁的數(shù)據(jù)容量仍256word512Byte，x161sthalfpage2ndhalfpage器件相同。除此之外，x16器件的尋址方式和x8完全相同。我們知道，NANDFlash中數(shù)據(jù)的寫入分為全新寫入和復(fù)寫兩種情況。全新寫入直因?yàn)镹ANDNANDaaa0a間，同時(shí)通過降低系統(tǒng)的擦除頻率也可以減少系統(tǒng)的開銷。所以，一個(gè)好的FLASH管理系機(jī)會(huì)是相同的，那么就可以忽略由于塊磨損平衡程度傾斜所帶來的FLASH減少，衡。我們假設(shè)一個(gè)具有100個(gè)塊的NANDFLASH，每個(gè)塊的擦除極限為10萬次。每天有5000次的寫操作交替發(fā)生在40個(gè)塊上，我們可以列出如下算式：40×10萬＝0.5萬×365×FLASH（年計(jì)算得出FLASH的為2.19年。如果假設(shè)我們使用均衡50次，那么我們可以列出如下算式：100×10萬＝0.505萬×365×FLASH（年計(jì)算得出FLASH的為5.42年。由此可見，雖然使用均衡寫入管理算帶來額外的系統(tǒng)開銷，但是卻可以使FLASH的延長，從整體上來講是值得的。采用均衡寫入管理技術(shù)雖然延長了NANDFlash器件的使用，但對(duì)NANDFlash器PPR-studio的數(shù)據(jù)在恢復(fù)后的BIN文件的HEX地址和正常的LBA扇區(qū)沒有對(duì)應(yīng)關(guān)系；編程器可以跳由于制作工藝和使用環(huán)境的原因，NANDFlash中也不可避免的會(huì)出現(xiàn)壞塊，壞塊的特性是：當(dāng)寫入或擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位置為高電平，這會(huì)造成Page程中產(chǎn)生的塊壞，一般在出廠時(shí)會(huì)將壞塊的第一個(gè)頁的備用區(qū)的第6個(gè)字節(jié)標(biāo)記為不0xffNANDFlash的使用過程中，如果擦除或?qū)懭氩僮靼l(fā)生錯(cuò)第一個(gè)頁的備用區(qū)的第6個(gè)字節(jié)標(biāo)記為非0xff值。提示：6NANDFlash三星、東芝等是使用這個(gè)字節(jié)作為壞塊標(biāo)記。因?yàn)镹ANDFlash出廠時(shí)在備用區(qū)中已經(jīng)反映出了壞塊信息，因此在擦除一個(gè)60xff，如果是就證明這是一個(gè)ECCNANDFlash以有可能其中傳輸?shù)臄?shù)據(jù)有錯(cuò)誤而不能被發(fā)現(xiàn)。在NANDFlash中，為了保證數(shù)據(jù)完整性，NANDFlash來發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤。常用的數(shù)據(jù)檢驗(yàn)方法有奇偶校驗(yàn)、CRCNANDFlash一般使用一種的校驗(yàn)——ECC（ErrorCheckingandCorrection，數(shù)據(jù)檢查和修復(fù)）檢驗(yàn)，它是一種用于NAND的差錯(cuò)檢測(cè)和修正算法，具有修復(fù)和檢測(cè)功能。因?yàn)槿绻鸑ANDFlash，NANDFlash個(gè)塊或是頁不能或全部出錯(cuò)，而是整個(gè)頁（例如512字節(jié)）中只有一位或幾位出錯(cuò)，1ECCECC2563ECCECCBit0，則表明含有偶數(shù)個(gè)Bit其中CP0~CP5為六個(gè)Bit位，表示ColumnParity（列極性，CP00、2、4、6CP11、3、5、7CP20、1、4、5CP32、3、6、7CP40、1、2、3CP54、5、6、7用表示就是：CP0=Bit0^Bit2^Bit4^Bit6，表示第0列內(nèi)部256個(gè)Bit位異2256Bit46Bit樣，CP0其實(shí)是256*4=1024個(gè)Bit位異或的結(jié)果。CP1~CP5依此類推。