《材料制備與表征》課程教學(xué)大綱

1頁(yè)/5頁(yè)《材料制備與表征》課程教學(xué)大綱課程編號(hào)20821308總學(xué)時(shí)數(shù)48總學(xué)分?jǐn)?shù)3課程性質(zhì)適用專(zhuān)業(yè)一、課程的任務(wù)和根本要求：本課程包括材料制備技術(shù)和材料表征技術(shù)塊課程。學(xué)生通過(guò)學(xué)習(xí)要把握以下根本內(nèi)容：材料制備技術(shù)內(nèi)容包括晶體構(gòu)造、晶體缺陷、成核理論、界面的平衡構(gòu)造、晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)、單晶材料的制備、薄膜材料的制備、陶瓷材材料表征技術(shù)主要包括X射線衍射分析、電子顯微分析、熱分析、振動(dòng)光譜、光電子能譜、分內(nèi)容在其他課程中消滅過(guò)，在此只作簡(jiǎn)潔介紹。二、根本內(nèi)容和要求：上局部：材料制備技術(shù)第一章晶體構(gòu)造和晶體缺陷晶體學(xué)根底空間點(diǎn)陣米勒指標(biāo)密積存與配位數(shù)晶體結(jié)合鍵型元素晶體構(gòu)造幾種典型晶體構(gòu)造點(diǎn)缺陷線缺陷面缺陷目的和要求：把握晶體構(gòu)造根本學(xué)問(wèn)和晶體中存在的缺陷，分析晶體中缺陷來(lái)源種類(lèi)。相變驅(qū)動(dòng)力彎曲界面的平衡與相變位壘均勻成核非均勻成核再結(jié)晶成核單相固溶體的凝固目的和要求：把握材料中原子如何結(jié)合和生長(zhǎng)成核的學(xué)問(wèn)點(diǎn)。第三章界面的平衡構(gòu)造晶體的平衡外形生長(zhǎng)界面構(gòu)造的根本類(lèi)型柯塞爾模型杰克遜模型特姆金模型目的和要求：了解把握界面的根本種類(lèi)，不同描述形式之間的區(qū)分和特點(diǎn)。第四章晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)鄰位面的生長(zhǎng)——臺(tái)階動(dòng)力學(xué)與運(yùn)動(dòng)學(xué)光滑界面的生長(zhǎng)粗糙界面的生長(zhǎng)晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)統(tǒng)一理論晶體生長(zhǎng)形態(tài)學(xué)目的和要求：把握晶體生長(zhǎng)的根本理論，晶體界面核動(dòng)力爭(zhēng)論。第五章單晶材料的制備氣相生長(zhǎng)法水溶液生長(zhǎng)法水熱生長(zhǎng)法熔鹽生長(zhǎng)法熔體生長(zhǎng)法目的和要求：把握單晶材料制備方法，了解不同制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)。第六章薄膜材料的制備薄膜的形成機(jī)理物理氣相沉積化學(xué)氣相沉積化學(xué)溶液鍍膜法液相外延制膜法膜厚的測(cè)量與監(jiān)控目的和要求：把握薄膜材料形成的機(jī)理和常用制備方法。第七章陶瓷材料的制備陶瓷的組成相及其構(gòu)造陶瓷的制備工藝裝置瓷電容器陶瓷壓電陶瓷鐵氧體高溫陶瓷目的和要求：把握陶瓷材料組成和不同陶瓷組成的材料制備方法。第八章復(fù)合材料的制備復(fù)合材料的一般概念顆粒增加復(fù)合材料夾層增加復(fù)合材料纖維增加復(fù)合材料樹(shù)脂基復(fù)合材料金屬基復(fù)合材料陶瓷基復(fù)合材料目的和要求：把握常用復(fù)合材料的制備方法。第九章材料工程技術(shù)低維材料納米材料與制備技術(shù)金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積化學(xué)束外延和原子層外延激光沉積與激光釉化梯度功能材料智能材料與構(gòu)造目的和要求：把握型材料功能和制備方法。下局部：材料表征局部第十章X射線衍射分析X射線物理根底X射線衍射幾何條件單晶體的爭(zhēng)論方法多晶體的爭(zhēng)論方法衍射儀法X射線物相分析晶胞參數(shù)的測(cè)定目的和要求：把握X射線的衍射的根底學(xué)問(wèn)和電磁波理論。第十一章電子顯微分析電子光學(xué)根底電子與固體物質(zhì)的相互作用透射電子顯微分析掃描電子顯微分析電子探針X射線顯微分析分析電子顯微鏡電子顯微分析在無(wú)機(jī)非金屬材料科學(xué)中的應(yīng)用目的和要求：把握電子顯微鏡的根本原理，知道不同探針的工作模式。第十二章熱分析概述差熱分析熱重分析熱膨脹法其他熱分析方法目的和要求：把握掌熱分析的根本原理和分析方法。第十三章振動(dòng)光譜振動(dòng)光譜的根本原理紅外光和紅外光譜紅外分光光度計(jì)紅外光譜試驗(yàn)技術(shù)激光拉曼光譜振動(dòng)光譜在材料爭(zhēng)論中的應(yīng)用目的和要求：把握振動(dòng)光譜的根本原理，學(xué)會(huì)分析紅外等分析技術(shù)。第十四章光電子能譜分析概述光電子能譜的根本原理光電子能譜試驗(yàn)技術(shù)光電子能譜的應(yīng)用俄歇電子能譜目的和要求：把握光電子能譜的產(chǎn)生和機(jī)理，以及在測(cè)試中應(yīng)用。第十五章穆斯堡爾效應(yīng)穆斯堡爾效應(yīng)物理根底穆斯堡爾參數(shù)穆斯堡爾譜儀試驗(yàn)方法目的和要求：把握穆斯堡爾效應(yīng)的根本原理范圍三、實(shí)踐環(huán)節(jié)和要求：無(wú)四、教學(xué)時(shí)數(shù)安排：理論：48 試驗(yàn)：0 上機(jī)： 0 其它： 0教學(xué)內(nèi)容第一章晶體構(gòu)造和晶體缺陷其次章成核理論第三章界面的平衡構(gòu)造課第四章晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)第五章單晶材料的制備第六章薄膜材料的制備第七章陶瓷材料的制備第八章復(fù)合材料的制備第九章材料工程技術(shù)合計(jì)

