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粉料性能的表征粉體原料的基本要求:超細(xì)和分布窄高純或嚴(yán)格的非化學(xué)計(jì)量形態(tài)形貌無(wú)團(tuán)聚結(jié)晶形態(tài)粉料的表征方法(一)粒子大小和形狀:用光學(xué)顯微鏡、電子顯微鏡觀察,粒徑分布測(cè)定儀測(cè)定分布,化學(xué)組成:用化學(xué)分析和X射線熒光分析儀、原子吸收光譜儀測(cè)定主要成分和微量成分粉料的表征方法(二)結(jié)晶性質(zhì):用X射線衍射、紅外光譜、熱分析儀確定表面性質(zhì):比表面積測(cè)定儀、電位測(cè)定儀粉末特性:流動(dòng)性、堆積密度(以及顆粒密度、骨架密度)等。顆粒尺寸粒徑:顆粒的大小用其在空間范圍所占據(jù)的線性尺寸表示。多用球體的直徑表示不規(guī)則顆粒的粒徑,稱為當(dāng)量直徑或相當(dāng)徑。粒徑分布:有頻率分布和累積分布。測(cè)定方法:篩分,光學(xué)顯微鏡、電子顯微鏡觀察,沉降法,激光散射法測(cè)顆粒(團(tuán)聚體),X射線小角度衍射測(cè)定一次粒子。粒度分布示意圖(頻率分布)比表面積的測(cè)定比表面積是粉料的重要性質(zhì)之一。比表面積表征了粉料顆粒表面及表面缺陷、裂紋和氣孔在內(nèi)的單位質(zhì)量粉料的總面積。不同粉料的比表面積可以有很大的差別。測(cè)定原理和方法-BET氣體吸附法

P/p0

=1+c-1(p/p0)V(1-P/p0)VmcVmc粉料其它性質(zhì)的測(cè)定粉料粒子的形狀,顯微鏡觀察表面性質(zhì)X射線光電子能譜儀進(jìn)行表面狀態(tài)分析流動(dòng)性測(cè)定組分分析自蔓延燃燒合成法自蔓延高溫合成技術(shù)(SHS)—利用生成化合物時(shí)釋放的反應(yīng)熱和產(chǎn)生的高溫,使合成過(guò)程獨(dú)自維持下去,直至反應(yīng)結(jié)束。特點(diǎn):反應(yīng)快,設(shè)備簡(jiǎn)單;溫度高,除去揮發(fā)雜質(zhì);溫度變化快,形成缺陷、非平衡結(jié)構(gòu),產(chǎn)物活性高。自蔓延燃燒合成氮化鋁Al和N2為原料,Al+N2AlN稀釋劑(部分反應(yīng)產(chǎn)物)吸收熱,使熔鋁分散;氮?dú)鈮?,增加反?yīng)驅(qū)動(dòng)力,防止產(chǎn)物分解;添加劑(如鹵化銨)降低燃燒溫度,產(chǎn)生氣體阻止產(chǎn)物結(jié)塊。低溫燃燒合成法特點(diǎn):起火溫度低,燃燒溫度高,燃燒過(guò)程產(chǎn)生大量氣體,易制得細(xì)粉。Al(NO3)3?9H2O+CO(NH2)2-Al2O3這里尿素作為燃料,硝酸根是氧化劑。根據(jù)推進(jìn)劑化學(xué)理論計(jì)算配比。500℃以下起火,火焰溫度可達(dá)1200℃,生成-Al2O3。機(jī)械合金化技術(shù)及應(yīng)用機(jī)械化學(xué)和機(jī)械化學(xué)反應(yīng)物質(zhì)在機(jī)械能作用下發(fā)生化學(xué)和物理化學(xué)變化。新鮮表面,擴(kuò)散距離縮短,產(chǎn)生缺陷,晶粒納米化,促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)。10.5.2鐵酸鋅和-Si3N4的合成實(shí)例沖擊波化學(xué)合成法及應(yīng)用沖擊波化學(xué)合成的特點(diǎn)高溫化學(xué)反應(yīng)高壓化學(xué)反應(yīng)沖擊波化學(xué)合成的實(shí)例納米鐵酸鋅合成2023/7/22精細(xì)陶瓷概述功能陶瓷結(jié)構(gòu)陶瓷2023/7/22精細(xì)陶瓷概述功能陶瓷結(jié)構(gòu)陶瓷2023/7/22概述傳統(tǒng)陶瓷精細(xì)陶瓷,又稱先進(jìn)陶瓷、高性能陶瓷、高技術(shù)陶瓷、特種陶瓷。指采用高度精選的原料,具有精確控制的化學(xué)組成,按照便于控制的制造技術(shù)加工的便于進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),并具有優(yōu)異特性的陶瓷。促成精細(xì)陶瓷產(chǎn)生的幾個(gè)因素:原料改進(jìn),工藝進(jìn)步,陶瓷科學(xué)發(fā)展,顯微技術(shù),性能研究,材料無(wú)損評(píng)估,材料化學(xué)和化工對(duì)陶瓷材料的發(fā)展起了重要作用。2023/7/22精細(xì)陶瓷的分類結(jié)構(gòu)陶瓷是以力學(xué)機(jī)械性能為主的一大類陶瓷。功能陶瓷則主要利用材料的電、磁、光、聲、熱和力等性能及其耦合效應(yīng)、如鐵電、壓電陶瓷、正或負(fù)溫度系數(shù)陶瓷、敏感陶瓷、快離子導(dǎo)體陶瓷等,以及主要從電性能上考慮的絕緣、介電、半導(dǎo)體、導(dǎo)體陶瓷以至高臨界溫度Tc的超導(dǎo)陶瓷。2023/7/22陶瓷功能與組成、工藝、性能和結(jié)構(gòu)的關(guān)系