RP0~RP15BitRowParity（行極性，RP0為第0、2、4、6、….252、254個(gè)字節(jié)的極性；RP20、1、4、5、8、9…..252、253（處理2個(gè)Byte，跳過2個(gè)Byte）；RP3、、、、、…..254、255（2Byte2Byte）；RP44個(gè)Byte，4個(gè)RP54個(gè)Byte，4個(gè)RP68個(gè)Byte，8個(gè)RP78個(gè)Byte，8個(gè)RP8個(gè)RP9個(gè)RP10處理32個(gè)Byte，跳過32個(gè)Byte；RP11跳過32個(gè)Byte，處理32個(gè)Byte；RP12處理64個(gè)Byte，跳過64個(gè)Byte；RP13跳過64個(gè)Byte，處理64個(gè)Byte；RP14128Byte128Byte；RP15128Byte128可見，RP0~RP15Bit128（128）128*8=1024Bit2566Bit，16BitK9F1208Page51216OOB256字節(jié)數(shù)據(jù)生成3字節(jié)ECC，后256字節(jié)數(shù)據(jù)生成3字節(jié)ECC，共6字節(jié)ECC存放在OOB區(qū)中，存放的位置為OOB區(qū)的第0、1、2和3、6、7字節(jié)。2ECCNANDFlashpage256ECC和，稱之為原ECC校驗(yàn)和，保存到PAGE的OOB（out-of-band）備用區(qū)中。當(dāng)從NANDFlash中數(shù)據(jù)的時(shí)候，每256字節(jié)我們生成一個(gè)ECC校驗(yàn)和，稱之為新ECC校驗(yàn)和。ECCOOBECC311，表示OOB七、lah的生產(chǎn)廠家及其 ID的含目前市面上的Flash生產(chǎn)廠家主要有TOSHIBA、Samsung、Hynix、Micron、In、SanDisk、ST（意法）、Actrans等，每個(gè)Flash上都有獨(dú)有的型號(hào)和芯片ID。Flash的型由此可以識(shí)別出所屬的廠家、規(guī)格、容量以及制程分類等信息。以NANDFlash芯片為例，TOSHIBA的型號(hào)一般以TC58或TH58開頭；Samsung的型號(hào)一般以K9F司現(xiàn)已收購了Micron，其型號(hào)一般以129F開頭；SanDisk的型號(hào)一般以SDTNL以Samsung公司的NANDFlash型號(hào)為例，其命名規(guī)則如下表 K表示9表示NAND MLC、SM(SmartMedia)、S/B(SmallBlock)

1：SLC1ChipXDCard2：SLC2ChipXDCard4:SLC4ChipXDCardA:SLC+MuxedI/FChipB:MuxedI/FChipD:SLCDualE:SLCDUAL(S/B)F:SLCG:MLCH:MLCJ:Non-MuxedOneNandK:SLCDieL:MLCM:MLCN:SLCQ:4CHIPR:SLC4DIESTACK(S/B)S:SLCSingleT:SLCSINGLE(S/V:4STACKW:SLC4Die 12: 16:28:32:40:56:64:80:1G:2G:4G:8G:8GAG:16GBG:32GCG:64GDG:00: 00:08:16:表示電源 A:B:2.7VC:5.0VD:2.65V(2.4V~E:R:1.8V(1.65V~1.95V)Q:1.8V~1.95V)T:2.4V~3.0VU:2.7V~3.6VV:3.3VW:2.7V~5.5V,3.0V~5.5V0:0:1:DualnCE&DualR/nB4:QuadnCE&SingleR/nB5:QuadnCE&QuadR/nB9:1stblockOTPA:MaskOption1L:LowgradeM:1stA:2ndB:3rdC:4thD:5th（2）29F：產(chǎn)品系列號(hào)，29F即單的NANDFlash（3）2G：容量，包括2G、4G、8G三種（4）08：規(guī)格，包括08即8bits，16即16數(shù)A111B211數(shù)A111B211F411BA=3.3V(2.70V-1.8V(1.70V-

#ofCE#（#ofR/B#（R/B引

