單端反激變換器的建模及應(yīng)用仿真_第1頁(yè)
單端反激變換器的建模及應(yīng)用仿真_第2頁(yè)
單端反激變換器的建模及應(yīng)用仿真_第3頁(yè)
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單端反激變換器的建模及應(yīng)用仿真第1頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月一、反激變換器的特點(diǎn)1、反激變換器的適用范圍 由于不需要接輸出濾波電感,使得反激變換器的成本較低、體積較小,所以這種拓?fù)湓谳敵龉β蕿?-150W的電源中廣泛應(yīng)用。適用于高電壓、低功率場(chǎng)合。主要應(yīng)用于小型儀器、儀表,家用電器等電源,自動(dòng)化設(shè)備中的控制電源。 除了功率以外,一般在選擇用反激拓?fù)鋾r(shí)還應(yīng)考慮以下限制:若輸出電流很大,且輸出電壓紋波要求較高時(shí)不適宜用反激拓?fù)洌驗(yàn)檩敵鰹V波電容將會(huì)很難選擇;若輸出多于三組或四組時(shí),最好不要用反激拓?fù)?,因?yàn)榇渭?jí)能量輸出時(shí)是按漏感的大小來(lái)進(jìn)行分配的,如果繞組間漏感不匹配,就會(huì)影響到輸出調(diào)整率,沒(méi)有直接取反饋的那路的電壓容易隨負(fù)載變化而劇烈變化。第2頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2、反激拓?fù)涞膬?yōu)缺點(diǎn) 反激拓?fù)潆娐繁容^簡(jiǎn)單,反激變壓器既充當(dāng)變壓器,又充當(dāng)電感,因此不用像正激拓?fù)淠菢有枰粋€(gè)大的儲(chǔ)能濾波電感,以及一個(gè)續(xù)流二極管。所以反激拓?fù)涞捏w積要比正激拓?fù)涞捏w積小,且成本也要低。不需要加磁復(fù)位繞組。反激拓?fù)湟笳{(diào)控占空比的誤差信號(hào)幅度要比較低。反激的缺點(diǎn)也很明顯。電壓和電流的輸出特性要比正激拓?fù)涞牟?輸出電流紋波較大)。由于反激拓?fù)渥儔浩鞯蔫F芯一般需要留一定的氣隙,反激拓?fù)渥儔浩鞒跫?jí)和次級(jí)線圈的漏感都比較大,開(kāi)關(guān)電源變壓器的工作效率低,只適合小功率開(kāi)關(guān)電源(5-150W)。第3頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月二、反激變換器的基本工作原理1.基本工作原理(1)當(dāng)開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),變壓器原邊電感電流開(kāi)始上升,此時(shí)由于次級(jí)同名端的關(guān)系,輸出二極管VD截止,變壓器儲(chǔ)存能量,負(fù)載由輸出電容C提供能量,拓?fù)潆娐啡缦聢D。

圖2-1開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)原理圖為防止負(fù)載電流較大時(shí)磁心飽和,反激變換器的變壓器磁心要加氣隙,降低了磁心的導(dǎo)磁率,這種變壓器的設(shè)計(jì)是比較復(fù)雜的。第4頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

(2)當(dāng)開(kāi)關(guān)管截止時(shí),變壓器原邊電感感應(yīng)電壓反向,此時(shí)輸出二極管導(dǎo)通,變壓器中的能量經(jīng)由輸出二極管向負(fù)載供電,同時(shí)對(duì)電容充電,補(bǔ)充剛剛損失的能量,原理圖如下圖。

圖2-2開(kāi)關(guān)管截止時(shí)原理圖

在開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),反激變換器的變壓器儲(chǔ)能向負(fù)載釋放,磁心自然復(fù)位,因此反激變換器無(wú)需另加磁復(fù)位措施。磁心自然復(fù)位的條件是:開(kāi)關(guān)導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間期間,變壓器一次繞組所承受電壓的伏秒乘積相等。第5頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2、DCM(discontinuouscurrentmode)&CCM(continuouscurrentmode)