——組成結(jié)構(gòu)—性能———功能———工藝2023/7/22

精細(xì)陶瓷的制備工藝精細(xì)陶瓷制備工藝包括粉體制備、成型和燒結(jié)三個(gè)主要步驟。1.成型前的原料處理(1)原料煅燒(2)原料的混合(3)塑化塑化劑指使坯料具有可塑能力的物質(zhì)。塑化劑由三種物質(zhì)組成,a.粘接劑b.增塑劑c.溶劑.

(4)制粒,常用的制粒方法可分為三類:普通制粒法。壓塊制粒法和噴霧制粒法。2023/7/222.主要的成型方法

成型的任務(wù)是將粉末制成要求形狀的半成品。成型方法

(1)鋼模壓制(干壓成型)

(2)等靜壓制(3)漿料成型(料漿澆注成型)(4)注射成型方法注射成型又稱熱壓注成型,

(5)薄膜成型法薄膜成型技術(shù)有流延成型和軋制成型等。2023/7/223.精細(xì)陶瓷的燒結(jié)

燒結(jié)的實(shí)質(zhì)是粉末坯塊在適當(dāng)?shù)沫h(huán)境或氣氛中受熱,通過(guò)一系列物理、化學(xué)變化,使粉末顆粒間的粘接(相互接觸)發(fā)生質(zhì)的變化,形成預(yù)期的礦物組成的顯微結(jié)構(gòu),達(dá)到固定的外形和所要求的性能。2023/7/22精細(xì)陶瓷常用的燒結(jié)方法