A為第一代B為第二代C為第三代WP480°Cto70°C；ET(-40°CtoES：生產(chǎn)狀態(tài)，包括四種狀態(tài)，空白表示正常產(chǎn)品；ES；MS示機(jī)械樣本；QS表示資格樣本；修改設(shè)計(jì)，C0FlashFlashID是由生產(chǎn)廠家設(shè)定的，4-6個(gè)字節(jié)的16進(jìn)制編碼。和型號(hào)一樣，通過ID也可以了解Flash的相關(guān)參數(shù)信息，例如ID的第前面兩位就表示其廠家信息，2C表示Micron，而AD表示Hynix。另外設(shè)備標(biāo)識(shí)、數(shù)、的頁、塊大小等參數(shù)信息也都可以通過ID來獲取。在效率源Flash數(shù)據(jù)恢復(fù)大師中，可以自動(dòng)獲取Flash的型號(hào)和ID號(hào)，通過對(duì)獲取值的分析對(duì)比，可以判斷引腳的好壞，如果讀出的ID錯(cuò)，那么在后面的數(shù)據(jù)恢復(fù)過程中也可能讀不出數(shù)據(jù)，或者讀出的數(shù)據(jù)信息也是錯(cuò)誤的。h隨著便攜式設(shè)備的普及，NANDFlash以期獨(dú)有的容量和價(jià)格優(yōu)勢(shì)占據(jù)了SSD卡、、MP3等都是以其為。下面分別介紹各類產(chǎn)品的特點(diǎn)。 早期的筆只有串行接口，而沒有USB接口。其中的數(shù)據(jù)只能用的軟件進(jìn)行連地方。早期的筆使用的是一種非標(biāo)的文件系統(tǒng)，其文件格式也非標(biāo)準(zhǔn)的mp3格式，沒有文件頭，格式過于早期，不標(biāo)準(zhǔn)。SD卡、棒、CFSD（SecureDigital）卡、棒（MemoryStick、CF（CompactFlash）卡一般用于數(shù)碼相機(jī)、掌上電腦、MP3等小型數(shù)碼產(chǎn)品中作為介質(zhì)，其多采用NANDFlashUCFCFSD過加密功能，保證數(shù)據(jù)資料的安全。CF卡的特點(diǎn)是容量大、成本低、兼容性好，工作電壓在3.3V到5V之間，耗電量低，這些優(yōu)點(diǎn)使得大多數(shù)數(shù)碼相機(jī)都選擇CF卡作為其介質(zhì)，如下圖所示。CF卡沒有任何活動(dòng)的部件，不存在物理壞道之類的問題，而且擁有優(yōu)秀的抗震性能，CF軟盤、硬盤之類的設(shè)備要安全可靠。棒是索尼公司推出的一款Flash介質(zhì)，如下圖所示。其具有外形輕巧、極高的兼容性等優(yōu)勢(shì)，為未來高科技個(gè)人電腦、電視、、數(shù)碼照相機(jī)、機(jī)和便攜式個(gè)人視材提供新一代更高速、更大容量的數(shù)字信息、交換。U以NANDFlash為介質(zhì)的U盤的數(shù)據(jù)恢復(fù)是目前效率源數(shù)據(jù)恢復(fù)大師的主攻方向，其結(jié)構(gòu)為主控加NANDFlash，其中主控就相當(dāng)于電腦主機(jī)，而外U盤還包括USB接口、PCB底板、外殼封裝等部件。各部件的協(xié)調(diào)管理和下達(dá)各項(xiàng)操作指令，使電腦能夠識(shí)另U盤；Flash與電腦中的內(nèi)殼的U盤和市面上常見的U盤外觀。SSD（SolidStateDisk）也稱為固態(tài)硬盤，其介質(zhì)包括NANDFlash和DRAM兩種，在此僅對(duì)應(yīng)用了NANDFlash技術(shù)的SSD進(jìn)行介紹。SSD的結(jié)構(gòu)和Ｕ盤類似，也是由主控單元和Flash單元構(gòu)成，單元包括由于采用Flash介質(zhì)，SSD內(nèi)部沒有機(jī)械結(jié)構(gòu)，因此也就沒有數(shù)據(jù)查找時(shí)間、延遲時(shí)間和尋道時(shí)間，和HDD硬盤相比，SSD在數(shù)據(jù)時(shí)不需要等待磁頭的回轉(zhuǎn)就能夠低延遲地直接。相較同樣性能的HDD硬盤，SSD所消耗的電力更低、抗震能力更強(qiáng)，且工作時(shí)完全不發(fā)出噪音，體積也要比HDD硬盤小得多。SSD的外觀可以被制作成多種摸樣，例如：筆記本硬盤、微硬盤、卡、U盤等，以寫入速度也不如硬盤等特性，也制約著SSD的發(fā)展。U盤的結(jié)構(gòu)比較簡單，主要由USB接口、主控、晶振、Flash、PCB板、帖片電阻、電容、發(fā)光二極管（LED）等組成。USBUUUU腦又可以識(shí)別到U盤，這時(shí)就可以判斷是USB接口接觸不良引起，只要將其補(bǔ)焊即可。若主控?fù)p壞，保存在Flash中的數(shù)據(jù)就無法讀出。主控的型安國AU：型號(hào)為AU89**AU69**，這類主控會(huì)在Flash中寫入ID，聯(lián)盛USBest：型號(hào)為UT161、UT168等群聯(lián)PNISON：型號(hào)為UP10、UP12、UP13等iCreate：型號(hào)為5128、6128、5127等芯邦：型號(hào)為2090E、2091等SK：型號(hào)為 瀚邦OTI：型號(hào)為6805等，屬于山寨級(jí)主控 主控負(fù)責(zé)Flash與USB連接，是U盤的，其作用有兩個(gè)方面。