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文檔簡(jiǎn)介
第3章邏輯門電路3.3TTL集成邏輯門電路3.4CMOS集成邏輯門電路3.5集成門電路的應(yīng)用3.2分立元件門電路3.1概述學(xué)習(xí)要點(diǎn)分立元件門電路的構(gòu)成TTL集成邏輯門電路功能及特點(diǎn)CMOS集成邏輯門電路功能及特點(diǎn)邏輯電路使用過(guò)程中的注意問(wèn)題3.1概述邏輯門電路由具體器件構(gòu)成能夠?qū)崿F(xiàn)基本和常用邏輯關(guān)系的電子電路,簡(jiǎn)稱門電路。
(常用邏輯門電路:與門、或門、非門、與非門、或非門、三態(tài)門和異或門等。)
數(shù)字集成電路:
TTL門電路:一種是由三極管組成的雙極型集成電路,例如晶體管-晶體管邏輯電路。
CMOS門電路:一種是由MOS管組成的單極型集成電路,例如N-MOS邏輯電路和互補(bǔ)MOS邏輯電路。主要有雙極型的TTL門電路和單極型的CMOS門電路。3.2分立元件門電路3.2.1晶體管開(kāi)關(guān)特性3.2.2基本晶體管門電路
理想開(kāi)關(guān)
(1)開(kāi)關(guān)閉合時(shí),開(kāi)關(guān)兩端電壓為0;(2)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí),其流過(guò)的電流為0,其兩端間呈現(xiàn)的電阻為無(wú)窮大;且開(kāi)關(guān)的轉(zhuǎn)換在瞬間完成。
半導(dǎo)體二極管、三極管和MOS管,是構(gòu)成這種電子開(kāi)關(guān)的基本開(kāi)關(guān)元件??捎眠壿嬜兞康摹?”“0”來(lái)表示。導(dǎo)通時(shí),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合;截止時(shí),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。3.1.1晶體管開(kāi)關(guān)特性二極管的開(kāi)關(guān)特性(1)靜態(tài)特性。二極管當(dāng)作開(kāi)關(guān)來(lái)使用正是利用了二極管的單向?qū)щ娦浴?/p>
當(dāng)外加正向電壓大于死區(qū)電壓時(shí),二極管呈現(xiàn)很小的電阻處于導(dǎo)通狀態(tài),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合,一般硅管的正向?qū)▔航礥D約為0.6~0.7V,鍺管約為0.2~0.3V。
當(dāng)二極管兩端加上反向電壓時(shí),在開(kāi)始很大范圍內(nèi),二極管相當(dāng)于非常大的電阻,反向電流極小,二極管處于截止?fàn)顟B(tài),此時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。開(kāi)關(guān)等效電路
伏安特性曲線普通二極管反向擊穿后,將失去單向?qū)щ娦?。注意:mAiD/uD/0.50.7(VT)(2)動(dòng)態(tài)特性。通常情況下,二極管從截止變?yōu)閷?dǎo)通和從導(dǎo)通變?yōu)榻刂苟夹枰欢ǖ臅r(shí)間,不能象理想開(kāi)關(guān)那樣瞬間完成。而且從導(dǎo)通變?yōu)榻刂顾璧臅r(shí)間更長(zhǎng)一些。一般把二極管從導(dǎo)通到截止所需的時(shí)間稱為反向恢復(fù)時(shí)間tre。若輸入信號(hào)頻率過(guò)高,負(fù)半周寬度小于tre時(shí),二極管會(huì)雙向?qū)ǎ蜗驅(qū)щ娮饔?。因此高頻應(yīng)用時(shí)需要考慮此參數(shù)的影響。2.三極管的開(kāi)關(guān)特性(1)靜態(tài)特性。其中為三極管的導(dǎo)通電壓,如硅管此時(shí),、均近似為0,三極管的集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)
