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精品文檔-下載后可編輯功分器在饋電網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用《電子科技》2022年第五期
1在大功率相控陣饋電網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用
相控陣傳統(tǒng)的饋電網(wǎng)絡(luò)為一部發(fā)射機連接一個天線陣元,示意圖如圖2所示。在常規(guī)的相控陣設(shè)計中,柵瓣是不允許出現(xiàn)的,因為它限制了相控陣的性能,柵瓣峰值不出現(xiàn)在可見的條件[5]是。其中,d為陣元間距;θ為天線陣掃描角??梢?,為使天線陣不出現(xiàn)柵瓣,陣元間距越小越好。但是,隨著陣元間距的減小,天線陣元之間的互耦影響會越來越大。在圖2傳統(tǒng)的饋電模式中,天線陣的互耦影響會導(dǎo)致陣元阻抗特性變得不穩(wěn)定,陣元天線駐波比增大,從而導(dǎo)致反射功率增大,有時會引起發(fā)射機無法正常工作,而只要有一路發(fā)射機無法正常工作整個相控陣就無法正常工作,所以在傳統(tǒng)饋電模式下,相控陣的設(shè)計必須嚴(yán)格平衡柵瓣和互耦之間的關(guān)系,進行折中設(shè)計,有時會不得不降低相控陣天線的電氣性能。。但在帶有功分器的饋電模式中,天線陣互耦的影響會有所減弱。在圖3中,天線互耦引起陣元天線阻抗不一致,從而隔離電阻R1、R2和R3上有電流通過,進而消耗功率。R1上消耗功率為天線1和天線2反向功率的差值的一半,R2上消耗功率為天線3和天線4的差值功率的一半,R3上消耗功率為天線1和天線2的合路端與天線3和天線4的合路端的反向功率的差值的一半。由式(3)可以看到,在帶有功分器的饋電模式中,天線的反向功率有一部分被隔離電阻吸收,并且在發(fā)射機端口的總的發(fā)射功率是四路發(fā)射功率經(jīng)過被隔離電阻吸收后又疊加在一起的,也就是說即便其中有一路發(fā)射功率過大,但是經(jīng)過隔離電阻吸收以及和其他幾路疊加后,其總反射功率還是有可能在發(fā)射機的可承受范圍之內(nèi),仍然可以正常工作。即在傳統(tǒng)饋電模式中,若有一路天線駐波比過大,其反射功率就會導(dǎo)致發(fā)射機無法正常工作;而在帶有功分器的饋電模式中,若有一路天線駐波比過大,其他幾路駐波比不超標(biāo),其總的反射功率可能還在發(fā)射機的承受范圍之內(nèi),仍然可以正常工作。下面通過一個具體實例來驗證上述理論,本文用FEKO電磁仿真軟件對數(shù)值計算結(jié)果進行驗證。
2模型試驗
選取如圖4所示的籠形折合振子天線作為相控陣的單元天線,其長度為6.528m,在20~29MHz頻率范圍內(nèi)駐波比<2,具體如圖5所示。即為使天線陣掃描角達(dá)到60°而又不出現(xiàn)柵瓣,陣元間距不能超過6.896m,單元天線長度為6.528m,也就是說兩兩單元天線末端間距不能>0.368m,從實際結(jié)構(gòu)方面考慮,選取天線末端間距為0.2m,利用FEKO電磁仿真軟件計算天線陣電氣性能,計算得出:在頻率為20MHz的時候,陣中4個單元天線按圖6的順序從左往右駐波比依次為2.59,1.27,1.63,1.52??梢园l(fā)現(xiàn),第一個單元天線的駐波比明顯偏高,如果采用如圖2所示的傳統(tǒng)模式饋電,會導(dǎo)致發(fā)射機反射功率較大而無法正常工作,這種情況下為了正常工作能是犧牲天線陣電氣性能,加大單元天線間距以減小天線間的耦合,付出的代價就是高頻段會有柵瓣出現(xiàn)。如果采用如圖3所示的帶有功分器的饋電模式,利用式(2)可以計算得出天線陣在發(fā)射機端口的反射功率,假設(shè)總的發(fā)射功率為4kW,則4個端口的正向功率均為1kW,根據(jù)式(2)可以4個端口的反向功率依次為:0.44kW,0.12kW,0.24kW,0.21kW,根據(jù)式(3),可以計算得出總的反射功率為0.8175kW,代入式(2),可以算出天線陣在發(fā)射機端口的駐波比為s=1.51,此時發(fā)射機可以正常工作。可以看到,帶有功分器的饋電網(wǎng)絡(luò)相比較傳統(tǒng)模式的饋電網(wǎng)絡(luò),天線陣在發(fā)射機端口有更好的阻抗特性,對天線陣元的互耦影響敏感度較小,因而對天線陣元間距有更大的調(diào)整空間,可以使天線陣擁有更好的波束掃描特性。
3結(jié)束語
本文介紹了功分器在相控陣饋電網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用,與傳統(tǒng)的一部發(fā)射機接一個陣元天線的饋電模式相比,其優(yōu)點有:天線陣在發(fā)射機端口有更好的阻抗特性,改善了原傳統(tǒng)模式中由于耦合嚴(yán)重可能導(dǎo)致的個別陣中單元天線阻抗失配嚴(yán)重從而使發(fā)射機無法正常工作的問
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