因?yàn)殡姕y(cè)Flash有多少可以正常使用的頁，并做標(biāo)記，把不能夠使用的頁起來，在將來會(huì)把字寫上去，否則以后這篇字就無法看清是什么了。SD卡等各種卡都有特定的量產(chǎn)工具，不過有的是純軟件，有的是運(yùn)行軟件的設(shè)備而已。下面以U盤的量產(chǎn)工具為例進(jìn)行介紹。U盤量產(chǎn)工具的功能就是通過主控向Flash寫入相應(yīng)數(shù)據(jù)，使電腦能正插入電腦，電腦只能識(shí)別到主控，而無法識(shí)別到Flash，所以這時(shí)候電腦上顯示的程序（也可其它設(shè)備識(shí)別或使用。然后量產(chǎn)工具對(duì)Flash進(jìn)行分區(qū)格式化，包括建立分區(qū)等，因?yàn)楫a(chǎn)品只有分區(qū)格式化后才能正常讀寫文件。有了量產(chǎn)工具寫U識(shí)別U盤的。當(dāng)然有時(shí)候是人為的寫入錯(cuò)誤數(shù)據(jù)，如在量產(chǎn)U盤時(shí)把1G的U盤的Flash容量修改為8G，插上電腦，電腦就錯(cuò)誤的認(rèn)為這個(gè)U盤是8G。限度的，并不能完全把壞的變成好的。以芯邦主控為例，其級(jí)別設(shè)為9＋1，即級(jí)別為9，ECC為1（ECC就是容錯(cuò)和糾錯(cuò)）表示檢測(cè)每個(gè)頁時(shí)，把頁分為10份來檢測(cè)，容許一個(gè)錯(cuò)誤存在，如果ECC為0，就是不允許一個(gè)錯(cuò)誤的存在。如果容許一個(gè)錯(cuò)誤存在的話，那么Flash中每個(gè)頁有可能完全沒有壞塊，也可能有十分之一壞塊，因?yàn)槟J(rèn)了這個(gè)只有壞塊，所以在數(shù)據(jù)到U盤上的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)誤，雖然幾率很小，但還是有可能導(dǎo)致錯(cuò)誤的存在。若將ECC開放到2，容許的壞塊了，出錯(cuò)幾率更大了，所以目前我們能接受的最寬松的ECC就是1了。每一種主控對(duì)于Flash的檢測(cè)方式不一樣，容錯(cuò)和糾錯(cuò)能像2091、9＋1做出來700M的Flash也許用6208、6＋1做出來能夠達(dá)到900M以上，或者用5128能做出來的，但是用2091根本就是連容量也做不出來。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)和將來“翻譯”硬盤上的數(shù)據(jù)到Flash的一個(gè)讀寫標(biāo)準(zhǔn)（這是一小段一小段的程序。當(dāng)主控通過量產(chǎn)軟件檢測(cè)其他頁面的時(shí)候都會(huì)去那個(gè)頁面去這個(gè)程序（每次空間。而當(dāng)這個(gè)主控選擇的那個(gè)特定的一頁（也許是第一頁，也許是第2頁，也許是最后Flash，容量例如是980M，為什么在電腦里看屬性沒有那么多，是因?yàn)橹骺卦谝粋€(gè) 沒有提供，可打或發(fā)E-Mail索取第二，到主控開發(fā)商。主控廠商提供的能批量將U盤進(jìn)行格式化的工具盤、MP3、MP4、SD（Firmware）以使用量產(chǎn)工具進(jìn)行修復(fù)。但量產(chǎn)工具在工作時(shí)要檢測(cè)Flash的壞塊，使用其進(jìn)行修復(fù)操作時(shí)，原來在Flash里的資料將會(huì)全部丟失。量產(chǎn)工具要根據(jù)主控的型號(hào)進(jìn)行選擇，因?yàn)椴煌瑥S家的主控都有其的指令與U盤的主控型號(hào)可以通過精靈軟件(ChipGenius)來檢測(cè)，或者拆開U盤，直接查是版本越高越好，看是否支持自己U盤的型號(hào)。主控與NANDash的電路關(guān)主控與NANDFlash間的電路關(guān)系包括單單通道和多多通道兩單單通道是最簡單的電路結(jié)構(gòu)，如圖所示，主控和Flash間的數(shù)據(jù)傳輸為雙向傳輸。多或多通道的情況可以分為兩種，即一個(gè)主控對(duì)應(yīng)兩個(gè)Flash或兩個(gè)通道的連接，兩個(gè)Flash的數(shù)據(jù)傳輸如圖所示。使用的是通道還是需要用CE或R/B控制信號(hào)進(jìn)行區(qū)別。