在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下,三極管主要工作在飽和區(qū)(開(kāi)關(guān)閉合)和截止區(qū)(開(kāi)關(guān)斷開(kāi)),放大區(qū)只是極短暫的過(guò)渡狀態(tài)。A、截止區(qū)B、飽和區(qū)其中,為臨界飽和電流。三極管的發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏,集電極和發(fā)射極間電壓為反向飽和電壓UCES(0.2~0.3V左右)。飽和越深,UCE越小。三極管的集電極和發(fā)射極間相當(dāng)于短路狀態(tài)。三極管相當(dāng)于一個(gè)由基極電流控制的開(kāi)關(guān)。開(kāi)關(guān)等效電路(2)動(dòng)態(tài)特性。延遲時(shí)間td,上升時(shí)間tr存儲(chǔ)時(shí)間ts,下降時(shí)間tf
從截止到飽和所需的時(shí)間。
從飽和到截止所需的時(shí)間。開(kāi)通時(shí)間ton=td+tr關(guān)閉時(shí)間toff=ts+tf開(kāi)關(guān)時(shí)間越短,開(kāi)關(guān)速度越高,在高頻應(yīng)用時(shí)需要特別注意考慮這個(gè)問(wèn)題。3.2.2基本晶體管門電路
電位--指絕對(duì)電壓的大小。電平--指一定的電壓范圍。門電路的輸入和輸出信號(hào)都是用電平(或電位)的高低來(lái)表示的。高電平和低電平又可用邏輯“1”和邏輯“0”表示,這樣可以得到邏輯電路的真值表,便于進(jìn)行邏輯分析。
二極管構(gòu)成的與門邏輯狀態(tài)表ABF0(0V)0(0V)0(0.7V)0(0V)1(3V)0(0.7V)1(3V)0(0V)0(0.7V)1(3V)1(3V)1(3.7V)與門電路波形圖
2.二極管構(gòu)成的或門電路圖和符號(hào)或門邏輯狀態(tài)表ABF0(0V)0(0V)0(0V)0(0V)1(5V)1(4.3V)1(5V)0(0V)1(4.3V)1(5V)1(5V)1(4.3V)電路波形圖
3.三極管構(gòu)成的非門電路邏輯狀態(tài)表
AF0(0V)1(12V)1(3V)0(0.3V)電路波形圖
數(shù)字電路邏輯符號(hào)中,若在輸入端加小圓圈,表示輸入低電平信號(hào)有效。若在輸出端加小圓圈,表示輸出信號(hào)取反。與非門電路
邏輯狀態(tài)表
ABF0(0V)0(0V)1(5.7V)0(0V)1(5V)1(5.7V)1(5V)0(0V)1(5.7V)1(5V)1(5V)0(0.3V)與非門電路波形圖。
這種分立元件的門電路雖然電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但由于二極管正向壓降的影響會(huì)產(chǎn)生電平偏離,并且速度較低、帶負(fù)載能力差,現(xiàn)在一般都被集成邏輯門電路所取代。3.3TTL集成邏輯門電路
3.3.1TTL與非門電路3.3.2TTL集電極開(kāi)路門和三態(tài)門電路3.3.3TTL集成電路的系列產(chǎn)品3.3.1TTL與非門電路輸入級(jí)和輸出級(jí)均采用晶體三極管,稱為晶體三極管-晶體三極管邏輯電路,簡(jiǎn)稱TTL電路。電路結(jié)構(gòu)(1)輸入級(jí)。對(duì)輸入變量實(shí)現(xiàn)“與”運(yùn)算,輸入級(jí)相當(dāng)于一個(gè)與門。(2)中間級(jí)。實(shí)現(xiàn)放大和倒相功能。向后級(jí)提供兩個(gè)相位相反的信號(hào),分別驅(qū)動(dòng)T3、T4管。(3)輸出級(jí)。減小電路的輸出電阻,提高輸出帶負(fù)載能力和抗干擾能力。T3和T4管總處于一管導(dǎo)通而另一管截止的工作狀態(tài)。2.工作原理當(dāng)輸入全為高電平,UA=UB=3.6V,T1的兩個(gè)發(fā)射結(jié)都反偏,集電結(jié)正偏。T2和T4飽和導(dǎo)通。T3和D3都截止,輸出低電平。
當(dāng)輸入中至少有一個(gè)為低電平時(shí),T1的兩個(gè)發(fā)射結(jié)必然有一個(gè)導(dǎo)通,T2和T4均截止,而此時(shí)T3和D3導(dǎo)通,輸出高電平。即輸入輸出之間實(shí)現(xiàn)了“與非”的邏輯關(guān)系。=5V-0.7V-0.7V=3.6V電壓傳輸特性是指輸出電壓隨輸入電壓變化的關(guān)系曲線,即3.TTL與非門傳輸特性AB--截止區(qū)--線性區(qū)--轉(zhuǎn)折區(qū)--飽和區(qū)BCCDDE4.主要參數(shù)(1)輸入和輸出的高、低電平。