(1)普通燒結(jié)傳統(tǒng)陶瓷多半在隧道窯中燒結(jié)。而精細(xì)陶瓷主要在電爐中燒結(jié),包括管式爐、立式爐、箱式爐、電阻爐、感應(yīng)爐、磁管爐和其它各種爐子。采用一定的氣氛(如氫、氬、氮?dú)獾?,也可在真空和空氣中進(jìn)行。2023/7/22精細(xì)陶瓷常用的燒結(jié)方法(續(xù))(2)熱壓燒結(jié)法(HP法)(包括高溫等靜壓法,HIP)熱壓燒結(jié)法是同時(shí)給予熱和壓力而進(jìn)行燒結(jié)的方法。(3)反應(yīng)燒結(jié)目前反應(yīng)燒結(jié)僅限于少量幾個(gè)體系,如反應(yīng)燒結(jié)氮化硅(Si3N4),氮氧化硅(Si2ON2)和碳化硅(SiC)等。(4)自蔓延高溫合成(SHS)致密化2023/7/22功能陶瓷在功能材料中,陶瓷占有十分重要的地位,在精細(xì)陶瓷中功能陶瓷又占60%的銷售量,而且每年以20%的速度增加。功能陶瓷正在能源、空間、電子、傳感、激光、光電子、紅外、生物、環(huán)境科學(xué)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。功能陶瓷包括具有電磁功能、半導(dǎo)體功能、光學(xué)功能、超導(dǎo)功能、熱學(xué)、生物、化學(xué)等功能的陶瓷,如電介質(zhì)陶瓷,鐵電陶瓷、壓電陶瓷、熱釋電陶瓷、半導(dǎo)體(氣敏、濕敏、壓敏)陶瓷等等。2023/7/22電介質(zhì)的性質(zhì)介電材料在交變電場(chǎng)中的特性極化與介電常數(shù)兩平板間是真空Q0=C0E(C0=0×A/d)兩平板間是介電物質(zhì)Q1=C1E=rC0E,=0r極化與介質(zhì)損耗在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱而消耗的能量稱為電介質(zhì)損耗,用tan表示,其值越大,能量損耗越大。稱為介質(zhì)損耗角,tan的倒數(shù)用Qe表示,Qe

稱為介電陶瓷材料的電學(xué)品質(zhì)因素。2023/7/22電介質(zhì)陶瓷電介質(zhì)陶瓷分為絕緣陶瓷和介電陶瓷兩類。電絕緣陶瓷—體積電阻率很大,介電常數(shù)小,介電損耗tan小,介電強(qiáng)度大。介電陶瓷主要用于陶瓷電容器(介電常數(shù)高,介質(zhì)耗損小,體積電阻率較高,具有高的介電強(qiáng)度和穩(wěn)定性)和微波介質(zhì)元件(適當(dāng)?shù)慕殡姵?shù)溫度系數(shù),小的熱膨脹系數(shù),諧振頻率溫度系數(shù)?。?023/7/22鐵電陶瓷鐵電性-不存在外電場(chǎng)時(shí)具有自發(fā)極化,自發(fā)極化的方向能被外電場(chǎng)改變,極化強(qiáng)度和電場(chǎng)強(qiáng)度之間存在類似鐵磁體磁滯回線的關(guān)系。BaTiO3,第二次世界大戰(zhàn)發(fā)現(xiàn)。Pb(Zr,Ti)O3的鐵電和壓電性質(zhì),奠定了鐵電在現(xiàn)代科技中的地位。鐵電材料和壓電材料、電介質(zhì)材料之間的關(guān)系(圖16-3)2023/7/22鋯鈦酸鉛(Pb(ZrxTi(1-x))O3一種最重要的鐵電陶瓷,室溫下,當(dāng)x≤0.94時(shí),材料是鐵電體。在富鈦組分區(qū)(0≤x≤0.52)屬于四方結(jié)構(gòu),而在富鋯區(qū)(0.52≤x≤0.94)是三方結(jié)構(gòu)。在靠近PbZrO3的組分附近(0.94≤x≤1)則是正交結(jié)構(gòu)的反鐵電體。在x=0.52的四方和三方多形相界附近,材料具有特別強(qiáng)的壓電效應(yīng)。(圖16-4)