UU穩(wěn)壓ICLDO5V2V~3.3VUICUSBIC3VIC出電壓偏低，且主控發(fā)燙，這時(shí)就是主控?zé)?。UUSB+5VIC0IC有5V輸入電壓就是它壞了。它們都是USB+5V電壓直接輸入。集成了LDO就增大了主控的損壞風(fēng)險(xiǎn)，但是能夠降低成本，這種情況下如果LDO損壞就要換主控。即印刷電路板，組成UPCBPCBPCBPCBNAND FlashNANDFlash就相當(dāng)于電腦的硬盤，用于保存U盤中的數(shù)據(jù)。而Flash焊盤這時(shí)會(huì)造成電腦上的U盤打不開，無法文件等。只要將閃存的引腳補(bǔ)焊一下就可以修原因以及U盤的保養(yǎng)進(jìn)行介紹。UU低格工具即可將其修復(fù)，目前也有很多軟件支持發(fā)生軟故障的U盤中的數(shù)據(jù)恢復(fù)。UUUUU有：U盤讀寫速度變慢，文件刪除卻仍占用空間等。在對(duì)Ｕ盤的硬故障進(jìn)行修復(fù)前，首先要排除U盤的USB接口損壞、PCB板虛焊以及U統(tǒng)錯(cuò)誤等導(dǎo)致讀寫速度緩慢或者無法讀寫某個(gè)文件。U盤的壞塊導(dǎo)致在U盤中的數(shù)據(jù)U盤插到電腦中完全不能被識(shí)別的現(xiàn)象，可以判斷U盤整機(jī)沒有工作，可以分別從供電：FLASHUV（3.3V入一個(gè)5V電壓時(shí)，輸出腳就會(huì)輸出一個(gè)穩(wěn)定的3.3V。只要查到哪里是沒有供4UU統(tǒng)又無法格式化，或提示“請(qǐng)插入磁盤”等數(shù)據(jù)比較難，需要借助相應(yīng)的專業(yè)工具，如效率源Flash數(shù)據(jù)恢復(fù)工具。修復(fù)，但有些由于太薄而無法修復(fù)。UU盤作為電子產(chǎn)品，其損壞在所難免，但我們也可以在使用過程中注意保養(yǎng)，延長UUUUUU份。所以文件備份到U盤后，應(yīng)過一些時(shí)間再關(guān)閉相關(guān)程序，以防意外。注意將U盤放置在干燥的環(huán)境中，不要讓U盤的接口長時(shí)間在空氣中，否則UUSB另一方面對(duì)U盤也是一種損耗。第二 效率源Flash數(shù)據(jù)恢復(fù)大Flash注意，都是數(shù)據(jù)恢復(fù)工程師的數(shù)據(jù)恢復(fù)心得，可以作為操作時(shí)的參照。儲(chǔ)介質(zhì)也逐漸從以前主要的硬盤磁性介質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)槎鄻踊?。NANDFlash就可能是由于閃存設(shè)備的主控、晶振、接口、PCB板等組成部件損壞，導(dǎo)致無法閃存中的固件丟失，導(dǎo)致無法Flash中的數(shù)據(jù)，這類損壞比邏輯損壞更普遍，為了恢復(fù)這類故障導(dǎo)致的無法讀出數(shù)據(jù)的情況，效率源開發(fā)了針對(duì)閃存數(shù)據(jù)恢復(fù)的工具Flash效率源Flash數(shù)據(jù)恢復(fù)大師是一款軟硬件結(jié)合的工具，硬件部分包括底座和轉(zhuǎn)接座，兩者可以拆開，這樣的設(shè)計(jì)方便在不同封裝形式的閃存和轉(zhuǎn)接座損壞時(shí)進(jìn)行更換，增加了工具的擴(kuò)展性，節(jié)約了升級(jí)成本。硬件部分其實(shí)就是一個(gè)Flash的設(shè)備，用于Flash中的數(shù)據(jù)。因?yàn)殚W存設(shè)備的主控除實(shí)現(xiàn)設(shè)備與操作系統(tǒng)的數(shù)據(jù)交應(yīng)地如果主控?fù)p壞就可能導(dǎo)致Flash中的數(shù)據(jù)無法讀出，這時(shí)就需要將Flash芯片置入這個(gè)硬件工具進(jìn)行數(shù)據(jù)；軟件部分由項(xiàng)目管理、數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)組合和數(shù)據(jù)提取四個(gè)工作界面組成。Flash數(shù)據(jù)恢復(fù)大師的優(yōu)勢(shì)在于采用全開放式設(shè)計(jì)，用戶參予性加強(qiáng)；采用第二代通用算法對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行組合，最大限度地提高數(shù)據(jù)恢復(fù)成功率；讀取的底座可進(jìn)行拆出更換，方便更換不同的底座和損壞以后的更換，了硬件成本；作為一款優(yōu)秀的專業(yè)閃存數(shù)據(jù)恢復(fù)工具，整個(gè)恢復(fù)過程非?？旖荨⒎奖?，無需區(qū)分主控，幾乎支持目前市面上所有的標(biāo)準(zhǔn)接口的Flash 尺 3.2重 約0.4千