根據(jù)次級(jí)電流是否有降到零,反激可以分為DCM和CCM兩種工作模式。兩種模式有其各自的特點(diǎn)。下面兩種工作模式時(shí)的波形。圖2-3反激變換器工作在CCM下的各個(gè)波形第6頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

圖2-3反激變換器工作在DCM下的各個(gè)波形

反激電路中變壓器磁芯的磁通密度取決于繞組中電流的大小。在最大磁通密度相同的條件下,CCM下的磁通密度的變化范圍要比DCM小,由Vi=N*△B*Ae/DT可知,CCM相對(duì)而言需要較多的匝數(shù)或是較大的磁芯。磁芯的利用率較低。第7頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

三、反激電路的建模與仿真第8頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

Simulink仿真模型中電壓源為100V直流電壓.PulseGenerator為PWM脈沖發(fā)生器,用于驅(qū)動(dòng)IGBT,調(diào)節(jié)其占空比就可以控制輸出電壓的大小。Diode為電力二極管,單向?qū)ǎ柚闺娏鞣聪蛄鲃?dòng);電路的開(kāi)關(guān)器件為IGBT,R為輸出電阻。Scope用于顯示PWM脈沖信號(hào)、IGBT開(kāi)關(guān)電流Is和開(kāi)關(guān)電壓Us、副邊電流Iw2、負(fù)載電流I0、負(fù)載電壓U0。DCVoltage100VPWM周期 0.0001sec變壓器頻率10000HZ原邊電壓100V副邊電壓20VR5ΩC2e-4F

參數(shù)設(shè)置第9頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

圖3-3當(dāng)占空比D=50,Rm=50pu、Lm=2pu,電阻R=5Ω,IGBT內(nèi)部電感=1e-8H各信號(hào)波形第10頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖3-4當(dāng)占空比D=5,Rm=50pu、Lm=2pu,電阻R=5Ω,IGBT內(nèi)部電感=1e-8H各信號(hào)波形

從圖3-3和3-4可以看出:當(dāng)其他條件不變時(shí),減小占空比,電路由連續(xù)模式變?yōu)閿嗬m(xù)模式。第11頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖3-5當(dāng)占空比D=50,Rm=50pu、Lm=2pu,R=5Ω,IGBT內(nèi)

部電感=1e-8H各信號(hào)波形第12頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

圖3-6當(dāng)占空比D=50,Rm=50pu、Lm=1pu,R=5Ω,IGBT內(nèi)部電感=1e-8H各信號(hào)波形

從圖3-5和3-6可以看出,當(dāng)其他條件不變,減小變壓器Lm值時(shí),電路由連續(xù)模式變?yōu)閿嗬m(xù)模式。第13頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖3-7當(dāng)占空比D=50,Rm=50pu、Lm=2pu,R=5Ω,IGBT內(nèi)部電感=1e-8H各信號(hào)波形第14頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖3-8當(dāng)占空比D=50,Rm=50pu、Lm=2pu,R=1e8Ω,IGBT內(nèi)部電感=1e-8H各信號(hào)波形

從圖3-7和3-8可以看出,其他條件不變?cè)龃筝敵鲭娮枳柚?,電路由連續(xù)模式變?yōu)閿嗬m(xù)模式,且輸出電壓Uo和輸出電流Io將越來(lái)越大、趨于無(wú)窮。第15頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖3-9當(dāng)占空比D=50,Rm=50pu、Lm=2pu,R=1e8Ω,IGBT內(nèi)

部電感=1e-8H時(shí)各信號(hào)波形第16頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖3-10當(dāng)占空比D=50,Rm=50pu、Lm=2pu,R=1e8Ω,IGBT內(nèi)

部電感=0.1H時(shí)各信號(hào)波形

從圖3-9和3-10可以看出,其他條件不變?cè)龃驣GBT內(nèi)部電感值,電路由連續(xù)模式變?yōu)閿嗬m(xù)模式。第17頁(yè),課件共18頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月四.結(jié)論

(1)在其他條件不變的情況下,占空比D、變壓

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