mic的內(nèi)部結(jié)構(gòu),工作原理,以及相關(guān)指標(biāo)的含義

傳聲器根底學(xué)問簡介：傳聲器是一個聲電轉(zhuǎn)換器件〔也可以稱為換能器或傳感器〔電→聲是輸入，喇叭是輸出。.二，傳聲器的分類：1，從工作原理上分：炭精粒式動圈式以下介紹以駐極體式為主〕壓電式二氧化硅式等.2， 從尺寸大小分,駐極體式又可分為假設(shè)干種.Φ9.7系列產(chǎn)品Φ8系列產(chǎn)品 Φ6系列產(chǎn)品Φ4.5系列產(chǎn)品Φ4系列產(chǎn)品每個系列中又有不同的高度3， 從傳聲器的方向性，可分為全向，單向，雙向〔又稱為消噪式〕4， 從極化方式上分，振膜式,背極式,前極式從構(gòu)造上分又可以分為柵極點焊式,柵極壓接式,極環(huán)連接式等5，從對外連接方式分一般焊點式：L型PIN腳式：P型同心圓式：S型三，駐極體傳聲器的構(gòu)造振膜式極環(huán)連接式為例11，防塵網(wǎng)：保護傳聲器，防止灰塵落到振膜上，防止外部物體刺破振膜，還有短時間的防水作用。2， 外殼：還可以起到電磁屏蔽的作用。3， 振膜：-金屬薄圓環(huán)上,,薄膜可以充有電荷，也是組成一個可變電容的一個電極板，而且是可以振動的極板。4:墊片：從而轉(zhuǎn)變電容量。5: 極板：電容的另一個電極，并且連接到了FET的G極上。6: 極環(huán)：連接極板與FET的G極，并且起到支撐作用。7: 腔體：〔FETS，G極短路。8: PCB組件：9: PINPCB焊接在一起,起連接,,背極式在構(gòu)造上也略有不同.四，、傳聲器的電原理圖：FETL D R VL GOS C OUTPUTOI 2C C CI 2MIC GFET(場效應(yīng)管)MIC的主要器件,起到阻抗變換和放大的作用,C;是一個可以通過膜片震驚而轉(zhuǎn)變電容量的電容,聲電轉(zhuǎn)換的主要部件.C1,C2是為了防止射頻干擾而設(shè)置的,可以分別對兩個射頻頻段的干擾起到抑制作用.RL:負載電阻,它的大小打算靈敏度的凹凸.VS:工作電壓,MIC供給工作電壓:CO:隔直電容,信號輸出端.五，駐極體傳聲器的工作原理：由靜電學(xué)可知，對于平行板電容器，有如下的關(guān)系式：C=ε·S/L 。。比，與兩個極板之間的距離成反比。Q量的電荷，那麼電容器兩個極板要形成確定的電壓，有如下關(guān)系式；C=Q/V 。。對于一個駐極體傳聲器，內(nèi)部存在一個由振膜，墊片和極板組成因此當(dāng)膜片受到聲從而Δd的變化，因此由公式ΔC充電電荷又是固定不變的，因此必定產(chǎn)生一個ΔV這樣初步完成了一個由聲信號到電信號的轉(zhuǎn)換。進展阻抗變換和放大。電壓的把握。SGFETSGΔv，F(xiàn)ETIΔIRΔVD L DC0輸出，這個電壓的變化量是由聲壓引起的，因此整個傳聲器就完成了一個聲電的轉(zhuǎn)換過程。六，傳聲器的主要技術(shù)指標(biāo)：,不同的使用條件,其靈敏度的大小有很大的影響電壓 電阻1， 消耗電流：即傳聲器的工作電流FETVSG=0時的電流，依據(jù)FET的分檔，可以作成不同工作,對于工作電流就有嚴(yán)格的要求,]由電原理圖可知V=V

+I*R

I =(V-V

)/RS SD D L D S SD L式中 ID

FETVSG

等于零時的電流R為負載電阻LV ,FETSD之間的電壓降SDV為標(biāo)準(zhǔn)工作電壓S總的要求 〈IDS〈500μA2， 靈敏度：單位聲壓強下所能產(chǎn)生電壓大小的力氣。單位：V/Pa 或dBV/Pa 司使用是dBV/μBa-40dBV/Pa=-60dBV/μBa0dBV/Pa=V/PaPa=1N/m2RL-30%之間。4，方向性：a，全向:MIC的靈敏度是在一樣的距離下在任何方向上相等,全向MIC的構(gòu)造是PCB上全部密封,因此,聲壓只有從MIC的音孔進入,因此是屬于壓強型傳聲器頻率特性圖：極性圖，單向單向,,MIC0度,那么在0度時靈敏度最高,180度時靈敏度最低,在全方位上呈心型圖,單向MIC的構(gòu)造與全向MIC不同,它是在PCB上開有一些孔,聲音可以從音孔和PCB的開孔進入,而且MIC的內(nèi)部還裝有吸音材料,MIC頻率特性圖：極性圖c， 消噪型;是屬于壓差式MIC,它與單向MIC不同之處在于內(nèi)部沒有吸音材料,8字型頻率特性:極性圖5，頻率范圍：全向：50~12023Hz20~16000Hz單向：100~12023Hz100~16000Hz消噪：100~10000Hz6，最大聲壓級:是指MIC的失真在3%時的聲壓級,聲壓級定義:20μpa=0dBSPLMaxSPL115dBSPLASPL聲壓級 A為A計權(quán)7， FET本身的噪聲。七: MIC的測試方法測試電路圖FET