輸 電 電壓5V，USB輸出電流>=500 臺(tái)21臺(tái)321臺(tái)3USB1根

用于轉(zhuǎn)接TSOP1封裝的48腳 保持輸入電壓穩(wěn)定，防范電磁輻射，同時(shí)也要保持的Flash的清潔在使用效率源Flash數(shù)據(jù)恢復(fù)大師進(jìn)行Flash數(shù)據(jù)恢復(fù)時(shí)，需要遵循以下操作從閃存設(shè)備的PCB板上焊下Flash將取出的Flash置于轉(zhuǎn)接座中要U盤中Flash中數(shù)據(jù)，首先需要將從PCB板中焊下，需要準(zhǔn)備些助焊劑，這樣有助于保持引腳受熱均勻，也易于將整齊的焊下來。將熱風(fēng)槍對(duì)準(zhǔn)Flash平行移動(dòng)（距離不宜太近，以免破壞的內(nèi)部部件以使吹使用鑷子將FLASH從PCB板上取下。提示：在用鑷子取的時(shí)候，盡量將從上方提取，如果直接左右拖動(dòng)FLASH芯片，有可能將引腳連在一樣，這樣就不便于我們從FLASH中數(shù)據(jù)。量，將FLASH放入其中，并用鑷子固定住，用小鐵刷引腳。2USBFlashUSB連接線接入有角形的一側(cè)對(duì)準(zhǔn)底座中的USB接口側(cè)為準(zhǔn)將轉(zhuǎn)接座插入底座，注意針腳對(duì)齊；將扳USB3、放置Flash啟動(dòng)Flash數(shù)據(jù)恢復(fù)大師程序，將第一步中焊下的Flash放置在轉(zhuǎn)接座中，操作方法為：向下按住轉(zhuǎn)接座的彈簧槽，將的1號(hào)引腳（即中標(biāo)示為小圓點(diǎn)的地方）對(duì)準(zhǔn)轉(zhuǎn)接座中標(biāo)示了角形的一側(cè)，放置好后松開彈簧槽以固定Flash。的數(shù)據(jù)分配方式，組合出Flash中的數(shù)據(jù)。安裝lahStep01 Step02 Step 打開用戶信息框，在其中輸入名稱和公司信息，單擊“下一步”按鈕Step04 Step Step06打開準(zhǔn)備安裝框，其中顯示前面進(jìn)行的所有設(shè)置，在確認(rèn)無誤后單擊“下一Step07 “所有程序/Flash數(shù)據(jù)恢復(fù)大師/FlashEXP” Flash數(shù)據(jù)恢復(fù)大師的與激產(chǎn)品1、進(jìn)入，在首頁的右上角，點(diǎn)擊“產(chǎn)品（如下圖所示件就會(huì)顯示用戶信息，如圖7所示。上找到，如5128、UT161等；決定了Flash中數(shù)據(jù)的存放順序，保存了主控型號(hào)的算法后再遇到相同主控 儲(chǔ)的廠家、ID、型號(hào)、總塊數(shù)、單通道容量、每塊的總頁數(shù)、單，在獲取參數(shù)時(shí)看到容量為1G，則可以判斷可能是由于為黑片或內(nèi)的晶圓有損壞導(dǎo)致得出這一結(jié)果，另外，如果芯片的I/ORE 框中指定的，并生成Project.ini”工作界面；“存貯”工作界面主要用于Flash中的數(shù)據(jù)，的數(shù)據(jù)將以十六情況”欄和進(jìn)度條等。在的Flash的通道數(shù)，即Flash中封裝的晶圓個(gè)數(shù)。效率源數(shù)據(jù)恢復(fù)大師支持的單最大通道數(shù)為4，分別用CE1至CE4表示，例如當(dāng)前以看出當(dāng)前Flash的通道數(shù)，程序從通道1開始，完成后自動(dòng)選中“CE2”單選按鈕通道2的數(shù)據(jù)，以此類推； 度在30ms至90ms間進(jìn)行調(diào)節(jié)，一般只需保持程序的默認(rèn)設(shè)置即可，如果將速度設(shè)置過快，可能導(dǎo)致Flash中的數(shù)據(jù)不完全，從而丟失數(shù)據(jù)，若讀“號(hào)”下拉列表框：設(shè)置程序當(dāng)前的Flash號(hào)，如果故障設(shè)備只有一個(gè)Flash，則號(hào)設(shè)為0；如果故障設(shè)備有兩個(gè)Flash，則先將芯的順序放置錯(cuò)誤，例如，在應(yīng)該第2個(gè)時(shí)，可能錯(cuò)將第4個(gè)放置在了轉(zhuǎn)接座“”按鈕：單擊該按鈕，程序?qū)lash數(shù)據(jù)恢復(fù)大師轉(zhuǎn)接座上放置的Flash中的數(shù)據(jù)，并將其保存在“項(xiàng)目管理”工作界面的“保存位置”文 