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第第頁如何用直流掃描分析法DCsweep驗證晶體管特性在上篇《活學活用LTs(pi)ce進行(電路設計)—簡單五步繪制正確電路圖》中,我們分享了只用簡單五步繪制電路圖的方法,展示了如何通過讀取JIG電路來輕松(模擬)一個(開關(guān)穩(wěn)壓器)。本文將介紹如何使用預先準備好的模擬文件進行(DC)sweep直流掃描分析。
打開用于直流掃描分析的文件
此處以Educational文件夾為例,使用該文件夾內(nèi)預先準備好的模擬文件進行處理。單擊(電腦)上“我的文檔”,依次順序點擊“LTspiceXVII”、“examples”,再到“Educational”。在Educational文件夾內(nèi)打開名為“curvetrace.asc”的文件,可以得到如下圖(圖1)所示的雙極(晶體管)2N222的電路圖。以下我們將使用這個文件來進行DCsweep直流掃描分析,DCsweep是通過改變器件的直流值來模擬其特性。
圖1(電阻)值變化時的電壓值
直流掃描分析設置步驟
如上圖(圖1)所示,左邊紅色下劃線①為集電極與發(fā)射極電壓V1的設置,這意味著V1將從0V至15V范圍內(nèi)以10mv步長進行掃描。右鍵單擊文本以打開“編輯模擬”命令,選擇1^st^Source以檢查V1的配置,如下圖(圖2)紅框部分所示。
上圖(圖1)所示中的藍色下劃線②則為流經(jīng)基極的(電流)I1的設置,這意味著I1將以20uA至100uA的20uA步長變化。通過在Edit(Sim)ulationCommand中選擇2^nd^Source可以檢查I1的配置,如下圖(圖2)藍框部分所示。
圖2DCSweep的配置
檢查晶體管2N222I-V曲線
執(zhí)行RUN后將得到如下圖(圖3)所示的I-V曲線圖。使用這個文件稍作修改,還可以檢查別的晶體管的I-V特性。此外,也可以將(電流源)I1更改為電壓源以檢查FET的I-V特性。
圖3晶體管的I-V特性
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