2023/7/22高介電常數(shù)電容器用陶瓷

以BaTiO3為基體(BaTiO3的介電常數(shù)高達(dá)1700),通過(guò)摻雜加入鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的Sr、Sn、Zr的化合物,介電常數(shù)可提高到接近20000,介電常數(shù)的溫度系數(shù)也隨之增加。若在BaTiO3中加入少量SrTiO3,配方中再加入少量WO3和MnCO3,可得介電常數(shù)20000以上的陶瓷,現(xiàn)在已有介電常數(shù)達(dá)30000以上的高介電常數(shù)鐵電陶瓷。2023/7/22陶瓷電容器的應(yīng)用工藝上采用多層結(jié)構(gòu)制作方法,可以制成大容量電容器,介電常數(shù)可達(dá)20000,而且燒成溫度低,在800~1000℃(對(duì)含Pb系統(tǒng)易達(dá)到)。利用Sol-Gel方法及化學(xué)共沉淀法,膜厚可降至15μm以下,以增大單位體積的電容量。多層電容器適合于表面安裝,用于混成集成電路及印刷電路板插座。2023/7/22透明鐵電陶瓷(電光陶瓷)陶瓷制造工藝的發(fā)展,出現(xiàn)了熱壓法,高純超細(xì)粉末的制備法等可以控制其顯微結(jié)構(gòu)和晶界性質(zhì)的方法,使之成為透明陶瓷。一般Al2O3、Y2O3、MgO、BeO、ThO2、Y3Al5O12/Nd等均可制成透明陶瓷。摻鑭的鋯鈦酸鉛(PLZT),既具有透明性,又具有鐵電性和壓電性,其光學(xué)性質(zhì)與鐵電性密切相關(guān)。2023/7/22PLZT透明陶瓷(電光陶瓷)的制備

PLZT陶瓷粉體應(yīng)高純,粒度要?。ㄟ_(dá)0.1μm,保證每個(gè)晶粒的化學(xué)成分盡可能相同,常采用醇鹽水解法。為了獲得透明度高的陶瓷,要求晶粒本身透明,小的各向異性,須排除內(nèi)部氣孔,通常采用通氧熱壓燒結(jié)法燒結(jié)成品。燒結(jié)后的制品,再經(jīng)過(guò)研磨、切割、拋光成透明的PLZT陶瓷片,在PLZT陶瓷片上制成不同的電極,再組裝成各種光學(xué)器件。

2023/7/22

壓電陶瓷壓電效應(yīng)-1880年居里兄弟發(fā)現(xiàn),在石英晶體上施加應(yīng)力即有電荷釋放出來(lái)(圖16-5)。隨后又發(fā)現(xiàn),石英晶體的形狀會(huì)受外加電場(chǎng)的作用發(fā)生微小的變化。于是,便把前者稱為正壓電效應(yīng),后者稱為逆壓電效應(yīng),兩者統(tǒng)稱為壓電效應(yīng)。壓電效應(yīng)是一種耦合效應(yīng),可以將機(jī)械能轉(zhuǎn)換為電能,或者將電能變?yōu)闄C(jī)械能。2023/7/22壓電陶瓷(續(xù))