下的FLASHCHIPx_x.BIN數(shù)據(jù)文件中，其中第一個(gè)x表示片，該為雙通道，則存貯數(shù)據(jù)后將生成文件名分別為FLASHCHIP0_0.BIN和FLASHCHIP0_1.BIN的數(shù)據(jù)文件；若當(dāng)前故障設(shè)備有兩個(gè)Flash，每個(gè)芯片均為雙通道，則在讀取存貯芯片數(shù)據(jù)后將生成文件名分別為FLASHCHIP0_0.BIN、FLASHCHIP0_1.BIN、個(gè)通道完成后都會(huì)生成一個(gè)擴(kuò)展名為.BIN的數(shù)據(jù)文件。提示：在數(shù)據(jù)時(shí)，中間有一個(gè)列表框，用于顯示程序識(shí)別到的Flash 、普通半前、普通半后、加密前、加密后、字交換以及雙字交換的信息，這些均由程序自動(dòng)完成。 是指用Flash中正常的 ，用WinHex等軟件可以 Flash數(shù)據(jù)恢復(fù)大師將其出來后羅列出其中的 完成Flash數(shù)據(jù)的后，程序跳轉(zhuǎn)到“數(shù)據(jù)組合”工作界面。因?yàn)镕lash通過“存貯”工作界面Flash中的數(shù)據(jù)時(shí)生成的數(shù)據(jù)文件Flash片，并顯示在“順序”欄下方的文本框中。“順序”欄：因?yàn)樾试碏lash數(shù)據(jù)恢復(fù)大師最大支持四個(gè)Flash芯識(shí)各的順序，若文本框中顯示“NA”則表示不存在。例如，若當(dāng)前閃存器件只有兩個(gè)，則第一、第二個(gè)文本框中分別顯示0和1，而第三、第四個(gè)文NA提示：如果在“存貯”工作界面中閃 數(shù)據(jù)時(shí)將順序放錯(cuò)了，此處可以進(jìn)行修改。例如，有一個(gè)4的閃存設(shè)備，在單擊“開始”按鈕后“順序”“數(shù)據(jù)位反轉(zhuǎn)”復(fù)選框：若Flash中的數(shù)據(jù)為原始數(shù)據(jù)的取反數(shù)據(jù)，則在數(shù)反，返之則取消選中。若真實(shí)數(shù)據(jù)為，而中的數(shù)據(jù)為，“字節(jié)混合”復(fù)選框：若Flash或通道間的數(shù)據(jù)進(jìn)行了字節(jié)混合，則進(jìn)“字交換”復(fù)選框：若Flash或通道間的數(shù)據(jù)進(jìn)行了字混合，則進(jìn)行數(shù)“雙字交換”復(fù)選框：若Flash或通道間的數(shù)據(jù)進(jìn)行了雙字混合，則進(jìn) 制框的ASCII碼區(qū)域：從上圖中可以很明顯的看出，在121755同一個(gè)頁處數(shù)據(jù)前為亂字符，后從現(xiàn)快速判斷情況的一個(gè)方法。因?yàn)镕lash中的數(shù)據(jù)是以頁為單位進(jìn)行的，每一頁都包含數(shù)據(jù)區(qū)和管理區(qū)兩Flash數(shù)據(jù)恢復(fù)大師程序根據(jù)Flash的頁字節(jié)數(shù)的大小，將頁結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置分164224字節(jié)的頁為例，其結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置共分為了4種，若當(dāng)前的頁大小為4224字節(jié)，則在“頁結(jié)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置”下拉列表框中將僅顯示其預(yù)設(shè)的4種頁結(jié)構(gòu)。記、ID中的位置。一般可分為三種情況，數(shù)據(jù)ID在頁頭、數(shù)據(jù)ID在頁中和數(shù)據(jù)ID在頁尾，如果數(shù)據(jù)ID的位置選擇不正確，也可能導(dǎo)致得出的管理區(qū)信息錯(cuò)誤。多數(shù)Flash的ID考慮數(shù)據(jù)ID在頁頭或頁尾的情況。“單元頭大小”文本框：若Flash中的頁結(jié)構(gòu)為有頁頭頁尾的情況，則在該21122048645124在結(jié)尾位置3種情況。