輸入低電平的上限值UIL(max)輸入高電平的下限值UIH(min)輸出低電平的上限值UOL(max)輸出高電平的下限值UOH(min)UOFFUSHUOHUNHUIHUNLUILUON(2)開(kāi)門電平UON和關(guān)門電平UOFF。開(kāi)門電平:保證輸出為標(biāo)準(zhǔn)低電平(USL=0.3V)時(shí),所允許的最小輸入高電平,即只有當(dāng)時(shí),輸出才是低電平。關(guān)門電平:保證輸出電壓為標(biāo)準(zhǔn)高電平(USH=3.0V)時(shí),所允許的最大輸入低電平,即只有當(dāng)時(shí),輸出才是高電平。(3)閾值電壓UTH。電壓傳輸特性曲線轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的輸入電壓值--使輸出發(fā)生高低電平轉(zhuǎn)換的輸入電壓值,也稱門檻電壓。TTL與非門的閾值電壓UTH=1.4V左右。(4)噪聲容限。保證電路正常輸出的前提下,輸入電平允許波動(dòng)的最大范圍。輸入高電平噪聲容限UNH:輸入高電平時(shí),保證TTL電路仍可正常輸出的最大允許負(fù)向干擾電壓。UNH=UOH(min)—UIH(min)
顯然,輸入低電平噪聲容限UNL:
輸入低電平時(shí),保證TTL電路仍可正常輸出的最大允許正向干擾電壓。UNL=UIL(max)—UOL(max)
噪聲容限越大,集成門電路的抗干擾能力越強(qiáng)。輸入噪聲容限示意圖(5)傳輸延遲時(shí)間tpd
。
電路在動(dòng)態(tài)脈沖信號(hào)作用下,輸出脈沖相對(duì)于輸入脈沖延遲了多長(zhǎng)時(shí)間。tPHL
--輸出電壓由高變低,輸出脈沖的延遲時(shí)間;tPLH
--輸出電壓由低變高,輸出脈沖的延遲時(shí)間。這兩個(gè)延遲時(shí)間的平均值稱為平均傳輸延遲時(shí)間tpd。TTL門電路的平均傳輸延遲時(shí)間tpd一般在20nS左右。(6)扇入扇出數(shù)。扇入數(shù):
--門電路輸入端的個(gè)數(shù),用NI表示。對(duì)于一個(gè)2輸入的“與非”門,其扇入數(shù)NI=2。扇出數(shù):
--門電路在正常工作時(shí),所能帶同類門電路的最大數(shù)目,它表示帶負(fù)載能力。拉電流負(fù)載門的個(gè)數(shù):(存在高電平上限值)。灌電流負(fù)載門個(gè)數(shù):(低電平存在上限值)通常邏輯器件扇出數(shù)須通過(guò)計(jì)算或?qū)嶒?yàn)的方法求得。若NOL≠NOH,一般取兩者中的最小值。為了能夠保證數(shù)字電路或系統(tǒng)能正常工作,在設(shè)計(jì)時(shí)還需要注意要留有一定的余地。5.常用TTL與非門集成芯片74LS00——4-2輸入與非門74LS04——6反相器74U20——2-4輸入與非門74LS08——4-2輸入與門74LS02——4-2輸人或非門74LS86——異或門74LS00引腳圖和邏輯符號(hào)
例如圖所示電路,已知74LS00門電路參數(shù)為:IOH/IOL=1.0mA/-20mA,IIH/IIL=50μA/-1.43mA求門GP的扇出數(shù)是多少?解:門GP輸出低電平時(shí),設(shè)可帶門數(shù)為NL:
門GP輸出高電平時(shí),設(shè)可帶門數(shù)為NH:
取最小值,扇出系數(shù)=14。3.3.3其他功能的TTL門電路TTL集電極開(kāi)路與非門(OC門)OC門的輸出級(jí)三極管T4集電極懸空,即輸出管T4集電極開(kāi)路,故稱為集電極開(kāi)路門。使用時(shí)需要外接負(fù)載電阻RL(或稱上拉電阻)及電源。邏輯符號(hào)OC門主要作用1、實(shí)現(xiàn)“線與”