學(xué)時(shí)安排433334332

教學(xué)內(nèi)容第十章X射線衍射分析第十一章電子顯微分析第十二章熱分析第十三章振動(dòng)光譜第十四章光電子能譜分析第十五章穆斯堡爾效應(yīng)48

學(xué)時(shí)安排443432五、其它工程〔含課外學(xué)時(shí)內(nèi)容無(wú)六、有關(guān)說(shuō)明：1、教學(xué)和考核方式：本課程屬必修考察課，考核方式為開(kāi)卷。2、習(xí)題：依據(jù)教學(xué)實(shí)際內(nèi)容選擇書(shū)本所附習(xí)題。3、力量培育要求：通過(guò)對(duì)材料制備技術(shù)的學(xué)習(xí)使學(xué)生了解常用材料的制備方法，并學(xué)會(huì)檢測(cè)材料性能的常用測(cè)試技術(shù)，以后的工作和學(xué)習(xí)打下根底。4、與其它課程和教學(xué)環(huán)節(jié)的聯(lián)系：先修課程和教學(xué)環(huán)節(jié)：需要具備光學(xué)，電磁學(xué)，電動(dòng)力學(xué)，材料物理，激光原理等物理學(xué)問(wèn)。后續(xù)課程和教學(xué)環(huán)節(jié)：平行開(kāi)設(shè)課程和教學(xué)環(huán)節(jié)：5、教材和主要參考書(shū)目