陶瓷材料本不應(yīng)該具有壓電效應(yīng)。主晶相是鐵電體的陶瓷,通過(guò)外加直流電場(chǎng)的極化處理,各個(gè)晶粒的自發(fā)極化軸沿著外場(chǎng)方向取向,原來(lái)相互抵消的各個(gè)晶粒本身所固有的壓電效應(yīng)應(yīng)變對(duì)外呈現(xiàn)出宏觀的剩余極化,這樣鐵電陶瓷經(jīng)極化處理后就變成了壓電陶瓷。由于自發(fā)極化軸的取向不可能完全一致,壓電效應(yīng)比相應(yīng)材料的單晶差些。2023/7/22熱釋電陶瓷熱釋電效應(yīng)-晶體受熱溫度升高,由于溫度的變化而導(dǎo)致自發(fā)極化的變化,從而在晶體的一定方向上產(chǎn)生表面電荷的效應(yīng)。在居里溫度(當(dāng)高于某一臨界溫度時(shí),鐵電體的自發(fā)極化消失,轉(zhuǎn)變?yōu)榉氰F電相,這一臨界溫度稱為居里溫度Tc)附近,熱電效應(yīng)比較大(再看圖16-3電介質(zhì)材料分類示意)。應(yīng)用舉例:改性的Pb(Zr,Ti)O3,PbTiO3具有好的熱釋電性能,已制成熱釋電探測(cè)器,紅外地平儀,紅外輻射溫度計(jì),溫度傳感器等。2023/7/22半導(dǎo)體陶瓷半導(dǎo)體陶瓷的電阻率約為10-4~107Ω·cm。在半導(dǎo)體的能帶分布中,禁帶較窄,價(jià)帶中的部分電子易被激發(fā)越過(guò)禁帶,進(jìn)入導(dǎo)帶成為自由電子,產(chǎn)生導(dǎo)電性。半導(dǎo)體陶瓷的導(dǎo)電率不僅與界面勢(shì)壘有關(guān),而且與工作時(shí)的光照、溫度、濕度、氣氛等環(huán)境條件有關(guān),因此可制成相應(yīng)的半導(dǎo)體陶瓷敏感器件,如邊界層電容器半導(dǎo)體陶瓷、電壓敏陶瓷、熱敏陶瓷、濕敏陶瓷和光敏陶瓷等。2023/7/22熱敏半導(dǎo)體陶瓷的分類熱敏陶瓷是半導(dǎo)體陶瓷材料中的一類。按照電阻—溫度特性熱敏陶瓷可分為三大類:

(1)電阻隨溫度升高而增大的熱敏電阻稱為正溫度系數(shù)熱敏電阻,簡(jiǎn)稱PTC熱敏電阻;

(2)電阻隨溫度升高而減小的熱敏電阻稱為負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻,簡(jiǎn)稱NTC熱敏電阻;

(3)電阻在某特定溫度范圍內(nèi)急劇變化的熱敏電阻,簡(jiǎn)稱為CTR臨界溫度熱敏電阻。2023/7/22PTC熱敏電阻PTC的基本特征:居里溫度(圖16-6)和電阻溫度系數(shù)(零功率電阻值的溫度系數(shù))T=1/RT×dRT/dTPTC陶瓷材料-使BaTiO3半導(dǎo)體化,通過(guò)摻入施主雜質(zhì)或?qū)⒉牧显谶€原氣氛下燒結(jié)使之產(chǎn)生氧缺位,因而在禁帶中產(chǎn)生施主能級(jí)。2023/7/22NTC熱敏電阻NTC半導(dǎo)體陶瓷一般為尖晶石結(jié)構(gòu),通式為AB2O4。以MnO為主材料,同時(shí)引入CoO,CuO,FeO等,在高溫下形成尖晶石結(jié)構(gòu)NTC熱敏電阻具有靈敏度高,熱惰性小,壽命長(zhǎng),價(jià)格便宜的優(yōu)點(diǎn),廣泛用于測(cè)溫控溫、補(bǔ)償、穩(wěn)壓、遙控、流量和流速測(cè)定,時(shí)間延緩等設(shè)備中。2023/7/22半導(dǎo)體氣敏陶瓷氣敏陶瓷一般都是某種類型的金屬氧化物,通過(guò)摻雜或非化學(xué)計(jì)量比的改變而使其半導(dǎo)化。其氣敏特性,大多通過(guò)待測(cè)氣體在陶瓷表面吸附,產(chǎn)生某種化學(xué)反應(yīng)(如氧化、還原反應(yīng))和表面產(chǎn)生電子的交換(俘獲或釋放電子)等作用來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這種氣敏現(xiàn)象稱為表面過(guò)程。大多數(shù)與陶瓷表面氧原子(離子)的活性(結(jié)合能)密切相關(guān)2023/7/22氧化錫氣敏陶瓷SnO2氣敏陶瓷是目前應(yīng)用最廣泛的材料,可摻雜Pd、In、Ga、CeO2、等活性物質(zhì)以提高其靈敏度。另外可添加Al2O3、Sb2O3、MgO、CaO和PbO等添加物以改善其燒結(jié)、老化及吸附等特性。大多在SnO2材料中添加少量稀土元素以改善其對(duì)某些氣體的識(shí)別能力。SnO2氣敏陶瓷對(duì)可燃性氣體,如氫、甲烷、丙烷、乙醇、丙酮、一氧化碳、城市煤氣、天然氣都有較高的靈敏度。2023/7/22氧化鐵系氣敏陶瓷敏感器作氣體敏感材料的氧化鐵是三氧化二鐵。三氧化二鐵有尖晶石結(jié)構(gòu)的γ-Fe2O3和具有剛玉結(jié)構(gòu)的α-Fe2O3兩種,它們都可以作為氣體敏感材料。作用機(jī)理:在氣體分子與氣敏材料分子之間發(fā)生電子轉(zhuǎn)移(或者重排),使氣敏材料表面電子狀態(tài)發(fā)生變化而導(dǎo)致其電阻率改變(圖16-8)。2023/7/22