--將兩個(gè)以上門電路的輸出端直接并聯(lián)以實(shí)現(xiàn)“與”邏輯的功能。當(dāng)兩個(gè)OC門輸出F和F’均為低電平(T4和T4’均飽和導(dǎo)通)時(shí),整個(gè)輸出為低電平;當(dāng)T4和T4’其中一個(gè)為低電平時(shí),一個(gè)導(dǎo)通一個(gè)截止,整個(gè)輸出仍為低電平。只有當(dāng)兩個(gè)同時(shí)輸出高電平時(shí),整個(gè)電路輸出才會(huì)高電平。將若干個(gè)OC門輸出端連接在一起再接一個(gè)上拉電阻和電源,即可構(gòu)成各輸出變量間的“與”邏輯--“線與”。3、OC門應(yīng)用于實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換OC門實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換
OC門驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管
2、OC門可以用來(lái)驅(qū)動(dòng)顯示器2.三態(tài)門輸出門(TSL門)三態(tài)門是在普通門電路的基礎(chǔ)上,在電路中添加控制電路,它的輸出狀態(tài)除了高電平、低電平外還有第三種狀態(tài):高阻態(tài)。高阻態(tài)輸出端相當(dāng)于開(kāi)路。EN端信號(hào)電平有效時(shí),門電路允許輸出;EN端信號(hào)電平無(wú)效時(shí),輸出端既不是高電平又不是低電平,呈開(kāi)路狀態(tài),即高阻態(tài)。高阻態(tài)并無(wú)邏輯值,僅表示電路與其他電路無(wú)關(guān)聯(lián),所以三態(tài)電路仍是二值邏輯電路。
三態(tài)門主要用于總線分時(shí)傳送信號(hào)。注意:EN控制端信號(hào)有效電平有正有負(fù),視不同門電路而不同,但多數(shù)為低電平有效,常在EN端用一個(gè)小圓圈表示。低電平有效三態(tài)與非門高電平有效的三態(tài)與非門電路真值表
ENABF10011011110111100××高阻門電路的三態(tài)輸出主要應(yīng)用于多個(gè)門輸出共享數(shù)據(jù)或控制信號(hào)總線傳輸,這樣可以減少輸出連線。為避免多個(gè)門輸出同時(shí)占用數(shù)據(jù)總線,這些門的使能信號(hào)(EN)中只允許有一個(gè)為有效電平(如高電平)。3.3.4TTL集成電路的系列產(chǎn)品74系列:中速系列,TTL集成電路早期產(chǎn)品,平均傳輸延遲時(shí)間約為10ns,但平均功耗每門約10mW,現(xiàn)已基本淘汰。74L系列:為低功耗TTL系列,又稱LTTL系列。74H系列:高速系列,采用抗飽和三極管,在工作速度方面得到改善,平均傳輸延遲時(shí)間約為普通型的二分之一,約為6ns,但是平均功耗增加了,每門約為22mW。74S\74LS(又稱STTL)系列:為肖特基系列。工作速度和功耗均得到了明顯改善。速度和功耗上較前系列進(jìn)一步提高。其速度和功耗介于74AS和74ALS系列之間,廣泛應(yīng)用于速度要求較高的TTL邏輯電路。74F系列:74AS和74ALS系列:TTL門電路使用注意事項(xiàng)
電源電壓范圍TTL集成電路的電源電壓允許變化范圍較窄,54系列電源一般為5V0.5V;74系列電源為5V0.25V。因此必須使用+5V穩(wěn)壓電源。2.對(duì)多余輸入端的處理對(duì)于TTL電路,多余的輸入端是允許懸空。懸空時(shí),該端的邏輯輸入狀態(tài)一般都作為“1”高電平對(duì)待。但最好不要懸空,這樣易受干擾。
對(duì)多余輸入端的處理以不改變邏輯關(guān)系及穩(wěn)定可靠性為前提,要根據(jù)實(shí)際需要作適當(dāng)處理。一種方法是將多余輸入端并聯(lián)使用。但速度會(huì)降低,工作速度要求不高時(shí)可以采用這種方法。另一種方法可根據(jù)邏輯關(guān)系的要求接地或接高電平。與門(與非門)的多余輸入端可以通過(guò)1~3KΩ電阻或直接接到電源正端,或門(或非門)的多余輸入端可以接地。3.輸出端的處理普通TTL門電路輸出端不允許直接并聯(lián)或接電源、接地使用,否則將會(huì)使電路的邏輯功能混亂并損壞器件。TSL門電路輸出端可以并聯(lián)使用;OC門輸出端也可以并聯(lián)使用,但公共端與電源間要接有負(fù)載RL。3.4CMOS集成邏輯門電路3.4.1COMS 反相器3.4.2常用CMOS邏輯門電路3.4.3CMOS邏輯門系列--是互補(bǔ)金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管門電路的簡(jiǎn)稱。它是由增強(qiáng)型PMOS管和增強(qiáng)型NMOS管組成的互補(bǔ)對(duì)稱MOS門電路。