LD R 電流表LVGaVGSOI 2 S C OUTPUTC C COI 2MIC G測試儀表 HY系列駐極體傳聲器測試儀1:電流的測試:由測試儀上直接讀取電流值(μA)2:靈敏度的測試:首先用標(biāo)準(zhǔn)話筒校準(zhǔn)測試儀的聲壓級為94dB,然后把待測MICMIC的方向),留意MIC的工作電壓和負載電阻,可以從測試儀上直接讀取70HZHE1KHZ3:方向性測試:要在消聲室內(nèi)進展,B&K2023,B&K4,B&K2023,B&K5:S/NMICMIC的噪聲,留意最好使用干電池,以削減因使用其它電源引起的測試誤差,然后計算:S/N=靈敏度電平/噪聲電平,在用對數(shù)表示.B&K2023并觀看失真值,當(dāng)失真值等于3MAXSPL.115dBSPLA八 關(guān)于MIC在手機的應(yīng)用,對于語言信息而言,MIC是一個重要的部件,是語言信息的輸入端.MI與手機的安裝構(gòu)造相匹配應(yīng)依據(jù)手機對MIC的予留尺寸選擇MIC,(MICPCB).手機的外殼的開孔一般可以在?0.8-?1之間,開孔過大,不美觀,開孔過由于留有間距相當(dāng)于在MIC底部與外殼之間形成一個空腔,會對聲音的MICmic空間話音頻率:通常話音的頻率是在300HZ-3KHZ之間,通常手機對話音要求300HZ3KHZ,MICMICMIC設(shè)置濾波參數(shù).才能到達要求.關(guān)于MIC在手機中的抗干擾(EMC)問題:當(dāng)手機處于放射狀態(tài)下,整個手機是處于手機放射的強電磁場內(nèi),因此除了手機本身的防電磁干擾之外,對于MIC也提出了抗電磁干擾的問題.通常措施:使用金屬鋁外殼起屏蔽作用.PCBMIC,PMIC.音孔由一個大孔改為多個小孔,選用抗干擾性能好的器件,FET削減外殼與PCB的封邊電阻,提高抗干擾力氣.設(shè)計上,依據(jù)頻率的不同并接不同的電容.通10P,33P兩個電容.必要時可以在S-D之間并一個小的電容,提高抗干擾力氣.有時也可以利用RC濾波器設(shè)計.MIC在手機上的使用條件應(yīng)與MIC的靈敏度測試條件相全都,其中包括工作電壓,負載電阻.另外在以下狀況下還要對MIC的工作電流進展限定,例如有的手機給MIC的供電電壓比較低,(1V),而負載電阻又比較大(2.2K),這是由于V=V

+I*R

I =(V-V

)/RS SD D L D S SD LSD為了保證MIC中的FET工作在線性工作區(qū),不進入飽和區(qū),應(yīng)使VSD≥0.7V

=(1V-0.7V)/2.2K=0.136mA因此在這種狀況下,選用的FET的電流不能大于150μA手機的音頻FTA五項測試(SendingFrequencyResponse.SendingDistortionSLRReceivingFrequencyResponseRLR)其中有三項與MIC有關(guān)SLRMIC的靈敏度有關(guān),音頻放大器有關(guān),手機調(diào)制特性有關(guān)ResponseMIC的頻響有關(guān),手機的濾波器有關(guān)關(guān),A/D轉(zhuǎn)換器有關(guān)SendingDistortionMIC的噪音有關(guān),放大器的噪聲有關(guān),調(diào)制噪聲有關(guān),A/D轉(zhuǎn)換器有關(guān)MIC與手機的連接.手機與MIC的連接方式比較多,有直接焊接式:MIC與手機直接焊接式,PMICPIN直接焊在PCB上.但要留意焊接時間和溫度,簡潔通過焊接使MIC損壞或性能轉(zhuǎn)變,MIC.目前較少使用.壓接式:MICPCB通過導(dǎo)電橡膠或彈性金屬簧片或彈性金的連接各種膠套.使用組裝便利,修理便利,但是價格較高(由于膠套較貴),有時會消滅個別接觸不良現(xiàn)象,使用較多.導(dǎo)線連接式:用導(dǎo)線或FPC連接MIC和PCB,例如L型MIC通過導(dǎo)線MIC無影響,價格適宜接觸良好,目前使用較多九: 1;全向MIC的使用:MIC的使用:MIC