位置，若不存在數(shù)據(jù)頭，則設(shè)置為“0為無頭的情況，則設(shè)置為“0。下的一半全是00或者全是FF，那么需要勾選上此復(fù)選框。IDECC多個(gè)半字節(jié)值必須相同，在取標(biāo)記值時(shí)一般只取一位即可，取值范圍為0~FH。FFH00H件中的隨機(jī)數(shù)據(jù)時(shí)，需要通過管理區(qū)中的ID號(hào)來對(duì)數(shù)據(jù)位置進(jìn)行定位。 提示：IDn＝-1ID0.5n＝1ID號(hào)的管理區(qū)域?yàn)閴K大小×2。例如，一個(gè)Flash中每個(gè)塊包含64個(gè)頁，每頁的大小為2112字節(jié)，共分為4個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇4ID64*4ID2IDID128IDIDFlash排序，這里可以設(shè)置紅色的部分為副ID，偏移為2，長度為1。IDIDID6種順序。要確定Flash中數(shù)據(jù)的順序，只能依據(jù)進(jìn)行判斷，確定紹各種排序方法的含義。較久遠(yuǎn)的U盤、MP3中的Flash，現(xiàn)在應(yīng)用得很少。按順序提取數(shù)據(jù)：選擇這種排序方式，數(shù)據(jù)ID和標(biāo)記值不參予排序，而是用下方ID2、ID2、ID2、ID7、ID7，其中四個(gè)相同的ID0為一個(gè)區(qū)段，以此類推。中的ID號(hào)都不同。IDIDID否則在數(shù)據(jù)收集時(shí)將塊丟棄。包括保留不對(duì)齊的塊、塊對(duì)齊、、、、、、提示：3264中包含的頁數(shù)為64，就被保留下來，若收集到的塊中的頁數(shù)小于64，則被丟棄。IDIDIDIDID3ID偏移值，用于標(biāo)記一個(gè)頁的物理位置與邏輯位置的相對(duì)關(guān)系，因?yàn)镕lash中地址即用區(qū)段+ID的形式來進(jìn)行定位。提示：數(shù)據(jù)ID是主控在低格Flash時(shí)劃分的邏輯區(qū)號(hào)，它是重組數(shù)據(jù)的一“解析文件分配表”按鈕：當(dāng)我們正確設(shè)置好參數(shù)和頁結(jié)構(gòu)參數(shù)后，點(diǎn)擊此Device：表示編號(hào)。Dump： 22154頁的開始簇號(hào)為01F40000，剛好和分析信息款中的Start參數(shù)對(duì)應(yīng)?！巴Ｖ狗治觥卑粹o：單擊此按鈕停止程序自動(dòng)分析數(shù)據(jù)。在Flash中寫入數(shù)據(jù)時(shí)，采用了相應(yīng)的交換算法，即數(shù)據(jù)時(shí)在通道、塊、頁①塊內(nèi)頁交換是將一個(gè)塊從中間分成了兩個(gè)區(qū)段,在第一區(qū)段中一個(gè)頁后,就跳到第二區(qū)段一個(gè)頁,然后再在第一區(qū)段中第二個(gè)頁,完成后返回到第二區(qū)段中第二個(gè)頁,依次循環(huán)下去,直到該塊數(shù)據(jù)完成,再讀下一個(gè)塊的數(shù)據(jù).塊內(nèi)頁交換根據(jù)塊的具②入以頁為單位進(jìn)行寫入，在雙通道中同時(shí)在兩個(gè)塊中進(jìn)行寫入，大大提高寫入速度。③通道間頁交換算法即在兩個(gè)通道或兩個(gè)間進(jìn)行并行的交替寫入操作，和RAID0的00100111④001001⑤通道間塊間頁交換000010100110001 ID 則塊容量為128K，在提取數(shù)據(jù)時(shí)若128K以下的文件均能打開，則表示塊內(nèi)無頁交換，可2K數(shù)據(jù)、通道間塊交換、通道間頁交換三個(gè)選項(xiàng)，一般大容量的Flash才可能個(gè)雙的U盤，每個(gè)均為雙通道，在選擇了“通道優(yōu)選”后，則順序?yàn)椋合?設(shè)備的0通道，再1設(shè)備的0通道，再讀0設(shè)備的1通道，最后1設(shè)備的1通道；而選擇“設(shè)備優(yōu)先”選項(xiàng)，則先完整個(gè)設(shè)備的所有通道數(shù)據(jù)后，再另一個(gè)設(shè)備的通道。3；0-2，1-3128N/2交換關(guān)系為0，64；1，65；2，66；……；63，127。“查看數(shù)據(jù)”按鈕：單擊該按鈕即可打開數(shù)據(jù)查看窗口查