CMOS電路較之TTL電路具有以下優(yōu)點(diǎn):功耗低、靜態(tài)電流?。s為納安數(shù)量級(jí))、抗干擾能力強(qiáng)、電源電壓范圍寬、輸入阻抗高、負(fù)載能力強(qiáng)等,應(yīng)用廣泛。
CMOS集成邏輯門電路3.4.1COMS反相器1、MOS管的符號(hào)S(源極)G(柵極)D(漏極)S(源極)G(柵極)D(漏極)B(襯底)B(襯底)(a)NMOS管(b)PMOS管3.4.1CMOS反相器2、CMOS反相器(1)工作原理。在模擬電路中我們得知CMOS電路由一個(gè)N道溝增強(qiáng)型MOS管和一個(gè)P道溝增強(qiáng)型MOS管互補(bǔ)組成。如圖。其中Tp為PMOS管,Tn為NMOS管。當(dāng)輸入電壓uI為低電平時(shí),Tn
截止,Tp導(dǎo)通,uO輸出高電平。當(dāng)輸入電壓為高電平時(shí),Tp截止,Tn導(dǎo)通,輸出UO為低電平。因此,CMOS電路具有反相功能。CMOS主要特點(diǎn)(1)輸入電阻高(2)電壓傳輸特性好
(3)靜態(tài)特性好(4)抗干擾能力強(qiáng)(5)扇出系數(shù)大
(6)電路電壓范圍大注意:CMOS門電路的輸入端不應(yīng)懸空。在TTL門電路中,輸入端引腳懸空相當(dāng)于接高電平。但在CMOS門電路中,輸入端懸空時(shí)一個(gè)不確定因素,因此必須根據(jù)需要接高電平或接低電平接地。本章小結(jié)1.門電路是構(gòu)成各種復(fù)雜數(shù)字電路的基本單元。半導(dǎo)體二極管加正向電壓時(shí),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合;加反向電壓時(shí),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。(單向?qū)щ娦裕?.在門電路中作為開(kāi)關(guān)器件的有二極管、三極管和MOS管。半導(dǎo)體三極管--截止,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi);--飽和,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。即相當(dāng)于一個(gè)由基極電流控制的開(kāi)關(guān)。MOS管是一種電壓控制器件。在數(shù)字電路中MOS管工作于可變電阻區(qū)和截止區(qū),導(dǎo)通時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合,截止時(shí)相當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。3.分立元件門電路是最簡(jiǎn)單的門電路,可由半導(dǎo)體二極管、三極管構(gòu)成基本邏輯電路,是集成邏輯門電路的基礎(chǔ),但體積大、工作可靠性較差。4.TTL集成邏輯門電路提高了開(kāi)關(guān)速度,也使電路有較強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)負(fù)載的能力和抗干擾的優(yōu)點(diǎn)。在TTL系列中,除了有實(shí)現(xiàn)各種基本邏輯功能的門電路以外,還有集電極開(kāi)路門和三態(tài)門,它們能夠?qū)崿F(xiàn)線與,還可用來(lái)驅(qū)動(dòng)需要一定功率的負(fù)載。5.CMOS電路由PMOS管和NMOS管組成互補(bǔ)MOS電路,具有功耗低、集成度高、扇出系數(shù)大、開(kāi)關(guān)速度高、噪聲容限大、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。6.在邏輯電路使用過(guò)程
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