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mqjdoAAA無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)題庫-選擇題26.從防止二次再結(jié)晶的角度考慮,起始粒徑必須(c)A、晶粒內(nèi)部B、頸部表面張應(yīng)力區(qū)A、范德華力B、毛細(xì)管力C、局部邊-面靜電引力33a332)b.(112)c.(321)d.(223)20.從防止二次再結(jié)晶的角度考慮,起始原料的<NaO-SiO<KO-SiOb.KO-SiO<NaO-SiO<LiO-SiO24.劃分單位平行六面體時(shí),在滿足對(duì)稱性關(guān)系之26.若有一個(gè)變價(jià)金屬氧化物XO,在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學(xué)計(jì)量化合物,金屬元素X和氧原子數(shù)之0.90A、擴(kuò)散傳質(zhì)B、流動(dòng)傳質(zhì)C、蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)D、溶解-沉淀傳質(zhì)<NaO-SiO<KO-SiOb.KO-SiO<NaO-SiO<LiO-SiO52435.若有一個(gè)變價(jià)金屬氧化物XO,在氧化氣氛下形成陽離子空位型非化學(xué)計(jì)量化合物,金屬元素X和氧原子數(shù)之比為X:O=1:,則其化學(xué)式應(yīng)為()36.從工藝的角度考慮,下列選項(xiàng)中不是造成二次mn22A、平行B、垂直C、相交44、離子晶體中的空位擴(kuò)散,擴(kuò)散活化能隨材料的熔點(diǎn)升高()SLSVLV2)A、三方B、四方C、立方D、正交48.下列晶體結(jié)構(gòu)缺陷中缺陷濃度主要受氣氛分壓影響的是(441456235a.數(shù)目多而尺寸小的細(xì)晶b.數(shù)目少而尺寸大的粗晶c.GBSVGBSV56.在熔體中加入網(wǎng)絡(luò)變性體會(huì)使得熔體的析晶61.劃分單位平行六面體時(shí),在滿足對(duì)稱性關(guān)系之后應(yīng)考慮(b)64.在離子型化合物中晶粒內(nèi)部擴(kuò)散系數(shù)D,晶界區(qū)域擴(kuò)散66.在晶體中形成空位的同時(shí)又產(chǎn)生間隙原子,這樣的缺陷稱為669.若有一個(gè)變價(jià)金屬氧化物XO,在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學(xué)計(jì)量化合物,金屬元素X和氧原子數(shù)之0.8373.劃分單位平行六面體時(shí),在滿足對(duì)稱性A、隨溫度的升高而增大B、隨溫度的升高而減小C、隨溫度的升高先增大后減小D、隨溫度的升高先減小后1552785.塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸引力為86.在晶核形成過程中,臨界晶核半徑愈大,則相變(89.粘土顆粒周圍存在附著定向的水分子層和水化陽離子,這部分水稱為(b)91.在置換型固溶體中,原子擴(kuò)散的方式一般7、螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積,F(xiàn)-填充了(D)。8A:正負(fù)離子的個(gè)數(shù)B:結(jié)構(gòu)中的硅氧比C:化學(xué)組成D:離子半徑2417、點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過程等有關(guān),以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是(D:A或B9D:A或B22、固溶體的特點(diǎn)是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變,但點(diǎn)陣畸變,性能變化。固溶體有有限和無A:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件B:結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件,不是充分條件C:結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件D:結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件25、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加,其變化規(guī)律是(B)。A:線性增加B:呈指數(shù)規(guī)律增加26、間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體,其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮28、柏格斯矢量(BurgersVector)與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為(A),其符號(hào)表示為()。A:正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的,同時(shí)伴隨晶體體積的縮小B:正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的,同時(shí)伴隨晶體體積的增加C:正離子空位和負(fù)離子間隙是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的,同時(shí)伴隨晶體體積的增加D:正離子間隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對(duì)產(chǎn)生的,同時(shí)伴隨晶體體積的增加30、熱缺陷亦稱為本征缺陷,是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)(原子或離子)。生成弗侖克爾缺陷B:正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)D:正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)A:位錯(cuò)不一定是直線B:位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界C:位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部D:位A:螺位錯(cuò)只作滑移,刃位錯(cuò)既可滑移又可攀移B:刃位錯(cuò)只作滑移,螺位錯(cuò)只作攀移C:螺位錯(cuò)只作攀移,刃位錯(cuò)既可滑移又可滑移D:螺位錯(cuò)只作滑移,刃位錯(cuò)只作攀移34、當(dāng)熔體組成不變時(shí),隨溫度升高,低聚物數(shù)量(C粘度。36、硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而(B),隨溫度下降而()。)。A:B:343、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是(C)的過程。44、當(dāng)組成變化時(shí),玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有(應(yīng)析出10-6體積分?jǐn)?shù)的晶體的時(shí)間是最少的,由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率,通常,該臨界冷卻速率愈51、由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷,表面上原子產(chǎn)生的相對(duì)于正常位置的上、下位移,稱為A:不同;相同C:相同;不同56、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生,微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì),對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種57、界面對(duì)材料的性質(zhì)有著重要的影響,界面具有(D)的特性。C:對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)有阻礙作用60、當(dāng)液體對(duì)固體的潤(rùn)濕角θ>90°時(shí),即在不潤(rùn)濕的前提下,表面粗糙化后,液體與固體之間的潤(rùn)濕(A)。61、粘附功數(shù)值的大小,標(biāo)志著固-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度,粘附功數(shù)值(B固-液兩相互相結(jié)合(A:越大;越松散C:越??;越牢固C:保持不變D:有時(shí)升高,有時(shí)降低A:盡量采用化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng)64、將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去,則外C:小于D:A或B65、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生,微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì),對(duì)于脆性材料的強(qiáng)度這種A:越長(zhǎng);越低67、粗糙度對(duì)液固相潤(rùn)濕性能的影響是:CD:粗糙度對(duì)潤(rùn)濕性能無影響69、相平衡是指在多相體系中,物質(zhì)在各相間分布的平衡。相平衡時(shí),各相的組成及數(shù)量均不會(huì)隨時(shí)間而改變,是A:絕對(duì)平衡71、熱分析法是相平衡的研究方法之一,其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時(shí)間的變化情況來判斷系統(tǒng)中是否A:簡(jiǎn)便B:測(cè)得相A:準(zhǔn)確度高B:適用于相變速度慢的系統(tǒng)C:適用于相變速度快的系統(tǒng)D:73、可逆多晶轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象,多晶轉(zhuǎn)變溫度(A)兩種晶型的熔點(diǎn)。76、多晶轉(zhuǎn)變中存在階段轉(zhuǎn)變定律,系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直接完成的,而是依次經(jīng)過中間的介穩(wěn)狀態(tài),最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài)。最終存在的晶相由(D)決定。81、在離子型材料中,影響擴(kuò)散的缺陷來自兩個(gè)方面:熱缺陷與不等價(jià)置換產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷,后者引起的擴(kuò)散為83、擴(kuò)散之所以能進(jìn)行,在本質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在(A)。HCCrCrCHCHCrCrHC86、在離子型材料中,影響擴(kuò)散的缺陷來自兩個(gè)方面:熱缺陷和摻雜點(diǎn)缺陷。由它們引起的擴(kuò)散分別稱為C:無序擴(kuò)散和有序擴(kuò)散87、穩(wěn)定擴(kuò)散(穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散)是指在垂直擴(kuò)散方向的任一平面上,單位時(shí)間內(nèi)通過該平面單位面積的粒子數(shù)89、菲克(Fick)第一定律指出,擴(kuò)散通量
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