半導(dǎo)體濕敏陶瓷半導(dǎo)體陶瓷材料一般為多晶多相結(jié)構(gòu),由半導(dǎo)化的結(jié)果,使晶粒體內(nèi)產(chǎn)生了大量的自由載流子—電子或空穴。水是一種強(qiáng)極性電介質(zhì),由于水分子結(jié)構(gòu)不對(duì)稱,具有很大的電子親合力,使得表面吸附的水分子可能從半導(dǎo)體表面吸附的O2-或O-離子中吸取電子,甚至從滿帶中直接俘獲電子,因此,將引起晶粒表面電子能態(tài)發(fā)生變化,從而導(dǎo)致晶粒表面電阻和整個(gè)元件的電阻變化。2023/7/22羥基磷灰石濕敏陶瓷羥基磷灰石濕敏陶瓷Ca10(PO4)6(OH)2系陶瓷主晶相為六方晶系結(jié)構(gòu),它也是一種生物陶瓷。羥基磷灰石具有優(yōu)良的抗老化性能,其原因之一是羥基磷灰石的溶解度較小,這樣就可避免當(dāng)元件表面形成冷凝水時(shí),陽(yáng)離子溶解于表面水中而流失造成元件老化。在羥基磷灰石中分別摻入施主和受主雜質(zhì),可制成n型和P型半導(dǎo)體陶瓷,其電阻率均隨著濕度的增加而急劇下降。2023/7/22壓敏半導(dǎo)體陶瓷壓敏性-通常加在線性電阻兩端的電壓(V)與流過(guò)它的電流(I)之間的關(guān)系服從歐姆定律。壓敏(電壓敏感的簡(jiǎn)稱)的電阻值具有對(duì)電壓變化很敏感的非線性電阻特性,其電壓—電流(伏—安)特性是一條曲線,當(dāng)外電壓低于某臨界值時(shí),其電阻值很高,通過(guò)電阻的電流很??;當(dāng)外施電壓達(dá)到或超過(guò)此臨界值時(shí),其電阻值急劇下降,電流猛然上升(圖16-9)。2023/7/22非線性指數(shù)非線性電阻的電壓—電流特性可近似表示為:I=(V/C)α,α稱為非線性指數(shù),α的值越大,非線性越強(qiáng),即電壓增量引起的電流相對(duì)變化越大,壓敏特性越好。C值在一定電流范圍內(nèi)為一常數(shù)。一般采用在一定電流時(shí)的電壓Vc代替C值。在壓敏電阻器上流過(guò)1mA/cm2電流時(shí),電流通路上每毫米長(zhǎng)度上的電壓降定義為該壓敏電阻材料的C值。。2023/7/22ZnO系壓敏電阻陶瓷材料用非線性(壓敏)陶瓷制作的器件叫做非線性電阻器或壓敏電阻器。壓敏陶瓷電阻器的種類很多,ZnO壓敏電阻陶瓷是其中性能最優(yōu)的一種材料。其主要成分是ZnO,添加Bi2O3、Co2O3、MnO2和Sb2O3,此外還添加一些其它氧化物,如Cr2O3、SiO2

、TiO2、SnO2和Al2O3等氧化物改性燒結(jié)而成。應(yīng)用:如氧化鋅變阻器被高電壓雷擊時(shí)便失去大部分電阻,使電流短路入地,保護(hù)自己;大電壓去除后又恢復(fù)原狀,是無(wú)源機(jī)敏材料。2023/7/22高溫結(jié)構(gòu)陶瓷① 高熔點(diǎn)氧化物,如Al2O3、ZrO2、MgO、BeO、VO2;熔點(diǎn)在2000℃以上;② 碳化物,如SiC、WC、TiC、HfC、NbC、TaC、B4C、ZrC等;③ 硼化物,如ThB2、ZrB2等,硼化物有很強(qiáng)的抗氧化能力;④ 氮化物,如Si3N4、BN、AlN、ZrN、HfN等以及由Si3N4和Al2O3復(fù)合而成的Sialon陶瓷,氮化物具有很高的硬度;⑤ 硅化物,如MoSi2、ZrSi等在高溫使用中由于制品表面生成SiO2或硅酸鹽保護(hù)膜,所以抗氧化能力強(qiáng)。2023/7/22氧化鋯陶瓷二氧化鋯陶瓷的相變?cè)鲰g高純二氧化鋯為白色粉末,含有雜質(zhì)時(shí)略帶黃色或灰色。ZrO2有三種晶型。低溫為單斜晶系,密度為5.65g/cm3。高溫為四方晶系,密度為6.10g/cm3。更高溫度下轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎骄?,密度?.27g/cm3。其轉(zhuǎn)化關(guān)系為:?jiǎn)涡保╩)ZrO2四方(t)ZrO2立方(c)ZrO2液體2023/7/22氧化鋯陶瓷的穩(wěn)定劑由于晶型轉(zhuǎn)變引起體積改變會(huì)起破壞性作用,這便很難制造出制品。因此必須進(jìn)行穩(wěn)定化處理。常用的穩(wěn)定添加劑有CaO、MgO、Y2O3、CeO2和其它稀土化合物。這些固溶的陽(yáng)離子,其半徑要與Zr4+相近(相差在12%以內(nèi)),而且固溶的氧化物是立方晶系。這種固溶體通過(guò)快冷避免共析分解,以亞穩(wěn)態(tài)保持到空溫。2023/7/22氧化鋯陶瓷的穩(wěn)定方式全穩(wěn)定氧化鋯(FSZ)-快冷得到的立方固溶體以后保持穩(wěn)定,不再發(fā)生相變,沒(méi)有體積變化,用來(lái)制造各種氧探測(cè)器。部分穩(wěn)定氧化鋯(PSZ)-將穩(wěn)定劑的含量適當(dāng)減少,使t-ZrO2

亞穩(wěn)到室溫,便得到部分穩(wěn)定氧化鋯。單相多晶氧化鋯(TZP)-使t-ZrO2全部亞穩(wěn)到室溫得到單相多晶氧化鋯,TZP在室溫下強(qiáng)度和穩(wěn)定性最高。2023/7/22碳化硅陶瓷碳化硅陶瓷的制備方法由于SiC具有很強(qiáng)的共價(jià)鍵性,很難用常規(guī)燒結(jié)途徑制得高密度材料,必須采用一些特殊工藝手段或依靠添加劑以促進(jìn)致密化。原料細(xì)化是制備結(jié)構(gòu)細(xì)化材料的關(guān)鍵,對(duì)非氧化物陶瓷來(lái)說(shuō)原料含氧量也是影響燒

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